專利名稱：發(fā)光設備和電子鎮(zhèn)流器中通過高頻吸收實現(xiàn)的電磁兼容性改進的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種帶有集成的電子鎮(zhèn)流器(EVG)的發(fā)光設備和一種 電子鎮(zhèn)流器本身，其中改進了電磁兼容性(EMV )。
背景技術：
在帶有電子鎮(zhèn)流器的發(fā)光設備的情況下以及在電子鎮(zhèn)流器本身的情 況下，會出現(xiàn)高頻范圍中(特別是在20MHz至30MHz之間)的干擾。 這些干擾是由于發(fā)光設備或者鎮(zhèn)流器的接地的金屬部件和設備附近的環(huán) 境之間的諧振現(xiàn)象而引起的，其中接地導體引線(PE)的電感和發(fā)光設 備殼體、鎮(zhèn)流器殼體的金屬部件與環(huán)境之間的電容性耦合起到特別的作 用。這些干擾劣化了 EMV質(zhì)量，并且會導致在遵守EMV要求時的難度。
已公開了在EVG中的用于減小這種干擾的電縛拔術上的措施，這些 措施意味著一定的開銷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明基于該技術問題，提出了一種帶有集成的EVG的發(fā)光設備和 一種EVG本身，它們顯示出關于高頻范圍中的這種諧振現(xiàn)象方面的改進 的電磁兼容性。
該問題通過一種帶有集成的電子鎮(zhèn)流器的發(fā)光設備來解決，其特征在 于吸收高頻輻射的材料構(gòu)成的衰減元件，該衰減元件"&計為通過高頻輻 射吸收來衰減在發(fā)光設備的PE接線端子和發(fā)光設備中的接地端子之間 的、發(fā)光設備的線路中的高頻電流。
本發(fā)明還通過一種用于燈的電子鎮(zhèn)流器來解決，其特征在于相應的衰 減元件，該衰減元件設計為衰減在鎮(zhèn)流器的PE接線端子和鎮(zhèn)流器中的 接地端子之間的、鎮(zhèn)流器的線路中的高頻電流。
優(yōu)選的擴展方案在從屬權利要求中進行說明。
3在此，術語"發(fā)光設備"通常與術語"燈"不同，并不涉;sjc光器材 本身，即并不涉及負責實際的光產(chǎn)生的消耗品，而是涉及一種照明裝置， 其帶有發(fā)光器材或者用于容納發(fā)光器材，即容納燈。發(fā)光設備于是具有殼 體并且通常具有罩、反射器、半透明的遮蓋玻璃等等。
本發(fā)明的基本思想在于，在發(fā)光設備或者鎮(zhèn)流器中設置有衰減元件， 該衰減元件通過材料特定的高頻衰減特性在感興趣的頻率范圍中產(chǎn)生高 頻輻射損耗，并且由此衰減干擾性的諧振現(xiàn)象以及減小其幅度。在此，特 別是考慮具有合適的磁性特性的材料，這些材料可以通逸磁性的高頻損耗 來進行衰減。這特別適合于鐵磁性的陶資原料，特別是也由氧化鐵構(gòu)成的
原料，這些原料也作為衰減鐵氧體(Daempfungsferrite)而已知。
在此，這種衰減元件優(yōu)選不應被集成到導體本身中(鐵氧體對此也會 缺少導電能力)，而是應當僅僅安裝在導體附近。優(yōu)選的是，衰減元件包 圍導體，其方式是其為帶有穿通開口的本體。特別是考慮所謂的珠(即小 的帶有孔的類似球的本體)、環(huán)或者小管。
在所要求保護的鎮(zhèn)流器情況下，要衰減的線路位于鎮(zhèn)流器的PE接線 端子和鎮(zhèn)流器殼體上或者其相應的部件上的接地接觸部之間。由此，涉及 諧振現(xiàn)象的線路電流必須通過該線路。
在發(fā)光設備的情況下，發(fā)光設備的PE接線端子通常整體上與集成在 發(fā)光設備中的鎮(zhèn)流器的PE接線端子不同，或者鎮(zhèn)流器可能也沒有專用的 PE接線端子。優(yōu)選的是，要由衰減元件來衰減的線路在此位于發(fā)光設備 的PE接線端子和對諧振現(xiàn)象一同負責的發(fā)光設備殼體部件的接地接觸部 或者發(fā)光設備殼體整體的接地接觸部之間。與發(fā)光設備殼體(部件)關聯(lián) 并且參與諧振現(xiàn)象的電容于是引起通過該線路的衰減的電流。
另一方面，集成的鎮(zhèn)流器的導電殼體也可以涉;M目當大的電容，使得
同樣優(yōu)選的是，該線路位于發(fā)光設備的PE接線端子和鎮(zhèn)流器殼體的接地 接觸部之間。優(yōu)選的是兩種情況都存在。特別地，可以相對于發(fā)光設備殼 體(部件)進行鎮(zhèn)流器接地接觸，使得通過在發(fā)光設備的PE接線端子和 發(fā)光設備殼體(部件)上的接地接觸部之間的線路的衰減也已經(jīng)一同檢測 至鎮(zhèn)流器殼體的電流。
在本發(fā)明的所有變形方案中，原則上優(yōu)選的是，將衰減元件集成到接 線端子中。當迄4^i炎及衰減元件要衰減PE接線端子和確定的接地接觸部 之間的線路時，表述"之間"意味著從實際的用于外部線路的連捲接觸部開始的區(qū)域。優(yōu)選地集成到端子中意味著，衰減元件要集成在接線端子本 體中，即例如在通常的、在用于外部線路的連接接觸部和內(nèi)部的連接接觸
部之間的導電件附近的電源插頭(Luesterklemme)的情況下那才羊，確切 地說，特別是具有包圍該導電件的形式。術語"集成在，，在此意味著，衰 減元件要包含或者保持在包括其絕緣保持裝置的部件中，使得其M光設 備制造商或者鎮(zhèn)流器制造商與端子一同地安裝并且安裝在端子中，并且可 能甚至已可以購買。


圖1-3示出了帶有發(fā)光設備接線端子的三個根據(jù)本發(fā)明的電路裝 置，其中所iliL光設^^接線端子帶有集成的衰減元件。
圖4示出了在^Mt高頻干擾衰減的情況下帶有電子鎮(zhèn)流器的發(fā)光設 備的干擾頻譜。
圖5示出了帶有電子鎮(zhèn)流器和根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光設備接線端子的發(fā) 光設備的干擾頻譜，其中該發(fā)光設備接線端子帶有根據(jù)圖1的電路中的集 成的衰減元件。
具體實施例方式
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的具有發(fā)光設備接線端子LK的電路裝置，該 發(fā)光設備接線端子LK具有用于帶有電子鎮(zhèn)流器EVG的發(fā)光設備的集成 的衰減元件F。衰減元件F是高頻吸收的鐵氧體珠，并且集成在發(fā)光設備 接線端子本身中。在此，鐵氧^K位于用于外部的PE電網(wǎng)饋電線的接線 端子接觸部和引導至發(fā)光設備殼體的內(nèi)部線i^間的導電連接上。于是， 帶有衰減元件F的線路區(qū)段連接在發(fā)光設備殼體和接地導體PE之間，其 中在此電子鎮(zhèn)流器EVG通itiL光設備殼體(或者線路)并且最后通過衰 減元件與接地導體PE相連。在該電路裝置中，衰減元件F吸收了干擾頻 譜(該干擾頻鐠是由發(fā)光設備殼體和電子鎮(zhèn)流器的殼體之間的諧振、特別 是由發(fā)光設備殼體和環(huán)境之間的電容性耦合產(chǎn)生的)，并且通過這種方式 衰減高頻干擾。
圖2示出了根據(jù)圖l的電路裝置的變形。在此，鐵氧體珠同樣集成在 發(fā)光設備接線端子中，然而僅僅設置到PE連接線路上，鎮(zhèn)流器EVG借 助該PE連接線路通itiL光設備接線端子連接到外部PE線路上。發(fā)光設備的殼體或者如所示的那樣與其無關地連接到外部的PE饋電線上，或者 在該實施例中也可以構(gòu)建為完全沒有接地接觸部，例如在塑料發(fā)光設備的 情況中那樣。在此，于AiL光設備殼體的電容性影響并不起決定性作用， 并且在根據(jù)本發(fā)明的衰減中未被考慮。
相反，在圖3中的變形方案中，通過同樣集成到發(fā)光設備接線端子中 的鐵氧體珠F僅僅影響通往如下線路的導電橋:該線路通往發(fā)光設備殼體 的接地接觸部。因為與圖1中的變形方案不同，鎮(zhèn)流器EVG在此通過至 發(fā)光設備接線端子的饋電線連接到外部的PE線路上，并且該饋電線并未 通過鐵氧體珠被一同檢測，因此這里并未一同考慮EVG殼體的電容性影 響。該影響在個別情況中會是不明顯的。與附圖不同，由于發(fā)光設備殼體 的接地也可以省去導電的和接地的EVG殼體。然而當然也可以存在第二 鐵氧體珠或者共同的鐵氧體珠用于殼體接地饋電線。
圖4示出了在沒有衰減元件并且由此沒有高頻干擾抑制的情況下具 有電子鎮(zhèn)流器的發(fā)光設備的干擾頻鐠(在50O的情況下，單位為dBpV)。 此外，在圖4中示出了針對準峰(QP)值和平均值(AV)的要遵守的標 準值曲線。所確定的干擾電平在10 MHz至30 MHz的頻率范圍中明顯超 過要遵守的關于準峰值(60dBjiV)和平均值(50dBnV)的標準值，其 中過沖了大約5dBnV。
圖5示出了相同的、具有帶有發(fā)光i殳^^接線端子和集成的衰減元件的 電子鎮(zhèn)流器的發(fā)光設備的干擾頻鐠，其中該集成的衰減元件帶有根據(jù)圖1 的電路裝置。低于在10 MHz至30 MHz之間的頻率范圍中規(guī)定的關于準 峰(QP)值和平均值(AV)的標準值，其中下沖大約5dBpV。
權利要求
1. 一種照明設備，即帶有集成的電子鎮(zhèn)流器(EVG)的發(fā)光設備，其特征在于吸收高頻輻射的材料構(gòu)成的衰減元件(F)，該衰減元件設計為通過高頻輻射吸收來衰減在發(fā)光設備的接地導體引線的接線端子和發(fā)光設備中的接地端子之間的、發(fā)光設備的線路中的高頻電流。
2. 根據(jù)權利要求1所述的照明設備，其中發(fā)光設備中的接地端子是 發(fā)光設備殼體的至少 一部分的接地接觸部。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的照明設備，其中發(fā)光設備中的接地端 子是鎮(zhèn)流器殼體的至少 一部分的接地接觸部。
4. 根據(jù)上述權利要求中的任一項所述的照明設備，其中鎮(zhèn)流器 (EVG)的接地接觸部連接在發(fā)光設備殼體上。
5. —種照明設備，即用于燈的電子鎮(zhèn)流器(EVG),其特征在于吸收 高頻輻射的材料構(gòu)成的衰減元件(F),該衰減元件^L計為通過高頻輻射 吸收來衰減在鎮(zhèn)流器(EVG )的接地導體引線的接線端子和鎮(zhèn)流器(EVG) 中的接地端子之間的、鎮(zhèn)流器(EVG)的線路中的高頻電流。
6. 根據(jù)上述權利要求中的任一項所述的照明設備，其中衰減元件(F) 具有吸收高頻的鐵氧體。
7. 根據(jù)上述權利要求中的任一項所述的照明設備，其中衰減元件(F) 是包圍穿通開口的本體，并且其中高頻電流要被衰減的線路通過該穿通開 口 。
8. 根據(jù)上述權利要求中的任一項所述的照明設備，其中衰減元件(F) 集成在接線端子(LK)中。
全文摘要
本發(fā)明涉及通過引入高頻吸收的衰減元件(F)、特別是鐵氧體珠來改進帶有集成的電子鎮(zhèn)流器的發(fā)光設備或者電子鎮(zhèn)流器的電磁兼容性。
文檔編號H05B41/285GK101513130SQ200680055900
公開日2009年8月19日 申請日期2006年9月25日 優(yōu)先權日2006年9月25日
發(fā)明者西格弗里德·邁爾, 賴因哈德·萊謝勒 申請人:奧斯蘭姆有限公司