專利名稱：電路部件、電極連接構(gòu)造以及具備它們的顯示裝置的制作方法
電路部件、電極連接構(gòu)造以及具備它們的顯示裝置 技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明，涉及一種在可彎性村底上形成ja擋膜及電極的電路部 件、連接電極間的電極連接構(gòu)造、以及包括這個電極連接構(gòu)造的顯示裝置。
技術(shù)背景
液晶顯示器、有機EL顯示器、以及電泳顯示器等的顯示裝置中， 在玻璃襯底上形成了多個薄膜晶體管(TFT)的第 一 電路部件的活性 矩陣(active matrix)^H"底被廣泛;l也應用。
上述多個薄膜晶體管(TFT)，形成為設置成矩陣狀。還有，活性 矩陣村底上，各連接在薄膜晶體管(TFT)上的多個源極布線及柵極布 線形成為格子狀。各源極布線相互平行延伸的同時，各柵極布線以 與源極布線垂直相交的方式形成。這些源極布線及柵極布線的端部， 延伸到襯底外側(cè)的邊框區(qū)域的同時并形成端子(本申請書等中還稱 為電極)。
上述邊框區(qū)域上組裝了 IC驅(qū)動器等的第二電路部件。IC驅(qū)動器 等，在它的組裝面上具有與上述端子對應的多個電極。并且，IC驅(qū) 動器的各電極，各自電連接在上述各端子的端子上。
作為電連接這樣的第一電路部件的端子、和第二電路部件的電 極的方法，用異向?qū)щ娔?ACF: Anisotropic Conductive Film)包層已 為所知。異向?qū)щ娔?ACF)，是在具有粘結(jié)性的絕緣材料(binder)中 分散有導電粒子，例如，在絕緣性的環(huán)氧系列熱硬化粘結(jié)劑中分散 導電性粒子。還有，作為上述導電性粒子，例如，以聚苯乙烯(polystyr ene)橋聯(lián)體(交聯(lián)體)形成的基材為核心體，在其表面實施鎳的電鍍已 為所知。(例如參照專利文獻l等)
然而，近年，對上述各種顯示器也要求了便攜性以及柔軟性， 從份量輕以及可彎性(flexible)等的有利點出發(fā)，取代玻璃村底將塑 料村底適用于活性矩陣襯底(第一電路部件)的研究不斷發(fā)展。
塑料襯底， 一般來講，與玻璃襯底相比因為極易吸收水分，所 以具有在村底上極易發(fā)生大幅度伸縮以及彎曲等的問題。因此，通 常在塑料村底的表面上層疊了不透水的無機膜等的阻擋膜。也就是， 在將塑料村底適用于活性矩陣村底(第一電路部件)的情況下，在塑 料村底上層疊的阻擋膜的表面形成了各種布線以及端子。
然而，在由塑料襯底構(gòu)成的活性矩陣4于底(第一 電路部件)上壓接 組裝IC驅(qū)動器的話，由于是在較柔軟的塑料襯底上的端子上集中施 加壓力，在這個端子的下方的阻擋膜上容易產(chǎn)生裂故，這成為問題。 這個問題，在墊入具有導電性粒子的異向?qū)щ娔?ACF)的情況下尤 為顯著。
在此，參照圖27及圖28說明以前的電極連接構(gòu)造。圖27，表 示電極連接構(gòu)造的擴大剖面圖。圖28，擴大表示產(chǎn)生了裂縫的第一 電路部件的一部分的平面圖。
第一電路部件的薄膜晶體管(TFT)村底101,具有塑料襯底102、 層疊在塑料村底102上的無機膜等的阻擋膜103、和形成在阻擋膜 103表面上的多個第一電極的端子104。各端子104相距所規(guī)定的間 隔設置，相互接近。還有，盡管省略了圖示，薄膜晶體管(TFT)村底 101中在阻擋膜103上形成了布線或電極等的電路部。
另一方面，第二電路部件的IC驅(qū)動器105上，設置了第二電極 的多個突起106。還有，IC驅(qū)動器105和薄膜晶體管(TFT)村底101 之間，在突起106以及端子104周圍設置了異向?qū)щ娔?07。這樣， 通過IC驅(qū)動器105壓接組裝到薄膜晶體管(TFT)襯底101上，端子 104上電連接了突起106。
并且，端子104受到損傷在它下面的阻擋膜103上產(chǎn)生裂紋110 的話，這個裂紋110，在阻擋膜103中傳播擴散到周圍。其結(jié)果， 形成在最初受到損傷的端子104a周圍的其他端子104b以及省略了 圖示的布線等電路部，由于傳播來的阻擋膜103的裂縫110引起損傷或斷線，這也是問題。還有，這種情況下，具有薄膜晶體管(TFT)村底101的顯示裝置，顯示品位降低。
于是，迄今為止，較小的(例如73Mpa以下)設定導電粒子中電鍍膜的破壞應力的同時，設定壓接應力在這個電4度膜的破壞應力以上的做法已為所知(例如參照專利文獻2)。由此，降低傳向端子的損傷維持良好的電連接。(專利文獻1)日本專利公開平9-199206號公報(平9=平成9年) (專利文獻2)日本專利公開2001-337340號公報 (發(fā)明所要解決的課題)
然而，即便是根據(jù)上述專利文獻2的方法，當端子的材質(zhì)、導電粒子的大小以及材質(zhì)的種種變更的情況，在第二電路部件壓緊粘結(jié)時，擔心第一電路部件的端子受到損傷而無法維持電連接狀態(tài)。
這個問題，沒有設置異向?qū)щ娔?ACF)時(也就是電極之間直接壓緊粘結(jié)的情況)、取代異向?qū)щ娔?ACF)夾入導電性糊、NCF(Non Conductive Film)、以及粘結(jié)樹脂等的情況，再有，電極間夾有共(comm.on)轉(zhuǎn)移電極的情況同樣會產(chǎn)生。
還有，因為阻擋膜與塑料襯底的緊密粘結(jié)性低，組裝了第二電路部件的情況下，還有相對于第一電路部件與塑料村底的粘結(jié)性第二電路部件的粘結(jié)性低的問題。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，鑒于上述諸點而發(fā)明，其目的在于抑制阻擋膜中的 裂紋的傳播降低電路以及電極的損傷，提高電路部件之間的緊密粘 結(jié)性。(解決課題的方法)
為了達成上述的目的，這個發(fā)明中，在第一電極周圍的至少一 部分中將阻擋膜從可彎性村底的表面除去?？蓮澬源宓祝梢允褂?以包含樹脂或塑料等高分子材料為主的村底。
具體地講，本發(fā)明所涉及的電路部件，具有可彎性襯底、層疊 在上述可彎性村底表面上的阻擋膜、形成在上述阻擋膜上的電路部、以及設置在上述可彎性村底中層疊了上述阻擋膜一側(cè)的第一電極； 上述阻擋膜，在上述第一電極周圍的至少一部分被從上述可彎性村 底表面除去。
還有，本發(fā)明所涉及的電極連接構(gòu)造，包括第一電路部件， 該第一電路部件具有可彎性襯底、層疊在上述可彎性村底表面上的 阻擋膜、形成在上述阻擋膜上的電路部、以及設置在上述可彎性村 底中層疊了上述阻擋膜一側(cè)的第一電極；和第二電路部件，與上述 第一電路部件相對設置，具有與上述第一電極相對的第二電極；上 述第一電路部件的上述第一電極和上述第二電路部件的上述第二電 極，是在使它們相互接近的方向上施加了壓力的狀態(tài)下連接的；上 述阻擋膜，在上述第一電極周圍的至少一部分被從上述可彎性村底 表面除去。
上述第二電路部件，包括具有連接在上述第二電極上的電路的 本體部；上述本體部的一部分和上述第一電路部件，是在使它們相 互接近的方向上施加了壓力的狀態(tài)下接觸的；上述阻擋膜，在與上 述本體部接觸的上述第 一 電路部件上區(qū)域周圍的至少 一 部分被從上述可彎性襯底表面除去亦可。
上述第一電極，最好的是隔著上述阻擋膜設置在上述可彎性襯 底上。
上述笫一電極，還可以直接設置在上述可彎性村底的表面上。
上述第一電極和上述第二電極之間，最好的是夾有含導電性粒子的異向性導電膜。
上述第一電極，還可以設置多個且相互接近。
上述第一電極和上述第二電極之間，還可以夾著共(common)轉(zhuǎn)移電極。
上述第一電極，是由為向上述第二電路部件輸入信號的多個輸 入一側(cè)端子、和相對于上述輸入一側(cè)端子按所規(guī)定間隔設置且為從 上述第二電路部件輸出信號的多個輸出一側(cè)端子構(gòu)成的；上述阻擋 膜，最好的是在上述輸入一側(cè)端子和上述輸出 一側(cè)端子之間的區(qū)域 也是被除去的。
除去了上述阻擋膜的除去區(qū)域，從上述可彎性村底表面的法線 方向看，分隔上述除去區(qū)域的界線的至少一部分可以形成為圓弧狀。
上述第一電極以所規(guī)定的間隔形成多個的同時，相鄰的上述第 一電極之間，形成了除去上述阻擋膜的除去區(qū)域；上述除去區(qū)域的 寬度，最好的是規(guī)定為相鄰的上述第一電極之間的間隔以下的大小。
上述第一電極以所規(guī)定的間隔形成多個的同時，相鄰的上述第 一電極之間，形成了除去上述阻擋膜的除去區(qū)域；上述除去區(qū)域， 最好的是形成為多個縫隙狀。
上述第一電極以所規(guī)定的間隔形成多個的同時，相鄰的上述第 一電極之間，形成了除去了上述阻擋膜的除去區(qū)域；上述除去區(qū)域， 最好的是形成為在相鄰的上述第 一 電極間的蛇形延伸的波形狀。
還有，本發(fā)明所涉及的電極連接構(gòu)造，包括第一電路部件， 該第一電路部件具有可彎性襯底、層疊在上述可彎性襯底表面上的 阻擋膜、形成在上述阻擋膜上的電路部、以及設置在上述可彎性村 底中層疊了上述阻擋膜一側(cè)的第一電極；和第二電路部件，與上述 第一電路部件相對設置，具有與上述第一電極相對的第二電極；上 述第一電路部件的上述笫一電極、和上述第二電路部件的上述第二 電極，是在使它們相互接近的方向上施加了壓力的狀態(tài)下連接的； 上述阻擋膜，在上述第一電極周圍的至少一部分區(qū)域形成的比其他 區(qū)域薄。
還有，本發(fā)明所涉及的顯示裝置，包括第一電路部件，該第 一電路部件，具有可彎性襯底、層疊在上述可彎性村底表面上的阻 擋膜、形成在上述阻擋膜上的電路部、以及設置在上述可彎性襯底 中層疊了上述阻擋膜一側(cè)的第一電極；和第二電路部件，該第二電 路部件相對于上述第一電路部件設置，具有與上述第一電極相對的 第二電極；電極連接構(gòu)造，上述第一電路部件的上述第一電極、和 上述第二電路部件的上述第二電極，是在使它們相互接近的方向上 施加了壓力的狀態(tài)下電連接的；顯示部，由上述第一電路部件的電 路部控制進行顯示；上述阻擋膜，在上述第一電極周圍的至少一部 分被從上述可彎性村底表面除去。
—作用一接下來說明本發(fā)明的作用。
第一電路部件(電路部件)，具有可彎性襯底，相對于第一電極例 如第二電極，在施加了使它們相互接近方向的壓力的狀態(tài)下電連接 之際，由于這個壓力，擔心接近第一電極的阻擋膜產(chǎn)生裂紋。對此， 本發(fā)明中，第一電極的周圍至少一部分從可彎性村底的表面除去了 阻擋膜，所以，即便是產(chǎn)生了這樣的裂紋，也不會越過上述除去了 阻擋膜的除去區(qū)域向外側(cè)傳播。其結(jié)果，抑制了電路部件由于裂紋 的損傷。此外，在除去了阻擋膜的區(qū)域，還可以提高第一電路部件 的可彎性襯底和第二電路部件的緊密粘結(jié)性。
還有，第二電路部件的本體部，相對于第一電路部件，在施加 了使它們相互接近方向的壓力的狀態(tài)下接觸的情況。這種情況，與 本體部接觸的第 一 電路部件上的區(qū)域設置阻擋膜的話，擔心在這個 區(qū)域附近的阻擋膜產(chǎn)生裂紋。對此，本發(fā)明中，與本體部接觸的第 一電路部件上的區(qū)域周圍的至少一部分，從可彎性襯底的表面除去 了阻擋膜，所以，即便是產(chǎn)生了這樣的裂紋，也不會越過上述除去 了阻擋膜的除去區(qū)域向外側(cè)傳播。
電極和可彎性襯底之間存在阻擋膜的情況，即便是在這個阻擋 膜上產(chǎn)生裂紋，如上所述，裂紋不會傳播到其他阻擋膜。另一方面， 第一電極直接設置到可彎性襯底上的情況，即便是在第一電極上施 加壓力，只要阻擋膜自身不存在，就不會產(chǎn)生裂紋。因此，也就防 止了電路部由于裂紋的損傷。
第一電極和第二電極之間夾有異向?qū)щ娔?ACF)的情況下，第一 電極通過異向?qū)щ娔?ACF)中的導電性粒子與第二電極電連接。這 種情況，第一電極中與導電性粒子接觸的部分應力集中，所以，它 附近的阻擋膜容易產(chǎn)生裂紋。然而，本發(fā)明中，第一電極周圍的至 少一部分除去了阻擋膜，所以抑制了裂紋的擴展。也就是，本發(fā)明 對夾入異向?qū)щ娔?ACF)的情況特別有效。
在第一電路部件上相互接近設置多個第一電極的情況，在各第 一電極周圍的至少一部分分別除去了阻擋膜，所以，假設即便是阻擋膜上產(chǎn)生了裂紋，也能夠抑制這個裂紋對其他第 一 電極的損傷。
還有，第一電極和第二電極之間夾有共(common)轉(zhuǎn)移電極的情 況，第一電極上，施加了從第二電極通過共(commcm)轉(zhuǎn)移電極施加 的壓力。其結(jié)果，與上述一樣，第一電極附近的阻擋膜上產(chǎn)生裂紋， 但是因為第一電極周圍至少一部分除去了阻擋膜，所以，抑制了由 于裂紋傳播的電路部的損傷。
在第一電極的輸入一側(cè)端子和輸出一側(cè)端子之間的區(qū)域，除去 阻擋膜，就可以防止輸入一側(cè)端子和輸出 一側(cè)端子之間裂紋的傳播。 還有，將阻擋膜的除去區(qū)域的界線形成為圓弧狀，就降低了除去區(qū) 域界線的角形狀，也就不容易產(chǎn)生裂紋。還有，將除去區(qū)域的寬度， 規(guī)定為相鄰第 一 電極之間的間隔以下的大小，既可維持阻擋膜的阻 擋特性又能防止裂紋的傳播。
將除去區(qū)域形成為多條縫隙狀的情況，或者是波狀的情況，因 為可以增大阻擋膜的表面積，所以，在除去阻擋膜的同時還能維持 阻擋性。還有，將阻擋膜形成為比第一電極的周圍的其他區(qū)域薄， 在由阻擋膜維持阻擋性能的同時，對裂紋的耐性增高，也就降低了 裂紋的傳播。一發(fā)明的效果一
根據(jù)本發(fā)明，因為第一電極周圍的至少一部分從可彎性村底表 面除去了阻擋膜，所以，即便是接近第一電極的阻擋膜產(chǎn)生裂紋， 這個裂紋也不會越過上述除去了阻擋膜的區(qū)域向外側(cè)傳播。其結(jié)果， 能夠抑制電路部等的由于裂紋的損傷。此外，在除去了阻擋膜的區(qū) 域，還可以提高第 一 電路部件的可彎性村底和第二電路部件的緊密 粘結(jié)性。


圖1,是表示實施方式1的液晶顯示裝置的外觀平面圖。 圖2，是擴大表示實施方式1的電極連接構(gòu)造的剖面圖。 圖3，是表示塑料村底的剖面圖。 圖4,是表示層疊了阻擋膜的塑料村底的剖面圖。圖5，是表示形成在阻擋膜上的端子的剖面圖。圖6，是表示覆蓋端子的絕緣膜的剖面圖。圖7，是表示圖案形成了的阻擋膜及絕緣膜的剖面圖。圖8，是表示覆蓋端子的ACF的剖面圖。圖9,是圖1中組裝區(qū)域的擴大平面圖。圖10是表示進一步擴大圖9的一部分的平面圖。圖11，是圖10中的XI-XI線剖面圖。圖12,是擴大表示實施方式2的電極連接構(gòu)造的剖面圖。圖13，是擴大表示實施方式3的電極連接構(gòu)造的概略剖面圖。圖14,是表示實施方式3的液晶顯示裝置的外觀的平面圖。圖15，是擴大表示TFT襯底的一部分的平面圖。圖16,是表示其他實施方式中液晶顯示裝置的外觀的平面圖。圖17，是擴大表示實施方式4的電極連接構(gòu)造的剖面圖。圖18，是擴大表示端子及其周邊區(qū)域的平面圖。圖19，是擴大表示端子及其周邊區(qū)域的平面圖。圖20，是擴大表示端子及其周邊區(qū)域的平面圖。圖21，是圖20中XXI-XXI線剖面圖。圖22，是擴大表示端子及其周邊區(qū)域的平面圖。圖23，是擴大表示端子及其周邊區(qū)域的平面圖。圖24，是擴大表示端子及其周邊區(qū)域的平面圖。圖25，是圖24中XXV-XXV線剖面圖。圖26，是擴大表示端子及其周邊區(qū)域的平面圖。圖27,是擴大表示以前的電極連接構(gòu)造的剖面圖。圖28,是表示以前的接近端子中擴展的裂縫的平面圖。(符號說明)1液晶顯示裝置(顯示裝置)2電極連接構(gòu)造8顯示區(qū)域(顯示部)10TFT村底(第一電路部件)11相對襯底(第二電路部件)12IC驅(qū)動電路(第二電路部件)15塑料村底16阻擋膜17電路部18端子(第一電極)21突起(vamp)(第二電極)22異向?qū)щ娔?4導電性粒子25本體部31第一普通電極墊(第一電極)32第二普通電極墊(第二電極)37共(common)轉(zhuǎn)移電極具體實施方式
以下，基于附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。尚，本發(fā)明并不限于以下的實施方式。
《發(fā)明的實施方式1》圖1至圖8，表示本發(fā)明的實施方式1。圖1，是表示顯示裝置的液晶顯示裝置1的外觀的平面圖。圖2,是擴大表示電極連接構(gòu)造2的剖面圖。圖3至圖8，是為了說明電極連接構(gòu)造2的制造方法的剖面圖。
液晶顯示裝置1，如圖l所示那樣，包括第一電路部件的薄膜 晶體管(TFT)村底10、相對于薄膜晶體管(TFT)襯底IO設置的相對 襯底11、設置在薄膜晶體管(TFT)襯底IO和相對襯底11之間的液 晶層(省略圖示)。上述薄膜晶體管(TFT)呈遞10上，組裝了第二電 路部件的IC驅(qū)動器12、和FPC(flexible printed circurt)l3。 FPC13, 是為了向IC驅(qū)動器12提供信號的，IC驅(qū)動器12是控制各薄膜晶 體管(TFT)而被驅(qū)動的。垂直相交設置的多條柵極布線以及源極布線、設置在各薄膜晶體管(TFT)上的驅(qū)動液晶層的像素電極。另一方面，相對電極11，具有 由ITO(Indium Tin Oxide)形成的共通電極、和彩色濾光片。
薄膜晶體管(TFT)村底10，如圖10所示那樣，形成的比相對襯 底11還大，與相對村底11沒有重合的側(cè)端區(qū)域，成為了組裝上迷 IC驅(qū)動器12以及FPC13的組裝區(qū)域9。另一方面，在薄膜晶體管 (TFT)村底IO和相對村底11重疊的區(qū)域上，設置了進行顯示的顯示 區(qū)域8。本發(fā)明的特征是薄膜晶體管(TFT)襯底10以及IC驅(qū)動器12 的連接構(gòu)造。參照圖2進行說明。
薄膜晶體管(TFT)襯底10具有可彎性村底的塑料襯底15、層疊 在塑料襯底15表面的阻擋膜16、形成在阻擋膜16上的電路部17。 電路部17中，包含如上述柵極布線及源極布線、薄膜晶體管(TFT)、 以及像素電極等。尚，圖2中，筒化了電路部17模式表示。還有， 作為可彎性襯底，可以使用包含以樹脂以及塑料等高分子材料為主 的襯底。
上述塑料村底15，由樹脂襯底構(gòu)成。阻擋膜16，例如由無機膜 等構(gòu)成，構(gòu)成為至少不讓水分和離子、以及氣體等雜質(zhì)的一種透過。 塑料襯底15 —般吸水性高，但是，通過將其表面用阻擋膜16覆蓋， 降低塑料襯底15的吸水性。尚，圖2中，表示了在塑料村底15的 一面層疊了阻擋膜16的例子，但是，在塑料襯底15的兩面都層疊 也是可以的。
還有，塑料村底15的組裝區(qū)域9中，形成了多個第一電極的端 子18，并是相互接近設置。端子18，設置在塑料襯底15中層疊了 阻擋膜16的一側(cè)(也就是，層疊了阻擋膜16的同時還組裝了 IC驅(qū) 動器12的一側(cè))。
在此，圖9，是圖1中組裝區(qū)域9的擴大平面圖。圖10，是表 示進一步擴大圖9的一部分的平面圖。圖11，是圖10中XI-XI線 剖面圖。尚，圖9中，只表示了端子18的一部分，省略了其他端子 18的圖示。
端子18，如圖IO所示那樣，具有為向IC驅(qū)動器12輸入信號的多個輸入一側(cè)端子18a、和對于這個輸入一側(cè)端子18a以所規(guī)定 的間隔設置為從IC驅(qū)動器12輸出信號的多個輸出一側(cè)端子18b。
各輸入一側(cè)端子18a，例如，形成為沿圖10的上下方向(在此， 上方向是從村底15的一側(cè)端部向中央的方向。)延伸的長方向，在 圖10中左右方向上以各自所規(guī)定的間隔設置。各輸出一側(cè)端子18b, 在輸入一側(cè)端子18a的圖IO的上側(cè)，與輸入一側(cè)端子18a—樣設置。 還有，各輸出一側(cè)端子18b,對應于各輸入一側(cè)端子18a設置。
端子18中的輸出一側(cè)端子18b，例如，形成在從組裝區(qū)域9引 出的電路部17的柵極布線的端部。也就是，端子18連接于電路部 17。另一方面，輸入一側(cè)端子18a，連接于FPC13的輸出一側(cè)端子(省 略圖示)。
本實施方式的端子18,介于阻擋膜16形成在塑料襯底15上。 端子18,由例如柵極絕緣膜等的絕緣膜19覆蓋著，這個絕緣膜19 上，在端子18的上方位置形成了貫通孔20。由此，端子18，通過 絕緣膜19的貫通孔20露出上方。
上述IC驅(qū)動器12,如圖2所示那樣，包括有電路(省略圖示) 的本體部25、連接于這個本體部25的電路的第二電極的凸起21。 凸起21,在本體部25的下表面的組裝面12a上形成了多個的同時， 相互接近設置。各凸起21對應于各端子18。也就是，在IC驅(qū)動器 12相對于薄膜晶體管(TFT)村底10的組裝區(qū)域9設置的狀態(tài)下，各 凸起21通過貫通孔20分別與各端子18相對。
并且，IC驅(qū)動器12，介于異向?qū)щ娔?簡寫為ACF)22組裝在薄 膜晶體管(TFT)襯底10上。異向?qū)щ娔?ACF)22是在具有粘結(jié)性的 絕緣材料的粘結(jié)劑23中分散多個導電性粒子24構(gòu)成的。并且，薄 膜晶體管(TFT)襯底10的各端子18、和IC驅(qū)動器12的各凸起21, 通過加熱壓緊，在向相互接近的方向上施加壓力的狀態(tài)下，分別相 互電連接的。
這時，各端子18和各凸起21之間，介有處于壓縮狀態(tài)的異向 導電膜(ACF)22的導電性粒子24。也就是，各端子18以及各凸起 21，通過導電性粒子24電連接的。還有，各端子18和各凸起21，一部分是通過直接接觸導通的。
并且，上述阻擋膜16，在端子18周圍的至少一部分被從塑料村 底15的表面除去。
本實施方式1，在圖9中波形線包圍的區(qū)域A(也就是IC驅(qū)動器 12以及FPC13的輸出入部分的周圍)，除去了阻擋膜16。阻擋膜16， 如圖10所示那樣，除去了輸入一側(cè)端子18a之間以及輸出一側(cè)端子 18b之間的部分。因此，除去了阻擋膜16的除去區(qū)域26形成為近 似長方形，如圖11所示那樣，除去區(qū)域26中，露出了襯底15的表 面。還有，對應IC驅(qū)動器12的中央的區(qū)域的阻擋膜16，不除去而 保留。
尚，將端子18，也可以形成在塑料4十底15上形成為例如短柵狀 的阻擋膜16上。換句話說，由于從塑料襯底15的表面除去了阻擋 膜16的除去區(qū)域26，包圍端子18周圍的大部分成為了可能。
—制造方法一接下來，參照圖2至圖8說明上述電極連接構(gòu)造2的制造方法。 首先，對圖3所示的塑料村底15的表面，如圖4所示那樣，用濺鍍 以及CVD等的薄膜沉積技術(shù)，沉積如Si02以及SiNx等的無機膜 等形成的0.1^m程度厚的阻擋膜16。
其后，第 一 電極形成工序，如圖5所示那樣，用光刻法(photolitho graphy)等形成多個阻擋膜16表面的第一端子18。這些多個端子18 的圖案形狀，對應IC驅(qū)動器12的凸起21的設置形狀而形成。還有， 端子18上，單層或?qū)盈B使用Al、 Ti、 Mo、以及ITO等。這些端子 18的膜厚，0.1至0.5//m程度合適。這個第一電極形成工序，與形 成連接薄膜晶體管(TFT)的柵極布線以及源極布線的工序同工序形 成。
接下來，進行絕緣膜形成工序，例如，形成由Si02以及SiNx 等形成的0.1至0.5//m厚度的絕緣膜19。絕緣膜形成工序，與形 成構(gòu)成薄膜晶體管(TF T)柵板絕緣膜的工序同工序進行。如圖6所示 那樣，在阻擋膜16上一樣形成覆蓋端子18的絕緣膜19后，通過光 刻技術(shù)，如圖7所示那樣，從端子18的周圍除去這個絕緣膜19的同時，在端子18的上方位置形成貫通孔20。
再有，進行阻擋膜除去工序從端子18的周圍部分除去阻擋膜 16。這個阻擋膜除去工序與上述絕緣膜形成工序重復進行。也就是， 如圖7所示那樣，通過光蝕刻，從端子18的周圍同時除去絕緣膜 19以及阻擋膜16。
本實施方式，在圖9的波形線包圍的區(qū)域A中，除去阻擋膜16。 并且，輸入一側(cè)端子18a之間以及4俞出 一側(cè)端子18b之間的區(qū)is戈， 除去阻擋膜16。也就是，阻擋膜16的除去區(qū)域26也形成為近似長 方形。其結(jié)果，如圖ll所示那樣，阻擋膜16的除去區(qū)域26，露出 沖于底15的表面。
這個工序中除去了樹脂襯底上的一部分阻擋膜16， ^旦是，阻擋 膜16的除去區(qū)域26，因為位于塑料襯底15的外側(cè)的周邊部分，所 以不對內(nèi)側(cè)的顯示區(qū)域8有影響。還有，因為與阻擋膜16的整體面 積相比除去區(qū)域26的面積小，所以不會有因阻擋膜16的除去降低 塑料村底15的防濕性等的壞影響。尚，阻擋膜，盡管是從塑料襯底 15的表面除去端子18周圍的至少一部分既可，但是，為了進一步 抑制裂紋的傳播，最好的是除去比端子18寬的周圍。
接下來，進行異向?qū)щ娔?ACF)粘貼工序。如圖8所示那樣，在 塑料村底15上以覆蓋端子18以及絕緣膜19的方式祐貼、臨時粘貼 異向?qū)щ娔?ACF)22。異向?qū)щ娔?ACF)22上使用了分散了導電性粒 子的例如環(huán)氧系列粘結(jié)劑等。接下來，如圖2所示的那樣，進行組 裝工序。這個工序，排列端子18和凸起21合位的狀態(tài)下，在加熱 的同時加壓，在薄膜晶體管(TFT)村底IO上組裝第二電路部件的IC 驅(qū)動器12。其結(jié)果，異向?qū)щ娔?ACF)的IC驅(qū)動器12的凸起21， 在貫通孔20的內(nèi)部通過導電性粒子24與端子18電連接。通過以上 各個工序制造電極連接構(gòu)造2。尚，為組裝IC驅(qū)動器12的加熱壓 接工具，可以使用一般的工具，但最好的是較低溫的加熱壓接工具。 加熱壓接IC驅(qū)動器12時的壓力10至50Mpa、還有溫度為180。C合 適。
—實施方式l的效果一因此，根據(jù)這個實施方式l，端子18的周圍從塑料襯底15的表面 除去了阻擋膜16，所以即便是端子18下方的阻擋膜16產(chǎn)生裂紋， 也能夠使這個裂紋無法跨越除去了阻擋膜的區(qū)域(除去區(qū)域26)向外 側(cè)擴展。其結(jié)果，可以抑制相鄰的其他端子18或者電路部17的裂 紋損傷，能夠降低制品的不良品率。
然而，盡管上述阻擋膜16能夠阻擋水分的透過，但是卻有降低 與塑料襯底15的緊密粘結(jié)的傾向。對此，本實施方式，因為在除去 區(qū)域26部分除去了阻擋膜，在這個部分的塑料襯底15、和IC驅(qū)動 器12能夠直接粘結(jié)于異向?qū)щ娔?ACF)22的粘結(jié)層，就能夠提高緊 密粘結(jié)性。
也就是，根據(jù)本實施方式，抑制了阻擋膜16中的裂紋的傳播降低了電路部17以及鄰接端子18的損傷的同時，還能夠提高塑料村底15和IC驅(qū)動器12的緊密祐結(jié)性。
還有，因為異向?qū)щ娔?ACF)22介于端子18和凸起21之間，端子18下方的阻擋膜16中，與導電性粒子24接觸的部分，特別容易集中應力產(chǎn)生裂故。對此，本實施方式，即便是產(chǎn)生了裂紋也能有效的抑制它的擴展。
《發(fā)明的實施方式2》圖12,表示本發(fā)明的實施方式2。尚，以下的各實施方式，與圖1至圖8相同的部分標注相同的符號，省略其詳細說明。
相對于上述實施方式1中端子18和凸起21之間的阻擋膜16殘留成短柵狀，本實施方式中D端子漢字18和凸起21之間不設置阻擋膜16。
阻擋膜16，不只是除去端子18周圍的除去區(qū)域26，端子18及 絕緣膜19的下方也除去。也就是，端子18,直接形成在薄膜晶體 管(TFT)襯底10的塑料襯底15表面上。
制造本實施方式的電極連接構(gòu)造時，如圖4所示那樣， 一樣在 塑料襯底15上層疊阻擋膜16后，以包含形成多個端子18的區(qū)域的 全部區(qū)域為除去區(qū)域30,將這個除去區(qū)域30中的阻擋膜16用光蝕 刻等從塑料村底15的表面除去。
接下來，在除去區(qū)域30中圖案形成端子18。其后，與上述實施 方式l相同，進行絕緣膜形成工序。接下來，與上述實施方式l一 樣，進行異向?qū)щ娔?ACF)粘貼工序及組裝工序。通過這樣制造出 電極連接構(gòu)造2。
根據(jù)本實施方式，因為端子18下方不設置阻擋膜16自身，所 以即便是在端子18上施加壓力，也不會產(chǎn)生裂紋。因此，就可以防 止鄰接端子18由于裂紋的損傷。但是，從減低塑料村底15的吸水 性觀點看，上述實施方式1,由于被阻擋膜16覆蓋的塑料襯底15 的表面積大，所以是最好的。
《發(fā)明的實施方式3》圖13至圖15,表示本發(fā)明的實施方式3。圖13，是模式表示 本實施方式的液晶顯示裝置1的剖面圖，圖14，是概略表示本實施 方式的液晶顯示裝置1外觀的平面圖，圖15，是擴大表示薄膜晶體 管(TFT)村底10的一卻分的平面圖。尚，圖13根據(jù)說明的需要作了 簡化，與圖15不對應。
本實施方式的液晶顯示裝置l，第一電路部件的薄膜晶體管(TFT) 村底10、和第二電路部件的相對襯底11分別由塑料村底15、 35構(gòu) 成。薄膜晶體管(TFT)襯底10的塑料襯底15上，在阻擋膜16—側(cè) 層疊了阻擋膜16。另一方面，相對襯底11的塑料襯底15上，薄膜 晶體管(TFT)村底10—側(cè)層疊了阻擋膜36。還有，薄膜晶體管(TFT) 村底10以及相對襯底11之間設置了液晶層30，由密封部件41密 封。
薄膜晶體管(TFT)襯底10的阻擋膜16上，如圖13至圖15所示 那樣，形成了形成在顯示區(qū)域8的柵極布線及源極布線等的電路部 17。還有，薄膜晶體管(TFT)村底10上，第一電極的普通電極墊31 設置在顯示區(qū)域8的周圍。第一普通電極墊31上連接著從組裝區(qū)域 9引出的布線部33。
另一方面，.相對村底11上，如圖13所示那樣，第二電極的普 通電極墊32,相對于上述第一普通電極墊31設置。還有，顯示區(qū) 域8的阻擋膜36上層疊了由ITO等形成的共通電極34。共通電極34上連接著上述第二普通電極32。
薄膜晶體管(TFT)村底10及相對襯底11之間，共(common)轉(zhuǎn)移 電極37介于液晶層30的外側(cè)。第一普通電極墊31及第二普通電極 墊32，在受到相互接近方向的壓力的狀態(tài)下，通過共(common)轉(zhuǎn)移 電極37電連接。這樣，薄膜晶體管(TFT)村底10中從組裝區(qū)域9 一側(cè)通過布線部33提供的信號，通過第一及第二普通電極墊31、 32及共(common)轉(zhuǎn)移電極37供給相對村底11的共通電極34。
并且，薄膜晶體管(TFT)襯底10的阻擋膜16，在設置了第一普 通電極墊31的區(qū)域，被從塑料村底15的表面除去。另一方面，相 對村底11的阻擋膜36,在設置了第二普通電極墊32的區(qū)域，被從 塑料村底35的表面除去。并且，第一及第二普通電極墊31、 32， 分別直接形成在部分除去了阻擋膜16、 36的塑料村底15、 35的表 面。換句話說，設置了第一及第二普通電極墊31、 32的區(qū)域，成為 除去了阻擋膜16、 36的除去區(qū)域26。
制造本實施方式的電極連接構(gòu)造時，除去阻擋膜16、 36的工序 之后，形成第一及第二普通電極墊31、32。其后，將薄膜晶體管(TFT) 村底IO及相對村底ll，在夾著共(common)轉(zhuǎn)移電極37的狀態(tài)下祐 合。
如以前那樣，沒有從塑料村底15、 35除去阻擋膜16、 36的情 況下，因為這個阻擋膜16、 36上，在共(common)轉(zhuǎn)移電極37設置 的區(qū)域應力變大，所以，就容易產(chǎn)生裂紋，這個裂紋就會傳向周圍。 對此，本實施方式中，由于從容易產(chǎn)生裂紋的區(qū)域除去了阻擋膜16、 36，這樣，對于鄰接的電路部17以及第一及第二普通電極墊31、 32，就可以防止通過阻擋膜16、 36傳遞裂紋，也就可以防止顯示品 位的降低。
尚，與上述實施方式l一樣， 一部分與共(common)轉(zhuǎn)移電極37 重疊的區(qū)域留下了阻擋膜16、 36的同時，在它周圍的區(qū)域?qū)⒆钃跄?16、 36從塑料襯底15的表面除去亦可。由此，假如，與這個第一 及第二普通電極墊31、 32重疊的阻擋膜16、 36上產(chǎn)生裂紋，也可 以使這個裂紋不會超出這個除去區(qū)域26。其結(jié)果，可以抑制由于鄰接的電路部17以及其他的第一及第二普通電極墊31、 32的裂紋引 起的損傷，也就可以抑制顯示品位的降低。
《發(fā)明的實施方式4》圖17，表示本發(fā)明的實施方式4。圖17，是模式表示本實施方 式的液晶顯示裝置1的剖面圖。
IC驅(qū)動器12，最好的是板狀的本體部25對薄膜晶體管(TFT)村 底10平行的朝向組裝。但是，實際上，如圖17所示那樣，本體部 25有可能對薄膜晶體管(TFT)村底IO傾斜的狀態(tài)下組裝。再有，這 個傾斜大的情況下，本體部25的一部分和薄膜晶體管(TFT)襯底10 是在受到相互接近方向的壓力的狀態(tài)下接觸的。
本實施方式中，在接觸上述本體部25的薄膜晶體管(TFT)村底 上的區(qū)域周圍的至少一部分，將阻擋膜16從塑料襯底15的表面除 去。因此，如圖17所示那樣，本體部25接觸在塑料襯底15上的沒 有阻擋膜16的區(qū)域的情況下，由這個接觸就能防止裂紋的產(chǎn)生。還 有，本體部25接觸在塑料村底15上的有阻擋膜16的區(qū)域的情況下， 即便是產(chǎn)生裂紋，也可以使裂紋無法越過除去阻擋膜16的區(qū)域傳 遞。因此，在本體部25和薄膜晶體管(TFT)襯底10的接觸區(qū)域外側(cè)， 可以抑制端子18以及電路部17的損傷。
《發(fā)明的實施方式5》圖18至圖26，表示本發(fā)明的實施方式5。圖18至圖20、圖22、 圖24、以及圖26,擴大表示端子18及其周邊區(qū)域的平面圖。圖21， 是圖22中XXI-XXI線剖面圖。圖23,是圖22中XXIII-XXIII線剖 面圖。圖25 ，是圖24中XXV-XXV線剖面圖。
本實施方式5，是在實施方式l中，是將阻擋膜16的除去區(qū)域 26做如下所述的種種形狀改變而成的。
上述實施方式1中，在端子18的左右兩側(cè)形成了阻擋膜16的 除去區(qū)域26的同時，沒有除去對應IC驅(qū)動器12的中央?yún)^(qū)域的阻擋 膜16而留下了，但是，如圖18所示那樣，對于IC驅(qū)動器12中央 的阻擋膜16區(qū)域，也可以在同圖中沿上下方向以及左右方向延伸的 形成除去區(qū)域26。也就是，輸入一側(cè)端子18a和輸出一側(cè)端子18b之間的區(qū)域，除去阻擋膜16。并且，在除去區(qū)域26露出襯底15的 表面。這樣，通過沿左右方向延伸形成除去區(qū)域26，就可以防止輸 入一側(cè)端子18a和輸出一側(cè)端子18b之間裂紋的傳播。
還有，除去區(qū)域26，從襯底15表面的法線方向看，分劃除去區(qū) 域26的界線的至少一部分可以形成為圓弧狀。也就是，如圖19所 示那樣，以從端子18的輸入一側(cè)向輸出一側(cè)上下方向延伸的方式形 成除去區(qū)域26的同時，以向上下方向外側(cè)突出的圓弧狀形成這個除 去區(qū)域26的上下端部亦可。這樣做，在除去區(qū)域26的上下端部不 再有角形狀部，使裂紋不容易產(chǎn)生成為可能。
接下來，如圖20所示那樣，在以從端子18的輸入一側(cè)向輸出 一側(cè)上下方向延伸的方式形成除去區(qū)域26的同時，如圖21所示那 樣，可以用所規(guī)定的關(guān)系限定相鄰合對的端子18之間的左右方向間 隔L1、和除去區(qū)域26的左右方向?qū)挾萀2。在此，為了不降低由于 阻擋膜16的阻擋性能，除去區(qū)域26的寬度越窄越好。實際的光蝕 刻工序中，最小的除去區(qū)域26的寬度L2是數(shù)wm程度。另一方面， 為了確實防止裂紋的傳播，除去區(qū)域26的寬度越寬越好。因此，除 去區(qū)域26的寬度L2，最好的是限定在數(shù)XZm以上且端子18間隔 Ll以下。通過這樣做，在維持阻擋膜16的阻擋性能的同時又能夠 防止裂紋的傳播。
還有，如圖22所示那樣，在以從端子18的輸入一側(cè)向輸出一 側(cè)上下方向延伸的方式形成除去區(qū)域26的同時，如圖23所示那樣， 可以在輸入一側(cè)端子18a以及輸出一側(cè)端子18b的周圍的至少一部 分區(qū)域形成比其他區(qū)域薄的膜。也就是，除去區(qū)域26的村底15的 表面，由例如200埃至300埃程度厚的薄膜化了的阻擋膜16覆蓋。 為此，在能夠由阻擋膜16維持阻擋性能的同時，也能提高對裂紋的 耐性，降低裂紋的傳播。
還有，如圖24所示那樣，在以從端子18的輸入一側(cè)向輸出一 側(cè)上下方向延伸的方式形成除去區(qū)域26的同時，還可以將這個除去 區(qū)域26形成為縫隙(slit)狀。如圖24及圖25所示那樣，除去區(qū)域 26，露出襯底15的表面。由此，因為可以增大阻擋膜16的表面積，所以既可除去阻擋膜16又可維持阻擋性。在這個基礎上，因為除去 了阻擋膜16,所以防止裂紋的傳播成為可能。縫隙設置兩條以上也 沒有關(guān)系。通過形成多條縫隙，更能夠降低裂紋的傳播。
還有，如圖26所示那樣，在以從端子18的輸入一側(cè)向輸出一 側(cè)上下方向延伸的方式形成除去區(qū)知戈26的同時，還可以使這個除去 區(qū)域26在相鄰的端子18之間，沿同圖的上下方向蛇形延伸形成為 波狀。即便是這樣做，因為可以增大阻擋膜16的表面積，即可以維 持阻擋特性又可以防止裂紋的傳播。
《其他的實施方式》上述各實施方式中，說明了在薄膜晶體管(TFT)村底IO上連接 了 IC驅(qū)動器12或相對襯底11的例(也就是第二電路部件是IC驅(qū)動 器12或相對村底11的例)，但是，本發(fā)明并不僅限于此。也就是， 例如，如圖16所示那樣，由TAB以及COF的TCP(Tape Carrier Packa ge)連接中電極連接構(gòu)造同樣適用。也就是，如圖16所示那樣，薄 膜晶體管(TFT)村底10的組裝區(qū)域9中，連接了多個具有IC驅(qū)動器 42的TCP。這些TCP中也設置著第二電極，這個第二電極連接于 薄膜晶體管(TFT)襯底10的第一電極(端子)上。還有，本發(fā)明，同 樣適用于圖1的FPC13的連接部的電極連接構(gòu)造。
還有，上述實施方式1以及2中，端子18和凸起21通過異向 導電膜(ACF)22連接的，但是，本發(fā)明并不限于此，其他的，不設 置異向?qū)щ娔?ACF)22的情況(也就是電極之間直接擠壓粘結(jié)的情 況)、以及取代異向?qū)щ娔?ACF)22使用導電性糊、NCF(Non Conduct iveFilm)、及粕結(jié)樹脂等的情況、同樣也可以適用。
還有，上述各實施方式中，說明了顯示裝置的一個例子液晶顯 示裝置，但是，本發(fā)明不僅限于此，例如，有機EL裝置以及電場 放出顯示器(Field Emission Display: FED)等的其他顯示裝置同樣適 用。
還有，上述各實施方式中，說明了塑料襯底適用于襯底15的例 子，但是，本發(fā)明不只限于此，例如用金屬襯底適用于村底15亦可。 即便是金屬襯底只要厚度薄一樣可以有可彎性，在它表面設置的阻擋膜上，同樣可以得到與塑料襯底一樣的裂紋產(chǎn)生。也就是，金屬 襯底適用于襯底15的情況，因為是高溫進行電路制作工序，所以制 作更高性能的電路成為可能。但是，通常金屬襯底的表面存在著很 多凸凹，在電路制作前有必要實施平整化處理(形成阻擋膜)。金屬 村底上，可以使用例如不銹鋼及因瓦合金等金屬材料，其襯底表面 只要預先鏡面處理既可。由阻擋膜進行平整化處理，使用無機材料 薄膜、有機材料薄膜、以及它們的層疊膜等，涂布可以使用旋轉(zhuǎn)涂層、burr涂層、或者是噴霧涂層等方法。阻擋膜做成后，進行與上 述實施方式1一樣的制造工序。 —產(chǎn)業(yè)上的利用可能性一
正如以上所說明的那樣，本發(fā)明，連接多個電路部件的各電極 的電極連接構(gòu)造，以及具有這個電極連接構(gòu)造的顯示裝置是有用的， 特別是，在構(gòu)成電路襯底的樹脂村底上層疊的阻擋膜中抑制裂紋的 傳播，抑制電路以及電極的損傷的同時，提高電路部件之間的緊密 連接性是有用的。
權(quán)利要求
1.一種電路部件，具有可彎性襯底、層疊在上述可彎性襯底表面上的阻擋膜、形成在上述阻擋膜上的電路部、以及設置在上述可彎性襯底中層疊了上述阻擋膜一側(cè)的第一電極，其特征在于上述阻擋膜，在上述第一電極周圍的至少一部分被從上述可彎性襯底表面除去。
2. —種電極連接構(gòu)造，包括第一電路部件，該第一電路部件具有可 彎性襯底、層疊在上述可彎性村底表面上的阻擋膜、形成在上述阻擋膜上 的電路部、以及設置在上述可彎性村底中層疊了上述阻擋膜一側(cè)的第一電 極；和第二電路部件，與上述第一電路部件相對設置，具有與上述第一電極 相對的笫二電極，其特征在于上述第一電路部件的上述第一電極和上述第二電路部件的上述第二上述阻擋膜，在上述第一電極周圍的至少一部分被從上述可彎性村底 表面除去。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極連接構(gòu)造，其特征在于 上述第二電路部件，包括具有連接在上述第二電極上的電路的本體部，上述本體部的一部分和上述第一電路部件，是在使它們相互接近的方 向上施加了壓力的狀態(tài)下接觸的，上述阻擋膜，在與上述本體部接觸的上述第一電路部件上區(qū)域周圍的 至少 一部分被從上迷可彎性村底表面除去。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極連接構(gòu)造，其特征在于 上述第一電極，隔著上述阻擋膜設置在上述可彎性襯底上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極連接構(gòu)造，其特征在于 上述第一電極，直接設置在上述可彎性襯底的表面上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極連接構(gòu)造，其特征在于 上述第一電極和上述第二電極之間，夾有含導電性粒子的異向性導電膜。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極連接構(gòu)造，其特征在于 上述第一電極，設置了多個且相互接近。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極連接構(gòu)造，其特征在于 上述第一電極和上述第二電極之間，夾著共轉(zhuǎn)移電極。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極連接構(gòu)造，其特征在于 上迷第一電極，是由為向上述第二電路部件輸入信號的多個輸入一側(cè)端子、和相對于上述輸入一側(cè)端子按所規(guī)定間隔設置且為從上述第二電路 部件輸出信號的多個輸出一側(cè)端子構(gòu)成的，上述阻擋膜，在上述輸入一側(cè)端子和上述輸出一側(cè)端子之間的區(qū)域也 是被除去的。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極連接構(gòu)造，其特征在于 除去了上述阻擋膜的除去區(qū)域，從上述可彎性襯底表面的法線方向看，分隔上述除去區(qū)域的界線的至少一部分形成為圓弧狀。
11. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極連接構(gòu)造，其特征在于 上述笫一電極以所規(guī)定的間隔形成多個的同時，相鄰的上述第一電極之間，形成了除去上述阻擋膜的除去區(qū)域，上述除去區(qū)域的寬度，規(guī)定為相鄰的上述第一電極之間的間隔以下的 大小。
12. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極連接構(gòu)造，其特征在于上述第 一 電極以所規(guī)定的間隔形成多個的同時，相鄰的上述第一電極 之間，形成了除去上述阻擋膜的除去區(qū)域， 上述除去區(qū)域，形成為多個縫隙狀。
13. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極連接構(gòu)造，其特征在于上述第一 電極以所規(guī)定的間隔形成多個的同時，相鄰的上述第一 電極 之間，形成了除去了上述阻擋膜的除去區(qū)域，上迷除去區(qū)域，形成為在相鄰的上述第 一 電極間的蛇形延伸的波形狀。
14. 一種電極連接構(gòu)造，包括第一電路部件，該第一電路部件具有 可彎性襯底、層疊在上述可彎性村底表面上的阻擋膜、形成在上述阻擋膜 上的電路部、以及設置在上述可彎性襯底中層疊了上述阻擋膜一側(cè)的第一 電極；和第二電路部件，與上述第一電路部件相對設置，具有與上述第一電極 相對的第二電極，其特征在于上迷第一電路部件的上述第一電極、和上述第二電路部件的上述第二 電極，是在使它們相互接近的方向上施加了壓力的狀態(tài)下連接的，上迷阻擋膜，在上述第一電極周圍的至少一部分區(qū)域形成的比其他區(qū) 域薄。
15. —種顯示裝置，包括第一電路部件，該第一電路部件，具有可彎性襯底、層疊在上述可彎 性襯底表面上的阻擋膜、形成在上述阻擋膜上的電路部、以及設置在上述 可彎性襯底中層疊了上述阻擋膜一側(cè)的第一電極，和第二電路部件，該第二電路部件相對于上述第一電路部件設置，具有 與上述第一電極相對的第二電極，電極連接構(gòu)造，上述第一電路部件的上述第一電極、和上述第二電路 部件的上述第二電極，是在使它們相互接近的方向上施加了壓力的狀態(tài)下電連接的，顯示部，由上述第一電路部件的電路部控制進行顯示，其特征在于上述阻擋膜，在上述第一電極周圍的至少一部分被從上述可彎性村底 表面除去。
全文摘要
包括具有樹脂襯底、層疊在樹脂襯底表面上的阻擋膜、形成在阻擋膜上的電路部、以及設置在樹脂襯底中層疊了阻擋膜一側(cè)的第一電極的第一電路部件，和與第一電路部件相對設置、具有與第一電極相對的第二電極的第二電路部件；第一電路部件的第一電極、和第二電路部件的第二電極，是在使它們相互接近的方向上施加了壓力的狀態(tài)下電連接的；阻擋膜，在第一電極的周圍從樹脂襯底表面除去。
文檔編號H05K1/14GK101238759SQ200680029260
公開日2008年8月6日 申請日期2006年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月1日
發(fā)明者會田哲也, 近間義雅 申請人:夏普株式會社