專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，特別是涉及一種防止?jié)駳鉂B透到有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)電致發(fā)光顯示OELD器件通過將來自陰極的電子和來自陽極的空穴注入到發(fā)射層、將電子與空穴復(fù)合、產(chǎn)生電子空穴對(duì)、并且將電子空穴對(duì)從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變到基態(tài)而發(fā)光。由于OELD器件與液晶顯示器件不同，其不需要另外的光源，因此OELD器件具有體積和重量的優(yōu)點(diǎn)。
圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OELD器件的電路圖。如圖1所示，開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“STr”、驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”、存儲(chǔ)電容“StgC”和有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”形成在OELD器件的像素區(qū)“P”中。柵線“GL”和數(shù)據(jù)線“DL”彼此交叉以限定像素區(qū)“P”。電源線“PL”與數(shù)據(jù)線“DL”平行。開關(guān)TFT“STr形成在柵線和數(shù)據(jù)線“GL和“DL”的交叉部分處。驅(qū)動(dòng)TFT“DTr電連接到開關(guān)TFT“STr”和有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”。在有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”一端的第一電極連接到驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”，并且在有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”另一端的第二電極連接到電源線“PL”。電源線“PL”將電源電壓提供到有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”。存儲(chǔ)電容“StgC”形成在驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”的柵極和源極之間。
當(dāng)電壓通過柵線“GL”提供到開關(guān)TFT“STr”時(shí)，開關(guān)TFT“STr”導(dǎo)通。當(dāng)另一電壓通過數(shù)據(jù)線“DL”和開關(guān)TFT“STr”提供到驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”時(shí)，驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”導(dǎo)通從而有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”發(fā)光。當(dāng)驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”截止時(shí)，存儲(chǔ)電容“StgC”保持驅(qū)動(dòng)TFT“DRr”的電壓。因此，雖然開關(guān)TFT“STr”截止，由于存儲(chǔ)電容“StgC”的原因仍保持提供到有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”的電壓。
圖2示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)OELD器件的示意性透視圖。如圖2所示，第一和第二基板3和31彼此相對(duì)并且互相間隔開。密封圖案40形成在第一和第二基板3和31之間的第一和第二基板3和31的邊緣以使OELD器件密封。驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”、開關(guān)TFT“STr”(圖1中)、存儲(chǔ)電容“StgC”(圖1中)等形成在第一基板3上。有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”包括第一電極12、第二電極16和有機(jī)發(fā)光層14。第一電極12電連接到驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”。有機(jī)發(fā)光層14形成在第一電極12上并且包括發(fā)光材料圖案14a、14b和14c。各發(fā)光材料圖案14a、14b和14c對(duì)應(yīng)于各像素區(qū)“P”(圖1中)并且分別具有紅、綠和藍(lán)顏色“R”、“G”和“B”之一。第二電極16形成在有機(jī)發(fā)光層14上。在第一和第二電極12和16之間形成電場(chǎng)，并且有機(jī)發(fā)光層14利用該電場(chǎng)發(fā)光。
第二基板31與第二電極16分隔開并且包括氧化鋇或氧化鈣的濕氣吸收劑32。由于當(dāng)?shù)谝换?上的有機(jī)發(fā)光層14暴露于氧氣或/和濕氣時(shí)其很可能退化，密封第一和第二基板3和31并且形成濕氣吸收劑是必要的。
第一和第二基板3和31在真空或惰性氣體的條件下用密封圖案40粘接在一起。然而，問題是可能產(chǎn)生第一和第二基板3和31之間的分離，從而氧氣滲透到器件中。而且，濕氣可能滲透通過密封圖案40和第一基板3之間或密封圖案40和第二基板31之間的界面。
此外，密封圖案40可以具有均勻的寬度。在密封圖案40具有太薄的部分的情況下，濕氣通過該部分滲透到器件中。在密封圖案40具有過于適合(toopat)的部分的其他情況下，密封圖案40會(huì)覆蓋柵線和數(shù)據(jù)線從而發(fā)生接觸疏松。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件機(jī)器制造方法，能夠基本上克服因現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)帶來的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)電致發(fā)光二極管，其包括在第一基板上的突起和第二基板上的槽，并且可以防止?jié)駳鉂B透到有機(jī)電致發(fā)光二極管中。
本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)和特征將在后面的描述中得以闡明，通過以下描述，將使它們對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在某種程度上顯而易見，或者可通過實(shí)踐本發(fā)明來認(rèn)識(shí)它們。本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)可通過書面描述及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和得到。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)，按照本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描述，一種有機(jī)電致發(fā)光顯示(OELD)器件包括彼此相對(duì)并具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第一和第二基板；在第一基板的顯示區(qū)中的有機(jī)電致發(fā)光二極管；形成在第一基板的非顯示區(qū)中并具有第一厚度和第一寬度的突起；形成在第二基板的非顯示區(qū)中并具有第一深度和第二寬度的槽，其中突起插入到槽中；形成在突起和槽之間的密封圖案。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種OELD器件包括彼此相對(duì)并具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第一和第二基板；在第二基板的顯示區(qū)中的有機(jī)電致發(fā)光二極管；形成在第一基板的非顯示區(qū)中并具有第一厚度和第一寬度的突起；形成在第二基板的非顯示區(qū)中并具有第一深度和第二寬度的槽，其中突起插入到槽中；形成在突起和槽之間的密封圖案。
在本發(fā)明的又一個(gè)方面，一種OELD器件的制造方法包括在具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第一基板的顯示區(qū)中形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在第一基板的非顯示區(qū)中形成具有第一厚度和第一寬度的突起；在具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第二基板的非顯示區(qū)中形成具有第一深度和第二寬度的槽；在槽的內(nèi)表面和突起的端部之一上設(shè)置密封劑；通過將突起插入到槽中而粘接第一和第二基板從而在槽和突起的界面上形成密封圖案。
在本發(fā)明的再一個(gè)方面，一種OELD器件的制造方法包括在具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第一基板的非顯示區(qū)中形成具有第一厚度和第一寬度的突起；在具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第二基板的顯示區(qū)中形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在第二基板的非顯示區(qū)中形成具有第一深度和第二寬度的槽；在槽的內(nèi)表面和突起的端部之一上設(shè)置密封劑；通過將突起插入到槽中而粘接第一和第二基板從而由在槽和突起的界面上的密封劑形成密封圖案。
應(yīng)該理解，上面的概括性描述和下面的詳細(xì)描述都是示意性和解釋性的，意欲對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求提供進(jìn)一步的解釋。


本申請(qǐng)所包括的附圖用于提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且包括在該申請(qǐng)中并且作為本申請(qǐng)的一部分，示出了本發(fā)明的實(shí)施方式并且連同說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OELD器件的電路圖；圖2示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)OELD器件的示意性透視圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的OELD器件的截面圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的OELD器件的截面圖；圖5A至圖5D示出了制造圖4中的OELD器件的一個(gè)基板的工藝截面圖；以及圖6A至圖6D示出了制造圖4中的OELD器件的另一個(gè)基板的工藝截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在具體描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，它們的實(shí)施例示于附圖中。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的OELD器件的截面圖。如圖所示，OELD器件100包括第一和第二二基板101和151。第一基板101具有顯示區(qū)“AA”和在顯示區(qū)“AA”周圍的非顯示區(qū)“NA”。雖然未示出，柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以使像素區(qū)“P”限定在顯示區(qū)“AA”中。并且，開關(guān)TFT形成在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉部分，電源線與數(shù)據(jù)線平行。驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”形成在顯示區(qū)“AA”中并且電連接到開關(guān)TFT。驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”包括第一基板101上的柵極103、柵極103上的柵絕緣層106、柵絕緣層106上的半導(dǎo)體層110、以及半導(dǎo)體層110上的源極和漏極117和119。半導(dǎo)體層110包括有源層110a和歐姆接觸層110b，并且源極和漏極117和119彼此分隔開。鈍化層122形成在開關(guān)TFT(未示出)和驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”上。鈍化層122包括暴露驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”的漏極119的漏接觸孔125。
包括第一電極130、有機(jī)發(fā)光層176和第二電極180的有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”形成在鈍化層122上。第一電極130形成在各像素區(qū)P中的鈍化層上并且通過漏接觸孔125接觸驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”的漏極119。第一電極130上的有機(jī)發(fā)光層176包括在各像素區(qū)“P”中分別形成的有機(jī)發(fā)光圖案176a、176b和176c。有機(jī)發(fā)光圖案176a、176b和176c分別具有紅、綠和藍(lán)顏色“R”、“G”和“B”之一。第二電極180形成在全部顯示區(qū)“AA”的有機(jī)發(fā)光層176上。
此外，具有第一寬度w1和第一厚度t1的突起127形成在非顯示區(qū)“NA”中的鈍化層122上。突起127沿第一基板101的邊緣形成從而突起127包圍顯示區(qū)“AA”。
濕氣吸收劑161形成在第二基板151上并且對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)“AA”。具有第二寬度w2和第一深度d1的槽153形成在第二基板151上并且對(duì)應(yīng)于突起127。第二寬度w2大于第一寬度w1，并且第一深度d1小于第一厚度t1。因此，當(dāng)?shù)谝缓偷诙?01和151彼此粘接時(shí)，突起127插入到槽153中。因?yàn)橥黄?27具有大于第一深度d1的第一厚度t1，所以在第一和第二基板101和151之間形成空間。
密封劑(未示出)形成在槽153中。并且突起127插入到槽153中并按壓密封劑。因?yàn)槊芊鈩┦钦承缘?，密封劑擴(kuò)散開，并因而形成沿突起127和槽153之間的界面的密封圖案190。密封圖案190具有倒“U”形。因此，密封圖案太厚而覆蓋柵線和數(shù)據(jù)線的現(xiàn)有技術(shù)中的問題不會(huì)發(fā)生。此外，濕氣難以經(jīng)由密封圖案190和突起127之間以及密封圖案190和槽153之間的具有倒“U”形的界面而滲透到器件中。
在另一實(shí)施方式中，突起127可以形成在第二基板151上，并且槽153可以形成在第一基板101上。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式的OELD器件的截面圖，特別是示出了雙板型OELD器件。如圖所示，OELD器件200包括彼此相對(duì)并互相分隔開的第一基板201和第二基板251。第一基板201具有顯示區(qū)“AA”和在顯示區(qū)“AA”的周圍的非顯示區(qū)“NA”。雖然未示出，柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以使像素區(qū)“P”限定在顯示區(qū)“AA”中。并且，開關(guān)TFT形成在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉部分，而電源線與數(shù)據(jù)線平行。驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”形成在顯示區(qū)“AA”中并且電連接到開關(guān)TFT。驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”包括第一基板201上的柵極203、柵極203上的柵絕緣層206、柵絕緣層206上的半導(dǎo)體層210、以及半導(dǎo)體層210上的源極和漏極217和219。半導(dǎo)體層210包括有源層210a和歐姆接觸層210b，并且源極和漏極217和219彼此分隔開。鈍化層222形成在開關(guān)TFT(未示出)和驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”上。鈍化層222包括暴露驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”的漏極219的漏接觸孔225。
柱狀襯墊料226形成在像素區(qū)“P”中的鈍化層222上。因?yàn)橹鶢钜r墊料226具有預(yù)定高度，柱狀襯墊料226從鈍化層222突出。此外，連接電極230形成在像素區(qū)“P中的鈍化層222和柱狀襯墊料226上。因?yàn)檫B接電極230沿柱狀襯墊料226形成，連接電極230也從鈍化層222突出。連接電極230通過漏接觸孔225接觸驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”的漏極219。
具有第三寬度w3和第二厚度t2的突起227形成在非顯示區(qū)“NA”中的鈍化層222上。突起227沿第一基板201的邊緣形成從而突起227包圍顯示區(qū)“AA”。金屬圖案235可以沿顯示區(qū)“AA”和突起227之間以及非顯示區(qū)“NA”和突起227之間的邊界形成。金屬圖案235防止?jié)駳馔ㄟ^突起227和鈍化層222的界面滲透到器件中。金屬圖案235由與連接電極230相同的材料形成。
包括第一電極225、有機(jī)發(fā)光層276和第二電極280的有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”形成在第二基板251上。第一電極255形成在第二基板251上的整個(gè)顯示區(qū)“AA”中。有機(jī)發(fā)光層276形成在第一電極255上并且包括有機(jī)發(fā)光圖案276a、276b和276c。有機(jī)發(fā)光圖案276a、276b和276c分別具有紅顏色(未示出)、綠顏色“G”和藍(lán)顏色“B”之一并且發(fā)光。第二電極280形成在各像素區(qū)“P”中的有機(jī)發(fā)光層276上。隔離壁273和緩沖圖案268形成在像素區(qū)“P”之間的邊界上。隔離壁273和緩沖圖案268為各像素區(qū)“P”中的有機(jī)發(fā)光圖案276a、276b和276c以及第二電極280設(shè)定邊界。
此外，具有第四寬度w4和第二深度d2的槽253形成在第二基板251上并且對(duì)應(yīng)于突起227。第四寬度w2大于突起227的第三寬度w3，并且第二深度d2小于突起227的第二厚度t2。因此，當(dāng)?shù)谝缓偷诙?01和251彼此粘接時(shí)，突起227插入到槽253中。因?yàn)橥黄?27具有大于第二深度d2的第二厚度t2，因此在第一和第二基板201和251之間形成空間。并且第一基板201上的連接電極230接觸第二基板251上的第二電極280從而第一基板101上的驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”電連接到第二基板251上的有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”。
按照與圖3中所述的相同的方式，密封圖案290沿突起227和槽253之間的界面形成。第一和第二基板201和251通過密封圖案290、突起227以及槽253而彼此粘接，并且驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”和有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”通過連接電極230而彼此電連接。雖然未示出，濕氣吸收劑可以形成在密封圖案290和突起227之間。
通過圖5A至圖5D和圖6A至圖6D來描述圖4中的OELD器件的制造方法。圖5A至圖5D示出了制造OELD的第一基板201的工藝的截面圖，并且圖6A至圖6D示出了制造OELD第二基板251的工藝的截面圖。
如圖5A所示，包括柵極203、柵絕緣層206、半導(dǎo)體層210、以及源極和漏極217和219的驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”形成在像素區(qū)P中的第一基板201上。通過沉積和構(gòu)圖第一金屬層(未示出)在第一基板201上形成柵極203。同時(shí)，柵線(未示出)形成在第一基板201上。柵絕緣層206形成在柵極203和柵線(未示出)上。包括有源層210a和歐姆接觸層210b的半導(dǎo)體層210形成在柵絕緣層206上并且對(duì)應(yīng)于柵極203。通過沉積和構(gòu)圖第二金屬層(未示出)在半導(dǎo)體層210上形成彼此分隔開的源極和漏極217和219。同時(shí)，數(shù)據(jù)線(未示出)形成在柵絕緣層206上。數(shù)據(jù)線(未示出)與柵線(未示出)交叉以限定像素區(qū)“P”。雖然未示出，按相同的方式在第一基板210上形成開關(guān)TFT。開關(guān)TFT電連接到驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”。
如圖5B所示，包括漏接觸孔225的鈍化層222形成在開關(guān)TFT(未示出)和驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”上。漏接觸孔225暴露驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”的漏極219。
如圖5C所示，柱狀襯墊料226形成在顯示區(qū)“AA的像素區(qū)P中的鈍化層222上。形成柱狀襯墊料226以幫助第一基板201上的驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”與第二基板251上的有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”之間的電連接。此外，具有第三寬度w3和第二厚度t2的突起227形成在非顯示區(qū)“NA”中的鈍化層222上。突起227由對(duì)鈍化層222具有良好粘接特性的材料制成。突起227可以由與鈍化層222相同的材料制成。突起可以具有柱狀襯墊料230的至少兩倍的高度。突起227沿第一基板的邊緣形成從而突起227包圍顯示區(qū)“AA”。通過半色調(diào)掩模工藝同時(shí)形成柱狀襯墊料230和突起227。
如圖5D所示，通過沉積和構(gòu)圖第三金屬層(未示出)在鈍化層222、柱狀襯墊料226和突起227上形成連接電極230和金屬圖案235。連接電極230接觸驅(qū)動(dòng)TFT“DTr”的漏極219并且覆蓋柱狀襯墊料226。金屬圖案235沿顯示區(qū)“AA”和突起227之間以及非顯示區(qū)“NA”和突起227之間的邊界形成。金屬圖案235防止?jié)駳馔ㄟ^突起227和鈍化層222的界面滲透到器件中。然而，由于突起具有良好的粘接特性，可以省略金屬圖案235。
在參照?qǐng)D3說明的另一實(shí)施方式中，有機(jī)電致發(fā)光二極管形成在第一基板上。在該情況中，在圖5B進(jìn)行的工藝之后，第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極順序形成在鈍化層上。
下面參照?qǐng)D6A至圖6D說明圖4中的第二基板的制造方法。如圖6A所示，光刻膠(PR)圖案296形成在第二基板251上。PR圖案296暴露非顯示區(qū)“NA”的部分。
如圖6B所示，由PR圖案296暴露的第二基板251被蝕刻以在第二基板251的非顯示區(qū)“AA”中形成具有第四寬度w4和第二深度d2的槽253。當(dāng)?shù)诙?51由玻璃制成時(shí)，例如氟酸(fluoric acid)或硝酸的蝕刻劑可以用于蝕刻第二基板251?？梢允褂脟娚淦鲗⑽g刻劑分散在該部分上?？梢酝ㄟ^將基板浸入蝕刻劑中而形成槽。
然后，如圖6C所示，從第二基板251去除PR圖案296。
如圖6D所示，包括第一電極255、有機(jī)發(fā)光層276和第二電極280的有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”形成在第二基板251的顯示區(qū)“AA”上。第一電極255形成在顯示區(qū)“AA”的整個(gè)表面上。并且緩沖圖案268和隔離壁273形成在像素區(qū)“P”之間的邊界上。包括有機(jī)發(fā)光圖案276a、276b和276c的有機(jī)發(fā)光層276形成在各像素區(qū)“P”中的第一電極255上。最后，第二電極280形成在各像素區(qū)“P”中的有機(jī)發(fā)光層276上。當(dāng)使用遮光板(shadow mask)在各像素區(qū)“P”中形成有機(jī)發(fā)光層276時(shí)，可以省略隔離壁273。
雖然未示出，密封劑形成在槽上。密封劑可以形成在突起上。然后，第一和第二基板彼此粘接從而突起對(duì)應(yīng)于槽并且連接電極接觸第二電極?？梢栽诘?dú)饣蛘婵盏臈l件下進(jìn)行上述步驟。突起和槽按壓密封劑以使密封圖案形成在突起和槽之間。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括彼此相對(duì)并具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第一和第二基板；在所述第一基板的顯示區(qū)中的有機(jī)電致發(fā)光二極管；形成在所述第一基板的非顯示區(qū)中并具有第一厚度和第一寬度的突起；形成在所述第二基板的非顯示區(qū)中并具有第一深度和第二寬度的槽，其中所述突起插入到槽中；形成在所述突起和槽之間的密封圖案。
2.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括彼此相對(duì)并具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第一和第二基板；在所述第二基板的顯示區(qū)中的有機(jī)電致發(fā)光二極管；形成在所述第一基板的非顯示區(qū)中并具有第一厚度和第一寬度的突起；形成在所述第二基板的非顯示區(qū)中并具有第一深度和第二寬度的槽，其中所述突起插入到槽中；形成在所述突起和槽之間的密封圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第一厚度大于第一深度并且第一寬度小于第二寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光二極管包括第一電極、第二電極以及夾在第一和第二電極之間的有機(jī)發(fā)光二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，還包括形成在所述第一基板和有機(jī)電致發(fā)光二極管之間的第一基板的顯示區(qū)中的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極和漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，還包括形成在所述薄膜晶體管和有機(jī)電致發(fā)光二極管之間并且包含漏接觸孔的鈍化層，其中所述漏接觸孔暴露薄膜晶體管的漏極并且所述有機(jī)電致發(fā)光二極管通過漏接觸孔接觸漏極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述突起形成在鈍化層上并且由與鈍化層相同的材料形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第一厚度大于第一深度并且所述第一寬度小于第二寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光二極管包括第一電極、第二電極以及夾在第一和第二電極之間的有機(jī)發(fā)光二極管。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，還包括所述第一基板和槽之間的第一基板的顯示區(qū)中的薄膜晶體管以及連接電極，其中所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極和漏極，并且所述有機(jī)電致發(fā)光二極管通過連接電極電連接到薄膜晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，還包括包含形成在所述薄膜晶體管和槽之間并且具有漏接觸孔的鈍化層，其中所述漏接觸孔暴露薄膜晶體管的漏極并且連接電極通過該漏接觸孔接觸漏極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述突起形成在鈍化層上并且由與鈍化層相同的材料形成。
13.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制造方法，包括在具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第一基板的顯示區(qū)中形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在所述第一基板的非顯示區(qū)中形成具有第一厚度和第一寬度的突起；在具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第二基板的非顯示區(qū)中形成具有第一深度和第二寬度的槽；在所述槽的內(nèi)表面和突起的端部之一上設(shè)置密封劑；通過將所述突起插入到槽中而粘接第一和第二基板從而在槽和突起的界面上形成密封圖案。
14.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制造方法，包括在具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第一基板的非顯示區(qū)中形成具有第一厚度和第一寬度的突起；在具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第二基板的顯示區(qū)中形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在所述第二基板的非顯示區(qū)中形成具有第一深度和第二寬度的槽；在所述槽的內(nèi)表面和突起的端部之一上設(shè)置密封劑；通過將所述突起插入到槽中而粘接第一和第二基板從而由在槽和突起的界面上的密封劑形成密封圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一厚度大于第一深度并且所述第一寬度小于第二寬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述形成槽的步驟包括形成暴露所述第二基板的非顯示區(qū)的部分的光刻膠圖案；使用蝕刻劑部分去除通過光刻膠圖案暴露的第二基板；從所述第二基板去除光刻膠圖案。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，還包括在所述第一基板和有機(jī)電致發(fā)光二極管之間的第一基板的顯示區(qū)中形成薄膜晶體管的步驟，其中所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極和漏極。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，還包括形成在所述薄膜晶體管和有機(jī)電致發(fā)光二極管之間并且包括漏接觸孔的鈍化層的步驟，其中所述漏接觸孔暴露薄膜晶體管的漏極并且有機(jī)電致發(fā)光二極管通過漏接觸孔接觸漏極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述突起形成在鈍化層上并且由與鈍化層相同的材料形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一厚度大于第一深度并且所述第一寬度小于第二寬度。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成槽的步驟包括形成暴露第二基板的非顯示區(qū)的部分的光刻膠圖案；使用蝕刻劑部分去除通過光刻膠圖案暴露的第二基板；從所述第二基板去除光刻膠圖案。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，還包括形成在第一基板和槽之間的第一基板的顯示區(qū)中形成薄膜晶體管和連接電極的步驟，其中所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極和漏極，并且所述有機(jī)電致發(fā)光二極管通過連接電極電連接到薄膜晶體管。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，還包括形成在所述薄膜晶體管和槽之間并且包括漏接觸孔的鈍化層，其中所述漏接觸孔暴露薄膜晶體管的漏極并且連接電極通過該漏接觸孔接觸漏極。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，所述突起形成在鈍化層上并且由與鈍化層相同的材料形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示(OELD)器件，其包括彼此相對(duì)并具有顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)的第一和第二基板；在第一基板的顯示區(qū)中的有機(jī)電致發(fā)光二極管；形成在第一基板的非顯示區(qū)中并具有第一厚度和第一寬度的突起；形成在第二基板的非顯示區(qū)中并具有第一深度和第二寬度的槽，其中突起插入到槽中；形成在突起和槽之間的密封圖案。
文檔編號(hào)H05B33/10GK101090592SQ20061012782
公開日2007年12月19日 申請(qǐng)日期2006年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月12日
發(fā)明者李柄浚, 明魯勛, 金珉秀 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社