專利名稱：存儲(chǔ)卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造技術(shù)，例如，涉及在半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡(以下，簡(jiǎn)稱為存儲(chǔ)卡)中應(yīng)用且有效的技術(shù)。
背景技術(shù)：
多媒體卡(美國Sun Disk公司)或SD卡(松下、東芝、Sun Disk)等之類的存儲(chǔ)卡，是在其內(nèi)部的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片內(nèi)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)裝置之一。若用該存儲(chǔ)卡，由于對(duì)于在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片上形成的非易失性存儲(chǔ)器直接地而且電學(xué)地進(jìn)行存取，故與別的存儲(chǔ)裝置比較，寫入、讀出的時(shí)間要快一個(gè)沒有機(jī)械系統(tǒng)控制的量，而且存儲(chǔ)媒體的交換是可能的。此外，由于形狀比較小型且重量輕，故主要地作為便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或數(shù)字照相機(jī)等之類要求可搬運(yùn)性的設(shè)備的輔助存儲(chǔ)裝置使用。近些年來這些設(shè)備的小型化不斷前進(jìn)，與之相伴隨地要求存儲(chǔ)卡進(jìn)一步的小型化。此外，存儲(chǔ)卡是一種新技術(shù)，其尺寸上的規(guī)格尚未完全統(tǒng)一。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在要減小存儲(chǔ)卡的大小或者大小因國家而不同的情況下，如何才能使得既保持與已有的存儲(chǔ)卡之間尺寸上的互換性，又可以對(duì)已有的存儲(chǔ)卡應(yīng)對(duì)設(shè)備使用，就成了一個(gè)重要的課題。
本發(fā)明的目的在于提供可以提高半導(dǎo)體器件通用性的技術(shù)。
本發(fā)明的上述以及其它的目的和新穎的特征，會(huì)從本說明書的講述和附圖弄得明白起來。
在本申請(qǐng)中公開的發(fā)明之內(nèi)，簡(jiǎn)單地說，代表性的發(fā)明概要如下。
就是說，本發(fā)明是這樣的發(fā)明采用使用來變換內(nèi)置半導(dǎo)體芯片的樹脂制殼體的平面尺寸的金屬制輔助器具的凹部進(jìn)行配合的辦法，將可以在裝卸自由的狀態(tài)下把上述輔助器具安裝到上述殼體上的截面凸?fàn)畹陌惭b部分，設(shè)置在上述殼體上。
此外，本發(fā)明是這樣的發(fā)明具有使得把已裝載上半導(dǎo)體芯片的基板的器件裝載面罩起來那樣地罩上的樹脂制的殼體的平面面積的一半或一半以下的面積的基板。
本發(fā)明是這樣的發(fā)明具有使用下模的腔體深度比上模的腔體深度更大的模鑄模具，成型用來把已裝載上半導(dǎo)體芯片的基板的器件裝載面罩起來的殼體的工序。
此外，本發(fā)明是這樣的發(fā)明具有殼體，在上述殼體的一個(gè)面上形成的溝，在朝向器件裝載面的狀態(tài)下安裝到上述溝內(nèi)的基板，已裝載到上述器件裝載面上的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，在上述溝和上述基板中沿著上述殼體的長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度形成得比上述殼體的長(zhǎng)邊方向的全長(zhǎng)短，在上述基板或上述溝中，位于殼體中央一側(cè)的拐角部分進(jìn)行了倒角。
由本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)得到的效果，簡(jiǎn)單地說來如下。
就是說，采用在內(nèi)置半導(dǎo)體芯片的殼體的一部分內(nèi)，設(shè)置可以配合用來加大上述殼體的平面尺寸的金屬制的輔助器具的凹部的截面凸?fàn)畹陌惭b部分的辦法，可以提高半導(dǎo)體器件的通用性。
此外，在基板和安裝基板的殼體的溝內(nèi)，對(duì)位于殼體中央一側(cè)的拐角部分進(jìn)行倒角的辦法，可以提高半導(dǎo)體器件的彎曲強(qiáng)度。
具體地，一種存儲(chǔ)卡，包括具有一前面和一背面的基板；設(shè)置在所述基板的所述背面上的外部端子；設(shè)置在所述基板的所述前面之上的第一閃速存儲(chǔ)器芯片；用于所述設(shè)置在所述基板的所述前面之上的第一閃速存儲(chǔ)器芯片、并與所述外部端子電連接的控制器芯片；以及限定所述存儲(chǔ)卡的尺寸的殼體，所述殼體覆蓋所述基板，其中所述基板的平面面積小于所述殼體的平面面積的一半，以及其中，在插入所述存儲(chǔ)卡的方向上，所述基板的長(zhǎng)度比所述殼體的長(zhǎng)度的一半還短。
本發(fā)明，可以應(yīng)用于半導(dǎo)體器件及其制造方法。


圖1是作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件和輔助器具的斜視圖。
圖2(a)的斜視圖示出了圖1的半導(dǎo)體器件的表面一側(cè)的外觀，(b)的斜視圖示出了該半導(dǎo)體器件的背面一側(cè)的外觀。
圖3(a)是圖1的半導(dǎo)體器件的表面一側(cè)的平面圖，(b)是(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖，(c)是(a)的半導(dǎo)體器件的背面圖，(d)是(a)的半導(dǎo)體器件的背面一側(cè)的平面圖。
圖4(a)是圖1的半導(dǎo)體器件長(zhǎng)邊方向的輔助器具安裝部分的主要部分?jǐn)U大平面圖，(b)是半導(dǎo)體器件短邊方向的輔助器具安裝部分的主要部分?jǐn)U大平面圖。
圖5(a)是圖3(a)A-A線的剖面圖，(b)是(a)的主要部分的擴(kuò)大剖面圖。
圖6是圖1的半導(dǎo)體器件的基底基板的平面圖。
圖7(a)是圖1的輔助基部的表面一側(cè)的平面圖，(b)是(a)的輔助器具的側(cè)視圖，(c)是(a)的輔助器具的背面圖，(d)是(a)的輔助器具的背面一側(cè)的平面圖，(e)是(a)的輔助器具的爪部和支持部分的主要部分?jǐn)U大剖面圖。
圖8(a)是圖1的半導(dǎo)體器件和輔助器具的表面的平面圖，(b)是(a)的側(cè)視圖，(c)是(a)的背面的平面圖。
圖9(a)是已有的全尺寸的半導(dǎo)體器件的表面的平面圖，(b)是(a)的側(cè)視圖，(c)是(a)的背面的平面圖。
圖10(a)是圖8的狀態(tài)的半導(dǎo)體器件的輔助器具爪安裝部分、與輔助器具的爪部之間的接合部分的主要部分?jǐn)U大剖面圖，(b)是圖8的狀態(tài)的半導(dǎo)體器件的輔助器具安裝部分與輔助器具的凹部之間的接合部分的主要部分?jǐn)U大剖面圖。
圖11是用來成型圖1的半導(dǎo)體器件的一個(gè)構(gòu)件的模具的剖面圖。
圖12(a)到(c)是圖11的主要部分?jǐn)U大剖面圖。
圖13(a)是半導(dǎo)體器件的全體平面圖，(b)是把(a)的半導(dǎo)體器件的基板組裝到全尺寸的半導(dǎo)體器件內(nèi)使用的情況下的全體平面圖。
圖14是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件和輔助器具的斜視圖。
圖15(a)、(b)的斜視圖示出了圖14的半導(dǎo)體器件的表面一側(cè)和背面一側(cè)的外觀。
圖16(a)是圖14的半導(dǎo)體器件的表面一側(cè)的平面圖，(b)是(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖，(c)是(a)的半導(dǎo)體器件的背面圖，(d)是(a)的半導(dǎo)體器件的背面一側(cè)的平面圖。
圖17(a)是圖14的半導(dǎo)體器件和輔助器具的表面的平面圖，(b)是(a)的側(cè)視圖，(c)是(a)的背面的平面圖。
圖18是本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的背面一側(cè)的平面圖。
圖19是本發(fā)明者所研究的半導(dǎo)體器件的基底基板的表面的平面圖。
圖20是圖19的基底基板的背面的平面圖。
圖21是本發(fā)明者所研究的全尺寸的半導(dǎo)體器件用的器件帽的表面的平面圖。
圖22是圖21的器件帽的背面的平面圖。
圖23是把圖19和圖20所示的基底基板安裝到圖21和圖22的器件帽的溝內(nèi)后的全尺寸的半導(dǎo)體器件的背面的平面圖。
圖24是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)中的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的基底基板的表面的平面圖。
圖25是圖24的基底基板的背面的平面圖。
圖26是裝載圖24和圖25所示的基底基板的全尺寸的半導(dǎo)體器件用的器件帽的表面的平面圖。
圖27是圖26的器件帽的背面的平面圖。
圖28是把圖24和圖25所示的基底基板安裝到圖26和圖27的器件帽內(nèi)后的全尺寸的半導(dǎo)體器件的背面的平面圖。
圖29的圖28的A1-A1線的剖面圖。
圖30是圖23所示的半導(dǎo)體器件的彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)的結(jié)果的說明圖。
圖31是圖23所示的半導(dǎo)體器件的彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)的結(jié)果的說明圖。
圖32是圖23所示的半導(dǎo)體器件的彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)的結(jié)果的說明圖。
圖33是作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)的結(jié)果的說明圖。
圖34是作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)的結(jié)果的說明圖。
圖35是作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)的結(jié)果的說明圖。
圖36是作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的器件帽的背面的平面圖。
圖37是作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的主要部分?jǐn)U大剖面圖。
圖38是成型圖26到圖29等所示的半導(dǎo)體器件的器件帽的模具的一個(gè)例子的剖面圖。
圖39的基底基板的表面的平面圖示出了作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的芯片的配置例。
圖40的基底基板的表面的平面圖示出了作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的芯片的配置例。
圖41是作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的組裝工序的流程圖。
圖42是圖41的半導(dǎo)體器件的組裝工序中的基底基板的表面的平面圖。
圖43是接在圖42后邊的半導(dǎo)體器件的組裝工序中的基底基板的表面的平面圖。
圖44是接在圖43后邊的半導(dǎo)體器件的組裝工序中的基底基板的表面的平面圖。
圖45是接在圖44后邊的半導(dǎo)體器件的組裝工序地中的基底基板的表面的平面圖。
圖46是接在圖45后邊的半導(dǎo)體器件的組裝工序中的基底基板的表面的平面圖。
圖47是作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)的全尺寸的半導(dǎo)體器件的背面的平面圖。
圖48是圖47的區(qū)域Z1的擴(kuò)大平面圖。
圖49是作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)的全尺寸的半導(dǎo)體器件的背面的平面圖。
圖50是圖49的區(qū)域Z2的擴(kuò)大平面圖。
圖51是作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)的全尺寸的半導(dǎo)體器件的背面的平面圖。
圖52是作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半尺寸的半導(dǎo)體器件的表面的平面圖。
圖53是圖52的半導(dǎo)體器件的背面的平面圖。
圖54是作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半尺寸的半導(dǎo)體器件的表面的平面圖。
圖55是作為本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半尺寸的半導(dǎo)體器件的背面的平面圖。
圖56是作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)的全尺寸的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖57是圖56的主要部分?jǐn)U大剖面圖。
具體實(shí)施例方式
在以下的實(shí)施形態(tài)中，為了便于說明，在需要時(shí)要分割成多個(gè)部分或?qū)嵤┬螒B(tài)進(jìn)行說明，但是，除去特別說明的情況下之外，它們之間的關(guān)系是一方為另一方的一部分或全部的變形例、詳細(xì)、補(bǔ)充說明等的關(guān)系，而不是彼此沒有關(guān)系。
此外，在以下的實(shí)施形態(tài)中，在說到要素的數(shù)(包括個(gè)數(shù)、數(shù)值、量、范圍等)的情況下，除去特別明示的情況和從原理上說顯然要限定于特定數(shù)的情況外，也可以是特定數(shù)以上或以下而并不限定于該特定數(shù)。
還有，在以下的實(shí)施形態(tài)中，其構(gòu)成要素(也包括要素步驟等)，除去特別明示的情況和從原理上說被認(rèn)為顯然是必須的情況等之外，不言而喻并不是必須不可。
同樣，在以下的實(shí)施形態(tài)中，在談及構(gòu)成要素的形狀、位置關(guān)系等時(shí)，除去特別明示的情況和從原理上說被認(rèn)為顯然并非如此的情況等之外，規(guī)定還包括實(shí)質(zhì)上與該形狀等近似或類似的關(guān)系等。這種情況對(duì)于上述數(shù)值和范圍也是同樣的。
此外，在用來說明本實(shí)施形態(tài)的所有的圖中具有同一功能的部分都賦予同一標(biāo)號(hào)，其重復(fù)的說明予以省略。
此外，在本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)中，即便是平面圖，為了便于觀看，有時(shí)候也加上了陰影線。
以下，根據(jù)附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。
(實(shí)施形態(tài)1)圖1是作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件和輔助器具的斜視圖，圖2(a)、(b)的斜視圖示出了圖1的半導(dǎo)體器件的表面一側(cè)和背面一側(cè)的外觀，圖3(a)是圖1的半導(dǎo)體器件的表面一側(cè)的平面圖，圖3(b)是(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖，圖3(c)是(a)的半導(dǎo)體器件的背面圖，圖3(d)是(a)的半導(dǎo)體器件的背面一側(cè)的平面圖，圖4(a)是圖1的半導(dǎo)體器件長(zhǎng)邊方向的輔助器具安裝部分的主要部分?jǐn)U大平面圖，圖4(b)是半導(dǎo)體器件短邊方向的輔助器具安裝部分的主要部分?jǐn)U大平面圖，圖5(a)是圖3(a)的半導(dǎo)體器件的短方向(A-A線)的剖面圖，圖5(b)是圖5(a)的主要部分的擴(kuò)大剖面圖，圖6示出了該半導(dǎo)體器件的基底基板的平面圖。
本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件，例如是可作為信息設(shè)備或通信設(shè)備等之類的電子裝置的輔助存儲(chǔ)裝置使用的存儲(chǔ)卡1。該存儲(chǔ)卡1，例如由平面矩形形狀的小的薄板構(gòu)成，其外形尺寸，例如長(zhǎng)邊為24mm左右，短邊為18mm左右，厚度為1.4mm左右。如果是照原樣不變的外形尺寸，則雖然在例如移動(dòng)電話或數(shù)字照相機(jī)等之類的小型的電子裝置中使用，但是借助于安裝上金屬制的適配器(輔助器具)2，就變成為也可以在便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)等之類的相對(duì)大型的電子裝置中使用的構(gòu)造。例外，把原封不動(dòng)地可以在上述大型電子裝置中使用的存儲(chǔ)卡叫做全尺寸的存儲(chǔ)卡，把可以在上述小型電子裝置中使用的本實(shí)施形態(tài)的存儲(chǔ)卡1叫做半尺寸的存儲(chǔ)卡。
形成該存儲(chǔ)卡1的外形的器件帽(殼體)3，例如，從謀求輕重量化、加工容易性和柔軟性的觀點(diǎn)考慮，由ABS樹脂或PPE(Poly PhenyleneEther，聚苯醚)等那樣的具有絕緣性的樹脂構(gòu)成，在基底基板4中，使得把已裝配上半導(dǎo)體芯片(以下，簡(jiǎn)稱為芯片)5a、5a、5b的器件裝載面覆蓋起來那樣地罩了起來，在器件帽3中，在存儲(chǔ)卡1的背面一側(cè)的兩個(gè)拐角部分的2個(gè)地方處形成截面凸?fàn)畹倪m配器安裝部分3a。該適配器安裝部分3a，是配合適配器2的凹部2a的部位，采用把器件帽3的表面、側(cè)面和背面形成得比器件帽3中的適配器安裝部分3a以外的部分的表面、側(cè)面和背面，恰好凹下適配器2的板厚的量的部分形成。就是說，適配器安裝部分3a被形成為使得其厚度比存儲(chǔ)卡1的厚度稍薄一些。
在本實(shí)施形態(tài)中，采用把在存儲(chǔ)卡1的器件帽3上形成的適配器安裝部分3a作成為截面凸?fàn)畹霓k法，與把適配器安裝部分3a作成為凹狀的情況下比較，可以把適配器安裝部分3a的機(jī)械強(qiáng)度提高到2倍或2倍以上。
在把適配器安裝部分3a作成為截面凸?fàn)畹那闆r下，在存儲(chǔ)卡1的厚度方向上必須設(shè)置2個(gè)凸部。但是，由于對(duì)于存儲(chǔ)卡1的厚度來說存在著一個(gè)上限，故不大可能確保其每個(gè)凸部的厚度。由于器件帽3從謀求輕重量化、加工容易性和柔軟性等的觀點(diǎn)考慮由樹脂構(gòu)成，故如果構(gòu)成適配器安裝部分的凹部的各自的凸部的厚度形成得太薄，則不能確保機(jī)械強(qiáng)度。另一方面，如果凹部的各自的凸部都形成得太厚，凹部自身的形成就會(huì)變得困難起來。對(duì)此，在象本實(shí)施形態(tài)那樣把適配器安裝部分3a作成為截面凸?fàn)畹那闆r下，在存儲(chǔ)卡1的厚度方向上設(shè)置一個(gè)適配器安裝部分3即可。就是說，可以把在凹部中形成適配器安裝部分3的情況下的各自的凸部集中到一個(gè)地方，形成相對(duì)厚的凸部。在這里，可以把截面凸?fàn)畹倪m配器安裝部分3a的厚度的一半(d1/2)形成為厚達(dá)與凹坑厚度d2同等。就是說，可以作成為Max(d1/2)＝d2(參看圖3(a)到(c)和圖4(a))。因此，由于可以把適配器安裝部分3a形成得比較厚，故即便是用樹脂制的器件帽3的一部分構(gòu)成的適配器安裝部分3a也可以確保機(jī)械強(qiáng)度。此外，適配器安裝部分3a由于是截面凸?fàn)畹?，故形成也是容易的。此外，如果考慮用與器件帽3同一樹脂形成適配器安裝部分3a的情況，則可以確保d1＝d2的同等程度強(qiáng)度，可以使d1薄到d1＝d/3。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，采用在存儲(chǔ)卡1的背面一側(cè)的兩個(gè)拐角部分的2個(gè)地方設(shè)置適配器安裝部分3a的辦法，由于把適配器2牢固地配合到存儲(chǔ)卡1的背面一側(cè)的長(zhǎng)邊方向兩個(gè)端部上，故可以提高在把適配器2安裝到存儲(chǔ)卡1上時(shí)的穩(wěn)定性。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，在器件帽3中，被上述兩個(gè)拐角部分的適配器安裝部分3a、3a挾持起來的地方，就是說，在存儲(chǔ)卡1的背面一側(cè)的長(zhǎng)邊方向的中央，被形成為與存儲(chǔ)卡1的厚度大體上相等，變成為比適配器安裝部分3a更厚。借助于此，與沿著存儲(chǔ)卡1的長(zhǎng)邊方向使存儲(chǔ)卡1的背面一側(cè)全都變薄的情況比較，可以提高器件帽3和適配器2之間的接合部位的機(jī)械強(qiáng)度。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，采用把適配器安裝部分3a作成為截面凸?fàn)畹霓k法，就可以充分地確保既是適配器安裝部分3a的長(zhǎng)度(存儲(chǔ)卡1的短邊方向的長(zhǎng)度)L1，就是說，使適配器2的凹部2a配合到適配器安裝部分3a內(nèi)的方向的長(zhǎng)度，又是該凹部2a與適配器安裝部分3a平面性地進(jìn)行重疊的長(zhǎng)度。在已把適配器安裝部分3a作成為截面凸?fàn)畹那闆r下，如上所述，如果考慮確保該凹部的每個(gè)凸部的強(qiáng)度，則不可能把上述長(zhǎng)度L1形成得太長(zhǎng)。對(duì)此，在本實(shí)施形態(tài)的情況下，由于可以確保適配器安裝部分3a的厚度，可以確保適配器安裝部分3a的機(jī)械強(qiáng)度，故可以把上述長(zhǎng)度L1形成得某種程度地長(zhǎng)。在這里，長(zhǎng)度L1變得比適配器安裝部分2a的厚度d1更長(zhǎng)。如上所述，得益于把適配器安裝部分3的長(zhǎng)度L1形成得長(zhǎng)的辦法，由于可以用適配器2的凹部2a牢固地抓住存儲(chǔ)卡1的適配器安裝部分3a，故可以確保存儲(chǔ)卡1與適配器2之間的結(jié)合部分處的剛性。因此，可以減少或防止起因于彎曲等而使存儲(chǔ)卡1與適配器2之間的結(jié)合部分?jǐn)嗟暨@樣的事故。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，在存儲(chǔ)卡1的表面和背面處適配器安裝部分3a的狀態(tài)變成為非對(duì)稱。具體地說，適配器安裝部分3a的寬度(存儲(chǔ)卡1的長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度)W1、W2變成為非對(duì)稱，其各自的寬度W1、W2的尺寸不同(參看圖3)。這是因?yàn)橐惯m配器2的安裝方向不要弄錯(cuò)的緣故。就是說，由于適配器安裝部分3a的寬度W1、W2的尺寸不一樣，如果把適配器2的安裝方向弄錯(cuò)則結(jié)果就變成為不能安裝適配器2。借助于此，就可以防止起因于適配器2的安裝錯(cuò)誤而對(duì)存儲(chǔ)卡1造成損傷或破壞的現(xiàn)象。此外，由于不必特別注意適配器2的安裝方向的對(duì)錯(cuò)，故在可以放心地安裝存儲(chǔ)卡1的同時(shí)，還可以對(duì)卡安裝設(shè)備穩(wěn)定地進(jìn)行操作。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，在存儲(chǔ)卡1的背面的背面一側(cè)附近，在存儲(chǔ)卡1的長(zhǎng)邊方向的中央，形成適配器爪安裝部分3b。該適配器爪安裝部分3b是把適配器2的爪部2b緊緊鉤住的地方，具有凹坑部分3b1和溝部3b2。凹坑部分3b1采用從存儲(chǔ)卡1的背面跨過溝部3b2使器件帽3的背面恰好凹進(jìn)適配器2的板厚的量的辦法形成。此外，借助于使適配器2的爪部2b進(jìn)入該溝部3b2內(nèi)的辦法，結(jié)果就變成為把存儲(chǔ)卡1和適配器2牢固地結(jié)合固定起來。
此外，在存儲(chǔ)卡1的表面的背面一側(cè)附近，在存儲(chǔ)卡的長(zhǎng)邊方向的中央，形成卡取出溝3c。該卡取出溝3c，是在從上述電子裝置取出存儲(chǔ)卡1時(shí)，對(duì)取出進(jìn)行輔助的溝。就是說，在使手指觸碰到該卡取出溝3c上的狀態(tài)下，采用與器件帽2的表面平行地提拉手指的辦法，就可以從上述電子裝置中抽出存儲(chǔ)卡1。上述存儲(chǔ)卡1的背面的溝部2b2的深度d2，被形成為使得比存儲(chǔ)卡1的表面的卡取出溝2c的深度d3更深(參看圖5(b))。
另外，存儲(chǔ)卡1的前面一側(cè)的角，是出于易于識(shí)別存儲(chǔ)卡1的安裝方向等的觀點(diǎn)而被切掉的。此外，在存儲(chǔ)卡1的器件帽3的表面上，在存儲(chǔ)卡1的前面附近一側(cè)，形成有表示在把存儲(chǔ)卡1安裝到上述電子裝置中去時(shí)的插入方向的平面三角形狀的標(biāo)記3d。
裝配在上述存儲(chǔ)卡1的基底基板4上邊的2塊芯片5a、5a，具有同一外形尺寸，形成同一容量的閃速存儲(chǔ)器(EEPROM)。這些芯片5a、5a，在一方的上部重疊上另一方的狀態(tài)下裝配到基底基板4上邊。下層的芯片5a，用粘接劑等接合到基底基板的上表面上，上層的芯片5a則用粘接劑接合到下層的芯片5a的上表面上。另一方面，控制器用的芯片5b裝配到存儲(chǔ)器用的芯片5a的附近的基底基板4上邊，同樣用粘接劑等接合到基底基板4的上表面上。這3塊芯片5a、5a、5b，不論哪一個(gè)都在使其主面(器件形成面)朝上的狀態(tài)下裝配到基底基板4上。
在已形成了閃速存儲(chǔ)器(EEPROM)的2塊芯片5a、5a的各自的主面上，沿著其一邊一列地形成有多個(gè)鍵合焊盤。就是說，存儲(chǔ)器用的芯片5a，采用在器件形成面的周邊部分上形成鍵合焊盤，而且沿著這些鍵合焊盤的一邊一列地進(jìn)行配置的單邊焊盤方式。另一方面，在控制器用的芯片5b的主面上，沿著例如相向的2個(gè)長(zhǎng)邊每邊一列地形成多個(gè)鍵合焊盤。
2塊芯片5a、5a，在朝向同一方向的狀態(tài)下彼此重疊起來，一方的芯片5a的鍵合焊盤和另一方的芯片5a的鍵合焊盤鄰近地進(jìn)行配置。此外，上層的芯片5a，其一部分在與下層的芯片5a的一邊平行的方向(X方向)和與之垂直的方向(Y方向)上偏離開來的狀態(tài)下進(jìn)行配置。
在上述芯片5a、5b的附近的基底基板4上邊，形成多個(gè)電極，與各自的芯片5a、5a、5b對(duì)應(yīng)的電極，通過由金(Au)等構(gòu)成的鍵合焊絲6進(jìn)行電連。在芯片5a的鍵合焊盤上，通過上述電極和已電連到電極上的基底基板4的布線，電連到在基底基板4的一端上形成的連接端子7和在另一端上形成的測(cè)試焊盤8上。連接端子7被用做把該存儲(chǔ)卡1安裝到上述電子設(shè)備上時(shí)的連接端子。并通過貫通孔10電連到基底基板4的下表面的外部連接端子9上。此外，測(cè)試焊盤8在該存儲(chǔ)卡1的組裝工序中用來測(cè)定電學(xué)特性。這樣的芯片5a、5b，鍵合焊盤6和基底基板4的器件裝載面的大半(除去連接端子7和測(cè)試焊盤8及其配置區(qū)域的周邊)，例如被由環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的密封樹脂11被覆起來。
其次，對(duì)上述適配器2進(jìn)行說明。圖7(a)是適配器2的表面一側(cè)的平面圖，(b)是(a)的適配器2的側(cè)視圖，(c)是(a)的適配器2的前面圖，(d)是(a)的適配器2的背面一側(cè)的平面圖，(e)是(a)的適配器2的爪部2b和支持部分2c的主要部分?jǐn)U大剖面圖。
適配器2，用剛性更高的例如不銹鋼、鈦(Ti)、鐵(Fe)或含鐵合金等之類的金屬板構(gòu)成，雖然也可以用樹脂材料形成。在作為適配器2的材料選擇不銹鋼的情況下，由于耐腐蝕性高，故沒有必要對(duì)其表面施行電鍍處理。另一方面，在作為適配器2的材料選擇鐵等的情況下可以采用對(duì)其表面施行電鍍處理的辦法提高耐腐蝕性。
此外，適配器2的凹部2a，可以采用把適配器2的長(zhǎng)邊方向的兩端彎曲為使之變成為大體上的U形的辦法形成。為此，適配器2在其厚度方向上具有某種程度的空著的區(qū)域。也可以把適配器2形成為中空狀。
如上所述，在本實(shí)施形態(tài)中，適配器2可以采用把1塊金屬板彎曲或在該金屬板上形成溝2d或孔2e之類的辦法形成。就是說不使用需要精密加工的金屬的切削技術(shù)等。此外，部件個(gè)數(shù)少。因此，可以降低適配器2的造價(jià)。
在適配器2中，從其前面開始，沿著適配器的短方向(圖7(a)、(d)的上下方向)一直到其短方向的途中平面位置為止帶狀地形成平行地延伸的2條上述溝2d。被該2條的溝2d平面性地挾持著的部分(適配器2的長(zhǎng)邊方向中央)上，形成上述支持部分2c。在支持部分2c的另一端上，變成為一體地形成上述爪部2a。支持部分2c具有作為板簧(彈性體)的功能，從平面上看被形成矩形形狀，此外，從斷面上看從適配器2的表面向著背面逐漸地彎曲那樣地，就是說，在使之具有撓曲的狀態(tài)下成型。如上所述，采用使支持部分2c具有撓曲的辦法謀求彈力的提高，和作為彈性體的耐久性的提高。如上所述，支持部分2c理想的是其長(zhǎng)度被設(shè)計(jì)為目的為使之具有適度彈性的長(zhǎng)度。
此外，在適配器2的背面一側(cè)附近，形成了孔2e的開口。在把適配器2裝配到上述存儲(chǔ)器1上的狀態(tài)下，在把它裝配到電子裝置中之后，在從電子裝置中取出該存儲(chǔ)卡1時(shí)，在該取出不能順利地進(jìn)行時(shí)等，就可以把爪或工具鉤到該孔2e內(nèi)取出存儲(chǔ)卡1。孔2e也可以作成為溝等的壓痕形狀而不作成為孔。
圖8(a)示出了把上述適配器2裝配到上述存儲(chǔ)卡1上后的狀態(tài)，圖8(a)是其存儲(chǔ)卡1和適配器2的表面的平面圖，(b)是(a)的側(cè)視圖，(c)是(a)的背面的平面圖。此外，圖9，為了進(jìn)行比較，示出了上述全尺寸的存儲(chǔ)卡50。圖9(a)是存儲(chǔ)卡50的表面的平面圖，(b)是其側(cè)視圖，(c)是其背面的平面圖。再有，圖10(a)示出了存儲(chǔ)卡1的適配器爪安裝部分3b、與適配器2的爪部2之間的接合部分的剖面圖，(b)是存儲(chǔ)卡1的安裝部分3a與適配器2的凹部2a之間的結(jié)合部分的剖面圖。
適配器2，在把存儲(chǔ)卡1的適配器安裝部分配合到其凹部2a內(nèi)，而且，把適配器2的支持部分2c的頂端部分的爪部2b配合到存儲(chǔ)卡1的適配器爪安裝部分3b的溝部3b2內(nèi)的狀態(tài)下，裝配到存儲(chǔ)卡1上。特別是適配器2的支持部分2c，在從存儲(chǔ)卡1的表面一側(cè)進(jìn)入到背面一側(cè)的狀態(tài)下，裝配到存儲(chǔ)卡1上。采用把適配器2裝配到存儲(chǔ)卡1上的辦法，就可以作成為與全尺寸的存儲(chǔ)卡50同等的尺寸(例如32mm×24mm×1.4mm)。因此就可以在全尺寸的存儲(chǔ)卡50用的上述大型的電子裝置中使用可以在上述小型電子裝置中使用的半尺寸的存儲(chǔ)卡1。就是說，可以提高半尺寸的存儲(chǔ)卡1的通用性。
適配器2的爪部2b，在圖10(a)的上方向，就是說，在與器件帽3相向的方向上具有彈力的狀態(tài)下，被牢固地嵌入到存儲(chǔ)卡1的適配器爪安裝部分3a的溝部3b2內(nèi)。借助于此，就可以確實(shí)地把存儲(chǔ)卡1和適配器2結(jié)合起來。而且，在適配器2的凹部2a中嵌入存儲(chǔ)卡1的適配器安裝部分3a。借助于此，就可以具有良好穩(wěn)定性地將存儲(chǔ)卡1和適配器2結(jié)合起來。
在要從存儲(chǔ)卡1上取下適配器2時(shí)，要從適配器2的表面一側(cè)向背面的方向推壓適配器2的支持部分2c，從存儲(chǔ)卡1的適配器爪安裝部分3b上拿掉支持部分2c的頂端的爪部2b即可。因此，即便是用一只手也可以簡(jiǎn)單地拿掉適配器2，其取下作業(yè)可以極其容易地進(jìn)行。為此，在其裝配時(shí)從存儲(chǔ)卡1的表面可以觀察的支持部分2c的長(zhǎng)度，理想的是人的手指可以進(jìn)入的那種程度。另外，支持部分2c，如上所述，由于具有彈性，故拿掉適配器2之后就會(huì)回到原來的形狀。
其次，說明上述存儲(chǔ)卡1的器件帽3的形成時(shí)使用的模具的一個(gè)例子。圖11是該模具15的剖面圖，示出了與圖5同一部位的剖面圖。此外，圖12，是圖11的主要部分?jǐn)U大剖面圖，(a)是器件帽3的背面一側(cè)的與圖5(b)同一部位的剖面圖，(b)是與器件帽3的背面一側(cè)的適配器安裝部分3a對(duì)應(yīng)的部位的剖面圖，(c)是器件帽3的前面一側(cè)的與圖5同一部位的剖面圖。
在下模15a和上模15b重疊起來的部分上形成用來成型器件帽3的腔體15c。在本實(shí)施形態(tài)中，面向該腔體15c的模具15(下模15a和上模15b)的拐角部分α1～α11等已變成為90度或90度以上(參看圖12)。借助于此，就可以容易地進(jìn)行器件帽3的成型。如果上述角度α1～α11比90度小，則在器件帽3成型后，器件帽3就難于從模具15中剝離，由于就變成為或者每次只形成一個(gè)器件帽3，或者需要特別的模具，故造價(jià)增高。相對(duì)于此，在本實(shí)施形態(tài)中，得益于把角度α1～α11等作成為90度或90度以上，由于不會(huì)產(chǎn)生這樣的缺點(diǎn)，所以就變成為可以量產(chǎn)的狀態(tài)。此外，也不需要特別的模具。因此，可以降低存儲(chǔ)卡1的造價(jià)。用這樣的模具15成型的器件帽3的表面、側(cè)面和背面的拐角部分的角度，變成為90度或90度以上。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，在形成器件帽3的內(nèi)側(cè)面的下模15a一側(cè)處的腔體15c的深度(大體上厚度為d5+d6)這一方形成得比在形成器件帽3的外側(cè)表面的上模15b一側(cè)處的腔體15c的深度(大體上與厚度d7同等)更深。因此，在相當(dāng)于厚度d6的部分上，大半形成向下模15a一側(cè)流入樹脂用的澆口。下模15a一側(cè)的腔體15c的深度這一方之所以深，是因?yàn)橄履?5a一側(cè)的腔體15c的內(nèi)側(cè)(底面一側(cè))這一方凹凸和臺(tái)階多，如果沒有某種程度的容量，就不能滿意地填充樹脂的緣故。此外，在厚度d5到d7中，厚度d6尺寸最大。這是因?yàn)橐岣邚臐部谙蚯惑w15c內(nèi)流入的樹脂的填充性的緣故。就是說，如果該厚度d6太薄，就不可能通過澆口使樹脂向腔體15c內(nèi)流入。在這里，厚度d5，例如為0.5mm左右，厚度d6例如為0.6mm左右，厚度d7例如為0.3mm左右。
在本實(shí)施形態(tài)中，采用向這樣的模具15的腔體內(nèi)填充樹脂的辦法成型了器件帽3之后，蓋上該器件帽3，使得把已裝載上芯片5a、5b的基底基板4的器件裝載面覆蓋起來，以制造上邊所說的存儲(chǔ)卡1。
其次，說明本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的組裝方法的一個(gè)例子。圖13是用來說明該例子的說明圖，(a)是存儲(chǔ)卡1的全體平面圖，(b)是把存儲(chǔ)卡1的基底基板4組裝到全尺寸的存儲(chǔ)卡上使用的情況下的全體平面圖。帶陰影的部分表示基底基板4的平面。
在本實(shí)施形態(tài)中，在全尺寸的存儲(chǔ)卡1A中保持原狀不變地使用在半尺寸的存儲(chǔ)卡1的組裝中使用的基底基板4(已經(jīng)裝配上芯片5a等的狀態(tài)的基底基板4)。就是說，作成為使得共有平面尺寸不同的存儲(chǔ)卡1、1A的部分。
由于存儲(chǔ)卡的成本的大半為基底基板4的成本占有，故降低基底基板4的成本，在降低存儲(chǔ)卡1的造價(jià)方面是有效的。但是，在半尺寸的存儲(chǔ)卡1和全尺寸的存儲(chǔ)卡1a中分開制造基底基板4的情況下，由于分別需要分開的制造工序、制造裝置和人員等，故將招致基底基板4的造價(jià)的增大，使存儲(chǔ)卡的造價(jià)升高。相對(duì)于此，采用使存儲(chǔ)卡1、1A共有的辦法，由于在半尺寸和全尺寸中不再需要單獨(dú)設(shè)置基底基板4的制造工序、制造裝置和人員，故可以大幅度地降低存儲(chǔ)卡1、1A的造價(jià)。
在采用這樣的組裝方法的情況下，如圖13(b)所示，在全尺寸的存儲(chǔ)卡1A上，裝配其器件帽16的平面面積的一半或一半以下的平面面積的基底基板4。
(實(shí)施形態(tài)2)圖14是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件和輔助器具的斜視圖，圖15(a)、(b)的斜視圖示出了圖14的半導(dǎo)體器件的表面一側(cè)和背面一側(cè)的外觀，圖16(a)是圖14的半導(dǎo)體器件的表面一側(cè)的平面圖，圖16(b)是(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖，圖16(c)是(a)的半導(dǎo)體器件的背面圖，圖16(d)是(a)的半導(dǎo)體器件的背面一側(cè)的平面圖，圖17(a)是圖14的半導(dǎo)體器件和輔助器具的表面的平面圖，(b)是(a)的側(cè)視圖，(c)是(a)的背面的平面圖。
本實(shí)施形態(tài)，除去存儲(chǔ)卡1與適配器2之間的結(jié)合部位的形狀與上述實(shí)施形態(tài)1不同之外，與上述實(shí)施形態(tài)1是同樣的。就是說，存儲(chǔ)卡1的適配器安裝部分3a的側(cè)面，被形成為使之與存儲(chǔ)卡1的側(cè)面變成為同一平面。就是說，適配器安裝部分3a的側(cè)面部分不凹下去。此外，在存儲(chǔ)卡1的側(cè)面上，也部分地形成這樣的溝2a1上述適配器安裝部分3a的側(cè)面部分進(jìn)入到要配合到該適配器安裝部分3a上的適配器2的凹部2a的部分內(nèi)。
即便是在這樣的情況下，如圖17所示，也可以在干凈整潔的狀態(tài)下，把適配器2安裝到存儲(chǔ)卡1上而不會(huì)在存儲(chǔ)卡1與適配器2之間的結(jié)合側(cè)面上產(chǎn)生凹凸或缺欠。
在這樣本實(shí)施形態(tài)中，也可以得到與上述實(shí)施形態(tài)1同樣的效果。
(實(shí)施形態(tài)3)圖18示出了作為本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的背面一側(cè)的平面圖。在本實(shí)施形態(tài)中，在存儲(chǔ)卡的背面一側(cè)，在適配器安裝部分3a的附近沿著存儲(chǔ)卡1的長(zhǎng)邊方向規(guī)則地排列起來地配置多個(gè)連接端子17。連接端子17設(shè)置在基底基板4的背面一側(cè)，通過基底基板4的布線與在基底基板4上邊形成的存儲(chǔ)器電路電連。該連接端子17是上述存儲(chǔ)器電路的測(cè)試用或功能追加用的端子。
(實(shí)施形態(tài)4)首先，用圖19到圖23對(duì)在本發(fā)明人所研究的技術(shù)中本發(fā)明人首先發(fā)現(xiàn)的課題進(jìn)行說明。
圖19和圖20分別示出了上述基底基板4的表面(器件裝載面)和背面(外部連接端子形成面)的平面圖?；谆?平面矩形形狀地形成，其一個(gè)拐角部分相應(yīng)部位對(duì)拐角進(jìn)行倒角形成倒角部分(第3倒角部分)4a。倒角部分4a被形成為沿著在存儲(chǔ)卡的前面頂端(安裝端)上形成的定位(index)用的倒角。
圖21和圖22分別示出了本發(fā)明人所研究的上述全尺寸的存儲(chǔ)卡6的器件帽(第1殼體)16的表面和背面的平面圖。該器件帽16，可以用與上述半尺寸用的器件帽3同樣的樹脂等形成。在器件帽16中，在存儲(chǔ)卡的前面一側(cè)的拐角部分的一方處形成上述定位用的倒角部分(第2倒角部分)16a。該倒角部分16a是出于易于識(shí)別全尺寸的存儲(chǔ)卡的安裝方向的觀點(diǎn)而設(shè)置的。
此外，在器件帽16的背面，在上述存儲(chǔ)卡的前面一側(cè)形成溝16b。該溝16b，是用來把基底基板4安裝到器件帽16的溝，被形成為使得占有從器件帽16的頂端附近到器件帽16的長(zhǎng)邊方向的一半短一些的位置為止。溝16b的平面形狀和尺寸，用與基底基板4同一平面形狀，而且，用比基底基板4大一些的尺寸形成，以便可以收納基底基板4并良好地進(jìn)行配合。因此，在溝16b中，器件帽16的前面一側(cè)的一方的拐角部分被倒角，形成倒角部分16b1。此外，在溝16b的2個(gè)長(zhǎng)邊之內(nèi)的器件帽16的長(zhǎng)邊方向中央一側(cè)形成的長(zhǎng)邊，和溝16b的2個(gè)短邊直角地進(jìn)行交叉。另外，在溝16b的區(qū)域內(nèi)在外周處，形成比其內(nèi)側(cè)厚一些，而且，比溝16b的外側(cè)薄一些的臺(tái)階部分16e。刻在該臺(tái)階部分上的多個(gè)插針痕跡16f示出了在用模具成型了器件帽16之后在從模具中取出時(shí)推卸器(ejector)插針?biāo)佑|的痕跡。
此外，在該器件帽16的表面和背面中，在背面一側(cè)附近，形成卡取出溝16c1、16c2。該卡取出溝16c1、16c2是具有與在上述實(shí)施形態(tài)1中說明的卡取出溝3c(參看圖1等)同樣功能的溝。在背面一側(cè)的溝部16c2的深度形成得比在表面一側(cè)的卡取出溝16c1更深。該卡取出溝16c1、16c2也可以僅僅設(shè)置在任何一方。此外，在器件帽16的表面上，在前面附近一側(cè)，形成表示在把全尺寸的存儲(chǔ)卡安裝到上述電子裝置中時(shí)的插入方向的平面三角形形狀的標(biāo)記16d。此外，器件帽16的表面的大半部分，形成平面圓角的長(zhǎng)方形形狀的淺的凹坑16g。該凹坑16g，是用來粘貼表明存儲(chǔ)卡分類等種種信息標(biāo)簽的凹坑。
圖23示出了把圖19和圖20所示的基底基板4安裝到圖21和圖22所示的器件帽16的溝16b內(nèi)之后的全尺寸的存儲(chǔ)卡1A的背面的平面圖?；谆?被收納于器件帽16的長(zhǎng)邊方向的大體上單側(cè)一半的區(qū)域內(nèi)，且已良好地安裝好。
本發(fā)明人對(duì)圖23所示的的全尺寸的存儲(chǔ)卡1A進(jìn)行了彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)。該彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)，例如如下所述那樣進(jìn)行。首先，在使存儲(chǔ)卡1A的背面朝向試驗(yàn)臺(tái)的上表面的狀態(tài)下，把存儲(chǔ)卡1A載置到試驗(yàn)臺(tái)上邊。這時(shí)，要作成為使得在存儲(chǔ)卡1A的長(zhǎng)邊方向的兩端附近的2個(gè)地方上，在存儲(chǔ)卡1A的背面和試驗(yàn)臺(tái)上表面之間存在著支持構(gòu)件，在存儲(chǔ)卡1A的背面與試驗(yàn)臺(tái)的上表面之間形成規(guī)定尺寸的間隙。在該狀態(tài)下，采用在存儲(chǔ)卡1A的表面上給長(zhǎng)邊方向中央加上規(guī)定量的荷重的辦法使存儲(chǔ)卡1A撓曲來評(píng)價(jià)破壞強(qiáng)度。
本發(fā)明人第1次發(fā)現(xiàn)進(jìn)行該試驗(yàn)的結(jié)果，圖23所示的那樣的存儲(chǔ)卡1A，在全尺寸的存儲(chǔ)卡中，與把基底基板和器件帽之間的平面尺寸作成為同等程度的構(gòu)造的存儲(chǔ)卡比較，彎曲強(qiáng)度弱，在存儲(chǔ)卡1A的背面中央，在器件帽16與基底基板4之間的邊界部分(隙間部分)處基底基板4剝離，或者以在器件帽16的溝16b的長(zhǎng)邊之內(nèi)的器件帽16的長(zhǎng)邊方向中央一側(cè)形成的長(zhǎng)邊與溝16b的2個(gè)短邊直角交叉的部分為起點(diǎn)，在器件帽16上產(chǎn)生裂紋之類的缺欠。
于是，在本實(shí)施形態(tài)中，在把基底基板的平面尺寸作成為器件帽的平面尺寸的大約一半的全尺寸的存儲(chǔ)卡中，作成為提高上述彎曲強(qiáng)度的構(gòu)造。具體地說，例如如下所述。
圖24和圖25分別示出了本實(shí)施形態(tài)4的基底基板4的表面(器件裝載面)和背面(外部端子形成面)的平面圖。在本實(shí)施形態(tài)4的基底基板4中，除去上述倒角部分4a之外，使2個(gè)拐角部分相當(dāng)部位的拐角倒角形成倒角部分(第1倒角部分)4b、4c。該倒角部分4b、4c被倒角為比倒角部分4a更小，以同一大小和形狀形成為使得互相左右對(duì)稱。除此之外，與在上述實(shí)施形態(tài)1、圖19和圖20等中說明的情況是同樣的。
圖26和圖27，分別示出了裝載圖25和圖26所示的基底基板4的全尺寸的存儲(chǔ)卡用的器件帽16的表面和背面(基底基板安裝面)的平面圖。本實(shí)施形態(tài)4的器件帽16，安裝基底基板4的溝(第1溝)16b的形狀與上邊所說的形狀不同。除此之外的構(gòu)成，與在上述實(shí)施形態(tài)1、圖21和圖22中說明的構(gòu)成是同樣的。就是說，在本實(shí)施形態(tài)4中，溝16b的平面形狀和尺寸，用與其基底基板4同一平面形狀且比基底基板4大一些的平面尺寸形成為使得可以收納圖24和圖25所示的基底基板4而且可以良好地進(jìn)行配合。因此，在該情況下的溝16b的2個(gè)長(zhǎng)邊之內(nèi)的器件帽16的長(zhǎng)邊方向中央一側(cè)形成的長(zhǎng)邊16b2和溝16b的2個(gè)短邊16b3、16b3不進(jìn)行直角交叉，其本來進(jìn)行交叉的部分則進(jìn)行倒角，形成倒角部分(第1倒角部分)16b4、16b5。就是說，溝16b變成為這樣的構(gòu)造其長(zhǎng)邊16b2和短邊16b3彼此間，通過被配置為使得對(duì)于它們斜向交叉的倒角部分16b4、16b5隨意地改變?；蛘?，作成為這樣的構(gòu)造在溝16b中，本來要在器件16的長(zhǎng)邊方向中央一側(cè)形成的2個(gè)拐角部分處，在使直角部分吻合起來的狀態(tài)下配置直角2等邊三角形形狀的增強(qiáng)部分16h1、16h2。該倒角部分16b4、16b5的構(gòu)成為被倒角得比倒角部分16a小，并以同一大小和形狀形成為彼此左右對(duì)稱。
圖28示出了把圖24和圖25所示的基底基板4安裝到圖26和圖27的器件帽16上后的全尺寸的存儲(chǔ)卡1A的背面的平面圖，圖29示出了圖28的A1-A1線剖面圖。在本實(shí)施形態(tài)4中，基底基板4，在使其表面朝向器件帽16的背面的溝16b一側(cè)，而且，使基底基板4的倒角部分4b、4c分別與溝16b的倒角部分16b4、16b5相向的狀態(tài)下安裝到溝16b內(nèi)?；谆?，以其表面外周部分接觸到器件帽16的溝16b內(nèi)的臺(tái)階部分16e上的狀態(tài)進(jìn)行支持。
在本實(shí)施形態(tài)4中，由于可以把基底基板4與溝16b之間的接觸長(zhǎng)度形成得比圖23所示的情況更長(zhǎng)，故可以提高基底基板4與器件帽16之間的接合強(qiáng)度。此外還可以采用在基底基板4上設(shè)置倒角部分4b、4c，在溝16b上設(shè)置倒角部分16b4、16b5，消除應(yīng)力易于集中的直角部分的辦法，分散應(yīng)力。借助于這些，在進(jìn)行上述彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)時(shí)，就可以抑制或防止基底基板4的剝離，此外，還可以抑制或防止在器件帽16上產(chǎn)生裂紋。
此外，提高上述彎曲強(qiáng)度的構(gòu)造并不需要追加別的新的構(gòu)件，僅僅是對(duì)基底基板4的拐角部分和器件帽16的溝16b的拐角部分進(jìn)行倒角的簡(jiǎn)單的構(gòu)造，其形成是容易的。因此，可以提供可靠性高而不會(huì)影響生產(chǎn)性的全尺寸的存儲(chǔ)卡1A。
此外，本實(shí)施形態(tài)4的全尺寸的存儲(chǔ)卡1A，被作成為即便是在靜電破壞試驗(yàn)中也有利的構(gòu)造。在該靜電破壞試驗(yàn)中，在已把存儲(chǔ)卡安裝到試驗(yàn)裝置上的狀態(tài)下，從背面一側(cè)加上靜電。在全尺寸的存儲(chǔ)卡中，在把基底基板和器件帽的平面尺寸作成為同等程度的構(gòu)造的情況下，由于把基底基板一直設(shè)置到存儲(chǔ)卡的背面一側(cè)附近為止，故從存儲(chǔ)卡的背面一側(cè)到前面一側(cè)的芯片為止的導(dǎo)電路徑的距離短。相對(duì)于此，在本實(shí)施形態(tài)4的存儲(chǔ)卡1A的情況下，從其背面到長(zhǎng)邊方向的大體上一半左右為止用絕緣性的器件帽16形成，由于從其背面一側(cè)到前面一側(cè)的芯片為止的導(dǎo)電路徑的距離長(zhǎng)，故變成為在靜電破壞試驗(yàn)中難于產(chǎn)生破壞的構(gòu)造。
再有，在全尺寸的存儲(chǔ)卡1A中，在基底基板4的平面尺寸被作成為器件帽16的平面尺寸的一半左右的構(gòu)造中，與把基底基板和全尺寸的器件帽的平面尺寸作成為相等的構(gòu)造比，由于可以減小基底基板4的面積和密封樹脂11的體積，故存儲(chǔ)卡1A可以形成得輕。特別是在本實(shí)施形態(tài)4的存儲(chǔ)卡1A的情況下，由于如上所述還對(duì)基底基板4的拐角部分進(jìn)行倒角，故可以推進(jìn)輕重量化。因此，可以改善全尺寸的存儲(chǔ)卡1A的攜帶性。
圖30到圖32，示出了圖23所示的存儲(chǔ)卡1A的彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)的結(jié)果的說明圖?？芍谠摌?gòu)造的存儲(chǔ)卡1A中，在器件帽16的長(zhǎng)邊方向的大體上中央部分的基底基板4與器件帽16之間的邊界部位(位置b3、b4)處，彎曲強(qiáng)度急劇且矩形形狀地下降得很大。另外標(biāo)號(hào)b1到b4使得在圖30到圖32中可以了解彼此間的位置關(guān)系那樣地示出了位置。
另一方面，在圖33到圖35中，示出了在本實(shí)施形態(tài)4的圖28等中所示的存儲(chǔ)卡1A的彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)的結(jié)果的說明圖?？芍诒緦?shí)施形態(tài)4存儲(chǔ)卡1A中，在器件帽16的長(zhǎng)邊方向的大體上中央的基底基板4與器件帽16之間的邊界部位(位置b5、b6、b4)處，彎曲強(qiáng)度的下降是比較平緩的，同時(shí)其最低值與圖31和圖32的比變成為高的值。就是說，可以提高全尺寸的存儲(chǔ)卡1A的彎曲強(qiáng)度。
其次根據(jù)圖36和圖37對(duì)本實(shí)施形態(tài)4的全尺寸的存儲(chǔ)卡1A的尺寸方面的定義進(jìn)行說明。
圖36示出了本實(shí)施形態(tài)4的器件帽16的背面的平面圖。溝16d短方向的長(zhǎng)度(就是說，大體上的基底基板4的短方向的尺寸)X1，比器件帽16的長(zhǎng)邊方向的全長(zhǎng)X2的一半還小(X1＜X/2)。這是因?yàn)橐鞒蔀樵谌叽绾桶氤叽邕@兩方都可以使用基底基板4的緣故。就是說，如果寬度X1等于全長(zhǎng)X2的一半或比一半還長(zhǎng)，則在上述實(shí)施形態(tài)6說明的半尺寸的存儲(chǔ)卡1中就不再能使用該基底基板。長(zhǎng)度X1例如為14.5mm左右，全長(zhǎng)X2例如為32mm左右。
此外，在本實(shí)施形態(tài)4中，在倒角部分16b4、16b5中，把器件帽16的長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度X3和器件帽16的短方向的長(zhǎng)度Y1作成為相等(X3＝Y(jié)1)。因此，角度θ為45度。理論上說，是由于該情況可以整體地提高在拐角部分區(qū)域中的彎曲強(qiáng)度的緣故。此外，倘采用本發(fā)明人的研究，即便是假定Y1＞X3，在彎曲強(qiáng)度上也可以得到良好的結(jié)果。長(zhǎng)度X3、Y1例如為2mm左右。
倒角部分16a的長(zhǎng)度L2，比長(zhǎng)度X3、Y1還長(zhǎng)(L2＞X3，Y1)。這是因?yàn)楫?dāng)長(zhǎng)度X3、Y1太大時(shí)，基底基板4的面積就會(huì)變得過小，變得不能載置芯片的緣故。長(zhǎng)度L2例如為5.66mm左右。此外，該長(zhǎng)度X3、Y1比厚度d8、d9、d10大(X3，Y1＞d8，d9，d10)。這是因?yàn)槿绻L(zhǎng)度X3、Y1比厚度d8、d9、d10小，則因倒角量太小而不能充分地得到上述彎曲強(qiáng)度的緣故。厚度d8例如為1mm左右，厚度d9、d10例如為0.6mm左右。
此外，圖37示出了本實(shí)施形態(tài)4的存儲(chǔ)卡1A的主要部分的擴(kuò)大剖面圖。存儲(chǔ)卡1A的總厚度相當(dāng)于器件帽16的厚度d11。該厚度d11等于或大于厚度d12(d11≥d12)。厚度d12是從器件帽16的表面到基底基板4的背面為止的厚度。上述尺寸規(guī)定的理由是如果該厚度d12比厚度d11還厚，則不合乎存儲(chǔ)卡的規(guī)格。深度d13表示溝16b的深度。厚度d11例如為1.4mm左右，厚度d12例如等于或小于1.4mm左右。深度d13例如為1.04mm左右，厚度d14例如為0.28mm左右。
其次，用圖38說明在圖26到圖29等所示的全尺寸用的器件帽16的形成時(shí)使用的模具的一個(gè)例子。圖38是該模具15的剖面圖。其構(gòu)造與在上述實(shí)施形態(tài)1的圖11和圖12(a)、(c)中說明的構(gòu)造大體上相同。不同的是從腔體15c的長(zhǎng)邊方向的大體上的中央到形成器件帽16的背面部分的部分為止的長(zhǎng)度，比圖11和圖12所示的部分的長(zhǎng)度更長(zhǎng)。
其次，用圖39和圖40說明本實(shí)施形態(tài)4的基底基板4的芯片的配置例。圖39和圖40示出了本實(shí)施形態(tài)4的基底基板4的表面(器件裝載面)的平面圖。
在本實(shí)施形態(tài)4中，在基底基板4的表面上，裝載有1個(gè)存儲(chǔ)器用的芯片5a和1個(gè)控制器用的芯片5b等。該2個(gè)芯片5a、5b被配置為沿著基底基板4的長(zhǎng)邊方向(就是說，配置多個(gè)外部連接端子9(參看圖25、圖28)的方向)排列。相對(duì)地大的存儲(chǔ)器用的芯片5a被配置在離定位一側(cè)的倒角4a遠(yuǎn)的位置上。另一方面相對(duì)地小的控制器用的芯片5b則被配置在距定位一側(cè)的倒角部分4a近的一側(cè)。歸因于這樣的配置，可以實(shí)現(xiàn)小型且大容量的存儲(chǔ)卡。
在上述存儲(chǔ)器用的芯片5a中，形成例如16M、32字節(jié)的存儲(chǔ)容量的存儲(chǔ)器電路。存儲(chǔ)器用的芯片5a這一方，被作成為比控制器用芯片5b更接近于正方形的形狀。存儲(chǔ)器用的芯片5a的一邊的長(zhǎng)度L3被形成得比控制器用的芯片5b的在長(zhǎng)邊方向上延伸的一邊長(zhǎng)度L4更長(zhǎng)。在存儲(chǔ)器用的芯片5a的主面上，在一邊的附近，沿著該一邊配置多個(gè)鍵合焊盤20a。存儲(chǔ)器用的芯片5a，被裝載為使得其配置有多個(gè)鍵合焊盤20a的一邊配置在基底基板4的長(zhǎng)邊方向中央一側(cè)，就是說配置在控制器用的芯片5b一側(cè)。該鍵合焊盤20a通過鍵合焊絲6與基底基板4的表面的布線電連。
另一方面，在控制器用的芯片5b的主面上，在2個(gè)長(zhǎng)邊的附近，沿著該長(zhǎng)邊配置有多個(gè)鍵合焊盤20b?？刂破饔玫男酒?b在基底基板4的表面上邊被裝載為使得其長(zhǎng)邊對(duì)于配置有存儲(chǔ)器用芯片5a的多個(gè)鍵合焊盤20a的一邊變成為平行。該鍵合焊盤20b，通過鍵合焊絲6與基底基板4的表面的布線電連。這樣的芯片5a、5b的配置，也可以應(yīng)用于上述實(shí)施形態(tài)1到實(shí)施形態(tài)3。
另外，在基底基板4的表面的長(zhǎng)邊方向的頂端一側(cè)(已形成了倒角部分4a的一側(cè))形成借助于鍍金等形成的金屬層21。該金屬層21是在密封芯片5a、5b時(shí)配置模具的澆口的部分。就是說，使得在形成密封樹脂11(參看圖29)時(shí)，從該金屬層21一側(cè)通過控制器用的芯片5b的配置區(qū)域向存儲(chǔ)器用芯片5a的配置區(qū)域流入樹脂。
其次，說明本實(shí)施形態(tài)4的半導(dǎo)體器件的組裝方法的一個(gè)例子。該組裝工序，與在上述實(shí)施形態(tài)1的圖13中說明的工序是相同的。在這里沿著圖41的流程圖用圖42到圖46說明該組裝工序。
首先，準(zhǔn)備圖42所示的那種基底基板形成體22。在該基底基板形成體22的框體22a上，通過已經(jīng)連接到各個(gè)基底基板4的2個(gè)短邊中央上的微細(xì)的連結(jié)部分22b把多個(gè)基底基板4連接起來。在該階段中，一體地形成框體22a、連結(jié)部分22b和基底基板4。此外，還已經(jīng)形成了基底基板4的倒角部分4b、4c。接著，如圖43所示，向基底基板形成體22的各個(gè)基底基板4的表面上邊，裝載芯片5a、5b(圖41的工序100)。這時(shí)，把相對(duì)地大的存儲(chǔ)器用芯片5a裝載到距倒角部分4a遠(yuǎn)的地方，把相對(duì)地小的控制器用芯片5b，裝載到距倒角部分4a近的地方。然后，實(shí)施目的為使基底基板4和芯片5a、5b的布線、電極(包括鍵合焊盤20a、20b)的表面清潔化的例如等離子體清洗工序(圖41的工序101)。該工序的目的是采用對(duì)形成得薄的鍍金層的表面進(jìn)行清洗的辦法，使得在接在該工序后邊的鍵合焊絲工序時(shí)焊絲和鍍金層之間的連接狀態(tài)變得良好起來。
接著，如圖44所示，在各個(gè)基底基板4中，通過鍵合焊絲6把芯片5a、5b的鍵合焊盤20a、20b和基底基板4的布線及電極電連起來(圖41的工序102)。接著，如圖45所示，在各個(gè)基底基板4中，用連續(xù)自動(dòng)模鑄法把芯片5a、5b和鍵合焊絲6等密封起來(圖41的工序103)。在上述的焊絲鍵合工序之后，在模鑄工序之前，出于改善密封樹脂的粘接性的觀點(diǎn)也可以對(duì)基底基板4實(shí)施上述凈化處理。然后，如圖46所示，采用切斷連結(jié)部分22b的辦法，把基底基板4從基底基板形成體22上分離出來(圖41的工序104)。經(jīng)這樣地處理之后形成基底基板4。
接著，在要制造全尺寸(FS)的存儲(chǔ)卡1A的情況下，把上述基底基板4安裝在圖26和圖27所示的器件帽16的溝16內(nèi)后用粘接劑等進(jìn)行固定(圖41的工序105A)。另一方面，在制造半尺寸(HS)(或縮小尺寸(RS))的存儲(chǔ)卡1的情況下，則把基底基板4安裝到在上述實(shí)施形態(tài)1的圖1到圖5等中說明的器件帽3的背面的溝(這里的溝的平面形狀被形成為在圖27到圖29中說明的形狀)內(nèi)并用粘接劑等進(jìn)行固定(圖41的工序105B)。
如上所述，在本實(shí)施形態(tài)中，可以用1個(gè)基底基板4制造全尺寸和半尺寸這么2種的存儲(chǔ)卡1、1A。就是說，由于全尺寸和半尺寸的存儲(chǔ)卡1、1A的制造工序和構(gòu)件可以部分共通化，故與單獨(dú)制造的情況下比較，制造工序的簡(jiǎn)化、制造時(shí)間的縮短和制造成本的降低就成為可能。
(實(shí)施形態(tài)5)在本實(shí)施形態(tài)5中，說明在把基底基板的平面尺寸作成為器件帽的平面尺寸的一半左右的全尺寸的存儲(chǔ)卡中，改善上述彎曲強(qiáng)度的構(gòu)造的變形例。
圖47示出了實(shí)施形態(tài)5的全尺寸的存儲(chǔ)卡1A的背面的平面圖，圖48示出了圖47的區(qū)域Z1的擴(kuò)大平面圖。在本實(shí)施形態(tài)5中，在基底基板4中，在位于全尺寸的器件帽16的長(zhǎng)邊方向中央一側(cè)的兩個(gè)拐角部分的附近，形成微細(xì)的長(zhǎng)方形形狀的凹凸4d，在與之對(duì)應(yīng)的器件帽16的溝16b的拐角部分附近也形成微細(xì)的長(zhǎng)方形形狀的凹凸16b7，使之很好地配合到基底基板4的微細(xì)的凹凸4d內(nèi)。該微細(xì)的凹凸4d、16b7，在圖47中被形成為左右對(duì)稱。除此之外與在實(shí)施形態(tài)1到4中說明的是同樣的。上述凹凸4d、16b7也可以設(shè)置在溝16b的長(zhǎng)邊16b2和與之對(duì)應(yīng)的基底基板4的長(zhǎng)邊一側(cè)。
在本實(shí)施形態(tài)5中，由于在強(qiáng)度相對(duì)地弱的拐角部分處，也增大基底基板4與器件帽16之間的接觸面積，故可以抑制或防止器件帽16的裂紋或基底基板4的剝離，可以改善上述彎曲強(qiáng)度。
(實(shí)施形態(tài)6)在本實(shí)施形態(tài)6中，說明在把基底基板的平面尺寸作成為器件帽的平面尺寸的一半左右的全尺寸的存儲(chǔ)卡中，改善上述彎曲強(qiáng)度的構(gòu)造的另一個(gè)變形例。
圖49示出了實(shí)施形態(tài)6的全尺寸的存儲(chǔ)卡1A的背面的平面圖，圖50示出了圖50的區(qū)域Z2的擴(kuò)大平面圖。在本實(shí)施形態(tài)6中，與上述實(shí)施形態(tài)5同樣，在位于基底基板4和與之對(duì)應(yīng)的器件帽16的溝16b的拐角部分附近，也形成微細(xì)的凹凸4d、16b7。與上述實(shí)施形態(tài)不同的是，在每個(gè)微細(xì)的凹凸4d、16b7的側(cè)面上形成錐形。在該情況下，與實(shí)施形態(tài)5的情況下比較，基底基板4的微細(xì)的凹凸4d，和器件帽16的溝16b7的微細(xì)的凹凸4d更容易配合。除此之外與在實(shí)施形態(tài)1到5中說明的是同樣的。上述凹凸4d、16b7也可以設(shè)置在溝16b的長(zhǎng)邊16b2和與之對(duì)應(yīng)的基底基板4的長(zhǎng)邊一側(cè)。
(實(shí)施形態(tài)7)在本實(shí)施形態(tài)7中，說明在把基底基板的平面尺寸作成為器件帽的平面尺寸的一半左右的全尺寸的存儲(chǔ)卡中，改善上述彎曲強(qiáng)度的構(gòu)造的再一個(gè)變形例。
圖51示出了本實(shí)施形態(tài)7的全尺寸的存儲(chǔ)卡1A的背面的平面圖。在本實(shí)施形態(tài)7中，在基底基板4中，在位于全尺寸的器件帽16的長(zhǎng)邊方向的中央一側(cè)的長(zhǎng)邊，與之垂直的短邊的兩個(gè)拐角部分的附近，形成鋸齒狀的微細(xì)的凹凸4d，在與之對(duì)應(yīng)的器件帽16的溝16b的長(zhǎng)邊和短邊上也形成微細(xì)的鋸齒狀的凹凸16b7，使之很好地配合到基底基板4的微細(xì)的凹凸4d內(nèi)。除此之外與在實(shí)施形態(tài)1到4中說明的是同樣的。因此，在本實(shí)施形態(tài)7中，也可以得到與上述實(shí)施形態(tài)4到6同樣的彎曲強(qiáng)度方面的效果。
(實(shí)施形態(tài)8)在本實(shí)施形態(tài)8中，對(duì)在上述實(shí)施形態(tài)4中使用在圖24和圖25等中所示的基底基板的半尺寸的存儲(chǔ)卡進(jìn)行說明。
圖52和圖53分別本實(shí)施形態(tài)8的半尺寸的存儲(chǔ)卡1的表面和背面的平面圖。在存儲(chǔ)卡1的器件帽(第2殼體)3的前面上，一方的拐角部分被倒角形成上述定位用的倒角部分3e。該倒角部分3e是出于使得易于識(shí)別存儲(chǔ)卡1的安裝方向的觀點(diǎn)而設(shè)置的。此外，在器件帽3的表面上，在倒角部分3e一側(cè)，形成從存儲(chǔ)卡1的背面向前面延伸的箭頭狀的標(biāo)記3d2。該標(biāo)記3d2表示把存儲(chǔ)卡1安裝到上述電子裝置中去時(shí)的插入方向。在本實(shí)施形態(tài)8的半尺寸的存儲(chǔ)卡1中，雖然以其短方向的頂端為前面地安裝到電子裝置中，但是，由于一般地說有這樣的固定觀念存儲(chǔ)卡以其長(zhǎng)邊方向的頂端為前面安裝到電子裝置中，所以要把標(biāo)記3d表示得大一點(diǎn)以免產(chǎn)生差錯(cuò)。此外，在器件帽3的表面上，在離開倒角部分3e的區(qū)域上，形成平面四方形狀的淺的溝3f。該淺的溝3f，是粘貼表明存儲(chǔ)卡1的記錄數(shù)據(jù)的內(nèi)容的標(biāo)簽的區(qū)域。
此外，在本實(shí)施形態(tài)8的器件帽3的背面上，形成與其基底基板4同一平面形狀而且平面尺寸比基底基板4大一些的溝(第2溝)3g，使得可以收納圖24和圖25所示的基底基板4并可以良好地配合。因此，在該情況下的溝3g中，存儲(chǔ)卡1的背面附近的長(zhǎng)邊3g1與溝3g的2個(gè)短邊3g2、3g2不垂直交叉，其原本交叉的部分被倒角后形成倒角部分(第1倒角部分)3g3、3g4。關(guān)于該溝3g的構(gòu)造(包括倒角部分3g3、3g4)，與在上述實(shí)施形態(tài)4中說明的全尺寸的器件帽16的溝16b是一樣的。因此，無論在全尺寸中在半尺寸中都可以應(yīng)用基底基板4。此外，基底基板4向溝3g內(nèi)的安裝狀態(tài)也與在上述實(shí)施形態(tài)4中說明的是相同的。此外，器件帽3的背面的上述溝部3b2還起著把存儲(chǔ)卡從電子裝置中取出來時(shí)的掛溝的作用。
(實(shí)施形態(tài)9)在本實(shí)施形態(tài)9中，說明根據(jù)存儲(chǔ)卡的規(guī)格改變背面的外部連接端子9的個(gè)數(shù)的情況下的應(yīng)對(duì)例。
圖54示出了使本實(shí)施形態(tài)9的存儲(chǔ)卡1的外部連接端子9的個(gè)數(shù)與SD卡(松下、東芝、Sun Dsik)的外部連接端子的個(gè)數(shù)一致起來的情況下的例子。在存儲(chǔ)卡1的背面(基底基板4的背面)上，配置總數(shù)為9個(gè)的外部連接端子9。此外，圖55示出了使本實(shí)施形態(tài)9的存儲(chǔ)卡1的外部連接端子9的個(gè)數(shù)與IC卡的外部連接端子的個(gè)數(shù)一致起來的情況下的例子。在存儲(chǔ)卡1的背面(基底基板4的背面)上使總數(shù)為13個(gè)的外部連接端子9的一部分變成為2行地進(jìn)行配置，不論哪一種情況都可以應(yīng)對(duì)而沒有什么特別的問題。
(實(shí)施形態(tài)10)在本實(shí)施形態(tài)10中，說明在把基底基板的平面尺寸作成為器件帽的平面尺寸的一半左右的全尺寸的存儲(chǔ)卡中，改善上述彎曲強(qiáng)度的構(gòu)造的再一個(gè)變形例。
圖56示出了本實(shí)施形態(tài)10的全尺寸的存儲(chǔ)卡1A的剖面圖，圖57是圖56的主要部分?jǐn)U大剖面圖。在本實(shí)施形態(tài)10中，在器件帽16的溝16b的長(zhǎng)邊16b2上一體地設(shè)置帽檐部分16i。帽檐部分16i既可以沿著長(zhǎng)邊16b2延伸，也可以形成為分散到長(zhǎng)邊16b2的一部分內(nèi)。采用象這樣地設(shè)置帽檐部分16i的辦法(就是說，采用設(shè)置增強(qiáng)構(gòu)件的辦法)，在溝16b的長(zhǎng)邊16b2一側(cè)的側(cè)面上形成凹部16j。這樣一來，借助于使基底基板4的背面一側(cè)的一部分配合到該凹部16j內(nèi)，就變成為可以牢固地固定基底基板4的構(gòu)造。在這里，為了把基底基板4配合到凹部16j內(nèi)，基底基板4的背面一側(cè)的一部分，因被刻蝕掉一半而變薄。得益于這樣的構(gòu)造，由于可以提高上述彎曲強(qiáng)度，故可以抑制或防止基底基板4的剝離或器件帽16的破壞。在采用本實(shí)施形態(tài)10的構(gòu)造的情況下，雖然也可以不在溝16b上設(shè)置倒角部分16b4、16b5，但是，得益于設(shè)置倒角部分16b4、16b5，可以進(jìn)一步提高彎曲強(qiáng)度。此外，在該情況下，也可以在其倒角部分16b4、16b5的地方設(shè)置帽檐部分16i。
以上，雖然根據(jù)實(shí)施形態(tài)具體地說明了由本發(fā)明人發(fā)明的發(fā)明，但是，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施形態(tài)，不言而喻，在不背離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)可以有種種的變更。
例如，適配器的支持部分的形狀或個(gè)數(shù)并不限定于上述實(shí)施形態(tài)，可以有種種的變更。
此外，芯片除去焊絲鍵合方式的連接之外，也可以采用使用突點(diǎn)電極的連接方式。
在以上的說明中，雖然主要對(duì)在內(nèi)置本身為把以由本發(fā)明人進(jìn)行的發(fā)明為其背景的利用領(lǐng)域的閃速存儲(chǔ)器(RRPROM)的存儲(chǔ)卡中應(yīng)用的情況進(jìn)行了說明，但是，并不限定于此，例如也可以在例如內(nèi)置SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)或MRAM(磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等之類的別的存儲(chǔ)器電路的存儲(chǔ)卡中應(yīng)用。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)卡，包括具有一前面和一背面的基板；設(shè)置在所述基板的所述背面上的外部端子；設(shè)置在所述基板的所述前面之上的第一閃速存儲(chǔ)器芯片；用于所述設(shè)置在所述基板的所述前面之上的第一閃速存儲(chǔ)器芯片、并與所述外部端子電連接的控制器芯片；以及限定所述存儲(chǔ)卡的尺寸的殼體，所述殼體覆蓋所述基板，其中所述基板的平面面積小于所述殼體的平面面積的一半，以及其中，在插入所述存儲(chǔ)卡的方向上，所述基板的長(zhǎng)度比所述殼體的長(zhǎng)度的一半還短。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)卡，其中所述第一閃速存儲(chǔ)器芯片的平面尺寸大于所述控制器芯片的平面尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)卡，進(jìn)一步包括第二閃速存儲(chǔ)器芯片，其中所述第二閃速存儲(chǔ)器芯片堆疊在所述第一存儲(chǔ)器芯片之上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)卡，其中所述存儲(chǔ)卡的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度被設(shè)定為32mm，以及其中所述存儲(chǔ)卡的短邊的長(zhǎng)度被設(shè)定為24mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)卡，其中所述存儲(chǔ)卡的厚度被設(shè)定為1.4mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)卡，其中所述殼體的尺寸是由多媒體卡標(biāo)準(zhǔn)或SD卡標(biāo)準(zhǔn)定義的尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)卡，其中所述外部端子包括CLK端子和兩個(gè)Vss端子。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的存儲(chǔ)卡，其中所述外部端子還包括DAT端子和CMD端子。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲(chǔ)卡，其中所述外部端子的數(shù)目為7。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲(chǔ)卡，其中所述外部端子的數(shù)目為9。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲(chǔ)卡，其中所述外部端子的數(shù)目為13。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲(chǔ)卡，其中所述外部端子排列成兩排。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)卡，其中所述第一閃速存儲(chǔ)器芯片，所述控制器芯片和所述基板用密封樹脂覆蓋。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)卡，還包括設(shè)置在基板的所述背面上的用于測(cè)試電路的端子。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)卡，還包括設(shè)置在基板的所述背面上的用于添加功能的端子。
全文摘要
一種存儲(chǔ)卡，包括具有一前面和一背面的基板；設(shè)置在基板背面上的外部端子；設(shè)置在基板前面之上的第一閃速存儲(chǔ)器芯片；用于設(shè)置在基板前面之上的第一閃速存儲(chǔ)器芯片、并與外部端子電連接的控制器芯片；以及限定存儲(chǔ)卡的尺寸的殼體，殼體覆蓋基板，其中基板的平面面積小于殼體的平面面積的一半，在插入存儲(chǔ)卡的方向上，基板的長(zhǎng)度比殼體的長(zhǎng)度的一半還短。采用使適配器2一側(cè)的凹部配合在設(shè)置在小尺寸的存儲(chǔ)卡1的器件帽3上的截面凸?fàn)畹倪m配器安裝部分3a上，使兩者裝卸自由地形成一個(gè)整體的辦法，保持小尺寸的存儲(chǔ)卡對(duì)已有的存儲(chǔ)卡的尺寸上的互換性，使得小尺寸的存儲(chǔ)卡1也可以在已有的存儲(chǔ)卡應(yīng)對(duì)設(shè)備中使用。
文檔編號(hào)H05K7/08GK1866277SQ20061008187
公開日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2001年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月2日
發(fā)明者西澤裕孝, 和田環(huán), 大澤賢治, 大迫潤(rùn)一郎, 畠山敏, 石原晴次, 吉崎和夫, 古澤和則, 增田正親 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所, 日立超大規(guī)模集成電路系統(tǒng)株式會(huì)社