專利名稱：多層組件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及把多個(gè)組件重疊起來的多層組件。
背景技術(shù)：
以下，用附圖對(duì)現(xiàn)有的多層組件進(jìn)行說明。
圖12是現(xiàn)有的多層組件的剖面圖。在圖12中，電路基板300是多層基板，在該電路基板300的上表面一側(cè)300a上，形成有導(dǎo)體圖形400，在該導(dǎo)體圖形400上裝配有半導(dǎo)體元件或芯片部件等的電子部件200a。此外，在電路基板300的下表面一側(cè)300b上則形成有導(dǎo)體圖形500。
在這樣的電路基板300的上表面一側(cè)300a上，以把電子部件200a的外周覆蓋起來的方式形成有樹脂層600。另外，在樹脂層600的上表面600a上形成有導(dǎo)體圖形700。此外，形成在樹脂層600的上表面600a上的導(dǎo)體圖形700a與形成在電路基板300的下表面一側(cè)300b上的導(dǎo)體圖形500a，通過貫通電路基板300和樹脂層600的貫通孔800而連接起來。
在導(dǎo)體圖形700上邊，進(jìn)而裝配有半導(dǎo)體元件或芯片部件等的電子部件200b。此外，樹脂層600的上表面600a一側(cè)，以把電子部件200b覆蓋起來的方式形成有樹脂層900。另外，在樹脂層900的上表面900a上設(shè)置有導(dǎo)體圖形1000。此外，為了把樹脂層900的上表面900a的導(dǎo)體圖形1000a和樹脂層600的上表面600a的導(dǎo)體圖形700b連接起來，形成有貫通樹脂層600、900這雙方、同時(shí)在電路基板300的下表面一側(cè)300b與導(dǎo)體圖形500b進(jìn)行連接的貫通孔1300。
在像這樣地形成的多層組件1200中，進(jìn)而在電路基板300的下表面一側(cè)300b與樹脂層900的上表面900a各自的外周附近上，形成導(dǎo)體圖形500c、1000b。此外，這些導(dǎo)體圖形500c、1000b由設(shè)置在多層組件1200的側(cè)面上的貫通孔1300而連接起來。在這里，導(dǎo)體圖形500c和貫通孔1300，被用做向母基板上裝設(shè)多層組件1200的情況下的連接端子。
以下，用附圖對(duì)像這樣地構(gòu)成的現(xiàn)有的多層組件的制造方法進(jìn)行說明。
圖13是現(xiàn)有的多層組件的制造流程圖。
在圖13中，首先，在部件裝配步驟S21a中在把多個(gè)電路基板300連結(jié)起來的狀態(tài)下，把半電子部件或芯片部件200a裝設(shè)到電路基板300的上表面一側(cè)300a上。樹脂層形成步驟S22a，是以將在部件裝配步驟S21a中所裝設(shè)的半電子部件或芯片部件200a覆蓋起來的方式向電路基板300的上表面一側(cè)300a供給樹脂、并通過加熱而使樹脂硬化的步驟。在像這樣地在樹脂層形成步驟S22a中形成樹脂層600之后，在導(dǎo)體層形成步驟S23a中，借助于粘接劑等把銅箔粘貼到樹脂層600的上表面600a上。
其次，在端子和圖形形成步驟S24a中，借助于刻蝕等而使銅箔形成規(guī)定的形狀的導(dǎo)體圖形700、700a，同時(shí)，形成把導(dǎo)體圖形700a、500a連接起來的貫通孔800，完成多層組件1200的第1層。
然后，第2層或以上的組裝，與第1層同樣，使從部件裝配步驟S21a到端子和圖形形成步驟S24b為止的步驟反復(fù)進(jìn)行將樹脂層重疊起來那么多次。在端子和圖形形成步驟S24b中，在完成了作為多層組件1200的布線之后，在切斷步驟S25中切斷電路基板300與樹脂層600、900。
另外，與本申請(qǐng)的發(fā)明有關(guān)聯(lián)的在先技術(shù)，已經(jīng)公開于例如特開2000-183283號(hào)公報(bào)、特開2003-31954號(hào)公報(bào)。
但是，在這樣的現(xiàn)有的多層組件中，把導(dǎo)體圖形1000a和導(dǎo)體圖形700b連接起來的貫通孔1300，由于是在電路基板300上邊依次堆疊了樹脂層600、900之后形成的，因此形成為貫通樹脂層600、900這雙方。因此，在已經(jīng)形成有貫通孔1300的位置上，就不能裝設(shè)半電子部件或芯片部件200a。為此，要進(jìn)行重疊的樹脂層的層數(shù)越多則由貫通孔所產(chǎn)生的不能裝設(shè)電子部件的區(qū)域就會(huì)變得越大。此外，貫通孔800由于已被設(shè)置為貫通樹脂層600，故在該貫通孔800上邊，就不能再裝配半電子部件或芯片部件200a。
如上所述，在現(xiàn)有的多層組件中，由于通過為了把層間連接起來而形成的貫通孔800、1300會(huì)產(chǎn)生不能裝設(shè)電子部件的區(qū)域，故存在著多層組件會(huì)大型化的課題。
發(fā)明的內(nèi)容本發(fā)明，解決了該問題，提供一種與樹脂層的層數(shù)無關(guān)的小型的多層組件。
本發(fā)明的多層組件，是把具備第2電路基板和已經(jīng)裝設(shè)到第2電路基板的一個(gè)面一側(cè)上的第2電子部件的第2組件，疊層并連接到具備第1電路基板和已經(jīng)裝設(shè)到第1電路基板的一個(gè)面一側(cè)上的第1電子部件的第1組件的上邊的組件。第1組件還具備在第1電路基板的一個(gè)面一側(cè)上以覆蓋第1電子部件的方式形成的第1樹脂層，在第1樹脂層和第1電路基板的另一面一側(cè)中的任何一方上形成的第1導(dǎo)體層，設(shè)置在第1導(dǎo)體層上的第1連接端子，設(shè)置在第1導(dǎo)體層的相反的面上的第2導(dǎo)體層，和把第2導(dǎo)體層與第1導(dǎo)體層連接起來的貫通孔。第2導(dǎo)體層還具備與第1導(dǎo)體層相向配置的第3導(dǎo)體層，在第3導(dǎo)體層上在與第1連接端子相對(duì)應(yīng)的位置上形成的第2連接端子，和把第2連接端子和第2電子部件之間連接起來的連接導(dǎo)體。
此外，本發(fā)明的多層組件，在第1導(dǎo)體層與第3導(dǎo)體層之間具有絕緣層，具有把第1連接端子和第2連接端子連接起來的連接構(gòu)件。此外，在第1組件與第2組件的外周部上分別具有切斷面，切斷面被形成為排列在一條直線上。
通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，在第2組件中把第2連接端子與電子部件之間連接起來的連接導(dǎo)體或電子部件的位置，就不會(huì)因第1組件上的貫通孔的位置而受到限制。因此，由于可以縮小由貫通孔所產(chǎn)生的電子部件的裝設(shè)位置的限制區(qū)域、可以高密度地裝配電子部件而與要進(jìn)行重疊的組件的層數(shù)無關(guān)，故可以使多層組件小型化。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式1的多層組件的剖面圖。
圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式1的多層組件的制造流程圖。
圖3是在本發(fā)明的實(shí)施方式1的多層組件中使用的薄片組件制造流程圖。
圖4是在本發(fā)明的實(shí)施方式1的多層組件中使用的一體化步驟的薄片組件的剖面圖。
圖5是在本發(fā)明的實(shí)施方式1的多層組件中使用的切斷步驟的薄片組件的剖面圖。
圖6是在本發(fā)明的實(shí)施方式1中把3個(gè)組件疊層起來的情況下的多層組件的剖面圖。
圖7是在本發(fā)明的實(shí)施方式1中作為連接構(gòu)件使用膏狀焊料的情況下的多層組件的剖面圖。
圖8是在本發(fā)明的實(shí)施方式1中以電路基板彼此件相向的方式把組件疊層起來的多層組件的剖面圖。
圖9是本發(fā)明的實(shí)施方式2的多層組件的剖面圖。
圖10是本發(fā)明的實(shí)施方式2的多層組件的制造流程圖。
圖11是在本發(fā)明的實(shí)施方式3的多層組件的母基板裝配狀態(tài)下的剖面圖。
圖12是現(xiàn)有的多層組件的剖面圖。
圖13是現(xiàn)有的多層組件的制造流程圖。
標(biāo)號(hào)說明1電路基板(第1電路基板)2a電子部件(第1電子部件)2b電子部件(第2電子部件)2c電子部件(第3電子部件)5導(dǎo)體圖形(第2導(dǎo)體層)
32第1組件33第2組件34導(dǎo)體圖形(第1導(dǎo)體層)35導(dǎo)體圖形(第3導(dǎo)體層)45導(dǎo)體圖形(第4導(dǎo)體層)34a連接端子(第1連接端子)35a連接端子(第2連接端子)36絕緣層37導(dǎo)電性粘接劑(連接構(gòu)件)38電路基板(第2電路基板)39樹脂層(第1樹脂層)40樹脂層(第2樹脂層)46貫通孔47貫通孔(連接導(dǎo)體)具體實(shí)施方式
以下，用附圖對(duì)本實(shí)施方式1進(jìn)行說明。
圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式1的多層組件的剖面圖。在圖1中，在本實(shí)施方式1的多層組件31中，是把組件33(第2組件)重疊到了組件32(第1組件)的上邊的構(gòu)造。此外，以把絕緣層36夾在中間的方式配置在組件32的上表面上32a上形成的導(dǎo)體圖形34(第1導(dǎo)體層)和在組件33的下表面33a上形成的導(dǎo)體圖形35(第3導(dǎo)體層)。另外，絕緣層36使用硬化性樹脂的環(huán)氧樹脂。此外，絕緣層36，作為基材使用在其中心部上加入了玻璃纖維布的絕緣層，提高了多層組件31的彎曲強(qiáng)度。
在這里，在導(dǎo)體圖形34、35中的每一個(gè)中，都設(shè)置有連接端子34a(第1連接端子)、34b、35a(第2連接端子)、35b。另外，在這些組件32和33中，把對(duì)應(yīng)的連接端子34a和35a、34b和35b設(shè)置在相向的位置上，這些連接端子34a、34b、35a、35b彼此間，分別由導(dǎo)電性粘接劑37(連接構(gòu)件)連接起來。另外。在本實(shí)施方式1中，雖然作為連接構(gòu)件使用的是導(dǎo)電性樹脂，但是，連接構(gòu)件也可以是熱硬化性的導(dǎo)電性膏等。
其次，對(duì)組件32、33的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。組件32、33的電路基板1(第1電路基板)、電路基板38(第2電路基板)是多層基板，這些多層基板1、38的上表面?zhèn)?a、38a一側(cè)與下表面?zhèn)?b、38b或內(nèi)層導(dǎo)體(圖未示)等之間，分別用貫通孔(圖未示)或?qū)щ娦哉辰觿?圖未示)等連接起來。
此外，這些組件32、33，在各自的電路基板1、38上都裝設(shè)有半導(dǎo)體元件或芯片部件等電子部件2a(第1電子部件)、電子部件2b(第2電子部件)。此外，在這些電路基板1、38的電子部件2a、2b裝配面一側(cè)上，都以把這些電子部件2a、2b覆蓋起來的方式裝設(shè)有樹脂層39(第1樹脂層)、樹脂層40(第2樹脂層)。另外，這些樹脂層39、40中的每一個(gè)，都是由覆蓋電子部件2a、2b的樹脂埋設(shè)部41、42，和覆蓋該樹脂埋設(shè)部41、42的基材添加樹脂部43、44形成的。另外，樹脂埋設(shè)部41、42是環(huán)氧樹脂，基材添加樹脂部43、44為把環(huán)氧樹脂和作為基材的玻璃纖維布交替地疊層起來的結(jié)構(gòu)。如上所述，樹脂層39、40由覆蓋電子部件的樹脂埋設(shè)部41、42及基材添加樹脂部43、44構(gòu)成。
此外，樹脂層1、38，使用由玻璃纖維布基材和環(huán)氧樹脂構(gòu)成的基板。借助于此，結(jié)果就變成為組件32、33的上下都可以由基材添加層構(gòu)成，故可以加大組件32、33的彎曲強(qiáng)度。此外，作為基材的玻璃纖維布等那樣的基材，由于線膨脹系數(shù)小，故可以實(shí)現(xiàn)撓曲小的多層組件。
在這些基材添加樹脂部43、44表面上，分別布線有導(dǎo)體圖形34、35。另一方面，在電路基板1、38的樹脂層39、40形成一側(cè)的相反的一側(cè)上，分別布線有導(dǎo)體圖形5(第2導(dǎo)體層)、導(dǎo)體圖形45(第4導(dǎo)體層)。然后，用貫通孔46把這些導(dǎo)體圖形34和導(dǎo)體圖形5連接起來，用貫通孔47(連接導(dǎo)體)把導(dǎo)體圖形35與導(dǎo)體圖形45連接起來。
另外，貫通孔46、47，優(yōu)選為都預(yù)先形成于基材添加樹脂部43、44上。這是因?yàn)椴ＡЮw維布的線膨脹系數(shù)與環(huán)氧樹脂比起來小的緣故。即，若在已添加進(jìn)玻璃纖維布基材的基材添加樹脂部43、44上設(shè)置貫通孔46、47，則貫通孔46、47對(duì)熱變動(dòng)的伸縮率就要減小，就難于在貫通孔46、47上產(chǎn)生因熱變動(dòng)而產(chǎn)生的裂紋等。因此，就可以實(shí)現(xiàn)可靠性良好的多層組件。
進(jìn)而，采用把電子部件2c(第3電子部件)裝配到導(dǎo)體圖形45上，并以把這些電子部件覆蓋起來的方式裝設(shè)金屬制的外殼48的辦法，完成多層組件31。
如上所述，組件33也內(nèi)置電子部件2b。此外，對(duì)于該組件33，還可以裝設(shè)電子部件2c。因此，在本實(shí)施方式1中就變成為3層構(gòu)造，可以實(shí)現(xiàn)小型的多層組件31。
通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，就可以把貫通孔46形成為使得僅僅貫通組件32。然后，以使之相向的方式配置導(dǎo)體圖形34和導(dǎo)體圖形35，在這些導(dǎo)體圖形34、35之間形成絕緣層36。
此外，在組件33中，貫通孔47把導(dǎo)體圖形35和電子部件2b連接起來。借助于此，在組件33中，貫通孔47的位置，就不會(huì)因組件32中的貫通孔46的位置而受到限制。因此，就可以減小因貫通孔46引起的電子部件2b的裝設(shè)位置的限制區(qū)域而與要進(jìn)行重疊的組件的層數(shù)無關(guān)。因此，由于可以高密度地裝配電子部件2b，故可使多層組件31小型化。
另外，導(dǎo)電性粘接劑37和絕緣層36，由于都是熱硬化性的，故不會(huì)因在向母基板等上焊接裝配組件31的情況下的熱等而熔融，不會(huì)出現(xiàn)組件32和組件33被剝離那樣的情況。因此，組件32、33的各個(gè)電路間的連接可靠性變高。
此外，貫通孔46是在組件32的側(cè)面上以半圓狀的形狀形成的，故可以效率良好地把電子部件2a配置裝配到電路基板1的中央部上。此外，由于可以把貫通孔46用做用來裝設(shè)多層組件31的端子，故可以有效地利用空間而使多層組件31小型化。
其次，用附圖對(duì)多層組件31的制造方法進(jìn)行說明。
圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式1的多層組件31的制造流程圖。圖3是在本發(fā)明的實(shí)施方式1的多層組件中使用的薄片組件81(示于圖4)的制造流程圖。圖4是在本發(fā)明的實(shí)施方式1的多層組件中使用的一體化步驟的薄片組件81的剖面圖。
圖3的薄片組件制造步驟S61，是制造把多個(gè)組件32或組件33連結(jié)起來的薄片組件81(示于圖4)的步驟。
以薄片組件制造步驟S61a為代表對(duì)該薄片組件制造步驟S61的細(xì)節(jié)進(jìn)行說明。在圖2、圖3、圖4中，在薄片組件制造步驟S61a中，進(jìn)行把電子部件2a裝配到已把多個(gè)電路基板1連結(jié)起來的薄片基板62上的部件裝配步驟S64。在這里，電子部件2a使用高熔點(diǎn)的膏狀焊料等，進(jìn)行軟化回流焊接。此外，集成電路元件等則可對(duì)電路基板1面朝下進(jìn)行倒裝裝配。另外，在薄片基板62的下表面62a上預(yù)先形成有導(dǎo)體圖形5。
其次，在部件裝配步驟S64之后進(jìn)行疊層步驟S65，首先把4塊在孔加工步驟S66中已預(yù)先形成了與電子部件2a相對(duì)應(yīng)的孔部82的預(yù)浸漬坯件67(用作樹脂薄片的一個(gè)例子)疊層到薄片基板62的電子部件2a裝設(shè)面一側(cè)上。然后，在預(yù)浸漬坯件67的上邊，把已預(yù)先形成了導(dǎo)體圖形35的電路基板68(已硬化完畢)以使得導(dǎo)體圖形35朝向外側(cè)的方式疊層。如上所述，在這里把4塊預(yù)浸漬坯件67疊層起來的厚度，設(shè)置得比電子部件2a的高度還大。此外，為了使預(yù)浸漬坯件67的疊層變得容易進(jìn)行，孔部82設(shè)置得比電子部件2a的外周更大。這樣一來，就可以在電子部件2a的上方和側(cè)方形成間隙83。
在疊層步驟S65之后，設(shè)置樹脂強(qiáng)制流入步驟S69。在該樹脂強(qiáng)制流入步驟S69中，在將預(yù)浸漬坯件67和電路基板68疊層到了薄片基板62的上邊的狀態(tài)下，用壓板84把該疊層部分的上下夾住。然后，在圖4中，在向A方向進(jìn)行壓縮，同時(shí)進(jìn)行加熱。
在這里，浸滲于預(yù)浸漬坯件67內(nèi)的樹脂，是熱硬化性樹脂的環(huán)氧樹脂。此外，本實(shí)施方式1的環(huán)氧樹脂，從常溫到約90℃(第1溫度范圍)是板狀體。但是，伴隨著溫度上升黏度變小變成為可流動(dòng)。本實(shí)施方式1的由壓板84施加的壓力約為40kg/cm2，在該壓力下環(huán)氧樹脂在從約90℃到約150℃的溫度(第2溫度范圍)下變成為可流動(dòng)。然后，當(dāng)超過了150℃以上的溫度(第3溫度范圍)后就要硬化。另外，這些環(huán)氧樹脂的黏度，也將隨著環(huán)氧樹脂的升溫條件等的變化而變化。此外，流動(dòng)開始的溫度也隨著壓板84的壓力的值的變動(dòng)而變動(dòng)。因此，在樹脂強(qiáng)制流入步驟S69中使用的環(huán)氧樹脂的特性等，并不限于上述條件，只要設(shè)為與使用的設(shè)備或使用的樹脂相對(duì)應(yīng)地使用的條件即可。
如上所述，在樹脂強(qiáng)制流入步驟S69中，通過以40kg/cm2的壓力壓縮預(yù)浸漬坯件67的辦法，強(qiáng)制性地使溫度在90℃或以上而且在150℃或以下變成為可流動(dòng)的環(huán)氧樹脂向間隙83內(nèi)流入。然后，在該流入完全結(jié)束之后通過冷卻，形成樹脂流動(dòng)埋設(shè)部41，完成內(nèi)置有電子部件的樹脂層39。借助于此，即便是電子部件2a與電路基板1之間的狹窄的間隙等，也可以可靠地填充樹脂。因此，就沒有必要預(yù)先在電子部件2a與電路基板1之間放入中間材料(底充)等。
另外，在冷卻時(shí)在樹脂層39(參看圖1)上會(huì)產(chǎn)生熱收縮。于是，可以通過把樹脂層39夾在硬化完畢的電路基板68與電路基板1之間的辦法，減小由樹脂層39的收縮引起的撓曲。于是，優(yōu)選把電路基板68與電路基板1的厚度設(shè)為同一厚度。
在貫通孔加工步驟S70中，在該樹脂強(qiáng)制流入步驟S69之后，加工用來把導(dǎo)體圖形34和導(dǎo)體圖形5之間連接起來的貫通孔46。
通過以上那樣的步驟，完成薄片組件81。另外，在這里，雖然是對(duì)把多個(gè)組件32連結(jié)起來的薄片組件81的制造步驟進(jìn)行了說明，但是，對(duì)于把多個(gè)組件33連結(jié)起來的薄片組件，也可以經(jīng)過與薄片組件81相同的步驟而形成。借助于這樣的步驟，組件32、33就可以作為部件內(nèi)置組件而完成。
其次，在圖2中，連接構(gòu)件供給步驟S71，是向在薄片組件制造步驟S61a中所制作的薄片組件81的連接端子34a、34b上邊供給導(dǎo)電性粘接劑37的步驟。在這里，對(duì)于未硬化預(yù)浸漬坯件，準(zhǔn)備在與連接端子34a、34b、35a、35b對(duì)應(yīng)的位置上預(yù)先進(jìn)行孔加工、并把導(dǎo)體膏埋入到該孔部內(nèi)的預(yù)浸漬坯件。然后，通過把該未硬化預(yù)浸漬坯件疊層到組件32的上表面32a上邊的辦法，向連接端子34a、34b上邊供給導(dǎo)電性粘接劑37，同時(shí)，也供給用來形成絕緣層36的樹脂。另外，該未硬化預(yù)浸漬坯件使用的是已把環(huán)氧樹脂浸滲于玻璃基材內(nèi)的預(yù)浸漬坯件。
其次，疊層步驟S72，在連接構(gòu)件供給步驟S71之后，把薄片狀態(tài)的組件33疊層到未硬化預(yù)浸漬坯件的上邊。另外，這時(shí)組件33被疊層為使得組件32與組件33的樹脂層39和樹脂層40相向。
在一體化步驟S73中，通過在疊層步驟S72之后進(jìn)行加熱的辦法，使未硬化預(yù)浸漬坯件硬化，在組件32與組件33之間形成絕緣層36，同時(shí)，使薄片狀態(tài)的組件32與薄片狀態(tài)的組件33一體化。此外，同時(shí)也使導(dǎo)電性粘接劑37硬化，由此分別把連接端子34a、34b和連接端子35a、35b連接起來。
在這里，由于在薄片組件制造步驟S61的冷卻時(shí)樹脂層39會(huì)進(jìn)行收縮，故在樹脂層39形成一側(cè)就易于產(chǎn)生撓曲。于是，在本實(shí)施方式1中，為了對(duì)該撓曲進(jìn)行矯正，以使得樹脂層39與樹脂層40相向的方式疊層組件33。即，以使得組件32與組件33的撓曲變成為相反的方向的方式進(jìn)行疊層。借助于此，由于組件32與組件33的撓曲變成為相反的方向，結(jié)果就變成為在一體化之后彼此的撓曲互相抵消，故可以減小薄片組件的撓曲。
此外，除此之外，優(yōu)選把組件32、33的樹脂層39、40的厚度設(shè)為相等。這是因?yàn)榻M件32、33的撓曲量與樹脂層的厚度成比例地增加的緣故，如上所述，若將樹脂層39與樹脂層40的厚度設(shè)為相等，則就可以使組件32與組件33的撓曲量變成為相等。借助于此，由于一體化后的組件的撓曲減小，故在該薄片組件的狀態(tài)下就可以進(jìn)一步裝配電子部件等。因此，可以在保持薄片的狀態(tài)下進(jìn)行電子部件的裝配，可以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)性優(yōu)異的多層組件。
另外，在一體化步驟S73中，與樹脂強(qiáng)制流入步驟S69同樣，在加熱的同時(shí)供給壓力。借助于此，就可以進(jìn)一步矯正由冷卻時(shí)的樹脂層的熱收縮而產(chǎn)生的薄片狀組件的撓曲。此外，借助于該加壓，組件32與組件33之間，由于可以無間隙地用環(huán)氧樹脂進(jìn)行填充，故組件32與組件33之間的接合強(qiáng)度增強(qiáng)。
此外，在一體化步驟S73中使用的設(shè)備，由于可以使用在樹脂強(qiáng)制流入步驟S69中使用的設(shè)備，故不需要一體化步驟S73專用的設(shè)備。因此，還具有可以減少設(shè)備投資、實(shí)現(xiàn)低價(jià)格的多層組件的效果。
此外，未硬化預(yù)浸漬坯件，使用在中心上具有約80微米的玻璃纖維布的預(yù)浸漬坯件。借助于此，在一體化步驟S73中，即便是加上了壓力，絕緣層36也不會(huì)變成為小于玻璃纖維布的厚度。因此，就可以可靠地形成絕緣層36。
圖5是在本發(fā)明的實(shí)施方式1的多層組件中使用的切斷步驟的薄片組件的剖面圖。在圖5中，薄片狀態(tài)的組件32和薄片狀態(tài)的組件33成為一體的疊層薄片組件91，借助于上邊所說的一連串的制造步驟完成。
其次，在部件裝配步驟S74中，在疊層薄片組件91的導(dǎo)體圖形45(示于圖1)上邊，裝設(shè)有電子部件2c。另外，用于裝配該電子部件2c的焊料，使用與部件裝配步驟S64的高熔點(diǎn)焊料相比熔點(diǎn)低的焊料。這是因?yàn)橐乐挂驗(yàn)橛刹考b配步驟S74的軟化回流熱所產(chǎn)生的組件32、33內(nèi)的焊料的再熔融，而在樹脂層39、40內(nèi)發(fā)生電路短路等。
其次，外殼裝設(shè)步驟S75，在部件裝配步驟S74之后，把外殼48(示于圖1)裝設(shè)、焊接到疊層薄片組件91的裝設(shè)電子部件2c一側(cè)上。
其次，在切斷步驟S76中，借助于預(yù)先設(shè)置在連結(jié)部92的每一個(gè)間隔內(nèi)的切斷刀齒93切斷圖5所示的疊層薄片組件91的連結(jié)部92。借助于此，將組件32、33和絕緣層36一起切斷。另外組件32與組件33的切斷面變成為在一條直線上。如上所述，由于可以一起切斷組件32、33和絕緣層36，故生產(chǎn)性良好，同時(shí)，外形尺寸也穩(wěn)定。
在這里，切斷步驟S76，由于在已裝設(shè)有外殼48的狀態(tài)下進(jìn)行連結(jié)部的切斷，故為使得切斷刀齒93不會(huì)傷及外殼48，必須設(shè)置得在外殼48的外形與切斷刀齒93之間具有間隙94。因此，外殼48的外形必須設(shè)置得小于切斷面(示于圖1)的寬度。
另外，導(dǎo)電性粘接劑37(示于圖1)，優(yōu)選設(shè)置為使之在該切斷步驟S76中不會(huì)被切斷。即，以在組件32、33的外周端面之間形成絕緣層36的方式，連接端子34a、35a、34b、35b形成在相對(duì)于切斷面49成為內(nèi)側(cè)那樣的位置上。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，可以減少導(dǎo)電性粘接劑37因由切斷所產(chǎn)生的應(yīng)力而剝落的情況。
如上所述，在本實(shí)施方式1的多層組件31的制造方法中，在薄片組件制造步驟S61中預(yù)先制作多個(gè)薄片組件。然后，在連接構(gòu)件供給步驟S71之后，以使得組件32與組件32之間存在絕緣層的方式進(jìn)行疊層，在該進(jìn)行了疊層的狀態(tài)下使組件32與組件33一體化。借助于此，在組件33中，貫通孔47的位置就不會(huì)因組件32的貫通孔46的位置而受到限制。因此，可以減小由貫通孔46產(chǎn)生的電子部件2b的裝設(shè)位置的限制區(qū)域而與要進(jìn)行重疊的組件的層數(shù)無關(guān)。因此，由于可以高密度地裝配電子部件2b，故可使多層組件31小型化。
此外，借助于絕緣層而使預(yù)先在薄片組件制造步驟S61中制造的多個(gè)的薄片狀態(tài)的組件一體化，然后再分割成單片。形成樹脂層39、40的步驟，在各個(gè)組件中只進(jìn)行一次，可以一起使這些單獨(dú)地制作的組件32、33一體化。借助于此，在使組件多層化的情況下，因樹脂層39、40的熱收縮所產(chǎn)生的撓曲就不會(huì)積累。因此，像現(xiàn)有技術(shù)的多層組件那樣與疊層次數(shù)的增加對(duì)應(yīng)的撓曲的增加就會(huì)減小。
進(jìn)而，在本實(shí)施方式1中，絕緣層36由1塊預(yù)浸漬坯件形成，絕緣層36的厚度比組件32、33的厚度更薄。因此，在一體化步驟S73中，就可以減小因未硬化預(yù)浸漬坯件硬化時(shí)的熱收縮而產(chǎn)生的多層組件31的撓曲。而且，如后所述，即便是相對(duì)于例如形成把3塊或以上的組件疊層起來的多層組件的情況，也具有同樣的效果。
另外，本實(shí)施方式1的多層組件31，把2個(gè)組件重疊了起來，但是該多層組件也可以把3個(gè)或以上的組件疊層起來。
圖6是把3個(gè)組件疊層起來的情況下的多層組件100的剖面圖。在圖6中，多層組件100在組件33a的導(dǎo)體圖形45上也形成連接端子45a、45b。該連接端子45a、45b，借助于導(dǎo)電性粘接劑37而連接到在組件101的下表面上形成的連接端子102a、102b上。此外，在在組件101的下表面的導(dǎo)體圖形102與導(dǎo)體圖形45之間形成了絕緣層103的狀態(tài)下，將組件32、33a、101一體化。
另外，組件101也與組件32、33a同樣，借助于薄片組件制造步驟S61，作為內(nèi)置有電子部件2c的薄片狀的部件內(nèi)置組件而完成。
此外，在該多層組件100的制造方法中，與多層組件31的制造方法不同的是，在圖2所示的連接構(gòu)件供給步驟S71中，在組件33a的上表面上也疊層未硬化預(yù)浸漬坯件。另外，在該未硬化預(yù)浸漬坯件上，在與連接端子45a、45b、102a、102b相對(duì)應(yīng)的位置上設(shè)置有孔部，在該孔部內(nèi)填埋有導(dǎo)電性粘接劑37。
然后，在疊層步驟S72中，把這3個(gè)組件32、33a、101疊層起來，在一體化步驟S73中一起進(jìn)行加熱·壓接。
如上所述，即便是在把3層或以上的組件重疊起來的多層組件中，在各個(gè)組件中用于形成樹脂層的步驟每個(gè)組件也各進(jìn)行一次。此外，這些單獨(dú)地制作的組件可以通過一次加熱·壓接步驟同時(shí)一體化。因此，即便是在3層或以上多層組件中，也可以不使樹脂層的熱收縮的撓曲累積地減小撓曲，特別是在要把偶數(shù)個(gè)數(shù)的部件內(nèi)置組件疊層起來形成多層組件的情況下，優(yōu)選將這些部件內(nèi)置組件的樹脂層朝向上方(以下叫做正方向)進(jìn)行疊的組件、和朝向下方(以下叫做反方向)進(jìn)行疊層的組件的個(gè)數(shù)設(shè)為相等。這是因?yàn)橛捎谠谡较蛏线M(jìn)行疊層的組件和在反方向上進(jìn)行疊層的組件的撓曲方向相反，故一體化后就可以實(shí)現(xiàn)撓曲小的多層組件。
此外，在正方向上疊層起來的組件的樹脂層的總厚度與在反方向上疊層起來的組件的樹脂層的總厚度，優(yōu)選設(shè)為大體上相等。這是為了要減小一體化后的多層組件100的撓曲的緣故。此外，特別是在樹脂層39、40中，優(yōu)選把成為撓曲的主要原因的樹脂流動(dòng)埋設(shè)部41、42的厚度設(shè)為相等。于是，例如在圖6的多層組件100中，將正方向的組件32、101的樹脂流動(dòng)埋設(shè)部41與樹脂流動(dòng)埋設(shè)部105之間的合計(jì)厚度，與組件33的樹脂流動(dòng)埋設(shè)部42的厚度設(shè)為相等。
進(jìn)而，在圖6所示的多層組件中，在最上層的組件101的上表面上形成有地線圖形(グランドパタン)104。此外，在對(duì)于例如高頻組件使用這樣的多層組件100的情況下，由于在最上層上設(shè)置有地線圖形104，故可以屏蔽高頻信號(hào)。借助于此，由于可以去掉外殼48自身，也不再需要外殼裝設(shè)步驟S75，故可以實(shí)現(xiàn)低價(jià)格的高頻組件。
在本實(shí)施方式1中，在圖2所示的連接構(gòu)件供給步驟S71中作為連接構(gòu)件向組件32上供給導(dǎo)電性樹脂，但是也可以供給膏狀焊料。
圖7是作為連接構(gòu)件使用膏狀焊料的情況下的多層組件110的剖面圖。在圖7中，組件32的連接端子34a、34b和內(nèi)置有部件的組件33b的連接端子35a、35b，分別通過膏狀焊料111進(jìn)行連接。如上所述，即便是在使用膏狀焊料111的情況下，組件33的貫通孔47的位置，也不會(huì)因組件32的貫通孔46的位置而受到限制。因此，就可以減小因貫通孔46引起的電子部件2b的裝設(shè)位置的限制區(qū)域而與要進(jìn)行重疊的組件的層數(shù)無關(guān)。因此，由于可以高密度地裝配電子部件2b，故可使多層組件110小型化。
另外，在使用膏狀焊料111連接組件32和組件33b的情況下，優(yōu)選把組件33b的電路基板38和組件32的樹脂層39配置為相向。如果像這樣地進(jìn)行疊層，由于組件32與組件33b的撓曲方向變成為同一方向，故在一體化步驟S73中就不需要用壓板等夾住而進(jìn)行壓縮。因此，在圖2所示的多層組件110的一體化步驟S73中，就可以使用一般的軟化回流爐容易地進(jìn)行一體化。
此外，連接構(gòu)件的向連接端子34a、34b上的供給，可以使用絲網(wǎng)漏印等。因此，孔加工、或向孔部內(nèi)填埋導(dǎo)電性粘接劑37等的步驟就不再需要，可以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)性良好的多層組件。進(jìn)而，在組件32與組件33相向的一側(cè)的表面上，如果分別形成阻焊劑112(用做絕緣層的一個(gè)例子)，則可以通過容易的結(jié)構(gòu)進(jìn)行絕緣。
圖8是以使得多個(gè)電路基板彼此相向的方式把組件疊層起來的多層組件的剖面圖。在圖1中，把組件32、33的樹脂層39和樹脂層40疊層為使得它們相向，但是，如圖8所示，也可以把電路基板1和電路基板38疊層為以中間存在著絕緣層36的方式相向。在這樣的情況下，由于也以使得組件32與組件33的撓曲變成為反方向的方式進(jìn)行疊層，故也可以通過進(jìn)行一體化而使彼此的撓曲相抵消，實(shí)現(xiàn)撓曲小的多層組件。
(實(shí)施方式2)以下用附圖對(duì)實(shí)施方式2進(jìn)行說明。
圖9是實(shí)施方式2的多層組件的剖面圖。在圖9中，組件32b是內(nèi)置有解調(diào)電路的部件內(nèi)置組件，組件33d是內(nèi)置有包括振蕩電路的接收電路的部件內(nèi)置組件。此外，通過把組件33d疊層到組件32b上，形成高頻組件130。構(gòu)成振蕩電路的電感器121，由電路基板38的內(nèi)層圖形形成，通過該電感器121與電子部件2b構(gòu)成振蕩電路和接收電路等。另外，電子部件2a、2b分別在裝配于電路基板1、38上的狀態(tài)下內(nèi)置于樹脂層39、40內(nèi)。
圖10是本發(fā)明的實(shí)施方式2的多層組件(高頻組件)的制造流程圖。在圖10中，在薄片組件制造步驟S61與連接構(gòu)件供給步驟S71之間，存在著微調(diào)整步驟S131。在該微調(diào)整步驟S131中，借助于激光光束等從背面一側(cè)(導(dǎo)體圖形35面一側(cè))進(jìn)行微調(diào)整。然后調(diào)整電感器121的電感值。使得振蕩電路的振蕩頻率變成為規(guī)定的值。
在疊層步驟S72中，以使得電路基板38這一側(cè)變成為絕緣層36這一側(cè)的方式對(duì)組件33d進(jìn)行疊層。這樣一來，在一體化步驟S73中浸滲于未硬化預(yù)浸漬坯件內(nèi)的環(huán)氧樹脂就會(huì)熔融而流入到激光微調(diào)整孔部122內(nèi)，激光微調(diào)整孔部122被環(huán)氧樹脂所填埋起來。因此，由于激光微調(diào)整孔部122被環(huán)氧樹脂所密封，故相對(duì)于濕度等，振蕩電路的振蕩頻率變得在很長時(shí)間內(nèi)很難發(fā)生變化。
此外，在本實(shí)施方式2中，組件33d的上側(cè)的導(dǎo)體圖形45被設(shè)為地線。借助于此，由于沒有必要另外使用外殼等，故可以實(shí)現(xiàn)低價(jià)格的多層組件。
(實(shí)施方式3)以下，用附圖對(duì)實(shí)施方式3進(jìn)行說明。
圖11是本實(shí)施方式3的多層組件的母基板裝配狀態(tài)下的剖面圖。在圖11中，作為把組件32c和組件33c之間連接起來的連接構(gòu)件，使用的是膏狀焊料111。此外，多層組件141與母基板的導(dǎo)體圖形143之間的連接也通過膏狀焊料144進(jìn)行。在這里，優(yōu)選使用膏狀焊料111的熔點(diǎn)比膏狀焊料144的熔點(diǎn)更高的膏狀焊料。借助于此，即便由向母基板142上軟化回流焊接多層組件141時(shí)的熱，膏狀焊料111也不會(huì)熔融。因此，由于在母基板142的軟化回流步驟中在膏狀焊料111中難于產(chǎn)生斷線等，故可以實(shí)現(xiàn)可靠性高的多層組件。
此外，通過設(shè)為這樣的結(jié)構(gòu)，故可以使得組件32c與組件33c的撓曲變成為相反的方向的方式進(jìn)行疊層。在母基板142的軟化回流步驟中，當(dāng)膏狀焊料111熔融時(shí)，組件32c、33c要返回原來的撓曲方向。但是，由于膏狀焊料111不熔融，故在連接部上就不會(huì)產(chǎn)生斷線。此外，還可以減小多層組件141的撓曲。
工業(yè)上應(yīng)用前景本發(fā)明的多層組件，具有可以使復(fù)合有多種功能的組件小型化的效果，作為可裝載于便攜用設(shè)備的組件而有用。
權(quán)利要求
1.一種多層組件，該多層組件把具備第2電路基板和裝設(shè)在上述第2電路基板的一個(gè)面一側(cè)上的第2電子部件的第2組件，疊層并連接到具備第1電路基板和裝設(shè)在上述第1電路基板的一個(gè)面一側(cè)上的第1電子部件的第1組件的上邊，其中上述第1組件還具備在上述第1電路基板的一個(gè)面一側(cè)上以覆蓋上述第1電子部件的方式形成的第1樹脂層；在上述第1樹脂層和上述第1電路基板的另一面一側(cè)中的任何一方上形成的第1導(dǎo)體層；設(shè)置在上述第1導(dǎo)體層上的第1連接端子；設(shè)置在與上述第1導(dǎo)體層相反的面上的第2導(dǎo)體層；和把上述第2導(dǎo)體層與上述第1導(dǎo)體層連接起來的貫通孔；上述第2組件還具備與上述第1導(dǎo)體層相向配置的第3導(dǎo)體層；在上述第3導(dǎo)體層上在與上述第1連接端子相對(duì)應(yīng)的位置上形成的第2連接端子；和把上述第2連接端子與上述第2電子部件之間連接起來的連接導(dǎo)體；在上述第1導(dǎo)體層與上述第3導(dǎo)體層之間具有絕緣層；具有把上述第1連接端子與上述第2連接端子連接起來的連接構(gòu)件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層組件，其中在上述第1組件與上述第2組件的外周部上分別具有切斷面；上述切斷面被形成為排列在一條直線上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層組件，其中上述連接構(gòu)件是熱硬化性的導(dǎo)電性粘接劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層組件，其中上述絕緣層是熱硬化性樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層組件，其中上述第2組件，還具備振蕩電路和構(gòu)成上述振蕩電路的電感器；在上述第3導(dǎo)體層一側(cè)上設(shè)置有進(jìn)行上述電感器的微調(diào)整的調(diào)整孔部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層組件，其中上述第1樹脂層，由覆蓋電子部件的樹脂埋設(shè)部和被形成為覆蓋上述樹脂埋設(shè)部的基材添加樹脂部構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層組件，其中上述第1樹脂層的外周部由上述基材添加樹脂部構(gòu)成；在上述基材添加樹脂部上形成有上述貫通孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層組件，其中上述貫通孔是半圓狀，而且形成在上述第1組件的側(cè)面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層組件，其中在上述第1組件與上述第2組件的外周部之間，是上述絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層組件，其中上述絕緣層是阻焊劑；上述連接構(gòu)件是膏狀焊料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層組件，其中以使得上述第1組件和上述第2組件的撓曲方向變成為同一方向的方式進(jìn)行疊層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層組件，其中上述第1組件與上述第2組件，撓曲量彼此相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層組件，其中上述膏狀焊料的熔點(diǎn)，比權(quán)利要求10所述的用于把多層組件連接到母基板上所使用的焊料的熔點(diǎn)高。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層組件，其中上述第1組件與上述第2組件的撓曲方向彼此相反。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層組件，其中上述第2組件，在上述第2電路基板的一個(gè)面一側(cè)還具有以把電子部件覆蓋起來的方式形成的第2樹脂層；上述第3導(dǎo)體層，形成在上述第2樹脂層與上述第2電路基板的另一面一側(cè)中的任何一方上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層組件，其中上述第2組件在上述第1導(dǎo)體層的相反的面一側(cè)還具有第4導(dǎo)體層；在上述第4導(dǎo)體層上裝設(shè)有上述第2電子部件。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層組件，其中上述第4導(dǎo)體層是地線。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層組件，其中上述第1組件與上述第2組件，被配置為使得上述第1樹脂層與上述第2樹脂層彼此相向。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層組件，其中上述第1組件與上述第2組件，被配置為使得上述第1電路基板與上述第2電路基板彼此相向。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的多層組件，其中上述第1樹脂層與上述第2樹脂層的厚度相等。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層組件，其中上述第2樹脂層用熱硬化性樹脂進(jìn)行填充。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層組件，其中以使得上述第1組件與第2組件的撓曲方向變成為彼此相反的方式進(jìn)行疊層。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層組件，其中上述絕緣層用熱硬化性樹脂進(jìn)行填充。
24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層組件，其中上述絕緣層用基材添加樹脂進(jìn)行填充。
25.一種多層組件，該多層組件具備多個(gè)組件，這些組件具有電路基板；裝設(shè)在上述電路基板的一方上的電子部件；設(shè)置在上述電路基板的一個(gè)面上并覆蓋上述電子部件的樹脂層；設(shè)置在上述樹脂層與上述電路基板中的至少任何一方上的導(dǎo)體層；和設(shè)置在上述導(dǎo)體層上的連接端子；并以使得上述多個(gè)組件的連接端子彼此間相向配置的方式而將上述多個(gè)組件疊層起來；其中上述多個(gè)的組件，還具備設(shè)置在上述導(dǎo)體層彼此間的絕緣層；和把上述連接端子彼此間連接起來的連接構(gòu)件。
26.據(jù)權(quán)利要求25所述的多層組件，其中上述多個(gè)的組件，具有以在上述電路基板的上側(cè)配置有上述樹脂層的方式進(jìn)行疊層的正方向組件；和以相對(duì)于上述正方向組件、上述樹脂層變成為相反方向的方式進(jìn)行疊層的反方向組件。
27.據(jù)權(quán)利要求26所述的多層組件，其中上述正方向組件和上述反方向組件，分別以相同個(gè)數(shù)進(jìn)行疊層。
28.據(jù)權(quán)利要求26所述的多層組件，其中上述正方向組件的上述樹脂層的厚度與上述反方向組件的上述樹脂層的厚度相等。
29.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層組件的制造方法，其中，具有相對(duì)于把多個(gè)上述第1組件連結(jié)起來的第1薄片組件，向上述第1連接端子上供給上述連接構(gòu)件的供給步驟；以使得把多個(gè)上述第2組件連結(jié)起來的第2薄片組件的上述第2連接端子與上述連接構(gòu)件相對(duì)應(yīng)的方式進(jìn)行疊層的疊層步驟；采用加熱壓接的辦法而使上述第1組件、上述連接構(gòu)件與上述第2組件的疊層體一體化的一體化步驟；和將上述第1組件與上述第2組件之間的連結(jié)部切斷的切斷步驟。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的多層組件的制造方法，其中上述供給步驟，具有把上述第1薄片組件內(nèi)的多個(gè)電路基板連結(jié)起來的連結(jié)步驟；在上述電路基板的一個(gè)面上裝設(shè)電子部件的裝設(shè)步驟；在上述電路基板的電子部件裝設(shè)面一側(cè)上以覆蓋上述電子部件的方式形成第1樹脂層的樹脂層形成步驟；在上述第1樹脂層的上邊形成上述第2連接端子的端子形成步驟；和用貫通孔把上述第1導(dǎo)體層與上述第2導(dǎo)體層之間連接起來的連接步驟。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的多層組件的制造方法，其中上述供給步驟，還具有在與上述電路基板的電子部件裝設(shè)面一側(cè)的上述電子部件相對(duì)應(yīng)的位置上形成孔部的孔部形成步驟；和對(duì)熱硬化性樹脂制的樹脂薄片進(jìn)行疊層的疊層步驟。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的多層組件的制造方法，其中上述樹脂疊層步驟，具有把在第1溫度范圍中為板狀體、在比上述第1溫度范圍更高的第2溫度范圍中具有熱流動(dòng)性、在比上述第2溫度范圍更高的第3溫度范圍中硬化的熱硬化性的樹脂用做上述樹脂薄片，并使上述樹脂薄片的溫度上升到上述第2溫度范圍以使上述脂薄片熔化的樹脂溶化步驟；在上述樹脂薄片的溫度變成為上述第3溫度范圍之前，壓縮上述樹脂薄片使上述樹脂薄片向上述孔部內(nèi)強(qiáng)制流入從而埋設(shè)上述孔部的孔部埋設(shè)步驟；和使溫度向上述第3溫度范圍上升的溫度上升步驟。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的多層組件的制造方法，其中上述疊層步驟，具有在包括上述電路基板與上述樹脂薄片的疊層體的上邊，以使得上述第2連接端子的形成面變成為上側(cè)的方式而對(duì)已形成有上述第2連接端子的硬化完畢的基板進(jìn)行疊層的步驟。
34.根據(jù)權(quán)利要求30所述的多層組件的制造方法，其中還具有以把已經(jīng)裝設(shè)到上述第2組件的另一個(gè)面上的第3電子部件覆蓋起來的方式對(duì)外殼進(jìn)行裝設(shè)的外殼裝設(shè)步驟。
35.根據(jù)權(quán)利要求30所述的多層組件的制造方法，其中還具有當(dāng)在上述第1組件或上述第2組件內(nèi)含有振蕩器的情況下，對(duì)構(gòu)成上述振蕩器的振蕩用電感器進(jìn)行微調(diào)整以調(diào)整上述振蕩器的振蕩頻率的步驟。
36.根據(jù)權(quán)利要求30所述的多層組件的制造方法，其中上述疊層步驟，具有把形成在將上述連接構(gòu)件設(shè)置在與上述第2連接端子相對(duì)應(yīng)的位置上的孔部上的熱硬化性的導(dǎo)電性樹脂制的預(yù)浸漬坯件，疊層到上述第1組件上邊的步驟。
37.根據(jù)權(quán)利要求29所述的多層組件的制造方法，其中具有當(dāng)在上述第1組件的下方配置有部件內(nèi)置組件的情況下，同時(shí)進(jìn)行上述部件內(nèi)置組件與上述第1組件之間的連接和上述第1組件與上述第2組件之間的連接的步驟。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的多層組件的制造方法，其中上述供給步驟，具有向上述部件內(nèi)置組件的上表面上供給上述連接構(gòu)件的步驟；上述疊層步驟，具有以把上述連接構(gòu)件夾入到上述部件內(nèi)置組件間的方式進(jìn)行疊層以形成上述部件內(nèi)置組件的疊層體的步驟；上述一體化步驟，具有對(duì)上述疊層體和上述部件內(nèi)置組件一起進(jìn)行加熱壓接的步驟。
全文摘要
使用由在電路基板(1)的一個(gè)面一側(cè)上覆蓋電子部件(2a)的樹脂層(39)、設(shè)置在該樹脂層(39)和電路基板(1)的另一面一側(cè)的任何一方上的連接端子(34a、34b)、和把組件(32)的兩面連接起來的貫通孔(46)預(yù)先形成的部件內(nèi)置組件；同時(shí)，使用由在組件(33)上形成在與連接端子(34a、34b)對(duì)應(yīng)的位置上的連接端子(35a、35b)、和把該連接端子(35a、35b)與電子部件(2b)之間連接起來的貫通孔(47)預(yù)先形成的組件；在設(shè)置在導(dǎo)體層(34)和導(dǎo)體層(35)之間的絕緣層(36)上，設(shè)置分別把連接端子(34a、34b)和連接端子(35a、35b)之間連接起來導(dǎo)電性粘接劑(37)。借助于這樣的結(jié)構(gòu)，在組件(33)中，貫通孔(47)和電子部件(2b)的位置，就不會(huì)受貫通孔(46)的位置的限制。
文檔編號(hào)H05K3/46GK1867225SQ20061008091
公開日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2006年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月20日
發(fā)明者木村潤一, 本城和彥, 川本英司, 原田真二, 北川元祥 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社