專利名稱：Ⅲ族氮化物單晶體及其制造方法以及半導體器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及諸如發(fā)光二極管、電子電路元件和半導體傳感器的半導體器件中使用的III族氮化物單晶體的制造方法。具體地，本發(fā)明涉及有效地和以良好的產率制造III族氮化物單晶體的方法。
背景技術：
III族氮化物單晶體作為制造發(fā)光二極管、電子電路元件和半導體傳感器的襯底材料是非常有用的。
迄今為止，已通過諸如氫化物汽相外延(HVPE)或金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)的汽相技術—例如，參考非專利文獻1以及通過諸如高氮壓力生長或熔化方法的液相技術—例如，參考專利文獻1和非專利文獻2生長用于這種應用的III族氮化物單晶體。
但是，利用諸如HVPE和MOCVD的汽相技術，由于用氣相輸送用于III族氮化物單晶體(亦即，III族元素和氮)的源材料，源材料產量是極其低的1％的數(shù)量級。
另一方面，利用諸如高氮壓力生長或熔化方法的液相技術，溶化成液相的氮氣量極其低的事實，導致極其低的III族氮化物單晶體生長速率。
同時，關于SiC單晶體的生長，提出了通過將單晶體SiC襯底和多晶SiC板層疊在一起在高結晶速度下生長SiC單晶體—例如，參考專利文獻2，具有熔化的Si層插入中間。然而，在生長SiC單晶體中，以固相輸送碳原子是一個挑戰(zhàn)，而在生長III族氮化物單晶體中，以氣相輸送氮原子的差異是一個挑戰(zhàn)。
專利文獻1日本未審查的專利申請公報號2001-58900。
專利文獻2日本未審查的專利申請公報號2002-47100。
非專利文獻1H.Morkoc，″Comprehensive Characterization ofHydride VPE Grown GaN Layers and Templates，″Materials Science andEngineering，R33，2001，pp.135-207。
非專利文獻2-H.Yamane等人，″GaN Single Crystal Growth by theFlux Method，″，Applied Physics，The Japan Society of Applied Physics，2002，Vol.71，No.5，pp.548-552。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題本發(fā)明的目的是提供一種III族氮化物單晶體制造方法，由此提高源材料產量和增加晶體生長速率。這意味著為了以高產量和增長的晶體生長速率制造III族氮化物單晶體，該問題變?yōu)樵鯓佑行У剌斔虸II族元素原子和氮原子。
解決該問題的方法本發(fā)明是制造III族氮化物單晶體的方法，其中在襯底和III族氮化物源材料基板之間形成200μm或以下厚度的液體層，以及在其液體層側面上的襯底表面上生長III族氮化物單晶體。
在涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體制造方法中，沿液體層的至少一個表面層中的襯底可以由III族氮化物單晶體形成，而該III族氮化物源材料基板可以由III族氮化物多晶體形成。
在再一涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體制造方法中，沿液體層的至少一個表面層中的襯底以及III族氮化物源材料基板可以由III族氮化物單晶體形成，而其液體層側面上的襯底的表面可以被制成III族原子面，以及其液體層側面上的III族氮化物源材料基板的表面可以被制成氮原子面。此外，在液體層中可以包括選自由構成III族氮化物單晶體的元素構成的組的至少一種元素。
在再一方面，本發(fā)明是根據(jù)上述III族氮化物單晶體制造方法獲得的III族氮化物單晶體。
在又一方面中，本發(fā)明是引入上述III族氮化物單晶體的半導體器件。
本發(fā)明的效果如上所述，本發(fā)明提供一種III族氮化物單晶體制造方法，通過該方法提高源材料產量和增加晶體生長速率。


圖1A是用于說明涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體制造方法的示意圖。
圖1B是用于說明涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體制造方法的示意圖。
圖2A是用于說明涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體的一個具體例子的示意圖。
圖2B是用于說明涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體的一個具體例子的示意圖。
圖2C是用于說明涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體的一個具體例子的示意圖。
圖3A是用于說明涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體的不同的具體例子的示意圖。
圖3B是用于說明涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體的不同的具體例子的示意圖。
圖3C是用于說明涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體的不同的具體例子的示意圖。
圖4是用于說明涉及本發(fā)明的半導體器件的一個具體例子的示意圖。
參考數(shù)字的說明1襯底；1a表面層；1s，2s表面；2III族氮化物源材料基板；3液體層；4III族氮化物單晶體；5固體層；11晶體生長室；12隔片；13空隙；14真空泵；20III族氮化物層；21III族氮化物單晶體襯底；22n-型GaN層；23In0.2Ga0.8N層；24Al0.2Ga0.8N層；25p-型GaN層；31n-側電極；32p-側電極；40半導體器件；45發(fā)光。
具體實施例方式
參考圖1，在涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體制造方法中，如圖1A所示，在襯底1和III族源材料基板2之間形成200μm或以下厚度的液體層3，如圖1B所示，在其液體層側面上的襯底1的表面1s上生長III族氮化物單晶體4。
通過在襯底1和III族氮化物源材料基板2之間形成液體層3，III族氮化物源材料基板2內的III族元素和氮元素在其液體層側面上析出III族氮化物源材料基板2的表面2s，并進入液體層3，以及通過液體層3輸送到其液體層側面上的襯底1的表面Is，使得在襯底1上生長III族氮化物單晶體4。
其中，因為III族元素和氮元素通過液體層輸送，因此增加源材料產量。而且，因為液體層的厚度是極其薄的200μm或以下，氮輸送不是定速步驟；相反，生長速度由來自III族氮化物源材料襯底2的氮的析出來決定，由此III族氮化物單晶體的晶體生長速率被提高。
參考圖1，在涉及制造III族氮化物單晶體的本發(fā)明的方法中，優(yōu)選沿液體層的至少表面層1a中的襯底1由III族氮化物單晶體形成，III族氮化物源材料基板2由III族氮化物多晶體形成。
在襯底的液體層側面上的至少表面層1a中形成III族氮化物單晶體的襯底1，以及在其液體層側面上的襯底1的表面1s上生長相同類型的III族氮化物單晶體，產量良好結晶性的大III族氮化物單晶體。而且，至少液體層側面、襯底1的表面層1a，III族氮化物單晶體的形成以及III族氮化物多晶體的形成，III族氮化物源材料基板2的液體層側面上的表面1s成為III族氮化物單晶表面，以及III族氮化物源材料基板2的液體層側面上的表面2s成為III族氮化物多晶體表面。因此，因為III族氮化物多晶體表面的表面能量高于III族氮化物單晶體表面，所以促進III族氮化物源材料從III族氮化物源材料基板2的液體層側表面2s到襯底1的液體層側表面1s的輸送。
再參考圖1，在涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體制造方法中，進一步優(yōu)選襯底1的表面層1a沿其液體層側面以及III族氮化物源材料基板2由III族氮化物單晶體形成，以及襯底1的液體層側表面1s被制成III族原子表面，以及III族氮化物源材料基板2的液體層側表面2s被制成氮原子表面。
由于使襯底1的液體層側表面1s成為III-原子表面，以及使III族氮化物源材料襯底2的液體層側表面2s成為III族氮化物單晶體的氮原子表面，因此導致氮原子表面中的表面能量高于III-原子表面中的表面能量，促進促進III族氮化物源材料從III族氮化物源材料襯底2的液體層側表面到襯底1的液體層側表面1s的輸送。
這里，“III-原子表面”指其中在單個平面中排列形成III族氮化物單晶體的III族元素的原子的平坦表面，該單個平面相當于六角形III族氮化物單晶體系統(tǒng)中的(0001)晶面，以及相當于立方III族氮化物單晶系中的(111)平面。同樣，“氮原子表面”指其中在單個平面中排列形成III族氮化物單晶體的氮原子的平坦表面，相當于六角形III族氮化物單晶體系統(tǒng)中的(0001)晶面，以及相當于立方III族氮化物單晶體系統(tǒng)中的(1 1 1)平面。
再次參考圖1，在涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體制造方法中，液體層3不被特別限制，只要它促進III族氮化物源材料的輸送，但是優(yōu)選包含選自由形成III族氮化物單晶體的元素構成的組的至少一種元素。包括形成III族氮化物單晶體的元素當中的至少一種元素，該III族氮化物單晶體用于促進III族氮化物源材料的輸送。
具體地，在其中生長AlN單晶體的實施方案中，液體層優(yōu)選包含Al、氧化鋁(Al2O3)、稀土氧化物和氧化鋁的復合化合物(R2O3-Al2O3，其中R指稀土元素)等等。同樣，在其中生長GaN晶體的實施方案中，液體層優(yōu)選包含Ga等。此外，在其中生長AlxGa1-xN(0＜x＜1)單晶體的實施方案中，液體層優(yōu)選包含Al和/或Ga等。
此外，關于液體層3，參考圖1，盡管對于由該方法在襯底1和III族氮化物源材料基板2之間形成200μm或以下厚度的層沒有特別的限制，但是從易于形成液體層3的觀點，優(yōu)選利用下面的這兩種方法。
第一種方法如下。首先參考圖2A，在III族氮化物源材料基板2的表面2s上形成被液化變?yōu)橐后w層3的厚度T1的固體層5，以及在襯底1上設置其上已形成固體層5的III族氮化物源材料基板2，襯底1已被放置在晶體-生長室11內，以便固體層5接觸襯底1的表面1s?；蛘?，在襯底的表面1s上液化變?yōu)橐后w層3的厚度T1的固體層5形成在表面1s上，以及III族氮化物源材料基板2被設置在固體層5上。在此，盡管從易于形成固體層5的觀點，對于在III族氮化物源材料基板2或襯底1上形成厚度T1的固體層5的技術沒有特別的限制，但是優(yōu)選利用汽相淀積或類似的技術。
接下來，參考圖2B，晶體生長室11被加熱，以液化上述固體層5，由此在襯底1和III族氮化物源材料基板2之間形成厚度T1的液體層3。然后，參考圖2C，晶體生長室11被保持在預定溫度(晶體-生長溫度)預定時間(晶體-生長時間)，以能夠在襯底1的液體層側表面1s上生長III族氮化物單晶體4。
該方法是優(yōu)選利用不大于50μm厚度的液體層，更優(yōu)選30μm或以下厚度的液體層的一種方法。如果液體層厚度超過50μm，那么從襯底1和III族氮化物源材料基板2之間逸出的液體層使之難以保持液體層3的厚度恒定，以及使之難以控制III族氮化物單晶體的生長速度。
第二方法如下。首先，參考圖3A，在例如晶體生長室11中放置的襯底1上的外圍頂部均勻地劃分的四點中插入厚度T2的隔片12，在隔片12頂上設置III族氮化物源材料基板2，以及在III族氮化物源材料基板2頂上設置被液化變?yōu)橐后w層3的固體層5。由此，在該情況下，在襯底1和III族氮化物源材料基板2之間形成空隙13，兩者距離T2。
這里，為了將晶體生長室11內部抽吸為真空，在晶體-生長室11上布置真空泵14。
接下來，參考圖3B，晶體生長室11被加熱，以及同時利用真空泵14抽吸至真空，由此固體層5液化，以形成液體層3，以及液體層3蔓延到空隙13的每個角落和裂縫中，在襯底1和III族氮化物源材料基板2之間形成厚度T2的液體層3。然后，參考圖3C，晶體生長室11被保持預定溫度(晶體生長溫度)預定時間(晶體生長時間)，以能夠在襯底1的液體層側表面1s上生長III族氮化物單晶體4。
在此，關于晶體生長室11內部中的真空度，盡管沒有特別限制，只要它足以將液體層3蔓延到整個空隙13，但是該真空度可以被規(guī)定為例如1kPa(0.01atm)或以下。
該方法的優(yōu)點是它能夠容易地形成50μm或以上厚度的液體層，而且它允許根據(jù)隔片的厚度自由地決定液體層的厚度。
通過制造III族氮化物單晶體的上述方法獲得涉及本發(fā)明的III族氮化物單晶體。
隨后，涉及本發(fā)明的半導體器件是引入上述III族氮化物單晶體的器件。如上所述的III族氮化物單晶體被引入該半導體器件中，例如，III族氮化物單晶體襯底。
例如，涉及本發(fā)明的一種半導體器件是，參考圖4，其中在III族氮化物單晶體襯底21上依次形成n型GaN層22、In0.2Ga0.8N層23、Al0.2Ga0.8N層24以及p型GaN層25以及在III族氮化物單晶體襯底21的下表面上形成n側電極31和在p型GaN層25的頂表面上形成p側電極32的半導體器件。
實施例實施例1最初，參考圖2A，襯底1，其中通過MOCVD在15mm直徑的藍寶石板上生長5μm厚度的AlN單晶層5，作為III族氮化物源材料基板2，制備15mm直徑×1mm厚度的AlN多晶襯底。在該例子中，作為固體層5，通過濺射在III族氮化物源材料基板2的一個側面上形成10μm厚度的Al金屬層10。
接著，在襯底1上設置其上形成了固體層5的III族氮化物源材料基板2，襯底1已被放置在坩堝或類似的晶體-生長室11中，以便使固體層5與襯底1上的AlN單晶層接觸。
接下來，參考圖2B，晶體生長室11被加熱，以液化Al金屬層，即，固體層5，由此在襯底1和III族氮化物源材料基板2之間形成厚度10μm的熔化Al層，即，液體層3。
然后，參考圖2C，晶體生長室11被加熱至1800℃(晶體生長溫度)以及保持3小時(晶體生長時間)，由此在襯底1的液體層側表面1s上生長90μm厚度的AlN單晶，即，III族氮化物單晶體4。晶體生長速率是30μm/h。應當注意通過X射線衍射分析(XRD)證實來自本申請的實施例的單晶體是單晶的。在表中列出了該結果。
實施例2最初，參考圖3A，襯底1，其中通過MOCVD在15mm直徑的藍寶石板上生長5μm厚度的AlN單晶層5，以及作為III族氮化物源材料基板2，制備15mm直徑×1mm厚度的AlN多晶體襯底。
接著，在被放入晶體生長室11中的襯底1上的外圍頂部均勻地劃分的4個點中設置35nm厚度的隔片12，在隔片12的頂上設置III族氮化物源材料基板2，以及在III族氮化物源材料基板2頂上設置被液化為液體層3的Al金屬作為固體層5。在該情況下，在襯底1和III族氮化物源材料基板2之間形成空隙13，兩者距離35nm。
接下來，晶體生長室11被加熱到1000℃，以及同時利用真空泵14抽吸至1kPa(0.01atm)，由此Al金屬即固體層5被液化，以形成熔化Al的液體層3，以及液體層3蔓延到空隙13的每個角落和裂縫中，在襯底1和III族氮化物源材料基板2之間形成35nm厚度的熔化Al層3(液體層3)。
然后，參考圖3C，晶體-生長室11被加熱到1800℃并保持3小時，由此在襯底1的液體層側表面1s上生長27μm厚度的AlN單晶體，即，III氮化物單晶體4。晶體生長速率是9μm/h。在表中列出了該結果。
實施例3
利用15mm直徑×500μm厚度的AlN單晶板作為襯底，除了使襯底和III族氮化物源材料基板之間的間距(等于液體層的厚度—在下面相同)為150μm、晶體生長溫度為2100℃以及晶體生長時間為4小時之外，以類似于實施例2的方式生長16μm厚度的AlN單晶16。晶體生長速率是4μm/h。在表中列出了該結果。
實施例4利用Y2O3-Al2O3(質量比40∶60)作為固體層的材料，以及利用15mm直徑×500μm厚度的AlN單晶板作為襯底，除了使襯底和III族氮化物源材料基板之間的間距為22μm以及晶體生長時間為2小時之外，以類似于實施例1的方式生長36μm厚度的AlN晶體36。晶體生長速率是18μm/h。在表中列出了該結果。
實施例5利用Gd2O3-Al2O3(質量比15∶85)作為固體層的材料，以及利用15mm直徑×500μm厚度的AlN單晶板作為襯底，除了使襯底和III族氮化物源材料基板之間的間距為20μm以及晶體生長時間為0.5小時之外，以類似于實施例1的方式生長10.5μm厚度的AlN晶體。晶體生長速率是21μm/h。在表中列出了該結果。
實施例6利用Sm2O3-Al2O3(質量比55∶45)作為用于固體層的材料，以及利用15mm直徑×500μm厚度的AlN單晶板作為襯底，除了使襯底和III族氮化物源材料襯底之間的間距為20μm以及晶體生長時間為0.5小時之外，以類似于實施例1的方式生長10.5μm厚度的AlN晶體。晶體生長速率是21μm/h。在表中列出了該結果。
實施例7利用Sm2O3-Al2O3(質量比55∶45)作為固體層的材料，以及利用15mm直徑×500μm厚度的AlN單晶板作為襯底，除了使襯底和III族氮化物源材料基板之間的間距為200μm之外，以類似于實施例2的方式生長9μm厚度的AlN晶體9。晶體生長速率是3μm/h。在表中列出了該結果。
實施例8最初，參考圖2A，襯底1，制備15mm直徑×350μm厚度的六角形GaN單晶板作為III族氮化物源材料基板2，以及通過濺射在III族氮化物源材料基板2的氮原子表面((0001)面)上形成10μm厚度的Na金屬層10作為固體層5。接著，在襯底1的III族元素表面((0001)面)上設置其上形成了固體層5的III族氮化物源材料基板2，襯底1已被放入坩堝或類似的晶體生長室11中，以便使固體層5與襯底1的III族元素表面((0001)面)接觸。
接下來，參考圖2B，晶體生長室11被加熱，以液化Na金屬層，即，固體層5，由此在襯底1和III族氮化物源材料襯底2之間形成10μm厚度的熔化Na層，即液體層3。
然后，參考圖2C，晶體生長室11被加熱到800℃并保持2小時，由此在襯底1的液體層側面1s(III族原子表面(0001)面)上生長30μm厚度的GaN單晶體，即，III族氮化物單晶體4。晶體生長速率是15μm/h。
實施例9最初，參考圖3A，襯底1和制備15mm直徑×350μm厚度的六角形GaN單晶板作為III族氮化物源材料基板2。接著，在例如襯底1的III族元素原子表面(Ga面，(0001)面)的外圍頂部均勻地分開的4個點中設置20nm厚度的隔片12，該襯底1已被放入被晶體生長室11中，在隔片12的頂上設置III族氮化物源材料基板2，以便III族氮化物源材料基板2的氮原子表面(N面，(0001)面)與III族元素原子(Ga面(0001)面)的襯底1表面相對，以及在III族氮化物源材料基板2的頂上設置被液化為液體層3的Ga金屬，作為固體層5。在此情況下，在襯底1和III族氮化物源材料基板2之間形成空隙13，兩者距離20nm。
接下來，晶體生長室11被加熱到300℃以及同時利用真空泵14抽吸至1kPa(0.01atm)，由此液化Ga金屬，即，固體層5，以形成熔化的Ga的液體層3，以及液體層3蔓延到空隙13的每個角落和裂縫中，在襯底1和III族氮化物源材料基板2之間形成20nm厚度的熔化Ga層(液體層3)。
然后，參考圖3C，晶體生長室11被加熱到800℃并保持6小時，由此在襯底1的液體層側面1s上生長48μm厚度的GaN單晶體，即，III族氮化物單晶體4。晶體生長速率是8μm/h。在表中列出了該結果。
實施例10最初，參考圖2A，襯底1，其中通過MOCVD在15mm直徑的藍寶石板上生長2μm厚度的Al0.2Ga0.8N單晶層，以及，制備15mm直徑×1mm厚度的鍛燒Al0.2Ga0.8N體(其中GaN粉末和AlN粉末的混合物(以4∶1摩爾比)被鍛燒)作為III族氮化物源材料基板2。在該例子中，作為固體層5，通過濺射在襯底1的一個側面上形成20μm厚度的Na-Al-Ga金屬合金層(以5∶2∶3質量比)。
接下來，參考圖2B，晶體生長室11被加熱，以液化Na-Al-Ga金屬合金層，即，固體層5，由此在襯底1和III族氮化物源材料基板2之間形成20μm厚度的液體層3。
然后，參考圖2C，晶體生長室11被加熱到800℃(晶體-生長溫度)并保持6小時(晶體生長時間)，由此在襯底1的液體層側面1s上生長54μm厚度的AlN單晶，即，III氮化物單晶體4。晶體生長速率是90μm/h。在表中列出了該結果。
比較實例除了使襯底和III族氮化物源材料基板之間的間隔為300μm之外，以類似于實施例1的方式生長AlN晶體，可以獲得全部為0.6μm厚度的AlN晶體以及晶體生長速率是低的0.2μm/h。在表中列出了該結果。

由表可以清楚看到，在襯底和III族氮化物源材料基板之間形成200μm或以下厚度的液體層，以及在其液體層側面上襯底的表面上生長III族氮化物單晶體能夠以良好的產量和增長的晶體生長速率獲得III族氮化物單晶體。
實施例11通過MOCVD，在GaN單晶體襯底(III族氮化物單晶體襯底21)上依次淀積5μm厚度的n-型GaN層22、3nm厚度的In0.2Ga0.8N層23、60nm厚度的Al0.2Ga0.8N層24以及150nm厚度的p型GaN層25，該GaN單晶體襯底通過對實施例8中制造的15mm直徑×30μm厚度的GaN單晶體的正表面進行鏡面平滑精加工的拋光而獲得。而且，在它被分為芯片時將變?yōu)镚aN襯底的下表面中間的位置中形成80μm直徑×100nm厚度的n側電極31，以及在p型GaN層25的頂表面上形成100nm厚度的p側電極32。接著，上述III族氮化物單晶體疊層20被分為400μm×400μm芯片，以形成LED，即，半導體器件40。利用分光鏡測量LED的發(fā)射光譜，其中它們具有峰值波長為450nm的發(fā)射光譜。
在這種情況下公開的實施模式以及實施例例子應當被認為是說明性的，而不是限制性的。本發(fā)明的范圍由本專利權利要求的范圍闡述，不由上述描述，上述說明用來包括與本專利權利要求的范圍相等效的含義，以及所有改進均落入在該范圍內。
權利要求
1.一種III族氮化物單晶體制造方法，其中在襯底和III族氮化物源材料襯底之間形成200μm或以下厚度的液體層，以及在所述襯底的液體層側上的表面上生長III族氮化物單晶體。
2.根據(jù)權利要求1所述的III族氮化物單晶體制造方法，其中沿液體層的至少一個表面層中的所述襯底由III族氮化物單晶體形成，以及所述III族氮化物源材料襯底由III族氮化物多晶體形成。
3.根據(jù)權利要求1所述的III族氮化物單晶體制造方法，其中沿液體層的至少表面層中的所述襯底以及所述III族氮化物源材料襯底由III族氮化物單晶體形成，以及所述襯底的液體層側上的表面是III族原子表面；以及所述III族氮化物源材料襯底的液體層側上的表面是氮原子表面。
4.根據(jù)權利要求1至3的任意一項所述的III族氮化物單晶體制造方法，其中所述液體層包括選自由構成所述III族氮化物單晶體的元素所構成的組中的至少一種元素。
5.一種根據(jù)權利要求1至4的任意一項所述的III族氮化物單晶體制造方法獲得的III族氮化物單晶體。
6.一種引入權利要求5所述的III族氮化物單晶體的半導體器件。
全文摘要
提供一種制造III族氮化物單晶體的方法，由此提高源材料產量和增加晶體生長速率。一種III族氮化物單晶體制造方法，其中在襯底(1)和III族氮化物源材料襯底(2)之間形成200μm以下厚度的液體層(3)，以及在襯底(1)的液體層側面上的表面(1s)上生長III族氮化物單晶體(4)。在此，液體層側面上的至少表面層(1a)中的襯底(1)可以由III族氮化物單晶體形成，而III族氮化物源材料襯底(2)可以由III族氮化物多晶體形成。而且，液體層側面上的至少表面層(1a)中的襯底(1)和III族氮化物源材料襯底(2)可以由III族氮化物單晶體形成，而襯底(1)的液體層側面上的表面(1s)可以被制成III族原子表面，以及III族氮化物源材料襯底(2)的液體層側面上的表面(2s)可以被制成氮原子表面。
文檔編號C30B19/02GK1969067SQ200580019599
公開日2007年5月23日 申請日期2005年7月13日 優(yōu)先權日2004年7月27日
發(fā)明者中畑成二 申請人:住友電氣工業(yè)株式會社