專利名稱：布線基板及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片被倒裝片連接的布線基板，及將半導(dǎo)體芯片與該布線基板倒裝片連接的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的小型化及高密度安裝，使形成了半導(dǎo)體芯片的功能元件的功能面，與固體裝置相對，將半導(dǎo)體芯片與固體裝置連接的倒裝片連接結(jié)構(gòu)，引人注目。
圖6是具有倒裝片連接結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的示意性的剖面圖。該半導(dǎo)體裝置51，具備布線基板52，和半導(dǎo)體芯片53。半導(dǎo)體芯片53中將形成了功能元件54的功能面53a與布線基板52的接合面52a相對連接。
在布線基板52的接合面52a上，形成多個(gè)連接電極55。另外，在布線基板52的接合面52a上，還形成焊料抗蝕劑膜56，其厚度小于該接合面52a和半導(dǎo)體芯片53的功能面53a的間隔。在焊料抗蝕劑膜56中，形成用于使連接電極55一個(gè)個(gè)露出的多個(gè)開口56a。
在半導(dǎo)體芯片53的功能面53a上，形成與功能元件54電連接的多個(gè)電極突臺57。電極突臺57，從覆蓋功能面53a的表面保護(hù)膜59形成的開口59a中露出。另外，在各電極突臺57上，突起電極58從表面保護(hù)膜59的表面突出后形成。
布線基板52的接合面52a上形成的連接電極55，和半導(dǎo)體芯片53的功能面53a上形成的突起電極58，通過由固相線溫度(熔點(diǎn))比電極突臺57、連接電極55及突起電極58低的低熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的接合部件60做媒介，相互連接。該接合部件60，由配置在半導(dǎo)體芯片53的突起電極58上的焊料球在該半導(dǎo)體芯片53和布線基板52接合時(shí)熔化而形成。
而且，在布線基板52和半導(dǎo)體芯片53之間存在的空隙，用填充層63充填。
圖7是為了講述現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置51的制造方法而繪制的示意性的剖面圖。
首先，將接合面52a朝著上方，以大致水平的姿勢保持布線基板52。然后，利用內(nèi)置加熱器并可以加熱的接合工具62，吸附、保持和半導(dǎo)體芯片53的功能面53a相反的一側(cè)的面——背面53b。將半導(dǎo)體芯片53的功能面53a朝著下方，與布線基板52的接合面52a相對。在半導(dǎo)體芯片53的功能面53a上，形成與連接電極55對應(yīng)的焊料球61。
接著，半導(dǎo)體芯片53的焊料球61，能夠和布線基板52的連接電極55相接地對位后，接合工具62下降，半導(dǎo)體芯片53與布線基板52相接。這時(shí)，利用接合工具62，加熱半導(dǎo)體芯片53，焊料球61在加熱后熔化。然后，停止利用接合工具62進(jìn)行的加熱，焊料球61成為將連接電極55和突起電極58電連接的接合部件60。
進(jìn)而，未硬化(液態(tài))的填充材料，充填到布線基板52和半導(dǎo)體芯片53的間隙中后，進(jìn)行旨在使其硬化的處理，在布線基板52和半導(dǎo)體芯片53之間形成填充層63。這樣，可以獲得圖6所示的半導(dǎo)體裝置51。
在下列文獻(xiàn)中，講述了這種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
可是，因?yàn)椴季€基板52的連接電極55及半導(dǎo)體芯片53的焊料球61，在高度上存在著離差(不均勻性)，所以為了切實(shí)地接合連接電極55和突起電極58，接合時(shí)必須向半導(dǎo)體芯片53施加較大的載荷。因此，熔化的焊料球61，朝著沿接合面52a(功能面53a)的方向擴(kuò)大。其結(jié)果，在接合面52a的面內(nèi)方向上鄰接的連接電極55(功能面53a的面內(nèi)方向上鄰接的突起電極58)，彼此之間被接合部件60電性短接，存在著出現(xiàn)短路不良的問題。
另外，填充層63的形成，往往采用在將半導(dǎo)體芯片53與布線基板52接合之前，在接合面52a上涂敷未硬化的填充材料，再在將半導(dǎo)體芯片53與布線基板52連接后進(jìn)行硬化的方式進(jìn)行。這時(shí)，為了使焊料球61與連接電極55接觸，利用接合工具62，用與不存在未硬化的填充材料時(shí)相比，較大的力，將半導(dǎo)體芯片53按壓到布線基板52上。
在該狀態(tài)下，半導(dǎo)體芯片53被接合工具62加熱，產(chǎn)生焊料球61的熔液后，該熔液容易向接合面52a的面內(nèi)方向擴(kuò)散，所以在該熔液固化后形成的接合部件60的作用下，在該面內(nèi)方向上鄰接的連接電極55及突起電極58被電性短接，容易出現(xiàn)短路不良。
非專利文獻(xiàn)1Chua Khoon Lam、另外1人、《Assembly and ReliabilityPerformance of Flip Chip with No-Underfills》、2003 Electronics PackagingTechnology Conference、p.336-34
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供能夠防止在為了和半導(dǎo)體芯片電連接的連接電極之間出現(xiàn)短路的布線基板及使用它的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的布線基板，是將其表面與半導(dǎo)體芯片相對后接合的布線基板，包含連接電極，該電極在與半導(dǎo)體芯片接合的接合面上形成，旨在與該半導(dǎo)體芯片連接；絕緣膜，該絕緣膜在所述接合面上形成，具有使所述連接電極露出的開口；低熔點(diǎn)金屬部，該部在所述開口內(nèi)，設(shè)置在所述連接電極上，由固相線溫度比所述連接電極低的低熔點(diǎn)金屬構(gòu)成。
采用本發(fā)明后，在和半導(dǎo)體芯片的接合面中，形成使其最表面的絕緣膜露出連接電極的開口，在該開口內(nèi)配置低熔點(diǎn)金屬。因此，在和半導(dǎo)體芯片連接之際，將該布線基板加熱到低熔點(diǎn)金屬部的固相線溫度以上的溫度后，能夠產(chǎn)生低熔點(diǎn)金屬部的熔液。通過該熔液固化后形成的接合材料做媒介，可以實(shí)現(xiàn)布線基板的連接電極和半導(dǎo)體芯片的電連接。
這時(shí)，即使產(chǎn)生低熔點(diǎn)金屬部的熔液，也能夠使該熔液只停留在開口內(nèi)，能夠防止其從開口溢出。所以，能夠防止在接合面15a的面內(nèi)方向上鄰接的連接電極，被該熔化的低熔點(diǎn)金屬部短路。
在將半導(dǎo)體芯片與該布線基板連接之際，最好將所述布線基板的所述接合面朝上地保持。這時(shí)，接合之際，低熔點(diǎn)金屬部即使被加熱到其固相線溫度以上的溫度后產(chǎn)生熔液時(shí)，該熔液也會在重力的作用下朝下方流去，所以能夠收容到絕緣膜的開口內(nèi)。
絕緣膜，例如可以是焊料抗蝕劑。
所述開口內(nèi)的容積，最好大于所述連接電極的體積和所述低熔點(diǎn)金屬部的體積之和。
采用該結(jié)構(gòu)后，在開口內(nèi)，由連接電極占據(jù)的空間的剩余的空間的容積，大于低熔點(diǎn)金屬部的體積。由于低熔點(diǎn)金屬部的體積和該低熔點(diǎn)金屬部熔化及固化后獲得的接合材料的體積相等，所以開口具有可以收容該接合材料的總量的容積。因此，低熔點(diǎn)金屬部及其熔液，在接合時(shí)被收容到開口內(nèi)，而不向在接合面的面內(nèi)方向上鄰接的連接電極及突起電極移動。所以，該布線基板在和半導(dǎo)體芯片接合時(shí)，能夠防止出現(xiàn)短路不良。
在這里，低熔點(diǎn)金屬部的體積，不僅是固相狀態(tài)中的體積，而且還包含液相狀態(tài)中的體積。
低熔點(diǎn)金屬部，例如能夠通過電鍍在連接電極上形成。這時(shí)，通過控制電鍍時(shí)間及電鍍電流，從而控制電鍍厚度后，能夠使低熔點(diǎn)金屬部的體積成為規(guī)定的體積。
另外，低熔點(diǎn)金屬部，例如可以通過在連接電極上涂敷釬焊膏(膏狀釬焊料)后，將布線基板加熱，從而使該釬焊膏中的有機(jī)物(焊劑、溶劑等)飛散，同時(shí)還使該釬焊膏中的焊料粉末熔化及固化后形成。這時(shí)，通過控制釬焊膏的涂敷量后，能夠使低熔點(diǎn)金屬部的體積成為規(guī)定的體積。就是說，這時(shí)的所謂“低熔點(diǎn)金屬部的體積”，不是指釬焊膏的體積，而是指構(gòu)成釬焊膏的釬焊料粉末熔化及固化后獲得的釬焊料的體積。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包含布線基板，和半導(dǎo)體芯片(該半導(dǎo)體芯片，在形成功能元件的表面具有與該功能元件電性連接的突起電極，使表面與所述布件基板的接合面相對后接合)。所述布線基板，具有連接電極，該電極在所述接合面上形成，旨在與該半導(dǎo)體芯片連接；絕緣膜，該絕緣膜在所述接合面上形成，具有使所述連接電極露出的開口；低熔點(diǎn)金屬部，該部在所述開口內(nèi)，設(shè)置在所述連接電極上，由固相線溫度比所述連接電極低的低熔點(diǎn)金屬構(gòu)成。
所述開口內(nèi)的容積，最好大于所述連接電極的體積和所述低熔點(diǎn)金屬部的體積之和。
本發(fā)明中的上述的或進(jìn)而其它的目的、特征及效果，將在通過參照附圖進(jìn)行的下述實(shí)施方式的講述中得到闡明。


圖1是表示本發(fā)明的一種實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的示意性的剖面圖。
圖2是將圖1所示的半導(dǎo)體裝置的連接部件的周邊放大后表示的示意性的剖面圖。
圖3是為了講述圖1所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法而繪制的示意性的剖面圖。
圖4是為了講述圖1所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法而繪制的示意性的剖面圖。
圖5是表示圖1所示的半導(dǎo)體裝置的變形例的示意性的剖面圖。
圖6是表示具有倒裝片連接結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的示意性的剖面圖。
圖7是為了講述圖6所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法而繪制的示意性的剖面圖。
具體實(shí)施例方式圖1是本發(fā)明的一種實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的示意性的剖面圖。該半導(dǎo)體裝置1，具備布線基板2，和將形成了功能元件4的功能面3a與布線基板2的表面(以下稱作“接合面”)2a相對連接的半導(dǎo)體芯片3。
在布線基板2的接合面2a上，形成多個(gè)連接電極14(參照圖2～圖4)，布線基板2和半導(dǎo)體芯片3，在分別包含連接電極14的多個(gè)連接部件5的作用下，被保持規(guī)定間隔地接合，而且被電連接。
在布線基板2的接合面2a上，形成具有厚度小于該接合面2a和半導(dǎo)體芯片3的間隔的焊料抗蝕劑膜6。利用該焊料抗蝕劑膜6，能夠防止在布線基板2的接合面2a上形成的布線之間的電氣性的短路。在該焊料抗蝕劑膜6中，形成分別使連接電極14露出的多個(gè)開口6a。連接部件5，在開口6a中與連接電極14連接。
在布線基板2和半導(dǎo)體芯片3的間隙(是在布線基板2和半導(dǎo)體芯片3之間，在垂直俯視接合面2a的俯視圖中，與半導(dǎo)體芯片3重疊的區(qū)域)中，配置著填充層7。利用填充層7，在密封布線基板2和半導(dǎo)體芯片3的間隙的同時(shí)，還保護(hù)功能面3a及連接部件5。
在布線基板2的端部，利用未圖示的布線，形成與連接部件5電連接的端面電極8。端面電極8，從布線基板2的接合面2a起，經(jīng)過端面，直到接合面2a的相反的一側(cè)——外部連接面2b地形成。該半導(dǎo)體裝置1，能夠在端面電極8中，實(shí)行和其它的布線基板(安裝基板)電連接。
圖2是將半導(dǎo)體裝置1的連接部件5的周邊放大后表示的示意性的剖面圖。
在半導(dǎo)體芯片3的功能面3a中，形成與功能元件4電連接、由鋁(Al)構(gòu)成的多個(gè)電極突臺11。電極突臺11，從覆蓋功能面3a的表面保護(hù)膜12中形成的開口12a露出。表面保護(hù)膜12，例如由氮化硅(鈍化膜)及聚酰亞胺構(gòu)成。另外，在各電極突臺11上，突起電極13從表面保護(hù)膜12上突出后形成。突起電極13，例如既可以通過無電解鎳(Ni)電鍍及無電解金(Au)電鍍后形成，還可以通過電解銅(Cu)電鍍及電解金電鍍后形成。
在接合面2a上形成的各連接電極14，在與半導(dǎo)體芯片3的功能面3a上形成的多個(gè)電極突臺11(突起電極13)一一對應(yīng)的位置上形成。連接電極14，例如具有用鎳/金電鍍層14B覆蓋銅突臺14A的表面的結(jié)構(gòu)。
多個(gè)突起電極13和對應(yīng)的各連接電極14，分別被接合部件10機(jī)械性地接合而且電氣性地接合。接合部件10由固相線溫度(熔點(diǎn))比電極突臺11、突起電極13及連接電極14低的低熔點(diǎn)金屬例如錫(Sn)、銦(In)及它們的合金構(gòu)成。
由連接電極14、突起電極13及接合部件10，構(gòu)成連接部件5。
圖3是為了講述半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意性的剖面圖，圖4是利用其切斷線IV-IV的示意性的剖面圖。在圖3中，省略了半導(dǎo)體芯片3的圖示。
半導(dǎo)體裝置1，例如可以通過對布線基板2的接合面2a而言，將半導(dǎo)體芯片3的功能面3a與其相對地接合后，再向布線基板2和半導(dǎo)體芯片3的間隙注入液態(tài)的填充材料，并且使該填充材料硬化，形成填充層7后獲得。
具體的說，首先準(zhǔn)備在功能面3a上形成電極突臺11、表面保護(hù)膜12及突起電極13的半導(dǎo)體芯片3。參照圖4，在該半導(dǎo)體芯片3的功能面3a的一側(cè)，不設(shè)置與現(xiàn)有技術(shù)的制造方法中的焊料球61(參照圖7)對應(yīng)的部件，突起電極13的表面露出，從表面保護(hù)膜12中突出。
然后，準(zhǔn)備裝入了多個(gè)布線基板2的基板15。在基板15的接合面15a(布線基板2的接合面2a)上，形成覆蓋各連接電極14地形成低熔點(diǎn)金屬膜16。
低熔點(diǎn)金屬膜16，由基本上和半導(dǎo)體裝置1的接合材料10相同成分的金屬材料構(gòu)成。就是說，低熔點(diǎn)金屬膜16的固相線溫度，低于電極突臺11、突起電極13及連接電極14(銅突臺14A及鎳/金電鍍層14B)的固相線溫度。
低熔點(diǎn)金屬膜16，例如可以通過電鍍，在連接電極14上形成。另外，低熔點(diǎn)金屬膜16還可以通過在連接電極14上涂敷釬焊膏(膏狀釬焊料)后，將基板15加熱，從而使該釬焊膏中的有機(jī)物(焊劑、溶劑等)飛散，同時(shí)還使該釬焊膏中的焊料粉末熔化及固化后形成。
連接電極14及開口6a，例如在垂直俯視接合面15a的俯視圖中，具有大體上是正方形的形狀，連接電極14配置在開口6a的大致中部(參照圖3)。連接電極14及開口6a，還可以在垂直俯視接合面15a的俯視圖中，具有正方形以外的多邊形及圓形的形狀。與端面電極8(參照圖1)連接的布線17，從連接電極14延伸。布線17的除了和連接電極14連接的部位附近以外，都被焊料抗蝕劑膜6覆蓋。
在垂直俯視接合面15a的俯視圖中，低熔點(diǎn)金屬膜16例如具有大體上是正方形的形狀，存在于開口6a的形成區(qū)域內(nèi)。低熔點(diǎn)金屬膜16還可以在垂直俯視接合面15a的俯視圖中，具有正方形以外的多邊形及圓形的形狀。
各開口6a，其容積V0大于在該開口6a內(nèi)配置的連接電極14的體積VP和低熔點(diǎn)金屬膜16的體積VL之和地形成(參照下列公式(1))。
V0＞VL+VP(1)此外，包含熔液(液相)的狀態(tài)中的低熔點(diǎn)金屬膜16的體積，比固相的狀態(tài)中的低熔點(diǎn)金屬膜16的體積大時(shí)，上述公式(1)中的低熔點(diǎn)金屬膜16的體積VL，是包含液相的狀態(tài)中的低熔點(diǎn)金屬膜16的體積。
低熔點(diǎn)金屬膜16，通過電鍍形成時(shí)，通過控制電鍍電流(電解電鍍時(shí))及電鍍時(shí)間，從而控制電鍍厚度，能夠使低熔點(diǎn)金屬膜16的體積VL成為規(guī)定的體積。
另外，在使用釬焊膏形成低熔點(diǎn)金屬膜16時(shí)，通過控制釬焊膏的涂敷量，能夠使低熔點(diǎn)金屬膜16的體積VL成為規(guī)定的體積。這時(shí)所謂的“低熔點(diǎn)金屬膜16的體積VL”，不是指釬焊膏的體積，而是指除去有機(jī)物、構(gòu)成釬焊膏的釬焊料粉末熔化及固化后獲得的低熔點(diǎn)金屬膜16的體積。
開口6a的形狀成為柱體(本實(shí)施方式中為角柱)時(shí)，開口6a的容積V0，與在垂直俯視焊料抗蝕劑膜6的俯視圖中的開口6a的面積和焊料抗蝕劑膜6的厚度之積相等。
接著，將接合面52a朝著上方，以大致水平的姿勢保持基板15。然后，利用內(nèi)置加熱器、可以加熱的接合工具19，吸附、保持和半導(dǎo)體芯片3的功能面3a相反的一側(cè)的面——背面3b。再將半導(dǎo)體芯片3的功能面3a朝著下方，與基板15的接合面15a相對。該狀態(tài)如圖4所示。
接著，使半導(dǎo)體芯片3的突起電極13和基板15的低熔點(diǎn)金屬膜16對位后，將接合工具19下降，使突起電極13與低熔點(diǎn)金屬膜16接觸。在這里，在基板15的連接電極14上形成的低熔點(diǎn)金屬膜16和半導(dǎo)體芯片3的突起電極13，往往具有較大的高度離差。這時(shí)，為了切實(shí)使突起電極13與低熔點(diǎn)金屬膜16連接，利用接合工具19，給半導(dǎo)體芯片3施加較大的載荷。
然后，在該狀態(tài)下，利用接合工具19，將半導(dǎo)體芯片3加熱，其熱量將低熔點(diǎn)金屬膜16加熱到固相線溫度以上(最好是液相線溫度以上)的溫度后熔化。再然后，停止利用接合工具19進(jìn)行的加熱，突起電極13和連接電極14，在低熔點(diǎn)金屬膜16的熔液固化后形成的接合材料10的作用下，被電連接的同時(shí)，還被機(jī)械性地接合。
在這里，連接電極14的體積VP和低熔點(diǎn)金屬膜16的體積VL之和，小于開口6a的容積V0，從而使低熔點(diǎn)金屬膜16及其熔液，在開口6a內(nèi)，被連接電極14的剩余的空間收容。另外，低熔點(diǎn)金屬膜16不在突起電極13上，而是在開口6a內(nèi)配置的連接電極14上形成。因此，低熔點(diǎn)金屬膜16及其熔液，不擴(kuò)散到開口6a外地向接合面15a的面內(nèi)方向移動。其結(jié)果，即使給半導(dǎo)體芯片3施加較大的載荷，在該面內(nèi)方向鄰接的突起電極13及連接電極14，也被接合材料10電氣性短路，能夠防止出現(xiàn)短路不良的問題。
接著，在基板15和半導(dǎo)體芯片3的間隙之間，充填填充層7(參照圖1及圖2)。例如，由分配器噴出未硬化(液態(tài))的填充材料，利用毛細(xì)現(xiàn)象充填到基板15和半導(dǎo)體芯片3的間隙中，再硬化(例如熱硬化)后形成。
可以在連接半導(dǎo)體芯片3之前的基板15的接合面15a上，涂敷未硬化的填充材料。這時(shí)，利用接合工具19，將半導(dǎo)體芯片3按壓到基板15上，從而使低熔點(diǎn)金屬膜16和突起電極13穿透未硬化的填充材料地接觸。再在使基板15和半導(dǎo)體芯片3的接合完畢后，使未硬化的填充材料硬化，從而獲得填充層7。
這時(shí)，在將半導(dǎo)體芯片3與基板15接合之際，為了使突起電極13與低熔點(diǎn)金屬膜16接觸，利用接合工具19，用與不存在未硬化的填充材料時(shí)相比較大的力按壓半導(dǎo)體芯片3。在該狀態(tài)下，半導(dǎo)體芯片3被加熱，低熔點(diǎn)金屬膜16被熔化，低熔點(diǎn)金屬膜16的熔液，也在開口6a內(nèi)，被連接電極14剩余的空間收容，所以能夠防止接合面15a的面內(nèi)方向鄰接的連接電極14及突起電極13被接合材料10短路。
然后，將基板15切斷成布線基板2的單片，在布線基板2的端部形成端面電極8后，就可以獲得圖1所示的半導(dǎo)體裝置1。
以上，講述了本發(fā)明的實(shí)施方式。但本發(fā)明也可以用別的方式實(shí)施。例如可以在布線基板2上，倒裝片連接2個(gè)以上的半導(dǎo)體芯片3。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的封裝形態(tài)，并不局限于圖1所示的半導(dǎo)體裝置1那樣，將端面電極8作為外部連接部件，也可以用別的方式。圖5是表示半導(dǎo)體裝置1的變形例的示意性的剖面圖。在圖5中，對于與圖1所示的各部對應(yīng)的部分，賦予和圖1相同的參照符號。
該半導(dǎo)體裝置21，作為外部連接部件，取代端面電極8，在外部連接面22b(與半導(dǎo)體芯片3連接的接合面2a相反一側(cè)的面)上具備金屬球23。金屬球23，在布線基板22的內(nèi)部及/或表面再布線后，與連接部件5電連接。該該半導(dǎo)體裝置21，通過金屬球23做媒介，能夠與其它的布線基板接合。
以上，詳細(xì)講述了本發(fā)明的實(shí)施方式。但它們只不過是為了闡述本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容而使用的具體例子。本發(fā)明不應(yīng)該理解為局限于這些具體示例，本發(fā)明的精神及范圍，只能由同時(shí)提交的《權(quán)利要求書》限定。
本申請與2004年9月29日向日本國特許廳遞交的特愿2004-284681對應(yīng)，該申請的全部內(nèi)容被本文引用后，成為本申請的內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種布線基板，其表面與半導(dǎo)體芯片相對并接合，包括連接電極，該電極形成在與半導(dǎo)體芯片接合的接合面上，用于與該半導(dǎo)體芯片連接；絕緣膜，該絕緣膜形成在所述接合面上，具有用于使所述連接電極露出的開口；以及低熔點(diǎn)金屬部，該部在所述開口內(nèi)，設(shè)置在所述連接電極上，由固相線溫度比所述連接電極低的低熔點(diǎn)金屬構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的布線基板，其特征在于所述開口內(nèi)的容積，大于所述連接電極的體積和所述低熔點(diǎn)金屬部的體積之和。
3.一種半導(dǎo)體裝置，包含布線基板、和半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片，在形成有功能元件的表面具有與該功能元件電性連接的突起電極，且表面與所述布件基板的接合面相對并接合；所述布線基板，具有連接電極，該電極形成在所述接合面上，用于與該半導(dǎo)體芯片連接；絕緣膜，該絕緣膜形成在所述接合面上，具有用于使所述連接電極露出的開口；以及低熔點(diǎn)金屬部，該部在所述開口內(nèi)，設(shè)置在所述連接電極上，由固相線溫度比所述連接電極低的低熔點(diǎn)金屬構(gòu)成。
全文摘要
一種布線基板(2、15)，其表面與半導(dǎo)體芯片(3)相對并接合，包括連接電極(14)，該電極形成在與半導(dǎo)體芯片接合的接合面(2a、15a)上，用于與該半導(dǎo)體芯片連接；絕緣膜(6)，該絕緣膜形成在所述接合面上，具有用于使所述連接電極露出的開口(6a)；以及低熔點(diǎn)金屬部(16)，該部在所述開口內(nèi)，設(shè)置在所述連接電極上，由固相線溫度比所述連接電極低的低熔點(diǎn)金屬構(gòu)成。
文檔編號H05K3/34GK1943024SQ20058001169
公開日2007年4月4日 申請日期2005年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月29日
發(fā)明者谷田一真, 宮田修 申請人:羅姆股份有限公司