專利名稱：平板顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板顯示器(FPD)及其制造方法，尤其涉及能夠防止焊盤部分與驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)斷開的FPD及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般地，在TV、測量儀器和信息終端當(dāng)中經(jīng)常采用通常被用來作為顯示器件的陰極射線管(CRT)。但是，由于CRT的重量和尺寸的關(guān)系，難以在小型輕便的電子產(chǎn)品中使用CRT。
因此，作為CRT的替代品，體積小、重量輕的FPD引起了廣泛的注意力。FPD包括液晶顯示器(LCD)、有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)等。
FPD通常包括薄膜晶體管(TFT)基板，所述基板包括TFT，以及紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)發(fā)光二極管(LED)。
在FPD的外圍布置接收外部信號(hào)的焊盤部分。所述焊盤部分連接至生成掃描電壓或信號(hào)電壓的驅(qū)動(dòng)器IC。為了將所述焊盤部分電連接至驅(qū)動(dòng)器IC，可以采用諸如各向異性導(dǎo)電膜(ACF)的導(dǎo)電膜實(shí)施焊接工藝。
在下文中，將參照圖1、圖2A、圖2B、圖3A和圖3B對(duì)常規(guī)OLED予以說明。
圖1是說明常規(guī)OLED的橫截面圖。參照圖1，OLED包括OLED部分20、焊盤部分30和封裝基板40。OLED部分20布置于透明絕緣基板10上。焊盤部分30包括連接至所述OLED部分20的外部電路模塊。封裝基板40采用密封膠50與透明絕緣基板10結(jié)合。OLED部分20包括有機(jī)發(fā)光二極管、TFT、電容器以及諸如柵極線和數(shù)據(jù)線的導(dǎo)線。有機(jī)發(fā)光二極管包括第一電極、第二電極以及設(shè)置于所述第一和第二電極之間的發(fā)射層。在像素當(dāng)中，有機(jī)發(fā)光二極管連接至TFT和電容器，每一像素包括諸如柵極線和數(shù)據(jù)線的導(dǎo)線。焊盤部分30將OLED部分20電連接至外部驅(qū)動(dòng)器IC。
圖2A是常規(guī)FPD的焊盤部分的照片，圖2B是圖2A的“a”部分的平面圖，圖3A和圖3B是沿圖2B的“A-A’”線得到的橫截面圖，其示出了示范性的工藝操作。
首先，在OLED部分的外圍布置焊盤部分，所述焊盤部分與OLED部分同時(shí)形成。
在透明絕緣基板100的TFT區(qū)內(nèi)形成源電極和漏電極的同時(shí)，在焊盤部分上形成焊盤電極110。這里，焊盤電極110可以由鉬(Mo)或鉬鎢(MoW)形成。
其后，當(dāng)在TFT區(qū)上形成鈍化層時(shí)，在焊盤部分上形成鈍化層120。
接下來，當(dāng)在TFT區(qū)內(nèi)形成通路接觸孔以暴露TFT的源電極或漏電極時(shí)，在鈍化層120中形成多個(gè)接觸孔122，以暴露焊盤部分的焊盤電極110。
之后，在所得到的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成反射層130。所述反射層130可以由鋁或鋁合金層形成。
之后，有選擇地去除反射層130，使得其僅存在于OLED部分的發(fā)射區(qū)上。由于在反射層130和接下來形成的透明電極之間的接觸電阻可能增大，因此，希望從除焊盤部分以外的通路接觸孔上去除所述反射層130。如圖3B所示，在去除反射層130時(shí)，還要將焊盤部分的焊盤電極110去除至預(yù)定厚度，由此在鈍化層120之下形成底切(undercut)112。
接下來，在所得到的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成透明金屬層，隨后進(jìn)行光刻和蝕刻處理，從而在OLED部分的發(fā)射區(qū)和焊盤部分上形成透明電極140。這里，可以在位于鈍化層120之下的底切112處斷開在焊盤部分上形成的透明電極140的電連接。
之后，將焊盤部分和驅(qū)動(dòng)器IC(未示出)連接至連接器，例如軟性印刷電路(FPC)或玻璃上芯片(COG)。可以采用含有導(dǎo)電顆粒的ACF將焊盤部分連接至連接器。
如上所述，在常規(guī)FPD中，可以采用COG工藝將焊盤部分直接焊接到驅(qū)動(dòng)器IC上，其能夠提供體積更小的裝置和更低的生產(chǎn)成本。但是，由于在焊盤部分中形成的接觸孔通常具有4到10μm的非常精細(xì)的尺寸，因此，當(dāng)具有5到幾十微米的導(dǎo)電顆粒未填充所述接觸孔時(shí)，導(dǎo)電顆粒無法與在接觸孔中形成的焊盤電極接觸，使得電連接中斷。而且，當(dāng)在布置于所述接觸孔上的透明電極上形成ACF時(shí)，由于在接觸孔的邊緣形成底切，其可能與焊盤電極斷開連接。因此，OLED部分可能無法與外部模塊進(jìn)行電連接。因此，焊盤部分的接觸電阻增大，OLED的電特性劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種平板顯示器(FPD)及其制造方法，其中，在焊盤部分上形成足夠的接觸區(qū)，從而防止有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)部分與外部電路斷開連接。
在下述說明中，將闡述本發(fā)明的其他特征，這些特征在經(jīng)說明之后，在某種程度上是顯而易見的，或者可以通過對(duì)本發(fā)明的實(shí)踐習(xí)知。
本發(fā)明公開的FPD包括一基板，所述基板具有顯示部分和布置在所述基板上并與所述顯示部分電連接的焊盤。所述焊盤包括布置在所述基板上的焊盤電極，布置在所述焊盤電極上并且只具有一個(gè)暴露所述焊盤電極的接觸孔的鈍化層，以及布置在所述鈍化層和焊盤電極上的透明電極。
本發(fā)明還公開了一種FPD，其包括一基板，所述基板具有顯示部分和布置在所述基板上并與所述顯示部分電連接的焊盤。所述焊盤包括布置在所述基板上的焊盤電極；布置在所述焊盤電極上并且具有多個(gè)暴露所述焊盤電極的接觸孔的鈍化層；布置在所述鈍化層和焊盤電極上的反射層圖案，所述反射層圖案暴露接觸孔中的部分焊盤電極；以及布置在所述反射層圖案上和焊盤電極的暴露部分上的透明電極。
本發(fā)明還公開了一種制造平板顯示器的方法，所述平板顯示器包括布置在具有顯示部分的基板上，并且與所述顯示部分電連接的焊盤。所述方法包括在所述基板上形成焊盤電極；在所述焊盤電極上形成鈍化層；在所述鈍化層上形成唯一的接觸孔，以暴露所述焊盤電極；在所得到的結(jié)構(gòu)上形成反射層；去除所述反射層；以及在所得到的結(jié)構(gòu)上形成透明電極。
本發(fā)明還公開了一種制造平板顯示器的方法，所述平板顯示器包括布置在具有顯示部分的基板上，并且與所述顯示部分電連接的焊盤。所述方法包括在所述基板上形成焊盤電極；在所述焊盤電極上形成鈍化層；在所述鈍化層中形成多個(gè)接觸孔，以暴露所述焊盤電極；在所得到的結(jié)構(gòu)上形成反射層；去除所述反射層的諸部分從而在所述接觸孔中暴露所述焊盤電極且所述反射層覆蓋接觸孔中的一部分焊盤電極；以及在所得到的結(jié)構(gòu)上形成透明電極。
應(yīng)當(dāng)理解的是，上述一般性說明以及下述詳細(xì)說明均為示范性和說明性的，其意圖在于為權(quán)利要求所限定的發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


這里給出了為本發(fā)明提供進(jìn)一步理解的附圖，其構(gòu)成了本說明書的一部分，并連同說明一起對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了舉例說明，從而對(duì)本發(fā)明的原理予以解釋。
圖1是常規(guī)有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)的橫截面圖。
圖2A是常規(guī)平板顯示器(FPD)的焊盤部分的照片。
圖2B是圖2A中的“a”部分的平面圖。
圖3A和圖3B是沿圖2B中的“A-A′”線得到的橫截面圖。
圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的FPD的焊盤部分的照片。
圖5A和圖5B是沿圖4中的“B-B′”線得到的橫截面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例的FPD的焊盤的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參照說明本發(fā)明示范性實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加全面的說明。但是，可以以不同的形式體現(xiàn)本發(fā)明，而不應(yīng)推斷本發(fā)明僅限于文中所述實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的在于對(duì)本發(fā)明予以徹底公布，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為清晰起見，各層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸可能被放大。
應(yīng)當(dāng)理解的是在稱諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件位于另一元件上時(shí)，其可能直接位于另一元件上，也可能存在插入元件。相反，在稱一元件直接位于另一元件上時(shí)，不存在插入元件。
圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的平板顯示器(FPD)的焊盤部分的照片，圖5A和圖5B是沿圖4中的“B-B′”線獲得的橫截面圖，其示出了示范性的工藝操作。
所述焊盤部分可以布置于透明絕緣基板上，所述透明絕緣基板包括有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)部分。所述焊盤部分將所述OLED部分與驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)連接。
所述焊盤部分可以與所述OLED部分同時(shí)形成。在下文中，將對(duì)焊盤部分的形成方法予以說明。
開始，可以在透明絕緣基板200上形成焊盤電極210。焊盤電極210可以與OLED部分的源電極和漏電極同時(shí)形成。焊盤電極210可以由鉬(Mo)或鉬鎢(MoW)形成。
接下來，可以在所得到的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成鈍化層220。鈍化層220可以包括從下述集合中選出的至少一個(gè)層氧化硅層、氮化硅層和氮氧化硅層。
之后，可以在鈍化層220上進(jìn)行光刻和蝕刻處理，由此形成接觸孔222，以暴露焊盤電極210。在這種情況下，在每一焊盤上僅形成一個(gè)接觸孔222。
接下來，可以在所得到的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成反射層230。所述反射層230可以由鋁或鋁合金形成。
可以采用光刻和蝕刻工藝有選擇地去除反射層230。在這種情況下，反射層230僅存在于OLED部分的發(fā)射區(qū)內(nèi)?？梢匀コ瓷鋵?30以防止OLED部分和焊盤部分之間的接觸電阻增大。在去除反射層230時(shí)，還要將一部分焊盤電極210去除至預(yù)定厚度，由此在鈍化層220之下形成底切。
之后，可以在所得到的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成透明電極240，從而完成了焊盤部分的制作。
在完成焊盤部分的制作之后，可以采用ACF將諸如COG或FPC的連接器與焊盤部分相連接。在這種情況下，即使由于在接觸孔222的邊緣形成了底切而導(dǎo)致透明電極240斷開連接，包含在ACF中的導(dǎo)電顆粒也可以與焊盤電極210相接觸，因?yàn)榻佑|孔222具有足夠的尺寸。因此，焊盤部分可以與連接器電連接。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例的FPD的焊盤的橫截面圖。
參照圖6，可以在透明絕緣基板300上形成焊盤電極310和鈍化層320，采用光刻和蝕刻工藝對(duì)鈍化層320進(jìn)行蝕刻，由此形成多個(gè)接觸孔322，以暴露焊盤電極310。在這種情況下，焊盤電極310可以與OLED部分的源電極和漏電極同時(shí)形成。焊盤電極310可以由Mo或MoW形成。
接下來，可以在所得到的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成反射層330。所述反射層330可以由鋁或鋁合金形成。
之后，可以采用光刻和蝕刻工藝對(duì)反射層330進(jìn)行蝕刻，從而暴露通過接觸孔322暴露的一部分焊盤電極310。在這種情況下，形成反射層330以覆蓋通過接觸孔322暴露的一部分焊盤電極310。
之后，可以在所得到的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成透明電極340，從而完成了焊盤部分的制作。在這種情況下，透明電極不僅與反射層330的頂面相連接，還與通過接觸孔322暴露的一部分焊盤電極310相連接。
接下來，采用ACF將諸如COG或FPC的連接器與焊盤部分連接。在這種情況下，由于反射層330覆蓋了通過接觸孔322暴露的一部分焊盤電極310，即使包含在ACF中的導(dǎo)電顆粒未填充接觸孔322，焊盤部分也可以與連接器電連接。
根據(jù)本發(fā)明的上述示范性實(shí)施例，可以在FPD的焊盤部分上形成足夠的接觸區(qū)，從而防止焊盤部分與連接器的電連接斷開，并且防止它們之間的接觸電阻增大。因此，所述FPD可以改善電氣特性，其成品率也得到了提高。
對(duì)于本領(lǐng)于技術(shù)人員來講，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明做出各種修改和變化。因此，上一句話的意圖在于，本發(fā)明包含各種修改和變化，只要這些修改和變化落在權(quán)利要求及其等同要件的范圍內(nèi)。
本申請要求于2004年10月27日提交的韓國專利申請No.10-2004-0086354的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，在此將其全文引入以作參考。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示器，其包括具有顯示部分的基板；和布置在所述基板上并與所述顯示部分電連接的焊盤，其中，所述焊盤包括布置在所述基板上的焊盤電極；布置在所述焊盤電極上，并且具有一個(gè)暴露所述焊盤電極的接觸孔的鈍化層；以及布置在所述鈍化層和所述焊盤電極上的透明電極。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中，所述焊盤電極包括鉬和鉬鎢之一。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其進(jìn)一步包括位于接觸孔的邊緣處的底切。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中，所述鈍化層包括從下述集合中選出的至少一個(gè)層氧化硅層、氮化硅層和氮氧化硅層。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中，所述顯示器是有機(jī)發(fā)光顯示器和液晶顯示器之一。
6.一種平板顯示器，其包括具有顯示部分的基板；和布置在所述基板上，并與所述顯示部分電連接的焊盤，其中，所述焊盤包括布置在所述基板上的焊盤電極；布置在所述焊盤電極上，并且具有多個(gè)暴露所述焊盤電極的接觸孔的鈍化層；以及布置在所述鈍化層和所述焊盤電極上的反射層圖案，所述反射層圖案暴露位于所述接觸孔中的部分焊盤電極；以及布置在所述反射層圖案和所述焊盤電極的暴露部分上的透明電極。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示器，其中，所述焊盤電極包括鉬和鉬鎢之一。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示器，其中，所述鈍化層包括從下述集合中選出的至少一個(gè)層氧化硅層、氮化硅層和氮氧化硅層。
9.如權(quán)利要求6所述的顯示器，其中，所述反射層包括鋁和鋁合金之一。
10.如權(quán)利要求6所述的顯示器，其中，所述顯示器是有機(jī)發(fā)光顯示器和液晶顯示器之一。
11.一種制造平板顯示器的方法，所述平板顯示器包括布置在具有顯示部分的基板上并且與所述顯示部分電連接的焊盤，所述方法包括在所述基板上形成焊盤電極；在所述焊盤電極上形成鈍化層；在所述鈍化層中形成一個(gè)接觸孔，以暴露所述焊盤電極；在所得到的結(jié)構(gòu)上形成反射層；去除所述反射層；以及在所得到的結(jié)構(gòu)上形成透明電極。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述焊盤電極包括鉬和鉬鎢之一。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述接觸孔的邊緣處形成底切。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述鈍化層包括從下述集合中選出的至少一個(gè)層氧化硅層、氮化硅層和氮氧化硅層。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述顯示器是有機(jī)發(fā)光顯示器和液晶顯示器之一。
16.一種制造平板顯示器的方法，所述平板顯示器包括布置在具有顯示部分的基板上并且與所述顯示部分電連接的焊盤，所述方法包括在所述基板上形成焊盤電極；在所述焊盤電極上形成鈍化層；在所述鈍化層內(nèi)形成多個(gè)接觸孔，以暴露所述焊盤電極；在所得到的結(jié)構(gòu)上形成反射層；去除所述反射層的部分，使得焊盤電極在接觸孔中被暴露出來且所述反射層覆蓋位于所述接觸孔中的一部分焊盤電極；以及在所得到的結(jié)構(gòu)上形成透明電極。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述焊盤電極包括鉬和鉬鎢之一。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述鈍化層包括從下述集合中選出的至少一個(gè)層氧化硅層、氮化硅層和氮氧化硅層。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述反射層包括鋁和鋁合金之一。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述顯示器是有機(jī)發(fā)光顯示器和液晶顯示器之一。
全文摘要
一種平板顯示器及其制造方法，所述平板顯示器包括具有顯示部分的基板和布置在所述基板上并且與所述顯示部分電連接的焊盤。所述焊盤包括布置在所述基板上的焊盤電極，布置在所述焊盤電極上并且只具有一個(gè)暴露所述焊盤電極的接觸孔的鈍化層，以及布置在所述鈍化層和焊盤電極上的透明電極?；蛘?，所述鈍化層可以具有暴露焊盤電極的多個(gè)接觸孔。在這種情況下，在鈍化層和焊盤電極上布置反射層圖案，其暴露位于接觸孔中的部分焊盤電極。此外，可以在所述反射層圖案和焊盤電極的暴露部分上布置透明電極。
文檔編號(hào)H05B33/12GK1811864SQ20051011850
公開日2006年8月2日 申請日期2005年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月27日
發(fā)明者姜泰旭, 徐昌秀, 樸汶熙 申請人:三星Sdi株式會(huì)社