專利名稱：顯示裝置和像素電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置，尤其涉及一種利用有機(jī)材料的電致發(fā)光的有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示器。
背景技術(shù)：
有機(jī)EL顯示器是一種利用電激發(fā)熒光有機(jī)化合物發(fā)光的顯示裝置。有機(jī)EL顯示器利用電壓或電流驅(qū)動(dòng)以矩陣形式排列的N×M有機(jī)發(fā)光單元以顯示圖像。有機(jī)EL顯示器的有機(jī)發(fā)光單元具有二極管的特性，因此也將其稱為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。參考圖1，有機(jī)發(fā)光單元包括陽極(ITO)、多層有機(jī)薄膜和陰極(金屬)。多層有機(jī)薄膜包括發(fā)光層(EML)、電子輸運(yùn)層(ETL)和空穴輸運(yùn)層(HTL)，以提高發(fā)光效率。此外，該有機(jī)薄膜進(jìn)一步包括電子注入層(EIL)和空穴注入層(HIL)。M×N有機(jī)發(fā)光單元以矩陣形式排列以構(gòu)造有機(jī)EL顯示面板，其中，每一個(gè)有機(jī)發(fā)光單元都具有如上所述的結(jié)構(gòu)。
驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL顯示面板的方法可以分為無源矩陣方法或使用薄膜晶體管(TFT)的有源矩陣方法。無源矩陣方法以相交方式形成陽極和陰極并選擇一條線以驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL顯示面板。有源矩陣方法將TFT連接到每一個(gè)ITO像素電極并基于連接到TFT柵極的電容維持的電壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL顯示面板。
圖2示出了傳統(tǒng)的使用TFT的有源矩陣有機(jī)EL顯示器。參考圖2，有機(jī)EL顯示器包括有機(jī)EL顯示面板100、掃描驅(qū)動(dòng)器200和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300。有機(jī)EL顯示面板100包括多個(gè)在行方向排列的數(shù)據(jù)線D1到Dm，多個(gè)在列方向排列的掃描線S1到Sn，以及多個(gè)像素電路110。數(shù)據(jù)線D1到Dm將表達(dá)視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)傳送到像素電路110，而掃描線S1到Sn將選擇信號(hào)傳送到像素電路110。每一個(gè)像素電路110都形成在由鄰近像素區(qū)域的兩個(gè)數(shù)據(jù)線和兩個(gè)掃描線界定的像素區(qū)域處。
掃描驅(qū)動(dòng)器200依次將選擇信號(hào)施加到掃描線S1到Sn，且數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300將對(duì)應(yīng)于視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)電壓的提供給數(shù)據(jù)線D1到Dm。
掃描驅(qū)動(dòng)器200和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300能夠被連接到顯示面板100上，或者以芯片的形式安裝在附于顯示面板100并連接至其上的載帶封裝(TCP)上。此外，可以以芯片的形式將掃描驅(qū)動(dòng)器200和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300安裝在附于顯示面板100且連接至其上的軟性印制電路(FPC)或膜上?？蛇x地，可以將掃描驅(qū)動(dòng)器200和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300直接安裝在顯示面板100的玻璃襯底上。此外，可以直接將掃描驅(qū)動(dòng)器200和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300安裝在玻璃襯底上，這樣它能夠取代由掃描線、數(shù)據(jù)線和TFT的相同層形成的驅(qū)動(dòng)電路。
圖3是圖2所示的顯示面板100的M×N像素電路(或單元)之一的電路圖。參考圖3，像素電路包括有機(jī)EL二極管OLED、包括開關(guān)晶體管SM和驅(qū)動(dòng)晶體管DM的兩個(gè)晶體管以及電容器Cst。晶體管SM和DM是PMOS晶體管。
驅(qū)動(dòng)晶體管DM有一個(gè)源極連接到電源電壓Vdd。電容器Cst連接在驅(qū)動(dòng)晶體管DM的柵極和源極之間。電容器Cst將驅(qū)動(dòng)晶體管DM的柵極-源極電壓(例如，VGS)維持一預(yù)定的時(shí)間段。開關(guān)晶體管SM響應(yīng)來自當(dāng)前掃描線Sn的選擇信號(hào)，將數(shù)據(jù)電壓從數(shù)據(jù)線Dm傳送到驅(qū)動(dòng)晶體管Dm。
有機(jī)EL二極管OLED有一個(gè)陰極連接到參考電壓Vss上并且相應(yīng)于通過驅(qū)動(dòng)晶體管DM提供給它的電流發(fā)光。連接到該有機(jī)EL二極管OLED的陰極的參考電壓Vss低于電源電壓VDD，這樣可以將地電壓用作參考電壓Vss。
上面描述的有源矩陣像素電路必須要包括開關(guān)晶體管SM，該開關(guān)晶體管SM響應(yīng)來自掃描線的選擇信號(hào)從數(shù)據(jù)線傳送數(shù)據(jù)信號(hào)。然而，開關(guān)晶體管SM可能會(huì)流過漏電流并導(dǎo)致像素電路的誤操作。因此，需要一種沒有電流漏泄能夠傳送數(shù)據(jù)信號(hào)的像素電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種顯示裝置和驅(qū)動(dòng)該顯示裝置的方法，該顯示裝置包括一種像素電路，該像素電路使用響應(yīng)于至少兩個(gè)控制信號(hào)的開關(guān)傳送數(shù)據(jù)信號(hào)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，顯示裝置包括多個(gè)掃描線、多個(gè)數(shù)據(jù)線和多個(gè)像素電路。該掃描線包括用于施加第一選擇信號(hào)的第一掃描線和用于在不同于第一掃描線施加選擇信號(hào)的時(shí)間的時(shí)間施加第二選擇信號(hào)的第二掃描線。數(shù)據(jù)線相交于掃描線并與掃描線絕緣。數(shù)據(jù)線施加數(shù)據(jù)信號(hào)。像素電路分別連接到掃描線和數(shù)據(jù)線。諸像素電路中的每個(gè)像素電路包括第一和第二開關(guān)、存儲(chǔ)元件、第一晶體管和發(fā)光元件。第一和第二開關(guān)串連到諸數(shù)據(jù)線中相應(yīng)的數(shù)據(jù)線上。存儲(chǔ)元件充電至一電壓，該電壓對(duì)應(yīng)于從相應(yīng)數(shù)據(jù)線通過第一和第二開關(guān)傳送的數(shù)據(jù)信號(hào)。第一晶體管輸出一對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)元件所充電壓的電流。發(fā)光元件發(fā)出對(duì)應(yīng)于來自第一晶體管的輸出電流的光。響應(yīng)第一掃描線的選擇信號(hào)，連接到第一掃描線的諸像素電路的第一個(gè)像素電路的第一和第二開關(guān)之一被開啟，而響應(yīng)于控制連接到第二掃描線的諸像素電路的第二像素電路的操作的第一控制信號(hào)，第一和第二開關(guān)中的另一個(gè)被開啟。
第二像素電路可以進(jìn)一步包括第三開關(guān)，該第三開關(guān)連接在發(fā)光元件和第一晶體管之間且能夠阻塞來自第一晶體管的輸出電流。第三開關(guān)可以響應(yīng)于第一控制信號(hào)運(yùn)行。
當(dāng)來自第一掃描線的第一選擇信號(hào)是提供給第一像素電路時(shí)，第一控制信號(hào)能夠關(guān)閉第三開關(guān)。
第三開關(guān)能夠具有不同于第一和第二開關(guān)中響應(yīng)第一控制信號(hào)而開啟的另一個(gè)的溝道類型的溝道類型。
存儲(chǔ)元件可以包括第一電容器和串連到第一電容器的第二電容器，該第一電容器充至對(duì)應(yīng)于第一晶體管的閾值電壓的電壓。
第一和第二電容器能夠連接在第一晶體管的柵極和源極之間。第一像素電路可以進(jìn)一步包括第四開關(guān)和第五開關(guān)，該第四開關(guān)響應(yīng)于第二控制信號(hào)以二極管方式連接到(diode connecting)第一晶體管，該第五開關(guān)與第一電容器并聯(lián)并響應(yīng)于第二控制信號(hào)被開啟。
第二控制信號(hào)可以是來自鄰近第一掃描線的第三掃描線的選擇信號(hào)。
當(dāng)來自第一和第三掃描線的選擇信號(hào)是提供給像素電路時(shí)，第一控制信號(hào)能夠關(guān)閉第三開關(guān)。
在本發(fā)明的一個(gè)示范性實(shí)施例中，一種發(fā)光顯示裝置包括多個(gè)包括各自的發(fā)光元件的像素區(qū)域。每一個(gè)像素區(qū)域包括第一電極、第二電極、數(shù)據(jù)電極和第一半導(dǎo)體層。第一電極在第一方向延伸并施加選擇信號(hào)。第二電極在第一方向延伸并施加控制信號(hào)。數(shù)據(jù)電極在第二方向延伸，與第一和第二電極相交，與第一和第二電極絕緣并施加表達(dá)圖像的數(shù)據(jù)信號(hào)。第一半導(dǎo)體層與鄰接該像素區(qū)域的像素區(qū)域的第一電極和第二電極相交，與第一和第二電極絕緣。第一半導(dǎo)體層的一端通過接觸孔電連接至數(shù)據(jù)電極。
該發(fā)光顯示器進(jìn)一步包括至少一個(gè)具有該第一半導(dǎo)體層的一端的第一晶體管。該第一半導(dǎo)體層的一端是該至少一個(gè)第一晶體管的漏極或源極，而第一和第二電極是一個(gè)或更多晶體管的柵極。
該發(fā)光顯示器進(jìn)一步可以包括與第二電極絕緣的第二半導(dǎo)體層和具有第二半導(dǎo)體層的一端的第二晶體管。該第二半導(dǎo)體層的一端可以是第二晶體管的漏極，而第二電極可以是該第二晶體管的柵極。該第二半導(dǎo)體層的一端可以通過第二接觸孔連接到發(fā)光元件的一個(gè)電極上。
鄰近諸像素區(qū)域的第二像素區(qū)域的諸像素區(qū)域的第一像素區(qū)域的第一電極可以設(shè)置得非常接近第二像素區(qū)域的第二電極。
第一和第二半導(dǎo)體層可以分別形成具有不同溝道類型的晶體管。
第一和第二電極可以充當(dāng)至少一個(gè)第一晶體管的柵極。
在本發(fā)明的一個(gè)示范性實(shí)施例中，發(fā)光顯示裝置包括多個(gè)施加選擇信號(hào)的掃描線、多個(gè)施加數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線和多個(gè)分別連接到掃描線和數(shù)據(jù)線的像素電路。諸像素電路中的第一像素電路包括發(fā)光元件、第一晶體管、第一開關(guān)、第一電容器、第二電容器、第二開關(guān)、第二晶體管和第三晶體管。發(fā)光元件發(fā)出對(duì)應(yīng)于施加于其上的電流的光。第一晶體管包括第一電極、連接到第一電極的第二電極和連接到第一開關(guān)的第三電極，且它輸出所施加的電流。所施加的電流對(duì)應(yīng)于跨第一和第二電極施加到第三電極的電壓。第一開關(guān)響應(yīng)于第一控制信號(hào)以二極管方式連接到第一晶體管。第一電容器具有連接到第一晶體管的第二電極的第一電容器電極和第二電容器電極。第二電容器連接在第一晶體管的第一電極和第一電容器的的第二電容器電極之間。第二開關(guān)響應(yīng)于第一控制信號(hào)被開啟，以將第一電容器的第二電容器電極電連接到電源上。響應(yīng)于對(duì)應(yīng)于諸掃描線的一掃描線的選擇信號(hào)，第二晶體管施加一被施加的數(shù)據(jù)信號(hào)至諸數(shù)據(jù)線中相應(yīng)的數(shù)據(jù)線上。第三晶體管響應(yīng)第二控制信號(hào)，將第二晶體管所提供的數(shù)據(jù)信號(hào)提供到第一電容器的第二電容器電極。
第二控制信號(hào)可以是來自鄰近第一像素電路的諸像素電路中的第二像素電路的掃描線的選擇信號(hào)。
該發(fā)光顯示器可以進(jìn)一步包括第三開關(guān)，該第三開關(guān)用于阻塞響應(yīng)于第三控制信號(hào)而提供給發(fā)光元件的電流。
在施加來自第一電路的掃描線和鄰近第二像素電路的第二像素電路的掃描線的選擇信號(hào)時(shí)，第三控制信號(hào)能夠關(guān)閉第三開關(guān)。
第三開關(guān)能夠具有不同于第二晶體管的溝道類型的溝道類型。
第二控制信號(hào)可以是鄰近第一像素電路的第二像素電路的第三控制信號(hào)。第二像素電路的第三控制信號(hào)可以用來阻塞提供給第二像素電路的發(fā)光元件的電流。


附圖連同說明書解釋了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，并與描述一起用以解釋本發(fā)明的原理圖1示出了一種有機(jī)EL裝置；圖2示出了傳統(tǒng)的使用TFT的有源矩陣有機(jī)EL顯示器；圖3是圖2所示的顯示面板100的M×N像素電路之一的電路圖；圖4是包括用于在無電流漏泄情況下傳送數(shù)據(jù)信號(hào)的雙開關(guān)晶體管的像素電路例子的等效電路圖；圖5示出了施加到圖4的像素電路的信號(hào)的波形；圖6示出了圖4的像素電路的布局；圖7是沿圖6的線I-I′截取的橫截面圖；圖8是依據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的像素電路的等效電路圖；圖9示出了施加到圖8的像素電路的信號(hào)的波形；圖10示出了圖8的像素電路的布局；以及圖11是沿圖10的線II-II′截取的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
在以下的詳細(xì)描述中，僅以圖示的方式對(duì)本發(fā)明的某些示范性實(shí)施例進(jìn)行了展示和描述。如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所能意識(shí)到的，所述的實(shí)施例可以用各種不同方式加以修改，所有方式都不脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此，附圖和描述被認(rèn)為是說明性質(zhì)的，而不是限制性的。在本申請的上下文中，將一件東西連接到另一件上是指直接將第一件東西連接到第二件東西，或者將第一件東西連接到第二件上，且其間具有第三件東西。此外，當(dāng)稱一層在另一層或襯底之“上”時(shí)，它可以直接位于另一層或襯底上，或者還有中間層或襯底。此外，為了闡明本發(fā)明，可以省略本說明書中未描述的某些組件，且相同的附圖標(biāo)記指代相同的組件。
在下文中，傳送當(dāng)前選擇信號(hào)的掃描線被稱為“當(dāng)前掃描線”，在傳送當(dāng)前選擇信號(hào)之前傳送選擇信號(hào)的掃描線被稱為“在前(previous)掃描線”，而在傳送當(dāng)前選擇信號(hào)之后傳送選擇信號(hào)的掃描線被稱為“在后(next)掃描線”。此外，響應(yīng)于當(dāng)前掃描線的選擇信號(hào)而發(fā)光的單元(例如，像素電路)被稱為“當(dāng)前單元”，響應(yīng)于在前掃描線的選擇信號(hào)而發(fā)光的單元被稱為“在前單元”，而響應(yīng)于在后掃描線的選擇信號(hào)而發(fā)光的單元被稱為“在后單元”。此外，當(dāng)前單元的發(fā)光控制線被稱為“當(dāng)前發(fā)光控制線”，在前單元的發(fā)光控制線被稱為“在前發(fā)光控制線”，而在后單元的發(fā)光控制線被稱為“在后發(fā)光控制線”。
圖4是包括用于在基本無電流漏泄情況下傳送數(shù)據(jù)信號(hào)的雙開關(guān)晶體管的像素電路例子的等效電路圖。為解釋方便起見，圖4僅示出了連接到mth數(shù)據(jù)線Dm′、當(dāng)前掃描線Sn′和在前掃描線Sn-1′的像素電路，本發(fā)明并不因此受限。
如圖4所示，像素電路包括晶體管M1到M6，電容器Cst和Cvth，以及有機(jī)EL二極管OLED(例如，OLEDn-1′、OLEDn′、OLEDn+1′)。晶體管M1是用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL二極管OLED的驅(qū)動(dòng)晶體管，連接在電源電壓Vdd和有機(jī)EL二極管OLED之間。晶體管M1響應(yīng)于施加到晶體管M1的柵極的電壓，控制通過晶體管M2流向有機(jī)EL二極管OLED的電流。
晶體管M1的柵極連接到電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)A(或電極)，而電容器Cst′和晶體管M4并聯(lián)在電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)(或電極)B和供電電壓Vdd之間。
晶體管M5和M響應(yīng)于來自當(dāng)前掃描線Sn′的選擇信號(hào)，將數(shù)據(jù)線Dm提供的數(shù)據(jù)電壓傳送到電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)B。晶體管M4響應(yīng)于來自在前掃描線Sn-1′的選擇信號(hào)，直接將電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)B連接到電源電壓Vdd。晶體管M3響應(yīng)于來自在前掃描線Sn-1′的選擇信號(hào)以二極管方式連接到晶體管M1上。
晶體管M2連接在晶體管M1的漏極和有機(jī)EL二極管OLED的陽極之間并且可以響應(yīng)于來自發(fā)光控制線EMIn′的選擇信號(hào)從有機(jī)EL二極管OLED解除晶體管M1的漏極的電連接。有機(jī)EL二極管OLED響應(yīng)于通過晶體管M2提供給它的電流發(fā)光。
現(xiàn)在將參照圖5解釋圖4的像素電路的操作。圖5示出了施加到圖4的像素電路的信號(hào)的波形。
當(dāng)在時(shí)間段T1期間向在前掃描線Sn-1′施加一低電平掃描電壓時(shí)，晶體管M3就被開啟且因此晶體管M1處于一種二極管連接狀態(tài)。因此，晶體管M1的柵極-源極(或柵極到源極)電壓就變化到等于晶體管M1的閾值電壓(Vth)。這里，施加到晶體管M1的柵極，即電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)A的電壓，對(duì)應(yīng)于電源電壓Vdd和閾值電壓(Vth)之和，是因?yàn)榫w管M1的源極是連接到電源電壓Vdd的。此外，晶體管M4開啟，因此電源電壓Vdd被施加到電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)B。這里，電容器Cvth中所充的電壓(VCvth)由以下方程表達(dá)。
VCvth＝VCvthA-VCvthB＝(Vdd+Vth)-Vdd＝Vth這里，VCvth是指電容器Cvth中所充的電壓，VCthA代表施加到電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)A的電壓，而VCvthB代表施加到電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)B的電壓。
在時(shí)間段T1中，響應(yīng)于發(fā)光控制線EMIn′的低電平信號(hào)，具有不同于晶體管M3的溝道類型的或者N型溝道的晶體管M2被關(guān)閉，以便防止流經(jīng)晶體管M1的電流流向有機(jī)EL二極管OLED。晶體管M5和M6被關(guān)閉，是因?yàn)橄虍?dāng)前掃描線Sn′提供了一個(gè)高電平信號(hào)。
當(dāng)在時(shí)間段T2期間向當(dāng)前掃描線Sn′施加低電平掃描電壓時(shí)，晶體管M5和M6被開啟且因此通過數(shù)據(jù)線Dm′向節(jié)點(diǎn)B提供一數(shù)據(jù)電壓(Vdata)。此外，對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)電壓(Vdata)和晶體管M1的閾值電壓(Vth)之和的電壓被提供給晶體管M1的柵極，是因?yàn)殡娙萜鰿vth中充了相當(dāng)于晶體管M1的閾值電壓(Vth)的電壓。也就是說，晶體管M1的柵極-源極電壓(Vgs)由以下方程2表達(dá)。這里，向發(fā)光控制線EMIn′提供一低電平信號(hào)以關(guān)閉晶體管M2。
Vgs＝(Vdata+Vth)-VDD在時(shí)間段T3中，響應(yīng)于當(dāng)前發(fā)光控制線EMIn′的高電平信號(hào)，晶體管M2被開啟，而對(duì)應(yīng)于晶體管M1的柵極-源極電壓(Vgs)的電流(IOLED)被提供給有機(jī)EL二極管OLED，使得有機(jī)EL二極管OLED發(fā)光。電流(IOLED)由以下方程3表達(dá)。
IOLED=β2(Vgs-Vth)2=β2((Vdata+Vth-Vdd)-Vth)2=β2(Vdd-Vdata)2]]>這里，IOLED表示流經(jīng)有機(jī)EL二極管OLED的電流，Vgs代表晶體管M1的源極-柵極電壓，Vth代表晶體管M1的閾值電壓，Vdata表示數(shù)據(jù)電壓，而為一常數(shù)。
如上所述，圖4所示的像素電路可以將雙晶體管，即晶體管M5和M6用作開關(guān)晶體管(或開關(guān))，用于響應(yīng)來自掃描線的選擇信號(hào)傳送來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)，以便有效地防止漏電流流經(jīng)開關(guān)晶體管。
此外，即使當(dāng)相應(yīng)像素的相應(yīng)晶體管M1具有不同的閾值電壓時(shí)，閾值電壓之間的偏差由電容器Cvth進(jìn)行補(bǔ)償，這樣提供給有機(jī)EL二極管OLED的電流就變得均勻了。因此，可以克服基于像素位置的亮度不平衡。
此外，由于在時(shí)間段T1和T2期間晶體管M2被關(guān)閉以中斷數(shù)據(jù)充電期間的漏電流，因此可以減小功耗并且可以正確地表達(dá)暗電平。
圖6示出了圖4的像素電路的布局，而圖7是沿圖6的線I-I′截取的橫截面圖。參考圖6和7，在絕緣襯底上用氧化硅形成屏蔽層10，且在屏蔽層10上形成多晶硅層圖案21、22、23、24、25和26(圖7示出)。
多晶硅層圖案21在垂直方向上延伸且形成當(dāng)前單元的晶體管M2的溝道區(qū)域。多晶硅層圖案22具有包括兩個(gè)垂直分支和一個(gè)連接該兩個(gè)垂直分支的水平部分的形狀，并形成當(dāng)前單元的晶體管M3的溝道區(qū)域。多晶硅層圖案23是L形的并形成當(dāng)前單元的驅(qū)動(dòng)晶體管M1的溝道區(qū)域和在前單元的電容器Cst′的一個(gè)電極。多晶硅層圖案24具有L形并形成在前單元的開關(guān)晶體管M5和M6的溝道區(qū)域。多晶硅層圖案25是L形的并形成電容器Cvth的一個(gè)電極。多晶硅層圖案26在垂直方向延伸且形成當(dāng)前單元的晶體管M4的溝道區(qū)域。
在多晶硅層圖案21、22、23、24、25和26上形成柵極絕緣層30，且在柵極絕緣層30上形成柵極。具體地說，在柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于在前掃描線Sn-1′的柵極、對(duì)應(yīng)于發(fā)光控制線EMIn′的柵極41、驅(qū)動(dòng)晶體管M1的柵極43和形成電容器Cst和Cvth的一個(gè)電極的電極44。
柵極42具有包括兩個(gè)水平分支的形狀并形成晶體管M3、M4、M5和M6的柵極。柵極41水平延伸且形成晶體管M2的柵極。電極44的一端通過接觸孔31連接到多晶硅層圖案24以連接到在前單元的晶體管M5和M6的漏極，其中接觸孔31形成在柵極絕緣層30的預(yù)定部分中。電極44的另一端形成在前單元的電容器Cst和Cvth的節(jié)點(diǎn)(或電極)B(圖4中示出)。
層間絕緣層50形成在柵極41、42、43和44上。在層間絕緣層50上形成電極61、電極線62、63和66、電源線64和數(shù)據(jù)線65。電極61通過接觸孔51連接到多晶硅層圖案21以形成晶體管M2的漏極，該接觸孔51形成在柵極絕緣層30的預(yù)定部分中。電極線62垂直延伸，且其底端通過接觸孔52連接到多晶硅層圖案21以形成晶體管M2的源極，且通過接觸孔53連接到多晶硅圖案22以形成晶體管M3的源極，其中接觸孔52形成在柵極絕緣層30的預(yù)定部分中，接觸孔53貫穿層間絕緣層50和柵極絕緣層30的預(yù)定部分。電極線62的頂端通過接觸孔54連接到多晶硅圖案23以形成晶體管M1的漏極，該接觸孔54貫穿層間絕緣層50和柵極絕緣層30的預(yù)定部分。
電極線63垂直延伸，且其頂端通過接觸孔57連接到多晶硅圖案23以形成晶體管M1的柵極，且通過接觸孔59連接到多晶硅圖案22以形成晶體管M3的漏極，其中該接觸孔57貫穿柵極絕緣層30的預(yù)定部分。電極線63的底端通過一貫穿層間絕緣層50和柵極絕緣層30的預(yù)定部分的接觸孔連接到多晶硅圖案25以連接到當(dāng)前單元的電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)(或電極)A(圖4中示出)上，。
電源線64垂直延伸，貫穿在前單元、當(dāng)前單元和在后單元。電極線64通過接觸孔55連接到多晶硅圖案23以形成晶體管M1的源極，且通過一貫穿層間絕緣層50和柵極絕緣層30的預(yù)定部分的接觸孔連接到多晶硅圖案26以形成晶體管M4的漏極，其中接觸孔55貫穿層間絕緣層50和柵極絕緣層30的預(yù)定部分。
數(shù)據(jù)線65通過一貫穿層間絕緣層50和柵極絕緣層30的接觸孔56連接到多晶硅圖案24以形成晶體管M5和M6的源極。電極線66通過一貫穿層間絕緣層50的接觸孔和一貫穿層間絕緣層50和柵極絕緣層30的接觸孔與多晶硅層圖案26的源極區(qū)域和柵極44相連，以形成當(dāng)前單元的電容器Cst′和Cvth的節(jié)點(diǎn)(或電極)B(圖4中示出)。
如上所述，圖4的像素電路具有兩個(gè)串連的開關(guān)晶體管M5和M6。這樣，當(dāng)前掃描線Sn′大致形成U形60，該U形60具有兩個(gè)分支和一個(gè)連接該兩分支的部分，以便將當(dāng)前單元的開關(guān)晶體管M5和M6的柵極連接到當(dāng)前掃描線Sn′。這需要一個(gè)用于當(dāng)前掃描線Sn′的額外空間A′(圖6中示出)并造成了寬高比的減小。
在圖6的像素電路的改進(jìn)中，本發(fā)明提供了一種包括開關(guān)晶體管的像素電路，其能夠防止漏電流流經(jīng)開關(guān)晶體管而不減少寬高比。
圖8是依據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的像素電路的等效電路圖。圖8的像素電路與圖4的像素電路不同之處在于，開關(guān)晶體管M6″是基于當(dāng)前掃描線Sn″操作的，且開關(guān)晶體管M5″是基于在后發(fā)光控制線EMIn+1″操作的。
參考圖8，該像素電路包括晶體管M1″到M6″、電容器Cst″和Cvth″和有機(jī)EL二極管OLED。晶體管M1″是用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL二極管OLED的驅(qū)動(dòng)晶體管，連接在電源電壓Vdd″和有機(jī)EL二極管OLED之間。晶體管M1″響應(yīng)于施加到晶體管M1″的柵極的電壓，控制通過晶體管M2″流向有機(jī)EL二極管OLED的電流。
晶體管M1″的柵極連接到電容器Cvth″的一個(gè)電極(或節(jié)點(diǎn))A″，而電容器Cst″和晶體管M4″并聯(lián)在電容器Cvth″的另一個(gè)電極(或節(jié)點(diǎn))B″和供電電壓Vdd″之間。
晶體管M5″響應(yīng)于來自在后發(fā)光控制線EMIn+1″的選擇信號(hào)而運(yùn)行，且晶體管M6″響應(yīng)于來自當(dāng)前掃描線Sn″的選擇信號(hào)而運(yùn)行。此外，可以同時(shí)開啟晶體管M5″和M6″以將數(shù)據(jù)線Dm″提供的數(shù)據(jù)電壓傳送給電容器Cvth″的另一個(gè)電極B″。
晶體管M4″響應(yīng)于來自在前掃描線Sn-1″的選擇信號(hào)，向電容器Cvth″的電極B″提供電源電壓Vdd″。晶體管M3″響應(yīng)于來自在前掃描線Sn-1″的選擇信號(hào)以二極管方式連接到晶體管M1″上。
晶體管M2″連接在晶體管M1″的漏極和有機(jī)EL二極管OLED的陽極之間并且可以響應(yīng)于來自發(fā)光控制線EMIn″的選擇信號(hào)從有機(jī)EL二極管OLED解除晶體管M1″的漏極的電連接。有機(jī)EL二極管OLED響應(yīng)于通過晶體管M2″提供給它的電流發(fā)光。
現(xiàn)在將更加詳細(xì)地參照圖9解釋圖8的像素電路的操作。圖9示出了施加到圖8的像素電路的信號(hào)的波形。
當(dāng)在時(shí)間段T1″期間向在前掃描線Sn-1″施加一低電平掃描電壓時(shí)，當(dāng)前單元的晶體管M3″就被開啟且因此晶體管M1″處于一種二極管連接狀態(tài)。因此，晶體管M1″的柵極-源極電壓就變化到等于晶體管M1″的閾值電壓(Vth)。這里，施加到晶體管M1″的柵極，即電容器Cvth″的電極A″的電壓，對(duì)應(yīng)于電源電壓Vdd″和閾值電壓(Vth)之和，是因?yàn)榫w管M1″的源極是連接到電源電壓Vdd″的。此外，晶體管M4″被開啟，且因此將電源電壓Vdd″施加到電容器Cvth″的電極B″上以將電容器Cvth″充一電壓(VCvth，參考方程1)。
在時(shí)間段T1″中，響應(yīng)于當(dāng)前發(fā)光控制線EMIn″的低電平信號(hào)，具有N型溝道的晶體管M2″被關(guān)閉，以便防止流經(jīng)晶體管M1″的電流流向有機(jī)EL二極管OLED。
當(dāng)當(dāng)前掃描線Sn″在時(shí)間段T2″期間向像素電路提供低電平信號(hào)時(shí)，當(dāng)前單元的開關(guān)晶體管M6″被開啟，且同時(shí)，在后單元的晶體管M3″和M4″被開啟。這里，向在后發(fā)光控制線EMIn+1″施加低電平信號(hào)以關(guān)閉在后單元的N型晶體管M2″，以便防止在后單元的有機(jī)EL二極管OLED因漏電流而發(fā)光。此外，響應(yīng)于在后發(fā)光控制線EMIn+1″的選擇信號(hào)而運(yùn)行的晶體管M5″也依照施加到在后發(fā)光控制線EMIn+1″的低電平信號(hào)而關(guān)閉，以關(guān)閉在后單元的N型晶體管M2″。通過這種方式，開關(guān)晶體管M5″和M6″同時(shí)被開啟，且因此數(shù)據(jù)電壓(Vdata)被提供給節(jié)點(diǎn)B″。
此外，對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)電壓(Vdata)和晶體管M1″的閾值電壓(Vth)之和的電壓被提供給晶體管M1″的柵極，是因?yàn)殡娙萜鰿vth″中充了相當(dāng)于晶體管M1″的閾值電壓(Vth)的電壓。這里，向發(fā)光控制線EMIn″提供一低電平信號(hào)以關(guān)閉晶體管M2″。
在時(shí)間段T3″中，響應(yīng)于當(dāng)前發(fā)光控制線EMIn″的高電平信號(hào)，晶體管M2″被開啟，而對(duì)應(yīng)于晶體管M1″的柵極-源極電壓(Vgs)的電流(IOLED)被提供給有機(jī)EL二極管OLED，使得有機(jī)EL二極管OLED發(fā)光。
盡管在該實(shí)施例中晶體管M2″是N型晶體管而晶體管M5″是P型晶體管，晶體管M2″和M5″可以分別是P型和N型晶體管，且本發(fā)明并不因此受到限制。當(dāng)然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到當(dāng)使用其他的晶體管類型時(shí)電壓極性和電平可能會(huì)不同。
如上所述，圖7所示的根據(jù)本發(fā)明的像素電路通過使用分別響應(yīng)于當(dāng)前掃描線和在后發(fā)光控制線的晶體管M5″和M6″能夠有效地阻塞流經(jīng)開關(guān)晶體管的漏電流。
此外，即使當(dāng)相應(yīng)像素的相應(yīng)晶體管M1″具有不同的閾值電壓時(shí)，閾值電壓之間的偏差由電容器Cvth″進(jìn)行補(bǔ)償，這樣提供給有機(jī)EL二極管OLED的電流就變得均勻了。因此，可以解決基于像素位置的亮度不平衡的問題。
此外，由于在時(shí)間段T1″和T2″期間晶體管M2″被關(guān)閉以中斷數(shù)據(jù)充電期間的漏電流，因此可以減小功耗并且可以正確地表達(dá)暗電平。
圖10示出了圖8的像素電路的布局，圖11是沿圖10的線II-II′截取的橫截面圖。參考圖10和11，在絕緣襯底上用氧化硅形成屏蔽層10′，且在屏蔽層10′上形成多晶硅層圖案21′、22′、23′、24′、25′和26′(圖11中示出)。
多晶硅層圖案21′在垂直方向上延伸且形成當(dāng)前單元的晶體管M2″的溝道區(qū)域。這里，多晶硅層圖案22′(與圖6的多晶硅層圖案不同)在連接分支100處電連接至多晶硅圖案21′(或作為其一部分被形成)，并且具有一包括兩個(gè)垂直分支和一個(gè)連接該兩個(gè)垂直分支的水平部分的形狀并形成當(dāng)前單元的晶體管M3″的溝道區(qū)域。多晶硅層圖案23′是L形的且形成當(dāng)前單元的驅(qū)動(dòng)晶體管M1″的溝道區(qū)域和在前單元的電容器Cst″的一個(gè)電極。多晶硅層圖案24′具有L形狀(其方向與圖6的圖案24不同)且形成在前單元的開關(guān)晶體管M5″和M6″的溝道區(qū)域。多晶硅層圖案25′是L形的且形成電容器Cvth″的一個(gè)電極。多晶硅層圖案26′在垂直方向延伸且形成當(dāng)前單元的晶體管M4″的溝道區(qū)域。
在多晶硅層圖案21′、22′、23′、24′、25′和26′上形成柵極絕緣層30′，且在柵極絕緣層30′上形成柵極。具體地說，在柵極絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于在前掃描線Sn-1″的柵極42′、對(duì)應(yīng)于發(fā)光控制線EMIn″的柵極41′、驅(qū)動(dòng)晶體管M1″的柵極43′和形成電容器Cst″和Cvth″的一個(gè)電極的電極44′。
柵極42′水平延伸且形成晶體管M3″、M4″和M6″的柵極。柵極41′以拐角160的形式水平延伸且形成晶體管M2″和M5″的柵極。電極44′的一端通過貫穿柵極絕緣層30′的接觸孔31′連接到多晶硅層圖案24′，以連接到在前單元的晶體管M6″的漏極。電極44′的另一端形成在前單元的電容器Cst″和Cvth″的一個(gè)電極B″。
在柵極41′、42′、43′、和44′上形成層間絕緣層50′，且在層間絕緣層50′上形成電極61′、電極線62′、63′和66′、電源線64′和數(shù)據(jù)線65′。電極61′通過接觸孔51′連接到多晶硅層圖案21′以形成晶體管M2″的漏極，該接觸孔51′形成在柵極絕緣層30′的預(yù)定部分中。
電極線62′垂直延伸且其底端通過貫穿層間絕緣層50′和柵極絕緣層30′的接觸孔58′連接到多晶硅層圖案21′和22′，以共同形成晶體管M2″和M3″的源極。電極線62′的頂端通過接觸孔54′連接到多晶硅圖案23′以形成晶體管M1″的漏極，該接觸孔54′貫穿層間絕緣層50′和柵極絕緣層30′的預(yù)定部分。
電極線63′垂直延伸，且其頂端通過接觸孔57′連接到多晶硅圖案23′以形成晶體管M1″的柵極，且通過接觸孔59′連接到多晶硅圖案22′以形成晶體管M3″的漏極，其中該接觸孔57′貫穿柵極絕緣層30′的預(yù)定部分。電極線63′的底端通過貫穿層間絕緣層50′和柵極絕緣層30′的預(yù)定部分的接觸孔連接到多晶硅圖案25′，以連接到當(dāng)前單元的電容器Cvth″的電極A上。
電源線64′垂直延伸，貫穿在前單元、當(dāng)前單元和在后單元。電源線64′通過貫穿層間絕緣層50′和柵極絕緣層30′的接觸孔55′連接到多晶硅圖案23′以形成晶體管M1″的源極，且通過貫穿層間絕緣層50′和柵極絕緣層30′的接觸孔連接到多晶硅圖案26′以形成晶體管M4″的漏極。
數(shù)據(jù)線65′通過一貫穿層間絕緣層50′和柵極絕緣層30′的接觸孔56′連接到多晶硅圖案24′以形成晶體管M5″和M6″的源極。電極線66′通過一貫穿層間絕緣層50′的接觸孔和一貫穿層間絕緣層50′和柵極絕緣層30′的接觸孔與多晶硅層圖案26′的源極區(qū)域和柵極44′相連，以形成當(dāng)前單元的電容器Cst″和Cvth″的電極B。
如上所述，兩個(gè)開關(guān)晶體管M5″和M6″是串連的，且它們的柵極分別連接到在后發(fā)光控制線EMIn+1″和當(dāng)前掃描線Sn″。因此，不需要額外的空間(例如空間A′)(圖6中所示的)，因此寬高比增大了。
由前述可知，本發(fā)明的示范性實(shí)施例提供了兩個(gè)串連的開關(guān)晶體管(例如，晶體管M5″和M6″)，其柵極分別連接到在后發(fā)光控制線EMIn+1和當(dāng)前掃描線Sn，從而減少了掃描線所占的空間并因此增加了寬高比。此外，本發(fā)明的示范性實(shí)施例通過使用分別響應(yīng)于在后發(fā)光控制線和當(dāng)前掃描線的晶體管(例如，晶體管M5″和/或M6″)，能夠有效地阻塞可能會(huì)流經(jīng)開關(guān)晶體管的漏電流。
此外，即使當(dāng)像素的相應(yīng)晶體管(例如，晶體管M1和/或M1″)具有不同的閾值電壓時(shí)，閾值電壓之間的偏差由電容器(例如，電容器Cvth和/或Cvth″)進(jìn)行補(bǔ)償，這樣提供給有機(jī)EL二極管OLED(例如，二極管OLED和/或OLED)的電流就變得均勻了。因此，可以解決基于像素位置的亮度不平衡的問題。此外，由于在時(shí)間段(例如，時(shí)間段T1、T2、T1′和/或T2′)期間晶體管(例如，晶體管M2′和/或M2″)被關(guān)閉以中斷數(shù)據(jù)充電期間的漏電流，因此可以減小功耗并且可以正確地表達(dá)暗電平。
盡管已經(jīng)結(jié)合某些示范性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明不僅僅局限于所公開的實(shí)施例，而是相反，意在覆蓋所附權(quán)利要求及其等價(jià)物的精神和范圍之內(nèi)所包括的各種變化。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其包括多個(gè)用于施加選擇信號(hào)的包括第一和第二掃描線的掃描線、多個(gè)與所述掃描線相交且用于施加數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線和多個(gè)分別連接到所述掃描線和數(shù)據(jù)線的像素電路，其中所述像素電路的每個(gè)像素電路包括串連到所述諸數(shù)據(jù)線中相應(yīng)數(shù)據(jù)線的第一和第二開關(guān)；存儲(chǔ)元件，其用于充入對(duì)應(yīng)于從所述相應(yīng)數(shù)據(jù)線經(jīng)所述第一和第二開關(guān)施加的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓；第一晶體管，其用于輸出對(duì)應(yīng)于在所述存儲(chǔ)元件中所充電壓的電流；以及發(fā)光元件，其用于發(fā)出對(duì)應(yīng)于來自所述晶體管的輸出電流的光信息，其中，響應(yīng)于所述第一掃描線的選擇信號(hào)，連接到所述第一掃描線的諸像素電路的第一個(gè)像素電路的所述第一和第二開關(guān)之一被開啟，且其中，響應(yīng)于用于控制連接到所述第二掃描線的諸像素電路的第二像素電路的操作的第一控制信號(hào)，所述第一和第二開關(guān)中的另一個(gè)被開啟。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二像素電路進(jìn)一步包括第三開關(guān)，所述第三開關(guān)連接在所述發(fā)光元件和所述第一晶體管之間且阻塞來自所述第一晶體管的電流輸出，所述第三開關(guān)響應(yīng)于所述第一控制信號(hào)而運(yùn)行。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，在所述第一掃描線的選擇信號(hào)被提供給所述第一像素電路時(shí)所述第一控制信號(hào)關(guān)閉所述第三開關(guān)。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述第三開關(guān)具有不同于所述第一和第二開關(guān)中響應(yīng)所述第一控制信號(hào)而開啟的另一個(gè)的溝道類型的溝道類型。
5.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述存儲(chǔ)元件包括第一電容器和串連到所述第一電容器的第二電容器，該第一電容器充入對(duì)應(yīng)于所述第一晶體管的閾值電壓的電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述第一和第二電容器連接在所述第一晶體管的柵極和源極之間，且所述第一像素電路進(jìn)一步包括響應(yīng)于第二控制信號(hào)而以二極管方式連接所述第一晶體管的第四開關(guān)和與所述第一電容器并聯(lián)且響應(yīng)于所述第二控制信號(hào)而被開啟的第五開關(guān)。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中所述第二控制信號(hào)為來自鄰近所述第一掃描線的第三掃描線的選擇信號(hào)。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，在所述第一和第三掃描線的選擇信號(hào)被提供給所述第一像素電路時(shí)所述第一控制信號(hào)關(guān)閉所述第三開關(guān)。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線絕緣。
10.一種顯示裝置，其具有多個(gè)包括相應(yīng)發(fā)光元件的像素區(qū)域，所述像素區(qū)域的每一個(gè)包括在第一方向延伸的第一電極，所述第一電極用于施加選擇信號(hào)；在第一方向延伸的第二電極，所述第二電極用于施加控制信號(hào)；在第二方向延伸的數(shù)據(jù)電極，所述數(shù)據(jù)電極與所述第一和第二電極相交，所述數(shù)據(jù)電極與所述第一和第二電極絕緣并施加表達(dá)圖像的數(shù)據(jù)信號(hào)；以及所述諸像素區(qū)域的第一像素區(qū)域的第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層與所述諸像素區(qū)域中鄰接所述第一像素區(qū)域的第二像素區(qū)域的所述第一電極和第二電極相交，所述第一半導(dǎo)體層與所述第一和第二電極絕緣，所述第一半導(dǎo)體層的一端通過一接觸孔電連接至所述數(shù)據(jù)電極，其中所述發(fā)光顯示裝置包括至少一個(gè)第一晶體管，所述至少一個(gè)第一晶體管包括所述第一半導(dǎo)體層的所述一端，所述第一半導(dǎo)體層的所述一端為所述至少一個(gè)第一晶體管的漏極或源極，所述第一和第二電極為一個(gè)或更多晶體管的柵極。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包括與所述第二電極絕緣的第二半導(dǎo)體層和第二晶體管，所述第二晶體管包括所述第二半導(dǎo)體層的一端，所述第二半導(dǎo)體層的所述一端為所述第二晶體管的漏極，所述第二電極為所述第二晶體管的柵極，所述第二半導(dǎo)體層的所述一端通過第二接觸孔連接到所述發(fā)光元件的一個(gè)電極。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中鄰近所述第一像素區(qū)域的第二像素區(qū)域的所述第一電極設(shè)置得非常接近所述第一像素區(qū)域的第二電極。
13.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述第一和第二半導(dǎo)體層分別形成具有不同溝道類型的晶體管。
14.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中所述第一和第二電極充當(dāng)所述至少一個(gè)第一晶體管的柵極。
15.一種顯示裝置，其包括多個(gè)施加選擇信號(hào)的掃描線、多個(gè)施加數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線和多個(gè)分別連接到所述掃描線和數(shù)據(jù)線的像素電路，所述諸像素電路的第一像素電路包括發(fā)光元件，用于發(fā)出對(duì)應(yīng)于施加于其上的電流的光；第一晶體管，其包括第一電極、連接到所述第一電極的第二電極和連接到第一開關(guān)的第三電極，所述第一晶體管輸出所施加的電流，所述所施加的電流對(duì)應(yīng)于跨所述第一和第二電極施加到所述第三電極的電壓；第一開關(guān)，其響應(yīng)于第一控制信號(hào)以二極管方式連接到所述第一晶體管；第一電容器，其具有連接到所述第一晶體管的第二電極的第一電容器電極和第二電容器電極；第二電容器，其連接在所述第一晶體管的第一電極和所述第一電容器的第二電容器電極之間；第二開關(guān)，其響應(yīng)于所述第一控制信號(hào)被開啟，以將所述第一電容器的第二電容器電極電連接到電源上；第二晶體管，其響應(yīng)于所述諸掃描線的相應(yīng)掃描線的選擇信號(hào)，提供一被施加到所述諸數(shù)據(jù)線中相應(yīng)的數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號(hào)；以及第三晶體管，其響應(yīng)第二控制信號(hào)，將所述第二晶體管所提供的數(shù)據(jù)信號(hào)提供到時(shí)第一電容器的第二電容器電極。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中所述第二控制信號(hào)為來自鄰近所述第一像素電路的所述諸像素電路的第二像素電路的掃描線的選擇信號(hào)。
17.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包括第三開關(guān)，該第三開關(guān)用于阻塞響應(yīng)于第三控制信號(hào)提供給所述發(fā)光元件的電流。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中，在施加來自所述第一像素電路的掃描線和所述第二像素電路的掃描線的選擇信號(hào)時(shí)，所述第三控制信號(hào)關(guān)閉所述第三開關(guān)。
19.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述第三開關(guān)具有不同于所述第二晶體管的溝道類型的溝道類型。
20.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述第二控制信號(hào)為所述第二像素電路的第三控制信號(hào)。
21.如權(quán)利要求20所述的顯示裝置，其中所述第二像素電路的第三控制信號(hào)用于阻塞提供給所述第二像素電路的發(fā)光元件的電流。
22.一種顯示裝置，其包括掃描線，用于施加選擇信號(hào)；控制線，用于施加控制信號(hào)；數(shù)據(jù)線，用于施加數(shù)據(jù)信號(hào)，所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線和控制線相交；串連到所述數(shù)據(jù)線的第一和第二晶體管；存儲(chǔ)元件，用于在所述第一和第二晶體管開啟時(shí)存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于來自所述數(shù)據(jù)線通過所述第一和第二晶體管所施加的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓；第三晶體管，其用于輸出對(duì)應(yīng)于在所述存儲(chǔ)元件中所存電壓的電流；以及第一發(fā)光元件，其用于發(fā)出對(duì)應(yīng)于來自所述第三晶體管的輸出電流的光，其中，所述第一晶體管連接到所述掃描線，且響應(yīng)于來自所述掃描線的選擇信號(hào)而被開啟，且所述第二晶體管響應(yīng)于來自所述控制線的控制信號(hào)而被開啟。
23.如權(quán)利要求22所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包括鄰近所述第一發(fā)光元件的第二發(fā)光元件，其中所述控制信號(hào)進(jìn)一步控制第四晶體管的運(yùn)行，以防止漏電流到達(dá)所述第二發(fā)光元件。
24.如權(quán)利要求22所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包括串連到所述存儲(chǔ)元件且用于補(bǔ)償閾值電壓偏差的補(bǔ)償裝置。
25.一種像素電路，其包括第一和第二開關(guān)晶體管，用于從數(shù)據(jù)線施加數(shù)據(jù)信號(hào)且用于阻塞來自所述數(shù)據(jù)線的漏電流；存儲(chǔ)電容器，用于在所述第一和第二晶體管開啟時(shí)存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于來自所述數(shù)據(jù)線通過所述第一和第二晶體管所施加的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓；驅(qū)動(dòng)晶體管，其用于輸出對(duì)應(yīng)于在所述存儲(chǔ)元件中所存電壓的電流；以及第一發(fā)光元件，其用于顯示對(duì)應(yīng)于來自所述驅(qū)動(dòng)晶體管的輸出電流的信息，其中所述第一開關(guān)晶體管響應(yīng)于來自掃描線的選擇信號(hào)而被開啟且所述第二開關(guān)晶體管響應(yīng)于來自控制線的控制信號(hào)而被開啟。
26.如權(quán)利要求25所述的像素電路，其中所述控制信號(hào)進(jìn)一步控制一用于阻塞鄰近所述像素電路的另一電路的漏電流的操作。
27.如權(quán)利要求26所述的像素電路，其中所述另一個(gè)像素電路包括第三開關(guān)晶體管和第二發(fā)光元件，其中所述控制信號(hào)控制所述第三開關(guān)晶體管的操作，且其中所述第三開關(guān)晶體管用于阻塞漏電流防止其到達(dá)所述第二發(fā)光元件。
28.如權(quán)利要求25所述的像素電路，其進(jìn)一步包括串連到所述存儲(chǔ)電容器的補(bǔ)償電容器，其用于向來自所述驅(qū)動(dòng)晶體管的輸出電流提供均勻效果。
全文摘要
一種發(fā)光顯示裝置包括利用響應(yīng)于控制信號(hào)的開關(guān)傳送數(shù)據(jù)信號(hào)的一像素電路。該發(fā)光顯示裝置的像素電路包括串連到數(shù)據(jù)線的第一和第二開關(guān)晶體管。響應(yīng)于通過第一和第二開關(guān)晶體管來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)，電容器被充以電荷。驅(qū)動(dòng)晶體管輸出對(duì)應(yīng)于電容器中的電荷的電流。發(fā)光二極管發(fā)出對(duì)應(yīng)于該電流的光。第一和第二開關(guān)晶體管之一響應(yīng)于來自第一掃描線的選擇信號(hào)而開啟且另一個(gè)響應(yīng)于用于控制第二像素電路的操作的控制信號(hào)而開啟。
文檔編號(hào)H05B33/14GK1667681SQ20051005430
公開日2005年9月14日 申請日期2005年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月9日
發(fā)明者金陽完, 郭源奎 申請人:三星Sdi株式會(huì)社