專利名稱：用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底和使用其制造的有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
相關(guān)申請的交互參考本申請要求于2004年9月8日申請的韓國專利申請No.2004-71882的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，在此包含其公開所涉及的全部內(nèi)容。
發(fā)明
背景技術(shù)：
領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種用于激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)法的供體(donor)襯底和一種使用其制造的有機(jī)場致發(fā)光(EL)顯示設(shè)備，尤其涉及一種用來形成一有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備的有機(jī)層的供體襯底，和一種使用其制造的有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備。
相關(guān)技術(shù)描述通常，有機(jī)場致發(fā)光(EL)顯示設(shè)備包含不同的層例如陽極、陰極、空穴(hole)注入(injection)層、空穴轉(zhuǎn)移(transport)層、發(fā)射層、電子轉(zhuǎn)移層、電子注入層等。
把有機(jī)EL顯示設(shè)備根據(jù)材料分成聚合物設(shè)備和小分子有機(jī)EL設(shè)備。在小分子設(shè)備的情況下，由一真空沉積過程引入各層。在聚合物有機(jī)EL顯示設(shè)備的情況下，通過一旋轉(zhuǎn)涂覆(spin coating)過程制造EL元件。
在單色顯示設(shè)備的情況下，通過旋轉(zhuǎn)涂覆過程可以容易地制造聚合物有機(jī)EL顯示設(shè)備，并且與小分子有機(jī)EL顯示設(shè)備相比以相當(dāng)?shù)偷碾妷候?qū)動，但是效率和使用壽命降低。另一方面，在全色顯示設(shè)備的情況下，應(yīng)該分別使紅、綠和藍(lán)聚合物形成圖案(pattern)。然而，噴墨(ink jet)法或激光誘導(dǎo)熱成像法不是最好的，因?yàn)樗鼡p壞有機(jī)EL顯示設(shè)備的發(fā)光特性諸如效率、使用壽命等。
特別是，通過激光誘導(dǎo)熱成像法使大多數(shù)單聚合物材料幾乎不能轉(zhuǎn)移(transfer)。在韓國專利No.1998-51844，和美國專利Nos.5998085、6214520和6114088中公開了各種方法用以使利用激光誘導(dǎo)熱成像法的聚合物有機(jī)EL顯示設(shè)備形成圖案(pattern)。
激光誘導(dǎo)熱成像法需要至少一個(gè)光源、一轉(zhuǎn)移膜和一襯底，其中，將從該光源發(fā)射的光在轉(zhuǎn)移膜的光吸收層吸收并轉(zhuǎn)換成熱能，以便該熱能轉(zhuǎn)移材料用以形成從轉(zhuǎn)移膜到襯底的轉(zhuǎn)移層，因而形成一幅所需的圖像(參考美國專利Nos.5220384、5256506、5278023和5308737)。
這樣的激光誘導(dǎo)熱成像法已經(jīng)在制造液晶顯示設(shè)備的顏色過濾器(filter)中使用，或使一種EL材料形成圖案(參考美國專利Nos.5998085)。
美國專利Nos.5937272涉及一種在全色有機(jī)EL顯示設(shè)備中形成高質(zhì)量圖案的有機(jī)層的方法，其中有機(jī)EL材料使用涂覆了可轉(zhuǎn)移材料的供體支持體(support)。在該方法里，將供體支持體加熱以轉(zhuǎn)移該有機(jī)EL材料到對應(yīng)于所希望的較低像素的襯底的凹入部分，其中，提供該凹入部分是用來形成一有色有機(jī)EL介質(zhì)(medium)的。此時(shí)，通過施加熱或光到該供體支持體以氣化該有機(jī)EL材料完成轉(zhuǎn)移，因而轉(zhuǎn)移其到像素。
美國專利Nos.5688551涉及一種在每一像素區(qū)域中形成子像素的方法，其中，將有機(jī)EL材料從供體板(sheet)轉(zhuǎn)移到接收板，因而形成子像素。此時(shí)，在大約400℃或更低的低溫下進(jìn)行該轉(zhuǎn)移，將升華的有機(jī)EL材料從供體板轉(zhuǎn)移到接收板，因而形成子像素。
圖1是普通全色有機(jī)EL顯示設(shè)備的截面圖。
參考圖1，將第一電極200在絕緣襯底100上形成圖案。在底發(fā)射(bottomemitting)結(jié)構(gòu)的情況下，第一電極200由透明電極形成，而在頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的情況下第一電極200由包含一反射層的導(dǎo)電金屬層形成。
然后，將一像素限定層(PDL)300在第一電極200上形成以限定一個(gè)像素區(qū)域，該像素限定層由絕緣發(fā)射層的絕緣材料制成。
然后，將包含紅、綠和藍(lán)有機(jī)發(fā)射層R、G和B的有機(jī)層33在像素限定層300限定的像素區(qū)域形成。除了有機(jī)發(fā)射層之外，有機(jī)層33還可以包含空穴注入層、空穴轉(zhuǎn)移層、空穴阻塞(blocking)層、電子轉(zhuǎn)移層和電子注入層的至少一層。此處，可以使用聚合物和小分子材料來形成有機(jī)發(fā)射層。
然后，將第二電極400在有機(jī)層33上形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O200為透明電極時(shí)，第二電極400由包含反射層的導(dǎo)電金屬層形成，當(dāng)?shù)谝浑姌O200是包含反射層的導(dǎo)電金屬層時(shí)，第二電極400由透明電極形成。然后，封裝有機(jī)EL顯示設(shè)備，由此完成有機(jī)EL顯示設(shè)備。
另外，當(dāng)將發(fā)射層以常規(guī)的激光誘導(dǎo)熱成像法形成時(shí)，如圖2所示，常規(guī)的用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底34包含基膜31、光—熱轉(zhuǎn)換層32和轉(zhuǎn)移層33，還可以包含一緩沖(buffer)層(未示出)。
其間，美國專利Nos.5981136、6461793、6099994在光熱-轉(zhuǎn)換層32和轉(zhuǎn)移層33之間使用一緩沖層或中間層，以防止污染物從光熱轉(zhuǎn)換層32向有機(jī)轉(zhuǎn)移層33轉(zhuǎn)移，其中，該緩沖層或中間層包含一金屬層。然而，以前的專利沒有劃分聚合物和小分子材料，以致在使用小分子材料時(shí)出現(xiàn)下面的問題。
圖3表示常規(guī)供體襯底的轉(zhuǎn)移模型。參考圖3，當(dāng)使用激光束將光—熱轉(zhuǎn)換層32擴(kuò)展時(shí)，也使轉(zhuǎn)移層33擴(kuò)展并與供體襯底分離，因而被轉(zhuǎn)移到有機(jī)EL顯示設(shè)備的襯底上。
然而，當(dāng)使用小分子材料作為常規(guī)供體襯底的轉(zhuǎn)移層33時(shí)，損壞了供體襯底表面和小分子材料轉(zhuǎn)移層33之間的粘合力，以致在層壓過程期間，使有機(jī)EL顯示設(shè)備的襯底沾染了供體襯底上的有機(jī)小分子材料。因此，有害的有機(jī)小分子材料沾染了激光束不轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移層33，因而直接損壞了顯示設(shè)備的性能。
圖4是表示通過把常規(guī)供體襯底的激光誘導(dǎo)熱成像法用到小分子材料上所得到的圖。
參考圖4，襯底100的整個(gè)表面被轉(zhuǎn)移的小分子材料沾染，以致難區(qū)分地限定像素。
發(fā)明簡介因此，本發(fā)明解決與常規(guī)顯示設(shè)備相關(guān)的上述問題，本發(fā)明在用激光誘導(dǎo)熱成像法形成發(fā)射層時(shí)，通過提供用于能夠在非轉(zhuǎn)移區(qū)域外轉(zhuǎn)移的激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底，制造有機(jī)EL顯示設(shè)備。
在本發(fā)明的一個(gè)典型實(shí)施例中，用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底包括一基膜；一在該基膜上形成的光—熱轉(zhuǎn)換層；一在該光—熱轉(zhuǎn)換層整個(gè)表面上形成的緩沖層；一在該緩沖層上形成的金屬層；和一由有機(jī)材料形成的轉(zhuǎn)移層并在該金屬層上形成。
在本發(fā)明的另一典型實(shí)施例中，用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底包括一基膜；一光—熱轉(zhuǎn)換層；一緩沖層和一轉(zhuǎn)移層，其中將用于改進(jìn)該緩沖層表面的改良層插入在該緩沖層和該轉(zhuǎn)移層之間。


下面參考附圖通過某些實(shí)施例描述本發(fā)明的上面和其它特征，其中圖1是一般全色有機(jī)EL顯示設(shè)備的截面圖；圖2是表示常規(guī)的用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底結(jié)構(gòu)的截面圖；圖3表示包含小分子轉(zhuǎn)移層的常規(guī)供體襯底的轉(zhuǎn)移模型；圖4是表示使用常規(guī)供體襯底，通過把激光誘導(dǎo)熱成像法應(yīng)用到小分子材料上得到的圖像照片；圖5表示采用本發(fā)明的一激光束，把有機(jī)EL顯示設(shè)備中使用的有機(jī)發(fā)射層進(jìn)行轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移機(jī)制；圖6是表示本發(fā)明第一實(shí)施例用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底的截面圖；圖7是本發(fā)明第二實(shí)施例用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底的截面圖；圖8表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例使用一供體襯底的方法；圖9是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例通過使用供體襯底，將激光誘導(dǎo)熱成像法用到小分子材料上得到的圖像照片；圖10是表示通過分別使用常規(guī)供體襯底和根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的供體襯底轉(zhuǎn)移小分子材料而制造的有機(jī)EL顯示設(shè)備的電壓-亮度(voltage-brightness)特性圖；圖11是表示通過分別使用常規(guī)供體襯底和根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的供體襯底轉(zhuǎn)移小分子材料而制造的有機(jī)EL顯示設(shè)備的亮度—效率(brightness-efficiency)特性圖。
發(fā)明詳述現(xiàn)在將要結(jié)合附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中表示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式包含而不應(yīng)認(rèn)為本發(fā)明限于此處所列舉的實(shí)施例。相反，提供的這些實(shí)施例對本領(lǐng)域技術(shù)人員的公開是詳盡和完全的，并將充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在圖中，為了清晰而放大了層的厚度和區(qū)域，在整個(gè)說明書中類似的附圖標(biāo)記指類似的元件。
圖5表示用于轉(zhuǎn)移本發(fā)明有機(jī)EL顯示設(shè)備中的有機(jī)發(fā)射層的轉(zhuǎn)移機(jī)制。
通常，用激光使有機(jī)層轉(zhuǎn)移和形成圖案(pattern)的機(jī)制如下。如圖5所示，用激光使附著在襯底S1上的有機(jī)層S2與襯底S1分離，并轉(zhuǎn)移到襯底S3上以與一不受激光束影響的區(qū)域分離。
作為影響轉(zhuǎn)移特性的一個(gè)因素是襯底S1和有機(jī)層S2之間有第一附著力W12、有機(jī)層S2本身的內(nèi)聚力(cohesion)W22和在有機(jī)層S2和襯底S3之間的第二附著力W23。
下面可以用表面張力γ1、γ2和γ3和面間(interfacial)張力γ12和γ23表示第一附著力、內(nèi)聚力和第二附著力。
W12＝γ1+γ2-γ12W22＝2γ2W23＝γ2+γ3-γ23為了提高轉(zhuǎn)移特性，內(nèi)聚力應(yīng)該小于每個(gè)的第一附著力和第二附著力。
通常，有機(jī)EL顯示設(shè)備的每層均由有機(jī)材料形成。在使用小分子材料的情況下，第一和第二附著力大于內(nèi)聚力，以便將EL材料從供體襯底34轉(zhuǎn)移到有機(jī)EL顯示設(shè)備，因而引起大規(guī)模的轉(zhuǎn)移并形成發(fā)射層的精致圖案。通過這一轉(zhuǎn)移，可以使發(fā)射層細(xì)致地形成圖案和降低不同心度(misalignment)。
圖6是本發(fā)明第一實(shí)施例的用于激光誘導(dǎo)熱成像法的小分子供體襯底結(jié)構(gòu)的截面圖。
參考圖6，供體襯底34包括基膜31、在基膜31上形成的光—熱轉(zhuǎn)換層32、在基膜31整個(gè)表面上形成的光—熱轉(zhuǎn)換層32之上的緩沖層35、在緩沖層35的整個(gè)表面上形成的金屬層36和由有機(jī)材料形成并在金屬層36上形成的轉(zhuǎn)移層33，它們依次疊加。
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，將小分子有機(jī)材料用作有機(jī)材料，其中小分子有機(jī)材料形成空穴轉(zhuǎn)移層、空穴注入層、發(fā)射層、空穴阻塞(blocking)層、電子轉(zhuǎn)移層和電子注入層的至少一層。
在將小分子有機(jī)材料用作有機(jī)材料的情況下，小分子有機(jī)EL層可以由如下化學(xué)式1到4表示的材料形成；或使用磷光性摻雜物(dopant)例如從一組包含Ir、Pt、Eu和Tb中選擇的一種有機(jī)金屬合成物的小分子磷光(phosphorescent)材料，該小分子磷光材料能夠結(jié)合發(fā)光主材料諸如基于咔唑的(carbazole-based)，基于芳基胺的(arylamine-based)、基于腙的(hydrazone-based)、基于1，2二苯乙烯的(stilbene-based)、基于行，星形爆炸式(starburst-based)和基于噁二唑的(oxadiazole-based)材料發(fā)射三重態(tài)(triplet state)磷光。
[化學(xué)式2] [化學(xué)式4] 此時(shí)，使用典型的涂覆法將轉(zhuǎn)移層33形成為100到50000的厚度，例如，擠壓成形(extrusion)、旋轉(zhuǎn)(spin)、刮刀涂覆(knife coating)、真空沉積、化學(xué)氣體沉積等。
同時(shí)，圖6所示的供體襯底的膜結(jié)構(gòu)可以根據(jù)使用情況改變。例如，還可以在光—熱轉(zhuǎn)換層下形成氣體產(chǎn)生層(未示出)以提高膜的靈敏度，可以將緩沖層(未示出)插在金屬層36和轉(zhuǎn)移層33之間。
基膜31由透明的聚合物制成，例如聚對苯二酸乙二醇酯的聚酯；聚丙烯酸；聚環(huán)氧乙烷；聚乙烯；聚苯乙烯等。它們之中，聚對苯二甲酸乙二醇酯作為基膜31是最常使用的。優(yōu)選地，基膜31具有10到500μm的厚度。在此，基膜31作為支持(support)膜起作用。另外，基膜31可以包含多種合成物。
光—熱轉(zhuǎn)換層32由能吸收紅外到可見光的吸光材料形成，該層是包含激光吸收材料的有機(jī)層、金屬層及其化合層之一。
作為具有上述特性的膜，存在一包含金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、炭黑、石墨或紅外染料的聚合物有機(jī)層。
在此，金屬包括具有光學(xué)密度0.2到0.3的Al、Sn、Ni、Ti、Co、Zn、Pb等，金屬氧化物和硫化物包括該金屬的氧化物和硫化物。優(yōu)選地，聚合物有機(jī)層包含Al或氧化鋁。
包含炭黑、石墨或紅外染料的聚合物有機(jī)層，由包含顏料例如色劑、染料(dye)等的聚合物粘合(binding)樹脂和分散介質(zhì)制成。在此，聚合物粘合樹脂包括單獨(dú)的(甲基)丙烯酸酯低聚體例如丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯低聚體、酯(ester)-(甲基)丙烯酸酯低聚體、環(huán)氧-(甲基)丙烯酸酯低聚體、聚氨酯-(甲基)丙烯酸酯低聚體或類似物。另外，聚合物粘合樹脂可以包含上述低聚體和(甲基)丙烯酸酯單體的混合物，或只有(甲基)丙烯酸酯單體。此外，炭黑或石墨還優(yōu)選地具有0.5μm或更小的直徑和0.5到4的光密度。
同時(shí)，當(dāng)光熱轉(zhuǎn)換層32過薄時(shí)，其能量吸收率降低，以致使從光能轉(zhuǎn)變成熱能降低，因而張力降低。此外，經(jīng)過光熱轉(zhuǎn)換層32傳輸?shù)哪芰吭黾樱蚨鴵p壞有機(jī)EL顯示設(shè)備的電路。
并且，在由激光束的能量將轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移和擴(kuò)展時(shí)，為了降低轉(zhuǎn)移層的曲率半徑，應(yīng)該使轉(zhuǎn)移層保持具有預(yù)定的厚度或更短，因而防止由于有機(jī)EL顯示設(shè)備的像素限定層的步驟造成的邊緣開口缺陷。
另一方面，當(dāng)光熱轉(zhuǎn)換層32過厚時(shí)，激光束不能均勻地傳送光—熱轉(zhuǎn)換層32，因而損壞了轉(zhuǎn)移特性。尤其是，當(dāng)形成的光—熱轉(zhuǎn)換層32過厚時(shí)，在膜和襯底之間的內(nèi)聚力，在限定有機(jī)EL顯示設(shè)備的像素限定層的步驟中變差，以致將類似地引起邊緣開口缺陷。
因此，在光—熱轉(zhuǎn)換層32由金屬，金屬氧化物或金屬硫化物制成的情況下，使用真空沉積法、電子束沉積法或噴鍍法將光—熱轉(zhuǎn)換層32形成為100到5000的厚度。此外，在光—熱轉(zhuǎn)換層32由有機(jī)層制成的情況下，通過擠壓成型、旋轉(zhuǎn)、刮刀涂覆、真空沉積、化學(xué)氣體沉積等將光熱轉(zhuǎn)換層32形成為0.1到1μm的厚度。
此外，在氣體產(chǎn)生層通過吸收光或熱引起分解反應(yīng)時(shí)，為產(chǎn)生氮?dú)狻錃獾忍峁┺D(zhuǎn)移能量。在此，氣體產(chǎn)生層可以由選自季戊四醇四硝酸酯(PETN)，三硝基甲苯(TNT)等材料制成。
可以將緩沖層35在光—熱轉(zhuǎn)換層32之上形成。形成緩沖層35以提高光熱轉(zhuǎn)換層32和金屬層36之間的面間特性。在此，可以將緩沖層35由金屬氧化物、金屬硫化物、非金屬無機(jī)合成物或有機(jī)材料形成，其中，金屬氧化物等通過在形成金屬層后的金屬層的表面氧化形成，或通過一獨(dú)立的過程形成。此外，還可以通過涂覆一惰性聚合物或通過沉積一小分子材料形成有機(jī)材料。優(yōu)選地，緩沖層35具有0.01到2μm的厚度。
同時(shí)，在緩沖層35上、遍及基膜形成的金屬層36包含具有20％或更低激光傳輸率的金屬。此外，通過真空沉積法、電子束沉積法或噴鍍法使形成的金屬層36具有1μm或更低的厚度。在此，當(dāng)金屬層36過厚時(shí)，金屬層36在光—熱轉(zhuǎn)換層32擴(kuò)展時(shí)幾乎不會擴(kuò)展，因而損壞了轉(zhuǎn)移特性。因此，確定金屬層36的厚度，只要它可以防止激光束的光能和光—熱轉(zhuǎn)換層32的熱能轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移層33并防止轉(zhuǎn)移層33熱變形即可。
此時(shí)，金屬層36提高了小分子轉(zhuǎn)移層33和供體襯底34之間的粘合力，從而防止小分子轉(zhuǎn)移層33不被從起始區(qū)域向轉(zhuǎn)移層33的轉(zhuǎn)移。
金屬層36可以包括Al，Ag，Cr，Sn，Ni，Ti，Co，Zn，Au，Cu，W，Mo和Pb中的一種，優(yōu)選地包含Al或Ag。
圖7是本發(fā)明第二實(shí)施例的用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底的截面圖。
參考圖7，本發(fā)明第二實(shí)施例的供體襯底34包括基膜31、光—熱轉(zhuǎn)換層32、緩沖層35、轉(zhuǎn)移層33，還包括在緩沖層35和轉(zhuǎn)移層33之間形成的改性層36’以改善緩沖層35的表面。
根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例，轉(zhuǎn)移層33包含小分子有機(jī)材料，其中小分子有機(jī)材料形成空穴轉(zhuǎn)移層、空穴注入層、發(fā)射層、空穴阻塞層、電子轉(zhuǎn)移層和電子注入層中的至少一層。
在將小分子有機(jī)材料用作有機(jī)材料的情況下，可以使小分子有機(jī)EL層由如下化學(xué)式1到4表示的材料形成；或使用磷光性摻雜物的小分子磷光(phosphorescent)材料，磷光性摻雜物例如選自包含Ir、Pt、Eu和Tb一組的一種有機(jī)金屬合成物，該小分子磷光材料能夠結(jié)合發(fā)光主材料諸如基于咔唑(carbazole-based)、基于芳基胺(arylamine-based)、基于腙(hydrazone-based)、基于1，2二苯乙烯(stilbene-based)、基于星形爆炸式(starburst-based)和基于噁二唑(oxadiazole-based)材料的發(fā)射三重態(tài)(triplet state)的磷光。
[化學(xué)式2] [化學(xué)式3] 此時(shí)，使用擠壓成形(extrusion)、旋轉(zhuǎn)(spin)、刮刀涂覆(knife coating)，真空沉積、化學(xué)氣體沉積等使轉(zhuǎn)移層33形成為100到50000A的厚度。
改性層36’可以由有機(jī)材料無機(jī)材料或金屬形成，只要它可以提高小分子轉(zhuǎn)移層33和供體襯底34之間的面間特性，尤其是，其間的內(nèi)聚力即可。
改性層36’包含Al，Ag，Cr，Sn，Ni，Ti，Co，Zn，Au，Cu，W，Mo，Pb和它們的氧化物中的一種，優(yōu)選地包含Al或Ag。
改性層36’的厚度可以根據(jù)使用的材料改變。然而，考慮到激光束的傳輸率、轉(zhuǎn)移模式特性等，改性層36’優(yōu)選地具有1μm或更低的厚度。
通過用與第一實(shí)施例的相同材料和方法形成第二實(shí)施例的其它構(gòu)造。
因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底使有機(jī)EL顯示設(shè)備容易地具有精致圖案，尤其是在有機(jī)EL顯示設(shè)備包含小分子有機(jī)材料制成的EL元件的情況下更是如此。
在下文，將參照圖8描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例使用供體襯底形成小分子有機(jī)薄膜的精致圖案的方法。在下面的描述中，將根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的供體襯底應(yīng)用到有機(jī)EL顯示設(shè)備中進(jìn)行描述，但不限于此而是可以變化。
圖8是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例使用一供體襯底的轉(zhuǎn)移方法的簡圖。首先，將一透明電極層200在透明襯底100上形成。分別提供有包含光—熱轉(zhuǎn)換層32、緩沖層35、金屬層36和基膜31的供體襯底34；和在供體襯底34上形成的轉(zhuǎn)移層33。
通過用形成小分子有機(jī)薄層的材料涂覆供體襯底34而構(gòu)成轉(zhuǎn)移層33。此時(shí)，為了提高各種特性，小分子材料可以包含有預(yù)定含量的附加物。例如，可以添加摻雜物到轉(zhuǎn)移層33中，以提高發(fā)射層的效率。如上所述，可以通過擠壓成形、旋轉(zhuǎn)和刮刀涂覆法形成轉(zhuǎn)移層33。
如上所述，在必要時(shí)可以用小分子有機(jī)材料由單一層或至少兩層形成轉(zhuǎn)移層33。
然后，將供體襯底34以預(yù)定的間距布置在具有透明電極層200的襯底100上，并將能源57施加到供體襯底34上。
由轉(zhuǎn)移裝置傳至基膜31的能源57，激活光—熱轉(zhuǎn)換層32，因此，通過高溫分解反應(yīng)使光—熱轉(zhuǎn)換層32發(fā)熱。
然后，供體襯底34的光—熱轉(zhuǎn)換層32由于發(fā)出的熱而擴(kuò)展，以致使轉(zhuǎn)移層33從襯底34分離，并轉(zhuǎn)移到在有機(jī)EL顯示設(shè)備襯底100上形成的像素限定層所限定的像素區(qū)域上，因而以一理想的圖案和理想的厚度形成發(fā)射層。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以使用金屬層36或改性層36’以提高供體襯底34和小分子轉(zhuǎn)移層33之間的面間特性，尤其是其間的粘合力，因而防止小分子材料沾染有機(jī)EL顯示設(shè)備100的襯底100，同時(shí)小分子材料由激光束轉(zhuǎn)移。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以將激光、氙氣燈、閃光燈或類似物用作能源。在它們之中，從轉(zhuǎn)移效果看，激光是極好的。此時(shí)，激光是固體、氣體、半導(dǎo)體、染料等普通激光。此外，激光束可以具有各種形狀例如圓形等。
完成轉(zhuǎn)移過程后，進(jìn)行一退火(annealing)過程，例如熱處理過程把轉(zhuǎn)移的材料凝固和固定。
在此，可以將轉(zhuǎn)移過程進(jìn)行一次或多次。也就是說，為了使小分子有機(jī)層具有一理想的厚度，可以將轉(zhuǎn)移過程進(jìn)行一次或多次。優(yōu)選地，考慮到過程的便利性和穩(wěn)定性，將轉(zhuǎn)移過程進(jìn)行一次。
圖9是采用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的供體襯底，通過將激光誘導(dǎo)熱成像法用到小分子材料上得到的圖案照片。
參考圖9，本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的供體襯底，允許襯底100的較低電極200上的小分子轉(zhuǎn)移材料清晰構(gòu)圖，因而清楚地限定像素區(qū)域。
圖10是通過分別使用常規(guī)供體襯底和本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的供體襯底轉(zhuǎn)移小分子材料而制造的有機(jī)EL顯示設(shè)備的電壓-亮度(voltage-brightness)特性圖。圖11是通過分別使用常規(guī)供體襯底和本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的供體襯底轉(zhuǎn)移小分子材料而制造的有機(jī)EL顯示設(shè)備的亮度—效率(brightness-efficiency)特性圖。
參考圖10和11，本發(fā)明制造的有機(jī)EL顯示器在電壓-亮度和亮度—效率特性上與常規(guī)有機(jī)EL顯示器相比是極好的。
如上所述，用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底包括在緩沖層和轉(zhuǎn)移層之間的改性層或金屬層，以便提高供體襯底和小分子材料之間的面間特性，因而，提高了轉(zhuǎn)移圖案和設(shè)備的性質(zhì)。
盡管已經(jīng)結(jié)合其某些典型實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到可以對本發(fā)明作各種修改和變化而不脫離在所附的權(quán)利要求等中所限定的本發(fā)明的精神或范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體(donor)襯底，其中包括基膜；在該基膜上形成的光—熱轉(zhuǎn)換層；在該光—熱轉(zhuǎn)換層整個(gè)表面上形成的緩沖(buffer)層；在該緩沖層上形成的金屬層；和由有機(jī)材料形成的并在該金屬層上形成的轉(zhuǎn)移(transfer)層。
2.如權(quán)利要求1所述的供體襯底，其中，該有機(jī)材料包含小分子有機(jī)材料。
3.如權(quán)利要求2所述的供體襯底，其中，該小分子有機(jī)材料包含小分子有機(jī)場致發(fā)光(electroluminescent)材料。
4.如權(quán)利要求3所述的供體襯底，其中，該小分子有機(jī)場致發(fā)光材料由以化學(xué)式1到4所表示的材料的一種形成；或使用一種選自包含Ir、Pt、Eu和Tb一組中的有機(jī)金屬合成物的小分子磷光(phosphorescent)材料，并結(jié)合選自基于咔唑(carbazole-based)、基于芳基胺(arylamine-based)、基于腙(hydrazone-based)、基于1，2二苯乙烯(stilbene-based)、基于星形爆炸式(starburst-based)和基于噁二唑(oxadiazole-based)一組材料中的一種發(fā)光主材料。[化學(xué)式1] [化學(xué)式2] [化學(xué)式3] [化學(xué)式4]
5.如權(quán)利要求1所述的供體襯底，其中，金屬層具有1μm或更少的厚度。
6.如權(quán)利要求1所述的供體襯底，其中，該金屬層相對于激光束的透射率為20％或更低。
7.如權(quán)利要求6所述的供體襯底，其中，該金屬層包括包含選自Al，Ag、Cr，Sn，Ni，Ti，Co，Zn，Au，Cu，W，Mo和Pb一組的一種。
8.如權(quán)利要求1所述的供體襯底，還包括一在光—熱轉(zhuǎn)換層下形成的氣體產(chǎn)生層。
9.一種用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底，包括一基膜；一光—熱轉(zhuǎn)換層；一緩沖層和一轉(zhuǎn)移層，其中，將用于該緩沖層表面改性的改性層插入在該緩沖層和該轉(zhuǎn)移層之間。
10.如權(quán)利要求9所述的供體襯底，其中，該轉(zhuǎn)移層由小分子有機(jī)材料層形成。
11.如權(quán)利要求10所述的供體襯底，其中，該小分子有機(jī)材料層包含小分子有機(jī)發(fā)射層。
12.如權(quán)利要求11所述的供體襯底，其中，該小分子有機(jī)發(fā)射層由以下化學(xué)式1到4所表示的一種材料的形成；或一種使用選自包含Ir、Pt、Eu和Tb一組中的有機(jī)金屬合成物的小分子磷光(phosphorescent)材料，并結(jié)合選自基于咔唑(carbazole-based)、基于芳基胺(arylamine-based)、基于腙(bydrazone-based)、基于1，2二苯乙烯(stilbene-based)、基于星形爆炸式(starburst-based)，和基于噁二唑的(oxadiazole-based)一組材料中的一種發(fā)光主材料。[化學(xué)式1] [化學(xué)式2] [化學(xué)式3] [化學(xué)式4]
13.如權(quán)利要求9所述的供體襯底，其中，該改性層相對于激光束的透射率為20％或更低。
14.如權(quán)利要求13所述的供體襯底，其中，該改性層由金屬形成。
15.如權(quán)利要求13所述的供體襯底，其中，該改性層由選自Al，Ag，Cr，Sn，Ni，Ti，Co，Zn，Au，Cu，W，Mo，Pb及它們的氧化物一組中的一種形成。
16.如權(quán)利要求9所述的供體襯底，其中，改性層具有1μm或更少的厚度。
17.一種使用如權(quán)利要求1所述的供體襯底制造的有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備。
18.一種使用如權(quán)利要求9所述的供體襯底制造的有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備。
全文摘要
提供一種用于激光誘導(dǎo)熱成像法的供體襯底和一種使用其制造的有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備。該供體襯底包括基膜；在該基膜上形成的光－熱轉(zhuǎn)換層；在該光熱轉(zhuǎn)換層整個(gè)表面上形成的緩沖層；在該緩沖層上形成的金屬層和由有機(jī)材料形成并在該金屬層上形成的轉(zhuǎn)移層，因而，通過使用該激光誘導(dǎo)熱成像法轉(zhuǎn)移小分子材料而提高轉(zhuǎn)移圖案的性質(zhì)。
文檔編號H05B33/22GK1747611SQ20041009545
公開日2006年3月15日 申請日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月8日
發(fā)明者宋明原, 鄭昊均, 李城宅, 金茂顯, 陳炳斗, 姜泰旻, 李在濠 申請人:三星Sdi株式會社