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一種混合集成電路組裝的球柵陣列引出方法

文檔序號(hào):8168718閱讀:230來源:國知局
專利名稱:一種混合集成電路組裝的球柵陣列引出方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種混合集成電路組裝的球柵陣列引出方法,該方法將傳統(tǒng)的混合電路組裝工藝與球柵陣列引出封裝形式相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了從四邊引線封裝到焊點(diǎn)陣列封裝的進(jìn)步。
背景技術(shù)
中國專利03154606.4公開一種半導(dǎo)體封裝件及用于封裝半導(dǎo)體的方法,該封裝件具有高可靠性。本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件包括第一襯底,在該第一襯底上形成有電路圖形和電極焊盤;第二襯底,該第二襯底粘結(jié)在第一襯底上并在該第二襯底上形成有孔;以及焊球,該焊球通過形成在第二襯底上的孔粘結(jié)在電極焊盤上。而且,第二襯底被用作焊料阻擋層。由此,因?yàn)榈谝灰r底和第二襯底由相同的材料形成,所以可以防止燒結(jié)時(shí)BGA封裝件開裂和產(chǎn)生不均勻。該發(fā)明是在一種陶瓷襯底上形成球柵陣列,而對(duì)厚膜電路和混合集成電路如何形成球柵陣列沒有提及。因此,需要提出一種混合集成電路組裝的球柵陣列引出方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種混合集成電路組裝的球柵陣列引出方法,該方法克服了現(xiàn)有的混合集成電路的四邊引線封裝技術(shù)不能滿足高密度引出腳數(shù)的不足,適應(yīng)高密度組裝的發(fā)展要求,將傳統(tǒng)的混合電路組裝工藝與球柵陣列引出封裝形式相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了從四邊引線封裝到焊點(diǎn)陣列封裝的進(jìn)步。
本發(fā)明的目的是由下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種混合集成電路組裝的球柵陣列引出方法,其特征在于A、采用氧化鋁陶瓷基片作為載體,用混合電路成膜工藝在所述陶瓷基片上生成厚膜;B、在所述陶瓷基片的焊盤處印刷焊錫膏或助焊膏;C、用攝子夾取或真空吸頭吸取錫球放置于已印刷好焊膏的焊盤處進(jìn)行植球;D、把植好錫球的所述陶瓷基片放入再流焊爐或其它加熱裝置上進(jìn)行錫球的焊接。
本發(fā)明的有益效果是將混合電路成膜工藝與球柵陣列(BGA)封裝技術(shù)相結(jié)合,大大提高了混合電路的組裝密度,實(shí)現(xiàn)了從四邊引線封裝到焊點(diǎn)陣列封裝的進(jìn)步,為電子產(chǎn)品的小型化又開辟了一條道路。
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。


圖1為厚膜工藝成膜的電阻網(wǎng)絡(luò)BGA封裝引出示意2為L(zhǎng)TCC工藝成膜基片的BGA封裝引出示意圖具體實(shí)施方式
實(shí)施例一一種混合集成電路組裝的球柵陣列引出方法,其具體操作步驟是A、采用氧化鋁陶瓷基片作為載體,用混合電路成膜工藝在所述陶瓷基片上生成厚膜,所述的混合電路成膜工藝是常規(guī)的工藝;B、在所述陶瓷基片的焊盤處印刷焊錫膏或助焊膏;C、用攝子夾取或真空吸頭吸取錫球放置于已印刷好焊膏的焊盤處進(jìn)行植球;D、把植好錫球的所述陶瓷基片放入再流焊爐或其它加熱裝置上進(jìn)行錫球的焊接。焊接時(shí)用普通的再流焊溫度曲線即可。
若對(duì)電路要求焊接外觀效果或精度較高,阻焊層的制作可以采用光刻工藝進(jìn)行,焊球可以選擇高溫錫球。
參見圖1及圖2,本實(shí)施例采用氧化鋁陶瓷基片作為載體,用混合電路成膜工藝成膜(厚膜工藝或LTCC工藝),外引出腳采用BGA焊球引出,即在陣列焊盤處植入錫球。為了保證焊接完成后錫球的一致性,可以選用高溫錫球。根據(jù)電路需求,BGA錫球可以焊接在電路基板的正面或背面。圖1及圖2只是簡(jiǎn)單列舉了在混合集成電路中BGA封裝引出的應(yīng)用實(shí)例,與此類似,其它的混合集成電路也能采用BGA方式引出,以提高布線密度,從而達(dá)到電子產(chǎn)品的小型化。
實(shí)施例一所述的方法適用于試驗(yàn)型或小批量,如果進(jìn)行較大規(guī)模的生產(chǎn)應(yīng)當(dāng)采用植球器植球,所述錫球是高溫錫球。
權(quán)利要求
1.一種混合集成電路組裝的球柵陣列引出方法,其特征在于A、采用氧化鋁陶瓷基片作為載體,用混合電路成膜工藝在所述陶瓷基片上生成厚膜;B、在所述陶瓷基片的焊盤處印刷焊錫膏或助焊膏;C、用攝子夾取或真空吸頭吸取錫球放置于已印刷好焊膏的焊盤處進(jìn)行植球;D、把植好錫球的所述陶瓷基片放入再流焊爐或其它加熱裝置上進(jìn)行錫球的焊接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合集成電路組裝的球柵陣列引出方法,其特征在于采用植球器植球,所述錫球是高溫錫球。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種混合集成電路組裝的球柵陣列引出方法,其特征在于A、采用氧化鋁陶瓷基片作為載體,用混合電路成膜工藝在所述陶瓷基片上生成厚膜;B、在所述陶瓷基片的焊盤處印刷焊錫膏或助焊膏;C、用鑷子夾取或真空吸頭吸取錫球放置于已印刷好焊膏的焊盤處進(jìn)行植球;D、把植好錫球的所述陶瓷基片放入再流焊爐或其它加熱裝置上進(jìn)行錫球的焊接。本發(fā)明將混合電路成膜工藝與球柵陣列(BGA)封裝技術(shù)相結(jié)合,大大提高了混合電路的組裝密度,實(shí)現(xiàn)了從四邊引線封裝到焊點(diǎn)陣列封裝的進(jìn)步,為電子產(chǎn)品的小型化又開辟了一條道路。
文檔編號(hào)H05K3/34GK1761041SQ200410081189
公開日2006年4月19日 申請(qǐng)日期2004年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月12日
發(fā)明者許國春, 賀志新 申請(qǐng)人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司
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