專利名稱：電致發(fā)光元件及電致發(fā)光元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及夾在一對(duì)電極間并形成有電致發(fā)光層的電致發(fā)光元件、及使用前述電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置。還涉及前述電致發(fā)光元件的制造方法。
背景技術(shù)：
以有機(jī)化合物為發(fā)光體而使用的電致發(fā)光元件具有薄型輕質(zhì)·高速應(yīng)答性·直流低壓驅(qū)動(dòng)、廣角等特性，作為新一代的平板顯示屏元件引人注目。
電致發(fā)光元件的發(fā)光機(jī)制為外加電壓于夾在一對(duì)電極間的電致發(fā)光層，由陰極和陽(yáng)極分別注入作為載流子的電子和空穴，它們于電致發(fā)光層內(nèi)的發(fā)光中心再結(jié)合而形成分子激發(fā)子后，恢復(fù)到基態(tài)時(shí)以光的形式放出能量。已知激發(fā)狀態(tài)有一重態(tài)和三重態(tài)之分，可由任何一種狀態(tài)來(lái)發(fā)光。
一般根據(jù)載流子的注入和再結(jié)合引起電致發(fā)光層的發(fā)光，因此高效化的關(guān)鍵在于平衡良好地注入電子和空穴。為此，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)為作為載流子再結(jié)合區(qū)域的電致發(fā)光層不為單層，而設(shè)有發(fā)光層、電子注入層、電子輸送層、空穴輸送層、空穴注入層等擔(dān)任不同職責(zé)的層。而且，由于可防止電極界面引起的分子激發(fā)子的消光，優(yōu)選在發(fā)光層和電極之間設(shè)置層。
現(xiàn)在，利用聚合物材料形成電致發(fā)光層時(shí)，利用旋涂法和噴墨法等濕法成膜。由于使用濕法層壓困難，也嘗試了適于層壓的其他工藝，但由于聚合物材料的分子量大，不可能進(jìn)行蒸鍍。于是，為了克服此問(wèn)題，嘗試了下述方法共蒸鍍作為其原料的1種以上的低分子材料(單體)，進(jìn)行真空中的加熱等處理，由此在其襯底上重合并形成膜(例如，參照非專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)1)。
(非專利文獻(xiàn)1)M Janke等，Synthetic Metals(2000)Vol.111-112，221-223(專利文獻(xiàn)1)
特開2000-150148號(hào)公報(bào)另一方面，低分子材料主要靠真空蒸鍍法來(lái)成膜。特別是金屬配合物的情況下，非晶性高，因此蒸鍍膜的膜質(zhì)好。但是，現(xiàn)在只限于可蒸鍍銅酞菁(下面簡(jiǎn)稱為CuPc)和三(8-羥基喹啉)鋁(下面簡(jiǎn)稱為Alq)等。多數(shù)物質(zhì)由于蒸發(fā)溫度高，在蒸發(fā)前就分解了。
例如，有報(bào)告指出中心金屬的配位數(shù)不飽和的金屬配合物即使發(fā)光特性良好，真空蒸鍍也有困難，不適用于電致發(fā)光元件(例如，非專利文獻(xiàn)2)。這些難于蒸鍍的物質(zhì)當(dāng)然無(wú)法利用蒸鍍成膜，而嘗試了向聚合物導(dǎo)入并旋涂等其他的近似法(例如，專利文獻(xiàn)2)。但是，這些金屬配合物一般多為缺乏溶解性的物質(zhì)。
(非專利文獻(xiàn)2)Yuji Hamada，IEEE Transactions on Electron Devices，(1997)Vol.44，1208-1217(專利文獻(xiàn)2)美國(guó)專利第5,529,853號(hào)說(shuō)明書期待著即使是缺乏升華性及溶解性的金屬配合物材料，也可以為熱穩(wěn)定性和熒光強(qiáng)度等物性良好、用于電致發(fā)光元件時(shí)特性非常優(yōu)良的物質(zhì)。因此，期待著不依賴常規(guī)技術(shù)的成膜法。

發(fā)明內(nèi)容
(發(fā)明要解決的課題)鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于，對(duì)于配合物狀態(tài)下蒸鍍或濕式涂布困難的材料，提出可形成含有其配合物薄膜的手段，提供使用此手段來(lái)制造的電致發(fā)光元件。
(解決課題的手段)雖然易于蒸鍍或濕式涂布的配合物材料少，但是作為其配合物原料的配體或金屬鹽中可容易蒸鍍的卻比較多。于是，本發(fā)明者考慮通過(guò)共蒸鍍本來(lái)作為金屬配合物原料的配體和金屬鹽，在襯底上形成配合物，得到含有其金屬配合物的膜。
在此，用于電致發(fā)光元件的金屬配合物，正如Alq所代表的，為主要具有陰離子性的螯合物配體的金屬配合物。這些配體的特征在于，易于放出質(zhì)子，具有顯示陰離子性(并與金屬結(jié)合)的官能團(tuán)、和具有與金屬配位結(jié)合的孤對(duì)電子的官能團(tuán)。即，本發(fā)明的條件在于，作為與金屬共蒸鍍的有機(jī)化合物(配體)，至少各具有一個(gè)上述的兩個(gè)官能團(tuán)。
因此，本發(fā)明為的電致發(fā)光元件至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成的層，且前述有機(jī)化合物至少分別具有一個(gè)顯示布侖斯惕酸性的供質(zhì)子性官能團(tuán)、和具有孤對(duì)電子的官能團(tuán)。
需要說(shuō)明的是，優(yōu)選前述供質(zhì)子性官能團(tuán)為選自羥基、羧基及巰基中的任一種的官能團(tuán)。另外，優(yōu)選具有前述孤對(duì)電子的官能團(tuán)為選自雜環(huán)殘基、甲亞胺基及羧基中的任一種的官能團(tuán)。而且，分別組合使用這些供質(zhì)子性官能團(tuán)、和這些具有孤對(duì)電子的官能團(tuán)是有效的。
另一方面，優(yōu)選前述金屬鹽為選自金屬醋酸鹽、金屬鹵化物、及金屬醇鹽中的任一種物質(zhì)。
作為至少分別具有一個(gè)顯示布侖斯惕酸性的供質(zhì)子性官能團(tuán)、和具有孤對(duì)電子的官能團(tuán)的上述有機(jī)化合物，優(yōu)選以下通式(1)～(5)所示有機(jī)化合物。即，本發(fā)明的電致發(fā)光元件至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成的層，且前述有機(jī)化合物為下述通式(1)～(5)任一項(xiàng)所示化合物， 通式(1)中的R1～R6，表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R3和R4、或R4和R5、或R5和R6可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。
通式(2)中的R1～R15，表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。
通式(3)中的R1～R12，表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成環(huán)烷結(jié)構(gòu)、或苯環(huán)、或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R4和R5、或R5和R6、或R6和R7、或R8和R9、或R9和R10、或R10和R11，可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R2和R3、或R1和R12可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。
通式(4)中的R1～R30，表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成環(huán)烷結(jié)構(gòu)、或苯環(huán)、或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R2和R3、或R1和R30可以分別相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。
通式(5)中的R1～R5，表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R4可以表示氨基、二烷氨基、芳氨基中的任一種。另外，R2和R3、或R3和R4、或R4和R5可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R3和R4、R4和R5可以相互結(jié)合，形成久洛尼定骨架。
需要說(shuō)明的是，優(yōu)選與上述通式(1)～(5)所示有機(jī)化合物共蒸鍍的金屬鹽，為選自金屬醋酸鹽、金屬鹵化物、及金屬醇鹽中的任一種物質(zhì)。其中，考慮到熒光強(qiáng)度，更優(yōu)選這些金屬鹽含有選自鋅、鋁、硅、鎵、及鋯中的任一種的金屬元素。
另外，通過(guò)共蒸鍍上述通式(1)～(5)所示有機(jī)化合物與金屬鹽而形成的層，含有具有下述通式(6)～(10)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物。因此，本發(fā)明的電致發(fā)光元件至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有具有下述通式(6)～(10)中任一項(xiàng)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物。以下對(duì)通式(6)～(10)進(jìn)行說(shuō)明。
通式(6)中M，表示飽和或不飽和的金屬離子。另外，R1～R6表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R3和R4、或R4和R5、或R5和R6，可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。
通式(7)中的M，表示飽和或不飽和的金屬離子。另外，R1～R15表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。
通式(8)中的M，表示飽和或不飽和的金屬離子。另外，R1～R12表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成環(huán)烷結(jié)構(gòu)、或苯環(huán)、或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R4和R5、或R5和R6、或R6和R7、或R8和R9、或R9和R10、或R10和R11，可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R2和R3、或R1和R12可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。
通式(9)中的M，表示飽和或不飽和的金屬離子。另外，R1～R30表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成環(huán)烷結(jié)構(gòu)、或苯環(huán)、或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R2和R3、或R1和R30可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。
通式(10)中的M，表示飽和或不飽和的金屬離子。另外，R1～R5表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R4可以為氨基、二烷氨基、芳氨基中的任一種。另外，R2和R3、或R3和R4、或R4和R5，可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R3和R4、R4和R5可以相互結(jié)合，形成久洛尼定骨架。n表示1以上4以下的整數(shù))。
需要說(shuō)明的是，在具有上述通式(6)～(10)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物中，考慮到熒光強(qiáng)度，優(yōu)選前述金屬離子M為選自鋅、鋁、硅、鎵、及鋯中的任一種元素。
本發(fā)明可提供上述電致發(fā)光元件的制造工序的有效手段。因此，本發(fā)明的電致發(fā)光層的制造方法，其為至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的含有一個(gè)或多個(gè)有機(jī)化合物層的電致發(fā)光層的制造方法，其特征在于，前述有機(jī)化合物層中的至少一層的形成工序包括共蒸鍍有機(jī)化合物、和金屬鹽的工序，其中，所述有機(jī)化合物至少分別具有一個(gè)顯示布侖斯惕酸性的供質(zhì)子性官能團(tuán)、和具有孤對(duì)電子的官能團(tuán)。
此時(shí)，前述供質(zhì)子性官能團(tuán)優(yōu)選為選自羥基、羧基及巰基中的任一種的官能團(tuán)。具有前述孤對(duì)電子的官能團(tuán)優(yōu)選為選自雜環(huán)殘基、甲亞胺基及羧基中的任一種的官能團(tuán)。分別組合使用這些供質(zhì)子性官能團(tuán)和具有這些孤對(duì)電子的官能團(tuán)是有效的。
另一方面，前述金屬鹽優(yōu)選為選自金屬醋酸鹽、金屬鹵化物、及金屬醇鹽中的任一種物質(zhì)。
本發(fā)明的電致發(fā)光元件的制造方法中，作為至少分別具有一個(gè)顯示布侖斯惕酸性的供質(zhì)子性官能團(tuán)、和具有孤對(duì)電子的官能團(tuán)的有機(jī)化合物，優(yōu)選上述通式(1)～(5)所示有機(jī)化合物。即，本發(fā)明為至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的含有一個(gè)或多個(gè)有機(jī)化合物層的電致發(fā)光層的制造方法，其特征在于，前述有機(jī)化合物層的至少一層的形成工序包括共蒸鍍上述通式(1)～(5)所示有機(jī)化合物的任一種、和金屬鹽的形成工序。
需要說(shuō)明的是，優(yōu)選與上述通式(1)～(5)所示有機(jī)化合物共蒸鍍的金屬鹽，為選自金屬醋酸鹽、金屬鹵化物、及金屬醇鹽中的任一種物質(zhì)。其中，更優(yōu)選這些金屬鹽含有選自鋅、鋁、硅、鎵、及鋯中的任一種的金屬元素。


圖1為說(shuō)明本發(fā)明的電致發(fā)光元件的具體元件結(jié)構(gòu)的圖。
圖2為說(shuō)明共蒸鍍形態(tài)的圖。
圖3為說(shuō)明實(shí)施例3中發(fā)光裝置的圖。
圖4為說(shuō)明實(shí)施例4中電器器具的具體例的圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的電致發(fā)光元件基本在電致發(fā)光層中含有在一對(duì)電極(陰極及陽(yáng)極)之間共蒸鍍上述配體和金屬鹽的層、或含有金屬配合物的層。需要說(shuō)明的是，電致發(fā)光元件為了透過(guò)發(fā)出的光，電極的任意一方可以為透明。因此，不僅是在襯底上形成透明的電極、由襯底側(cè)透過(guò)光的常規(guī)元件結(jié)構(gòu)，實(shí)際上，也可以采用由襯底相反一側(cè)透過(guò)光的結(jié)構(gòu)、或由電極的兩側(cè)透過(guò)光的結(jié)構(gòu)。
下面，首先對(duì)于本發(fā)明所使用的材料結(jié)合具體例子進(jìn)行說(shuō)明。
本發(fā)明為了使缺乏升華性或溶解性的低分子金屬配合物形成膜狀或在膜中形成，共蒸鍍作為其配合物原料的有機(jī)化合物(配體)和金屬鹽，形成含有與其金屬配合物具有相同結(jié)構(gòu)的薄膜。而且，其有機(jī)化合物(配體)的條件在于，至少分別具有一個(gè)顯示布侖斯惕酸性的供質(zhì)子性官能團(tuán)、和具有孤對(duì)電子的官能團(tuán)。
作為供質(zhì)子性官能團(tuán)，優(yōu)選通過(guò)放出質(zhì)子易于與金屬形成共價(jià)鍵的官能團(tuán)。即，可列舉出羥基、羧基、巰基等。酚性的羥基和羧基特別有用。
另外，具有孤對(duì)電子的官能團(tuán)，是用于與金屬進(jìn)行配位結(jié)合的官能團(tuán)，可列舉出雜環(huán)殘基、甲亞胺基、羧基等。代表性的有，吡啶環(huán)和希佛堿、或香豆素結(jié)構(gòu)和黃酮結(jié)構(gòu)之類的芳香酮類等。
另一方面，作為與上述有機(jī)化合物(配體)共蒸鍍的金屬鹽，優(yōu)選金屬醋酸鹽、金屬鹵化物及金屬醇鹽。具體可列舉出醋酸鋅(II)、氯化鋁(III)、氯化鎵(III)、氯化鋯(IV)、醋酸硅(IV)等。
另外，作為至少分別具有一個(gè)顯示布侖斯惕酸性的供質(zhì)子性官能團(tuán)、和具有孤對(duì)電子的官能團(tuán)的有機(jī)化合物(配體)，優(yōu)選上述通式(1)～(5)所示的有機(jī)化合物。
這些有機(jī)化合物為通過(guò)與金屬(特別是鋅、鋁、硅、鎵、鋯等)形成螯合配合物來(lái)顯示強(qiáng)熒光特性的配體，但一旦形成配合物，就難溶于有機(jī)溶劑中，難于升華，因此難于蒸鍍配合物而適用于電致發(fā)光元件。難于升華的原因被認(rèn)為是由于形成配合物而增大偶極距。
但是，這些有機(jī)化合物本身一般具有升華性。因此，通過(guò)共蒸鍍上述通式(1)～(5)所示的有機(jī)化合物和金屬鹽而制造的本發(fā)明的電致發(fā)光元件，可在電致發(fā)光元件中導(dǎo)入具有與不能適用于常規(guī)電致發(fā)光元件中的強(qiáng)熒光性金屬配合物相同結(jié)構(gòu)的物質(zhì)。
作為上述通式(1)～(5)所示有機(jī)化合物的具體例，可列舉出下述結(jié)構(gòu)式(11)～(19)等。下面，對(duì)于結(jié)構(gòu)式(11)～(19)進(jìn)行說(shuō)明。
結(jié)構(gòu)式(11)的化合物分別具有一個(gè)作為供質(zhì)子性取代基的羥基、一個(gè)羧基、一個(gè)作為具有孤對(duì)電子的取代基的甲亞胺基。結(jié)構(gòu)式(11)相當(dāng)于上述通式(1)的R1為甲基、R2～R6為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(12)的化合物分別具有一個(gè)作為供質(zhì)子性取代基的羥基、一個(gè)羧基、一個(gè)作為具有孤對(duì)電子的取代基的甲亞胺基。結(jié)構(gòu)式(12)相當(dāng)于上述通式(1)的R1為苯基、R2～R6為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(13)的化合物分別具有一個(gè)作為供質(zhì)子性取代基的羥基、一個(gè)羧基、一個(gè)作為具有孤對(duì)電子的取代基的甲亞胺基。結(jié)構(gòu)式(13)相當(dāng)于上述通式(1)的R1為甲基、R3和R4相互結(jié)合成苯環(huán)、R5和R6為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(14)的化合物分別具有一個(gè)作為供質(zhì)子性取代基的羥基、一個(gè)羧基、一個(gè)作為具有孤對(duì)電子的取代基的甲亞胺基。結(jié)構(gòu)式(14)相當(dāng)于上述通式(2)的R1為甲基、R2～R15為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(15)的化合物分別具有兩個(gè)作為供質(zhì)子性取代基的羥基、兩個(gè)作為具有孤對(duì)電子的取代基的甲亞胺基結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)式(15)相當(dāng)于上述通式(3)的R2為甲基、R1和R3～R12為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(16)的化合物分別具有四個(gè)作為供質(zhì)子性取代基的羥基、兩個(gè)作為具有孤對(duì)電子的取代基的甲亞胺基結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)式(16)相當(dāng)于上述通式(3)的R2為甲基，R7和R8為羧基，R1、R3～R6、R9～R12為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(17)的化合物分別具有兩個(gè)作為供質(zhì)子性取代基的羥基、兩個(gè)作為具有孤對(duì)電子的取代基的甲亞胺基結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)式(17)相當(dāng)于上述通式(3)的R1和R2相互結(jié)合成環(huán)烷結(jié)構(gòu)，R4和R5、R10和R11分別相互結(jié)合成苯環(huán)，R3、R6～R9、R12為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(18)的化合物分別具有兩個(gè)作為供質(zhì)子性取代基的羥基、兩個(gè)作為具有孤對(duì)電子的取代基的甲亞胺基結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)式(18)相當(dāng)于上述通式(4)的R1和R2為苯環(huán)、R3～R30為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(19)的化合物分別具有一個(gè)作為供質(zhì)子性取代基的羧基、一個(gè)作為具有孤對(duì)電子的取代基的羧基。結(jié)構(gòu)式(19)相當(dāng)于上述通式(5)的R1～R5為氫元素。
需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中，為了在共蒸鍍這些有機(jī)化合物和金屬鹽后，更高效地形成配合物，優(yōu)選真空加熱。另外，該加熱溫度優(yōu)選以合成基礎(chǔ)金屬配合物時(shí)的反應(yīng)溫度為基準(zhǔn)，設(shè)為該金屬配合物的分解溫度以下。該溫度范圍優(yōu)選50℃～200℃。
另外，可認(rèn)為共蒸鍍上述通式(1)～(5)所示有機(jī)化合物和金屬鹽而形成的共蒸鍍層，含有具有上述通式(6)～(10)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物。具體地說(shuō)，例如通過(guò)共蒸鍍上述通式(11)～(19)任一項(xiàng)的有機(jī)化合物、和醋酸鋅，可分別得到含有具有下述結(jié)構(gòu)式(20)～(28)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物的層。具有這些結(jié)構(gòu)的金屬配合物均在形成配合物后具有難于升華的性質(zhì)，但由于顯示強(qiáng)熒光，因此本發(fā)明中優(yōu)選。
結(jié)構(gòu)式(20)相對(duì)于中心金屬的2價(jià)鋅采用3配位型。此時(shí)，相對(duì)于鋅的配位數(shù)不足4，通常難升華。該結(jié)構(gòu)相當(dāng)于上述通式(6)的M為鋅、R1為甲基、R2～R6為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(21)相對(duì)于中心金屬的2價(jià)鋅采用3配位型。此時(shí)，相對(duì)于鋅的配位數(shù)不足4，通常難升華。結(jié)構(gòu)式(21)相當(dāng)于上述通式(6)的M為鋅、R1為苯基、R2～R6為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(22)相對(duì)于中心金屬的2價(jià)鋅采用3配位型。此時(shí)，相對(duì)于鋅的配位數(shù)不足4，通常難升華。該結(jié)構(gòu)相當(dāng)于上述通式(6)的M為鋅、R1為甲基、R3和R4相互結(jié)合成苯環(huán)、R2、R5和R6為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(23)相對(duì)于中心金屬的2價(jià)鋅采用3配位型。此時(shí)，相對(duì)于鋅的配位數(shù)不足4，通常難升華。結(jié)構(gòu)式(23)相當(dāng)于上述通式(7)的M為鋅、R1為甲基、R2～R15為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(24)為相對(duì)于中心金屬的2價(jià)鋅為4配位型的配合物，配位數(shù)飽和，但偶極距大，難升華。結(jié)構(gòu)式(24)相當(dāng)于上述通式(8)的M為鋅、R2為甲基、R3～R12為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(25)相對(duì)于兩個(gè)中心金屬的2價(jià)鋅，分別為4配位型的配合物，配位數(shù)飽和，但偶極距大，難升華。結(jié)構(gòu)式(25)相當(dāng)于上述通式(8)的M為鋅，R2為甲基，R7和R8為羧基，R1、R3～R6、R9～R12為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(26)相對(duì)于中心金屬的2價(jià)鋅為4配位型的配合物，配位數(shù)飽和，但偶極距大，難升華。結(jié)構(gòu)式(26)相當(dāng)于上述通式(8)的M為鋅，R1和R2相互結(jié)合成環(huán)烷結(jié)構(gòu)，R4和R5、R10和R11分別相互結(jié)合成苯環(huán)，R3、R6～R9、R12為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(27)相對(duì)于中心金屬的2價(jià)鋅為4配位型的配合物，配位數(shù)飽和，但偶極距大，難升華。結(jié)構(gòu)式(27)相當(dāng)于上述通式(9)的M為鋅、R1和R2相互結(jié)合成苯基，R3～R30為氫元素。
結(jié)構(gòu)式(28)相對(duì)于中心金屬的2價(jià)鋅為4配位型的配合物，配位數(shù)飽和。但配體與中心金屬的結(jié)合弱，分解溫度在200℃左右。為此，金屬配合物的狀態(tài)下，在升華前即分解。結(jié)構(gòu)式(28)相當(dāng)于上述通式(10)的M為鋅、R1～R5為氫元素。
需要說(shuō)明的是，具有上述結(jié)構(gòu)式(20)～(28)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物中，中心金屬為鋅，但本發(fā)明并不限于此，只要是能形成配合物的金屬即可?？紤]到熒光強(qiáng)度，優(yōu)選鋅，此外還可列舉出鋁、硅、鎵、鋯等。另外，優(yōu)選金屬的最佳配位數(shù)與配體的配體數(shù)一樣。例如，結(jié)構(gòu)式(28)時(shí)、中心金屬使用鋁(配位數(shù)6)時(shí)，優(yōu)選配體數(shù)為3。但是，本發(fā)明并不限定于此。
下面，對(duì)于本發(fā)明的電致發(fā)光元件進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
(實(shí)施方式1)在實(shí)施方式1中，共蒸鍍上述有機(jī)化合物(配體)和金屬鹽，進(jìn)而加熱，對(duì)于以由此得到的層為發(fā)光層而形成時(shí)的電致發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，用圖1進(jìn)行說(shuō)明。
圖1的結(jié)構(gòu)為在襯底100上形成有第一電極110，在第1電極110上形成有電致發(fā)光層120，在其上形成有第2電極130。
需要說(shuō)明的是，在此，作為襯底100中使用的材料，只要是用于常規(guī)的電致發(fā)光元件即可，例如，可使用由玻璃、石英、透明塑料等構(gòu)成的材料。
另外，本實(shí)施方式1中第1電極110起到陽(yáng)極的作用，第2電極130起到陰極的作用。
即，第1電極110由陽(yáng)極材料形成，在此，作為可使用的陽(yáng)極材料，優(yōu)選使用功函數(shù)大(功函數(shù)為4.0eV以上)的金屬、合金、電傳導(dǎo)性化合物、及它們的混合物等。需要說(shuō)明的是，作為陽(yáng)極材料的具體例子，除ITO(indium tin oxide)、在氧化銦中混合了2～20[％]的氧化鋅(ZnO)的IZO(indium zine oxide)之外，可使用金(Au)、白金(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、或金屬材料的氮化物(TiN)等。
另一方面，作為用于第2電極130的形成的陰極材料，優(yōu)選使用功函數(shù)小(功函數(shù)為3.8eV以上)的金屬、合金、電傳導(dǎo)性化合物、及它們的混合物等。需要說(shuō)明的是，作為陰極材料的具體例子，除了元素周期律的1族或2族元素、即Li和Cs等堿金屬，及Mg、Ca、Sr等堿土類金屬，及含有它們的合金(Mg:Ag、Al:Li)和化合物(LiF、CsF、CaF2)，可使用含有稀土類金屬的過(guò)渡金屬來(lái)形成，也可以通過(guò)層壓Al、Ag、ITO等金屬(包括合金)來(lái)形成。
需要說(shuō)明的是，上述陽(yáng)極材料及陰極材料，通過(guò)蒸鍍法、濺射法等來(lái)形成薄膜，由此分別形成第1電極110及第2電極130。膜厚優(yōu)選為10～500nm。
另外，可通過(guò)層壓多個(gè)層來(lái)形成電致發(fā)光層120，但在本實(shí)施方式1中，通過(guò)層壓空穴注入層121、空穴輸送層122、發(fā)光層123及電子注入層124來(lái)形成。需要說(shuō)明的是，對(duì)于層壓的電致發(fā)光元件中的層，對(duì)于共蒸鍍有機(jī)化合物和金屬鹽的層以外的層，不限定層壓法。只要能層壓，可選用真空蒸鍍法或旋涂法、噴墨法、浸涂法等各種方法。
需要說(shuō)明的是，此時(shí)，作為形成空穴注入層121時(shí)所用的空穴注入性材料，只要是有機(jī)化合物，卟啉類化合物就有效，可使用酞菁(下面簡(jiǎn)稱H2-Pc)、CuPc等。另外，也有在導(dǎo)電性高分子化合物中實(shí)施化學(xué)摻雜的材料，可使用摻雜了聚苯乙烯磺酸(下面稱為PSS)的聚二氧乙基噻吩(PEDOT)、聚苯胺、聚乙烯咔唑(下面稱為PVK)等。
另外，作為形成空穴輸送層122時(shí)所用的空穴輸送性材料，優(yōu)選芳香胺類(即，具有苯環(huán)-氮鍵的物質(zhì))化合物。作為廣泛使用的材料，可列舉出例如，N，N’-雙(3-甲苯基)-N，N’-二苯基-[1，1’-聯(lián)苯]-4，4’-二胺(下面簡(jiǎn)稱TPD)，其衍生物N，N’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(下面簡(jiǎn)稱NPB)、4，4’，4”-三(N，N’-二苯基-氨基)-三苯胺(下面簡(jiǎn)稱TDATA)、4，4’，4”-三(N-(3-甲苯基)-N-苯基-氨基)-三苯胺(下面簡(jiǎn)稱為MTDATA)等星芒型芳香胺化合物。
而且，共蒸鍍上述有機(jī)化合物(例如，通式(1)、通式(2)、通式(3)、通式(4)、通式(5)所示的有機(jī)化合物等)、金屬鹽(例如金屬醋酸鹽、金屬鹵化物、金屬烷醇等)形成發(fā)光層123。此時(shí)，優(yōu)選前述有機(jī)化合物和前述金屬鹽蒸鍍時(shí)的摩爾比，與基礎(chǔ)金屬配合物中配體與中心金屬的摩爾比基本相同。
需要說(shuō)明的是，優(yōu)選在共蒸鍍后，在真空中加熱共蒸鍍了前述有機(jī)化合物和前述金屬鹽的層。此時(shí)的溫度優(yōu)選與使前述有機(jī)化合物和前述金屬鹽反應(yīng)并合成基礎(chǔ)金屬配合物時(shí)的溫度相近，或者，優(yōu)選低于該配合物分解溫度。標(biāo)準(zhǔn)為50℃～200℃。
另外，優(yōu)選以不使絕緣性材料絕緣程度的約3nm為止的膜厚使用形成電子注入層124的材料。可列舉出例如Ca2F和Ba2F等。
需要說(shuō)明的是，雖然未在圖1中示出，但在發(fā)光層123與電子注入層124之間可以設(shè)置電子輸送層。作為形成電子輸送層時(shí)所用的電子輸送性材料，除前面所述的Alq之外，優(yōu)選三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁(Almq)、雙(10-羥基苯并[h]-喹啉)鈹(BeBq)、雙(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚鋁(Balq)等具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等。另外，有的金屬配合物還具有惡唑類、噻唑類配體，如雙[2-(2-羥苯基)-苯并惡唑]鋅(Zn(BOX))、雙[2-(2-羥苯基)-苯并噻唑]鋅(Zn(BTZ))等。而且，除了金屬配合物之外，可以使用2-(4-聯(lián)苯基)5-(4-叔丁苯基)-1，3，4-惡二唑(PBD)、1，3-雙[5-(對(duì)叔丁苯基)-1，3，4-惡二唑-2-基]苯(OXD-7)、3-(4-叔丁苯基)-4-苯基-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁苯基)-4-(4-乙苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(p-EtTAZ)、紅菲繞啉(Bphen)、浴銅靈(BCP)等作為電子輸送性材料。
由此得到的本實(shí)施方式1的電致發(fā)光元件共蒸鍍了有機(jī)化合物(配體)和金屬鹽，還含有過(guò)熱的層作為發(fā)光層123，其中，所述有機(jī)化合物為缺乏升華性和溶解性但熱穩(wěn)定性和熒光強(qiáng)度優(yōu)異的配合物的原料。因此，為以由該層得到的發(fā)光為發(fā)光色的發(fā)光元件。
需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式1中，在發(fā)光層123中使用本發(fā)明的共蒸鍍層，但本發(fā)明并不限于此。如上所述，進(jìn)行了共蒸鍍的層，或者具有上述通式(6)～(10)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物的特性只要適合作為發(fā)光層以外的層(例如，空穴注入層、空穴輸送層、空穴阻滯層、電子輸送層、電子注入層、緩沖層)，也可以用于這些層中。此時(shí)的特性是指，HOMO能級(jí)或LUMO能級(jí)、激發(fā)光譜或發(fā)光光譜、吸收光譜等。
另外，如上共蒸鍍有機(jī)化合物(配體)和金屬鹽，加熱而得到的層以外的層、或使用了具有如上述通式(6)～(10)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物的層以外的層，可使用公知的材料，也可使用低分子類材料及高分子類材料的任一種。需要說(shuō)明的是，形成電致發(fā)光層的材料不僅只由有機(jī)化合物材料構(gòu)成，也可含有部分無(wú)機(jī)化合物。
另外，在本實(shí)施方式1中，共蒸鍍1種配體和1種金屬鹽，并加熱來(lái)形成電致發(fā)光層中的1層，但本發(fā)明并不限定于此。例如，形成含有中心金屬不同但配體相同的2種金屬配合物的層時(shí)，也可以共蒸鍍2種金屬鹽和1種配體來(lái)成膜。
在本實(shí)施方式1中，通過(guò)僅共蒸鍍1種配體和1種金屬鹽并加熱來(lái)形成電致發(fā)光層中的1層，但本發(fā)明并不限定于此。例如，也可進(jìn)一步共蒸鍍作為摻雜劑的物質(zhì)(例如，苝、紅熒烯的等熒光色素)。此時(shí)，優(yōu)選加熱襯底時(shí)溫度低于損害摻雜劑的溫度。
上面，在本實(shí)施方式1中對(duì)一般被稱作順壓的方式進(jìn)行了說(shuō)明，即，在襯底上形成的第一電極110作為使用了陽(yáng)極材料的陽(yáng)極起作用，第二電極130作為使用了陰極材料的陰極起作用，但本發(fā)明并不限定于此。例如，只要第一電極110由陰極材料形成，第二電極130由陽(yáng)極材料形成，第一電極110、第二電極130就可以分別作為陰極、陽(yáng)極發(fā)揮作用。但是，此時(shí)，電致發(fā)光層的層壓結(jié)構(gòu)為相反的層壓方式，為一般被稱為逆壓方式的元件方式。
另外，本發(fā)明的電致發(fā)光元件結(jié)構(gòu)為，由電致發(fā)光層中載流子的再結(jié)合產(chǎn)生的光，由第1電極110或第2電極130的一方、或雙方射出至外部。即，由第1電極110射出光時(shí)，第1電極110由透光性材料形成，由第2電極130側(cè)射出光時(shí)，第2電極130由透光性材料形成。
(實(shí)施方式2)在本實(shí)施方式2中，對(duì)于上述共蒸鍍方法，使用圖2說(shuō)明其具體的形狀。需要說(shuō)明的是，圖2為蒸鍍機(jī)的剖面圖。作為蒸鍍?cè)吹男螤睿惺褂秒姵氐念愋?、使用?dǎo)電性的發(fā)熱體的類型等，圖2中示出的是使用導(dǎo)電性發(fā)熱體的情況。
首先，在位于蒸鍍室230內(nèi)下方的電極a213上，固定填充有前述有機(jī)化合物211的容器a212。同樣地，在電極b223上，固定填充有前述金屬鹽221的容器b222。另外，在位于蒸鍍室230內(nèi)上方的旋轉(zhuǎn)盤231上，利用襯底座232固定成膜有電致發(fā)光元件的第1電極等的襯底200，以使前述第一電極朝下。
然后，通過(guò)分別對(duì)電極a213及電極b223外加電壓，容器a212及容器b222發(fā)熱，位于其中的前述有機(jī)化合物211及金屬鹽221分別被加熱、升華。接著，通過(guò)同時(shí)打開遮板(shutter)a214及遮板b224，在襯底200上共蒸鍍前述有機(jī)化合物211及金屬鹽221。此時(shí)，使旋轉(zhuǎn)盤231面對(duì)有機(jī)化合物蒸鍍?cè)?10和金屬鹽蒸鍍?cè)?20在水平方向上預(yù)先旋轉(zhuǎn)，可更加均勻地蒸鍍。
(實(shí)施例)下面，對(duì)于本發(fā)明所使用的電致發(fā)光層的制備例、及實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于這些例子。
在本實(shí)施例中，對(duì)共蒸鍍所使用的有機(jī)化合物的合成方法進(jìn)行具體的例示。
混合1-羥基-2-萘甲醛1.72g的甲醇溶液20ml、和1，2-環(huán)己烷二胺0.57g的甲醇溶液50ml(此時(shí)的摩爾比為2∶1)，攪拌1～2小時(shí)，結(jié)果析出黃色結(jié)晶。利用減壓過(guò)濾取出該析出物，將其用真空干燥箱干燥，得到1，2-雙(2-羥基-1-亞萘基)-環(huán)己烷二胺(下面稱為na2-cHex)(如結(jié)構(gòu)式(17)所示。結(jié)晶溫度為120℃，熔點(diǎn)為205℃，分解溫度為305℃。
[實(shí)施例2]在本實(shí)施例中，對(duì)具有本實(shí)施方式1所示的結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光元件的制作，使用圖1進(jìn)行具體的例示。
首先，在玻璃襯底100上，作為第1電極110，利用濺射法以110nm的膜厚形成透明導(dǎo)電膜ITO。
然后，在第一電極110上形成電致發(fā)光層120。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，電致發(fā)光層120由以空穴注入層121、空穴輸送層122、發(fā)光層123、電子注入層124的順序?qū)訅旱慕Y(jié)構(gòu)構(gòu)成。在市售的真空蒸鍍裝置的襯底架(holder)上固定形成有第一電極110的襯底100，以使第一電極100朝下，以這種狀態(tài)由下方蒸鍍材料，以此依次形成這些層。此時(shí)，在由鎢等構(gòu)成的船皿或由鋁等構(gòu)成的坩堝中填充材料，通過(guò)加熱上述船皿或坩堝進(jìn)行蒸鍍。
首先，通過(guò)真空蒸鍍?cè)诘谝浑姌O110上形成空穴注入層121。在此，以20nm的膜厚形成Cu-Pc。
然后，在該空穴注入層121上，以同樣的方法形成空穴輸送層122。在此，以30nm的膜厚形成TPD。
然后，在該空穴輸送層122上，以同樣的方法形成共蒸鍍作為配體的na2-cHex和作為金屬鹽的醋酸鋅。此時(shí)，以na2-cHex與醋酸鋅的摩爾比約為1∶1成膜，形成發(fā)光層123。之后，70℃下進(jìn)行加熱。
然后，在該發(fā)光層123上，以同樣的方法形成電子注入層124。在此，以2nm的膜厚形成氟化鈣(下面稱為CaF)。
最后，在電致發(fā)光層124上同樣利用真空蒸鍍法形成作為陰極起作用的第二電極130，層壓。在此，以100nm的膜厚形成鋁(下面稱為Al)。
如上所述，將共蒸鍍有機(jī)化合物和含有中心金屬的金屬鹽并加熱而成的膜用在發(fā)光層中，形成電致發(fā)光元件。
在本實(shí)施例中，對(duì)于像素部份上具有本發(fā)明的電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置使用圖3進(jìn)行說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，圖3(A)是示意發(fā)光裝置的俯視圖，圖3(B)是用A-A’截?cái)鄨D3(A)的剖面圖。用虛線所示的301為驅(qū)動(dòng)電路部分(源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路)、302為像素部分、303為驅(qū)動(dòng)電路部分(柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路)。另外，304為封止襯底，305為密封劑，密封劑305所包圍的內(nèi)側(cè)成為空間。
然后，對(duì)于剖面結(jié)構(gòu)使用圖3(B)進(jìn)行說(shuō)明。在襯底310上形成有驅(qū)動(dòng)電路部分及像素部分，在此，示出作為驅(qū)動(dòng)電路部分的源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路301、和像素部分302。
需要說(shuō)明的是，源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路301形成有組合了n通道型TFT323和p通道型TFT324的CMOS電路。另外，形成驅(qū)動(dòng)電路的TFT可以通過(guò)公知的CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路來(lái)形成。在本實(shí)施方式中，示出了在襯底上形成有驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器一體型，但不一定非要在襯底上，也可在外部上形成。
另外，由含有開關(guān)用TFT311、控制電流用TFT312、和電連接在其漏極上的第1電極313的多個(gè)像素，形成像素部分302。需要說(shuō)明的是，覆蓋第1電極313的端部，形成有絕緣物314。在此，通過(guò)使用正型的感光性丙烯酸樹脂膜來(lái)形成。
為了使覆蓋區(qū)良好，使在絕緣物314的上端部分或下端部分上形成具有曲率的曲面。例如，作為絕緣物314的材料使用正型的感光性丙烯酸時(shí)，優(yōu)選擁有僅在絕緣物314的上端部分具有曲率半徑(0.2μm～3μm)的曲面。另外，作為絕緣物314，可使用對(duì)感光性的光不溶解于蝕刻液的負(fù)型、或?qū)馊芙庥谖g刻液的正型的任何一種。
在第1電極313上分別形成有電致發(fā)光層316、及第2電極317。在此，作為用于起陽(yáng)極作用的第1電極313的材料，希望使用功函數(shù)大的材料。例如，可使用ITO(銦錫氧化物)膜、銦鋅氧化物(IZO)膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜、Pt膜等單層膜，及氮化鈦和以鋁為主成分的膜層壓、氮化鈦膜和以鋁為主成分的膜和氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)等。需要說(shuō)明的是，成為層壓結(jié)構(gòu)，作為配線的電阻低，具有良好的阻性接點(diǎn)，還可起到陽(yáng)極的作用。
另外，利用使用蒸鍍掩膜的蒸鍍法、或噴墨法等形成電致發(fā)光層316，但在該電致發(fā)光層316中使用本發(fā)明公開的共蒸鍍膜的一部分。具體地講，可使用實(shí)施例2所示的電致發(fā)光層等。
作為在電致發(fā)光層316上形成的第2電極(陰極)317所使用的材料，可使用功函數(shù)小的材料(Al、Ag、Li、Ca、或它們的合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、或CaN)。需要說(shuō)明的是，電致發(fā)光層316產(chǎn)生的光透過(guò)第2電極317時(shí)，作為第2電極(陰極)317，優(yōu)選使用降低膜厚的金屬薄膜、透明導(dǎo)電膜(ITO(氧化銦氧化錫合金)、氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)的層壓。
進(jìn)而通過(guò)用密封劑305使封止襯底304和元件襯底310貼合，構(gòu)成在元件襯底310、封止襯底304、及密封劑305所包圍的空間307中具有電致發(fā)光元件318的結(jié)構(gòu)。需要說(shuō)明的是，除在空間307中填充有惰性氣體(氮或氬等)時(shí)之外，也包括用密封劑305填充的結(jié)構(gòu)。
密封劑305優(yōu)選使用環(huán)氧類樹脂。另外，這些材料優(yōu)選盡量不透過(guò)水分或氧的材料。封止襯底304所使用的材料可使用玻璃襯底和石英襯底、不銹鋼罐，和FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯薄膜、聚酯或堿等構(gòu)成的玻璃襯底。在像素部分302上，通過(guò)不透過(guò)水分和氧的密封材料305形成層，因此，只要具有與使用這些封止襯底時(shí)相同的、可防止電致發(fā)光元件的劣化效果，就沒(méi)必要使用封止襯底304。
308為用于傳送源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路301及柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路303所輸入的信號(hào)的配線，由外部輸入端子FPC(柔性印刷電路板)309接收視頻信號(hào)、同步信號(hào)、啟動(dòng)信號(hào)、復(fù)位信號(hào)。需要說(shuō)明的是，在此，僅圖示了FPC，但在該FPC上也可裝有印刷布線襯底(PWB)。在本發(fā)明書中的發(fā)光裝置中，不僅包括發(fā)光裝置主體，也包括其上裝有的FPC或PWB。
如上所述，可得到具有本發(fā)明的電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置。
在本實(shí)施例中，對(duì)于使用具有本發(fā)明的電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置所制成的各種電器進(jìn)行說(shuō)明。
作為使用具有本發(fā)明的電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置所制造的各種電器，可列舉出攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、護(hù)鏡型顯示器(頭盔顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音響播放裝置(車載音響、組合音響等)、筆記本型個(gè)人電腦、游戲機(jī)、便攜信息終端(移動(dòng)式計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、便攜型游戲機(jī)或電子書籍等)、具有記錄介質(zhì)的圖像播放裝置(具體的有具有播放數(shù)字視頻光盤(DVD)等的記錄介質(zhì)、可顯示其圖像的顯示裝置等的裝置)等。這些電器的具體例如圖4所示。
圖4(A)為顯示裝置，包括框體4001、支持臺(tái)4002、顯示部4003、揚(yáng)聲器部4004、視頻輸入端子4005等。通過(guò)將具有本發(fā)明的電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置用于其顯示部4003來(lái)制造。需要說(shuō)明的是，顯示裝置包括電腦用、TV傳送接收用、廣告顯示用等所有的信息顯示用裝置。
圖4(B)為筆記本型個(gè)人電腦，包括主體4201、框體4202、顯示部4203、鍵盤4204、外部連接接口4205、鼠標(biāo)4206等。通過(guò)將具有本發(fā)明的電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置用于其顯示部4203來(lái)制造。
圖4(C)為移動(dòng)式計(jì)算機(jī)，包括主體4301、顯示部4302、電源4303、操作鍵4304、紅外線接口4305等。通過(guò)將具有本發(fā)明的電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置用于其顯示部4302來(lái)制造。
圖4(D)為具有記錄介質(zhì)的便攜型圖像播放裝置(具體的有DVD播放裝置)，包括主體4401、框體4402、顯示部A4403、顯示部B4404、記錄介質(zhì)(DVD等)刻錄部4405、操作鍵4406、揚(yáng)聲器部4407等。顯示部A4403主要顯示圖像信息，顯示部B4404主要顯示文字信息，通過(guò)將具有本發(fā)明的電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置用于其顯示部A、B4403、4404來(lái)制造。需要說(shuō)明的是，具有記錄介質(zhì)的圖像播放裝置也包括家用游戲機(jī)等。
圖4(E)為護(hù)鏡型顯示器(頭盔顯示器)，包括主體4501、顯示部4502、腿部4503。通過(guò)將具有本發(fā)明的電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置用于其顯示部4502來(lái)制造。
圖4(F)為攝像機(jī)，包括主體4601、顯示部4602、框體4603、外部連接接口4604、遙控器信息接收部4605、攝像部4606、電池4607、聲音輸入部4608、操作鍵4609、取景部4610等。通過(guò)將具有本發(fā)明的電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置用于其顯示部4602來(lái)制造。
圖4(G)為移動(dòng)電話，包括主體4701、框體4702、顯示部4703、聲音輸入部4704、聲音輸出部4705、操作鍵4706、外部連接接口4707、天線4708等。通過(guò)將具有本發(fā)明的電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置用于其顯示部4703來(lái)制造。需要說(shuō)明的是，顯示部4703通過(guò)在黑色背景上顯示白色的文字可抑制移動(dòng)電話的耗電量。
如上所述，具有本發(fā)明的電致發(fā)光元件的發(fā)光裝置的適用范圍極廣，該發(fā)光裝置可適用于所有領(lǐng)域的電器。
工業(yè)實(shí)用性通過(guò)使用本發(fā)明，即使是配合物狀態(tài)下難于蒸鍍或溶液涂布的材料，也可形成含有其配合物的薄膜。因此，可提供含有它們配合物的電致發(fā)光元件。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光元件，其至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成的層，且前述有機(jī)化合物至少分別具有一個(gè)顯示布侖斯惕酸性的供質(zhì)子性官能團(tuán)、和具有孤對(duì)電子的官能團(tuán)。
2.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光元件，其特征在于，前述供質(zhì)子性官能團(tuán)為選自羥基、羧基及巰基中的任一種的官能團(tuán)。
3.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光元件，其特征在于，具有前述孤對(duì)電子的官能團(tuán)為選自雜環(huán)殘基、甲亞胺基及羧基中的任一種的官能團(tuán)。
4.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光元件，其特征在于，前述供質(zhì)子性官能團(tuán)為選自羥基、羧基及巰基中的任一種的官能團(tuán)，且具有前述孤對(duì)電子的官能團(tuán)為選自雜環(huán)殘基、甲亞胺基及羧基中的任一種的官能團(tuán)。
5.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光元件，其特征在于，前述金屬鹽為選自金屬醋酸鹽、金屬鹵化物、及金屬醇鹽中的任一種物質(zhì)。
6.一種電致發(fā)光元件，其至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成的層，且前述有機(jī)化合物為下述通式(1)所示化合物， (式中，R1～R6表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R3和R4、或R4和R5、或R5和R6可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。)。
7.一種電致發(fā)光元件，其至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成的層，且前述有機(jī)化合物為下述通式(2)所示化合物， (式中，R1～R15表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。)。
8.一種電致發(fā)光元件，其至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成的層，且前述有機(jī)化合物為下述通式(3)所示化合物， (式中，R1～R12表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成環(huán)烷結(jié)構(gòu)、或苯環(huán)、或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R4和R5、或R5和R6、或R6和R7、或R8和R9、或R9和R10、或R10和R11，可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R2和R3、或R1和R12可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。)。
9.一種電致發(fā)光元件，其至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成的層，且前述有機(jī)化合物為下述通式(4)所示化合物， (式中，R1～R30表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成環(huán)烷結(jié)構(gòu)、或苯環(huán)、或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R2和R3、或R1和R30可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。)。
10.一種電致發(fā)光元件，其至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成的層，且前述有機(jī)化合物為下述通式(5)所示化合物， (式中，R1～R5表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R4可以表示氨基、二烷氨基、芳氨基中的任一種。另外，R2和R3、或R3和R4、或R4和R5可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R3和R4、或R4和R5可以相互結(jié)合，形成久洛尼定骨架。)。
11.如權(quán)利要求6～10中任一項(xiàng)所述的電致發(fā)光元件，其特征在于，前述金屬鹽為選自金屬醋酸鹽、金屬鹵化物、及金屬醇鹽中的任一種物質(zhì)。
12.如權(quán)利要求6～10中任一項(xiàng)所述的電致發(fā)光元件，其特征在于，前述金屬鹽含有選自鋅、鋁、硅、鎵、及鋯中的任一種的金屬元素。
13.一種電致發(fā)光元件，其至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有的層通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成，且含有具有下述通式(6)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物， (式中，M表示飽和或不飽和的金屬離子。另外，R1～R6表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R3和R4、或R4和R5、或R5和R6，可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。)。
14.一種電致發(fā)光元件，其至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有的層通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成，且含有具有下述通式(7)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物， (式中，M表示飽和或不飽和的金屬離子。另外，R1～R5表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。)。
15.一種電致發(fā)光元件，其至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有的層通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成，且含有具有下述通式(8)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物， (式中，M表示飽和或不飽和的金屬離子。另外，R1～R12表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成環(huán)烷結(jié)構(gòu)、或苯環(huán)、或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R4和R5、或R5和R6、或R6和R7、或R8和R9、或R9和R10、或R10和R11，可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R2和R3、R1和R12可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。)。
16.一種電致發(fā)光元件，其至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有的層通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成，且含有具有下述通式(9)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物， (式中，M表示飽和或不飽和的金屬離子。另外，R1～R30表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成環(huán)烷結(jié)構(gòu)、或苯環(huán)、或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R2和R3、或R1和R30可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。)。
17.一種電致發(fā)光元件，其至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的電致發(fā)光層，其特征在于，前述電致發(fā)光層含有的層通過(guò)共蒸鍍有機(jī)化合物與金屬鹽而形成，且含有具有下述通式(10)所示結(jié)構(gòu)的金屬配合物， (式中，M表示飽和或不飽和的金屬離子。另外，R1～R5表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R4可以為氨基、二烷氨基、芳氨基中的任一種。另外，R2和R3、或R3和R4、或R4和R5，可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R3和R4、R4和R5可以相互結(jié)合，形成久洛尼定骨架。n表示1以上4以下的整數(shù))。
18.如權(quán)利要求13～17中任一項(xiàng)所述的電致發(fā)光元件，其特征在于，前述金屬離子為由鋅、鋁、硅、鎵、鋯中的任一種的元素構(gòu)成的金屬離子。
19.一種電致發(fā)光元件的制造方法，其為至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的含有一個(gè)或多個(gè)有機(jī)化合物層的電致發(fā)光層的制造方法，其特征在于，前述有機(jī)化合物層中的至少一層的形成工序包括共蒸鍍有機(jī)化合物、及金屬鹽的工序，其中，所述有機(jī)化合物至少分別具有一個(gè)顯示布侖斯惕酸性的供質(zhì)子性官能團(tuán)、和具有孤對(duì)電子的官能團(tuán)。
20.如權(quán)利要求19所述的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，前述供質(zhì)子性官能團(tuán)為選自羥基、羧基及巰基中的任一種的官能團(tuán)。
21.如權(quán)利要求19所述的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，具有前述孤對(duì)電子的官能團(tuán)為選自雜環(huán)殘基、甲亞胺基及羧基中的任一種的官能團(tuán)。
22.如權(quán)利要求19所述的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，前述供質(zhì)子性官能團(tuán)為選自羥基、羧基及巰基中的任一種的官能團(tuán)，且具有前述孤對(duì)電子的官能團(tuán)為選自雜環(huán)殘基、甲亞胺基及羧基中的任一種的官能團(tuán)。
23.如權(quán)利要求19所述的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，前述金屬鹽為選自金屬醋酸鹽、金屬鹵化物、及金屬醇鹽中的任一種物質(zhì)。
24.一種電致發(fā)光元件的制造方法，所述電致發(fā)光元件至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的含有一個(gè)或多個(gè)有機(jī)化合物層的電致發(fā)光層，其特征在于，前述有機(jī)化合物層的至少一層的形成工序包括共蒸鍍下述通式(1)所示有機(jī)化合物、和金屬鹽的形成工序， (式中，R1～R6表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R3和R4、或R4和R5、或R5和R6可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。)。
25.一種電致發(fā)光元件的制造方法，所述電致發(fā)光元件至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的含有一個(gè)或多個(gè)有機(jī)化合物層的電致發(fā)光層，其特征在于，前述有機(jī)化合物層的至少一層的形成工序包括共蒸鍍下述通式(2)所示有機(jī)化合物、和金屬鹽的形成工序， (式中，R1～R15表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。)。
26.一種電致發(fā)光元件的制造方法，所述電致發(fā)光元件至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的含有一個(gè)或多個(gè)有機(jī)化合物層的電致發(fā)光層，其特征在于，前述有機(jī)化合物層的至少一層的形成工序包括共蒸鍍下述通式(3)所示有機(jī)化合物、和金屬鹽的形成工序， (式中，R1～R12表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成環(huán)烷結(jié)構(gòu)、或苯環(huán)、或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R4和R5、或R5和R6、或R6和R7、或R8和R9、或R9和R10、或R10和R11，可以分別相互結(jié)合，形成苯環(huán)或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R2和R3、或R1和R12可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。)。
27.一種電致發(fā)光元件的制造方法，所述電致發(fā)光元件至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的含有一個(gè)或多個(gè)有機(jī)化合物層的電致發(fā)光層，其特征在于，前述有機(jī)化合物層的至少一層的形成工序包括共蒸鍍下述通式(4)所示有機(jī)化合物、和金屬鹽的形成工序， (式中，R1～R30表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R1和R2可以相互結(jié)合，形成環(huán)烷結(jié)構(gòu)、或苯環(huán)、或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R2和R3、或R1和R30可以相互結(jié)合，形成吡啶環(huán)。)。
28.一種電致發(fā)光元件的制造方法，所述電致發(fā)光元件至少具有陽(yáng)極、陰極、和在前述陽(yáng)極與前述陰極之間設(shè)置的含有一個(gè)或多個(gè)有機(jī)化合物層的電致發(fā)光層，其特征在于，前述有機(jī)化合物層的至少一層的形成工序包括共蒸鍍下述通式(5)所示有機(jī)化合物、和金屬鹽的形成工序， (式中，R1～R5表示氫元素、鹵元素、氰基、烷基(其中，碳數(shù)為1～10)、烷氧基(其中，碳數(shù)為1～10)、取代或未取代的芳基(其中，碳數(shù)為1～20)、取代或未取代的雜環(huán)殘基(其中，碳數(shù)為1～20)中的任一種。另外，R4可以表示氨基、二烷氨基、芳氨基中的任一種。另外，R2和R3、或R3和R4、或R4和R5可以相互結(jié)合，形成苯環(huán)、或多環(huán)駢合環(huán)(其中，碳數(shù)為1～20)。另外，R3和R4、R4和R5可以相互結(jié)合，形成久洛尼定骨架。)。
29.如權(quán)利要求24～28中任一項(xiàng)所述的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，前述金屬鹽為選自金屬醋酸鹽、金屬鹵化物、及金屬醇鹽中的任一種物質(zhì)。
30.如權(quán)利要求24～28中任一項(xiàng)所述的電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，前述金屬鹽含有選自鋅、鋁、硅、鎵、及鋯中的任一種的金屬元素。
全文摘要
本發(fā)明的特征在于，即使對(duì)于在金屬配合物的狀態(tài)下蒸鍍或濕式涂布困難的材料，通過(guò)共蒸鍍作為金屬配合物原料的有機(jī)化合物(配體)和金屬鹽，在襯底上形成配合物，形成含有其金屬配合物的膜，使用形成的共蒸鍍膜制備電致發(fā)光元件。在此，條件是前述有機(jī)化合物(配體)具有易放出質(zhì)子并顯示陰離子性(并與金屬結(jié)合)的官能團(tuán)、具有用于與金屬配位結(jié)合的孤對(duì)電子的官能團(tuán)。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1732244SQ20038010765
公開日2006年2月8日 申請(qǐng)日期2003年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月25日
發(fā)明者中島晴惠, 瀨尾哲史 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所