專利名稱：利用溝道/溝槽進(jìn)行功率輸送的功率－接地平面分割和過孔連接的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域。更具體地說，本發(fā)明涉及創(chuàng)建并利用傳導(dǎo)性溝槽來改進(jìn)電路結(jié)構(gòu)內(nèi)部的功率輸送、電磁干擾(EMI)抑制和/或熱耗散。
背景技術(shù)：
隨著印刷電路板設(shè)計(jì)在復(fù)雜度方面已經(jīng)提高，對在耦合到印刷電路板的多個(gè)組件之間的額外互連線路的需要也增加了。為了解決這一需要，制造商已供應(yīng)了多層印刷電路板，其中幾個(gè)導(dǎo)體層被多個(gè)電介質(zhì)材料層分隔。印刷電路板(PCB)通常包含四個(gè)或更多導(dǎo)電層，其中至少一個(gè)導(dǎo)電層是接地平面，一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層是功率平面和外部導(dǎo)電層，所述外部導(dǎo)電層提供用于耦合已被安裝到PCB上的各種組件或插口的高密度互連。這些多層電路板制備成每個(gè)導(dǎo)電層都被電介質(zhì)層分隔，使得除了通過過孔(via)外，向印刷電路板提供功率和接地平面的中間導(dǎo)體層不接觸。圖1圖示了一個(gè)多層印刷電路板，其中位于互連層(未示出)之下的是用于提供功率的第一金屬化層和用于提供接地的第二金屬化層，并且這兩個(gè)金屬化層被電介質(zhì)層(為清晰起見而被去除)分隔。圍繞過孔可以提供在金屬化層中的留隙空間，以避免與該層相連接。
可以使用過孔連接多層印刷電路板的多個(gè)導(dǎo)電層，該過孔鍍有導(dǎo)電材料以提供鍍有金屬的通孔。過孔被設(shè)置成橫穿印刷電路板，并且使用導(dǎo)電跡線將過孔連接到外部導(dǎo)電平面上的安裝位置處。即，集成電路的安裝焊盤和表面安裝組件可能并不直接連接到鍍有金屬的通孔，而是可以使用圖案化的導(dǎo)電跡線將所述焊盤和組件連接到鍍有金屬的通孔位置。隨著集成電路器件密度的增加，關(guān)于電磁干擾(EMI)、功率/熱耗散和功率輸送的擔(dān)憂也增加。
由于上文陳述的原因以及下文陳述的其它原因，所述其它原因在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員閱讀并理解本說明書之后將變得明顯，需要現(xiàn)有技術(shù)中的印刷電路板能夠解決上述擔(dān)憂，同時(shí)保持當(dāng)前電路板裝配件的質(zhì)量，包括焊點(diǎn)的質(zhì)量。


在附圖中以示例而非限制的方式舉例說明了本發(fā)明，附圖中類似的標(biāo)號(hào)指代類似的元件，其中圖1圖示了一個(gè)多層印刷電路板，其中位于互連層(未示出)之下的是用于提供功率的第一金屬化層和用于提供接地的第二金屬化層；圖2是由傳導(dǎo)性溝槽連接的分段功率與接地平面的一個(gè)實(shí)施例的例圖；圖3A是在核心電介質(zhì)材料上的圖案化第一金屬涂層的例圖；圖3B是在圖案化第一金屬涂層上沉積電介質(zhì)層、在第二電介質(zhì)上沉積/層疊第二金屬涂層、并且穿過PCB層鉆孔形成過孔之后的PCB的例圖；圖3C是示出了溝槽形成開始的例圖；其中是通過首先創(chuàng)建一個(gè)凹槽(groove)穿過第二金屬層和第二電介質(zhì)層以暴露第一金屬層的多個(gè)部分來開始形成溝槽的；圖3D是金屬化工藝之后的溝槽和過孔的例圖；圖4A-4D是用于制備金屬化溝槽的另一個(gè)實(shí)施例的例圖；圖4A是用于制備金屬電路的另一個(gè)實(shí)施例的例圖；圖4B是用于向PCB添加更多層的另一個(gè)實(shí)施例的例圖；圖4C是用于使用模具(die)印刻PCB的另一個(gè)實(shí)施例的例圖；圖4D是模具印刻到PCB上的例圖；圖5是用于連接PCB上的分段金屬化平面的傳導(dǎo)性溝槽的其它實(shí)施例的例圖；圖6是金屬化溝槽和分段表面的3D示圖的例圖；圖7A圖示了隨著金屬化溝槽的數(shù)目和用于界定溝槽的增加的表面而增加的橫截面積；圖7B從側(cè)面(與溝槽的長度方向垂直)圖示了金屬化溝槽；圖8A是傳導(dǎo)性溝槽可以用于制備PCB襯底中的法拉第籠的另一個(gè)實(shí)施例的例圖；圖8B是另一個(gè)實(shí)施例的例圖，其示出了用于形成法拉第籠的一部分的傳導(dǎo)性溝槽的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
這里公開了一種方法與裝置，用于創(chuàng)建并利用傳導(dǎo)性溝槽來改進(jìn)PCB襯底中的功率輸送、EMI抑制和/或熱耗散。該方法與裝置可以對由電介質(zhì)分隔的一個(gè)或多個(gè)金屬化層(平面)進(jìn)行分段，使得在封裝互連/過孔領(lǐng)域中可以有效實(shí)現(xiàn)溝槽的使用。為了討論本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員使用了各種術(shù)語來描述裝置、技術(shù)和方法。
在下文的描述中，為了解釋的目的，闡述了大量的具體細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明的全面理解。但是對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說很明顯，在沒有這些具體細(xì)節(jié)的條件下也可以實(shí)施本發(fā)明。在一些示例中，以概括的形式而非詳細(xì)地示出了公知的結(jié)構(gòu)和器件，以免混淆本發(fā)明。這些實(shí)施例得到足夠詳細(xì)地描述，使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以實(shí)施本發(fā)明，并且應(yīng)當(dāng)理解，在不背離本發(fā)明的范圍的條件下，可以使用其它實(shí)施例，并且可以作出邏輯、機(jī)械、電氣以及其它改變。
本發(fā)明通過添加溝道從而增加電流方向上的表面面積，提供改進(jìn)的電流輸運(yùn)能力，減小的電壓降(voltage droop)和/或改進(jìn)的熱傳遞。溝道可以由導(dǎo)電材料制成，結(jié)果可能是電流方向上的橫截面積的增加。例如，該導(dǎo)電材料可以是金屬、金屬化膏劑或?qū)щ娋酆衔?。溝道可以由?dǎo)熱材料制成，并可引起沿著該增大的橫截面積的導(dǎo)熱性的增大。例如，該導(dǎo)熱材料可以是金屬、膏劑和經(jīng)填充的聚合物復(fù)合材料。此外，溝道可以有同時(shí)導(dǎo)熱并導(dǎo)電的材料制成，所述材料例如是金屬、金屬化聚合物、導(dǎo)電復(fù)合物膏劑等。
通過選擇性去除置于外部金屬化層之間的基礎(chǔ)材料層的多個(gè)部分和外部金屬化層的多個(gè)部分來形成溝道(溝槽)。PCB可以具有作為基礎(chǔ)材料(即，作為一個(gè)或多個(gè)非導(dǎo)電層)的壓板，例如以玻璃纖維加固的環(huán)氧樹脂，其中一種這樣的纖維玻璃類型是FR4。此外，溝槽可以足夠深以同樣去除置于外部金屬化層之間的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部金屬化層的多個(gè)部分。可以這樣形成溝槽，使得溝槽的方向(長度)沿著添加的橫截面積所期望的路徑(在功率輸送的情況下，溝槽可以是在電流的方向上)。可以通過諸如激光燒蝕、照片顯影圖案化、等離子、化學(xué)或機(jī)械等技術(shù)來形成溝槽。隨后可以向裸露的溝槽提供一個(gè)涂層，例如利用前述的導(dǎo)電和/或?qū)岵牧现?，下文稱之為傳導(dǎo)性涂層。溝槽中的該傳導(dǎo)性涂層橫截面可以提供具有改進(jìn)的橫截面積的傳導(dǎo)性路徑。通過增加橫截面積，單位長度的電阻相應(yīng)地降低，并且降低的電阻減小功率輸送電路的IR(電流乘電阻)降落。用于改進(jìn)路徑運(yùn)輸電流能力的增加的橫截面積還可以導(dǎo)熱，并且傳導(dǎo)性涂層的表面可以散熱。現(xiàn)在具有傳導(dǎo)性涂層的溝槽(即，傳導(dǎo)性溝槽)可以從傳導(dǎo)性表面輻射或?qū)α鱾鲗?dǎo)熱量，以從PCB的內(nèi)部去除熱量。這可能在下述情況下發(fā)生，即溝槽建立了在內(nèi)部分層電路/平面和最外部(暴露的)電路/平面之間的傳導(dǎo)性連接，使得內(nèi)部電路/平面的熱耗散得到改進(jìn)。
圖2是由溝槽和過孔連接的分段功率與接地平面的一個(gè)實(shí)施例的例圖。如圖2所示，上部金屬化平面202(平面)和下部金屬化平面204可以由印刷電路板(PCB)200上的電介質(zhì)(為清楚起見而被去除)分隔。利用虛線，上部和下部金屬化平面202和204被示為廣義的平面，即沒有特定的邊界。上部和下部金屬化平面202和204可以被分段，其中通過傳導(dǎo)性溝槽218、220和222可以將分隔開的上部分段206、208和210連接到分隔開的下部分段212、214和216。上部206、208、210和下部212、214、216分段可以層疊在一起，使得等電位分段(即，具有相等或近似相等面積)在垂直軸224方向上對準(zhǔn)，用于通過相應(yīng)的傳導(dǎo)性溝槽218、220和222連接。
通過圖案刻蝕金屬化平面202和204并且隨后通過去除用于分隔平面202和204的電介質(zhì)材料，形成溝槽。隨后每個(gè)溝槽218、220和222都被涂覆傳導(dǎo)性材料以在上部分段206、208與210和下部分段212、214和216之間提供電和/或熱連接?？梢赃@樣制備傳導(dǎo)性溝槽的涂層厚度，使之提供比在金屬化層202和204中的每個(gè)都沒有溝槽的情況下所獲得的橫截面積更大的橫截面。分段210和208可以被圖案化為分別圍繞并電連接一個(gè)或多個(gè)過孔226和229，并且分別電連接到溝槽222和220?；蛘咦鳛榱硪环N選擇，分段210和208可以被圖案化為分別圍繞過孔227和228并與過孔保持間隔(即，未連接)。
圖3A-3D圖示了用于制備由PCB上的傳導(dǎo)性溝槽和過孔連接的分段金屬化平面的制備方法的一個(gè)實(shí)施例。圖3A是在核心基礎(chǔ)材料上的圖案化的第一金屬化層的例圖。第一金屬化涂層302可以是銅，其是通過幾種方法覆層沉積而成的，所述方法例如是CVD或?qū)盈B(lamination)。在沉積金屬層302之后的圖案化可以包括在置于金屬層上的光致抗蝕劑涂層中顯影圖像?？涛g工藝隨后可以對銅層302進(jìn)行分段，以暴露出下面的基礎(chǔ)材料304。
圖3B是在第一金屬化層之上沉積的電介質(zhì)層和第二金屬化層的例圖。第二電介質(zhì)層306被沉積在圖案化的第一金屬化涂層302上。然后，在第二電介質(zhì)306上沉積或?qū)盈B第二金屬化涂層308，并且可以穿過PCB層鉆出過孔310。第二金屬化涂層308可以是銅，第二電介質(zhì)306可以是環(huán)氧樹脂。
圖3C是溝槽形成開始的例圖?？梢钥涛g或燒蝕穿過第二金屬層308和第二電介質(zhì)306層到暴露第一金屬層302中的電路跡線的深度來形成凹槽312和314。在電介質(zhì)306中刻蝕/燒蝕凹槽312和314可以通過多種工藝來完成，所述工藝?yán)缡菣C(jī)械印刻、化學(xué)刻蝕、機(jī)械挖空或激光燒蝕。對于機(jī)械印刻，一種方法可以使用具有將要被放置到襯底中的溝槽的凸出式圖案的金屬模具(未示出)。將模具機(jī)械按壓到襯底上可以使材料移位并形成溝槽。用于從金屬層308中的溝槽區(qū)域312和314去除金屬的工藝可能不同于用于從相同溝槽區(qū)域去除電介質(zhì)材料306的工藝。
圖3D是涂層工藝之后的傳導(dǎo)性溝槽316與318和有涂層的過孔320的例圖。所述涂層工藝?yán)缡荂VD、濺射、無電鍍、電解鍍或者這些工藝的組合。涂層可以覆蓋溝槽312與314(上面的圖3C)的表面以創(chuàng)建增大的傳導(dǎo)性橫截面積，其中通過控制所沉積的傳導(dǎo)性材料(例如，金屬沉積物、聚合物或膏劑)的量，可以在尺寸上調(diào)節(jié)該面積。
圖4A-4D圖示了用于制備由PCB上的傳導(dǎo)性溝槽和過孔連接的分段的金屬化平面的方法的另一個(gè)實(shí)施例的例圖。圖4A是在作為電介質(zhì)的核心基礎(chǔ)材料上的圖案化的第一金屬化層的例圖。諸如銅的第一金屬化涂層402可以由幾種方法覆層沉積而成，所述方法例如是CVD或?qū)盈B。在沉積金屬化層402之后的圖案化可以包括在置于金屬層上的光致抗蝕劑涂層中顯影圖像。刻蝕工藝隨后可以對金屬化層402進(jìn)行分段，以暴露出下面的基礎(chǔ)材料404。
圖4B是在第一金屬化層之上沉積的電介質(zhì)層和第二金屬化層的例圖。可以在圖案化的第一金屬化涂層402上沉積第二電介質(zhì)層406。然后，可以在第二電介質(zhì)406上沉積或?qū)盈B第二金屬化涂層408，隨后可以穿過PCB層鉆出過孔410。第二金屬化涂層408可以是銅，第二電介質(zhì)406可以是環(huán)氧樹脂。
圖4C是創(chuàng)建引起傳導(dǎo)性溝槽形成的印刻的例圖。例如通過使用具有凸出式圖案414(即，將要被制造的溝槽的鏡像圖像)的金屬模具412，機(jī)械印刻可以被按壓416到襯底400的第二或頂部金屬化層408上。
圖4D是被按壓到襯底的金屬模具創(chuàng)建傳導(dǎo)性溝槽的例圖。將金屬模具412機(jī)械按壓到襯底400上可以同時(shí)移位金屬化層408和電介質(zhì)材料406兩者，以形成傳導(dǎo)性溝槽418和419。
用于去除或移位電介質(zhì)材料以創(chuàng)建溝槽的工藝可以不同于用于移位或去除金屬化層的工藝。
圖5是用于連接PCB上的分段的金屬化平面的傳導(dǎo)性溝槽的其它實(shí)施例的例圖。使用與上述工藝(圖3A-3D)相同的工藝，金屬化溝槽502和510可以被制備得更深，并且可以連接多于兩個(gè)的金屬化層512、514和508。圖5圖示了第一金屬化溝槽502，其是例如通過刻蝕穿過兩個(gè)電介質(zhì)層504和506以暴露出PCB底部上的第三金屬層508而形成的。第二金屬化溝槽510還被圖示為其被設(shè)置為穿過兩個(gè)電介質(zhì)層504和506，以連接在三個(gè)金屬層508、512和514上的跡線。第三溝槽516可以將第二金屬化層514連接到第三金屬化層508。
對于其它的替代實(shí)施例，可以有多種組合，例如溝槽可以是只連接一個(gè)金屬層的較深的溝槽，以只增加第一金屬層的表面積，進(jìn)而改進(jìn)熱傳導(dǎo)和/或改進(jìn)電導(dǎo)率。
圖6是用于定義單個(gè)平面對602和604即第一金屬層602和第二金屬層604的分段的圖案的一個(gè)實(shí)施例，其中兩個(gè)金屬層602和604的將要由溝槽605連接的分段可以彼此相對地放置。在本實(shí)施例中，上部掩模圖像602稍后可以連接到(+)電位，而下部掩模圖像604可以連接到(-)電位。上部掩模圖像602中的較大表面積606可以連接到下部掩模圖像604的一系列較小表面積分段或指狀物609和609′。反過來，下部掩模圖像604中的較大表面積608可以連接到上部掩模圖像602中的一系列較小表面積分段或指狀物607和607′。圖6是允許在通過溝槽傳導(dǎo)相連的兩個(gè)或多個(gè)表面中實(shí)現(xiàn)多個(gè)電位或熱位的一個(gè)實(shí)施例，以考慮將用于連接的兩個(gè)或更多表面分段成電子封裝件中使用的典型的交替的功率接地域。
圖7A和7B是金屬化溝槽的橫截面的例圖。如在圖7A中所示的，橫截面積隨著金屬化溝槽702和702′的數(shù)目增加，并且隨著用于界定溝槽的增加的表面而增加。在矩形溝槽的情況下，表面積的增加對于每個(gè)金屬化溝槽702和702′來說與溝槽側(cè)壁的長度a和側(cè)壁寬度b有關(guān)系。如圖7B所示，當(dāng)從側(cè)面(與溝槽的長度方向垂直)看金屬化溝槽702和702′時(shí)，對于每個(gè)橫越過的溝槽702和702′來說，橫截面積未變但傳導(dǎo)性路徑704長了2a。在功率傳輸?shù)那闆r下，通過封裝件的空隙式網(wǎng)格(未示出)，可以置于封裝件引腳之間的金屬化溝槽的數(shù)目是金屬化方法的金屬化溝槽寬度(a)和縱橫比能力的函數(shù)。傳導(dǎo)性涂覆之后的橫截面積和溝槽的表面積可以通過修整溝槽表面的邊緣和輪廓來控制或增大。
圖8A和8B圖示了可以用于制備PCB襯底中的法拉第籠的傳導(dǎo)性溝槽的另一個(gè)實(shí)施例。本發(fā)明可以是用于將單個(gè)電路相對于傳導(dǎo)性和/或輻射的能量進(jìn)行屏蔽的新的器件結(jié)構(gòu)。所述能量例如是從印刷電路板的外面或PCB上的鄰近器件產(chǎn)生的輻射而引起的電磁干擾(EMI)。在另一個(gè)實(shí)施例中，法拉第籠被構(gòu)建在PCB襯底之上和/或內(nèi)部，以將PCB電路圍在金屬結(jié)構(gòu)中。
法拉第籠通常是完整的導(dǎo)電殼，其收集雜散的電荷，并且由于同種電荷排斥，法拉第籠將它們存儲(chǔ)在外表面(在那里與在內(nèi)部相比，電荷可以離得更遠(yuǎn))。這些電荷產(chǎn)生的電場之后在籠的內(nèi)部相互抵消。法拉第籠通常被用于保護(hù)敏感的無線電設(shè)備。
圖8A示出了具有由法拉第籠圍繞的單個(gè)電路的PCB的橫截面。圖8B是形成法拉第籠的一部分的傳導(dǎo)性溝槽的俯視圖。可以通過上述方法制備多個(gè)傳導(dǎo)性溝槽804。在一個(gè)實(shí)施例中，電路801和801′可以被形成在PCB 800內(nèi)部的層上。溝槽可以被形成在PCB的側(cè)面802和804兩者之中。頂部表面802和底部表面806可以具有沉積的金屬化層。溝槽804和804′可以形成為封閉的或近似封閉的環(huán)，即，例如這里示出的正方形。結(jié)果，所選擇的電路可以被封閉在溝槽-底部/頂部表面中，從而使用法拉第籠屏蔽所選擇的電路。其它電路801′和過孔808可以置于法拉第籠的外面?；蛘?，在慮及法拉第籠的效率的些許降級(jí)的情況下，過孔(未示出)可以被設(shè)置為穿過法拉第籠結(jié)構(gòu)。
如此，已經(jīng)描述了使用一系列金屬化溝槽連接兩個(gè)或多個(gè)金屬化平面的方法與裝置，其中金屬化溝槽具有可以增加從一個(gè)或多個(gè)金屬化平面的導(dǎo)熱和/或?qū)щ娐窂降臋M截面積。并且，一系列金屬化平面和傳導(dǎo)性溝槽可以被定位來創(chuàng)建用于保護(hù)其中的電路和/或電器件的法拉第籠。盡管已經(jīng)參考具體示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是很明顯，在不偏離如權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的較寬精神和范圍的條件下，可以對這些實(shí)施例作出各種修改和改變。因此，說明書和附圖應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是示例性的而不具有限制意義。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括多個(gè)金屬化平面；一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層，用于分隔所述多個(gè)金屬化平面；以及一個(gè)或多個(gè)傳導(dǎo)性溝槽，用于連接到所述多個(gè)金屬化平面中的至少一個(gè)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多個(gè)金屬化平面的一個(gè)或多個(gè)具有多個(gè)獨(dú)立的分段。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述傳導(dǎo)性溝槽的至少一個(gè)連接到所述獨(dú)立的分段的至少一個(gè)。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多個(gè)金屬化平面的至少一個(gè)連接到功率源。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多個(gè)金屬化平面的至少一個(gè)連接到接地。
6.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述獨(dú)立的分段的至少一個(gè)連接到功率源。
7.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述獨(dú)立的分段的至少一個(gè)連接到接地。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述傳導(dǎo)性溝槽的至少一個(gè)連接到所述金屬化平面的至少兩個(gè)，并且在所述所連接的金屬化平面之間的一個(gè)或多個(gè)金屬化平面與所述用于連接的傳導(dǎo)性溝槽隔離。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)傳導(dǎo)性溝槽的至少一個(gè)是導(dǎo)熱的。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)傳導(dǎo)性溝槽的至少一個(gè)是導(dǎo)電的。
11.一種方法，包括獲得具有第一金屬涂層的第一電介質(zhì)核心；圖案化所述第一金屬涂層；在所述第一金屬涂層上沉積第二電介質(zhì)層；在所述第二電介質(zhì)層上沉積第二金屬涂層；圖案化所述第二金屬涂層；鉆出多個(gè)過孔；形成被定位以連接所述第一金屬涂層和第二金屬涂層的一個(gè)或多個(gè)第一溝槽凹槽；以及金屬化所述溝槽。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述第二金屬涂層和所述第一溝槽上沉積第三電介質(zhì)層；平坦化所述第三電介質(zhì)層；在所述第三電介質(zhì)層上沉積第三金屬涂層；圖案化所述第三金屬涂層；形成一個(gè)或多個(gè)溝槽凹槽；用傳導(dǎo)性材料涂覆所述一個(gè)或多個(gè)溝槽凹槽，并金屬化多個(gè)過孔。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第二溝槽的至少一個(gè)連接所述第一金屬涂層和所述第二金屬涂層，并且與所述第三金屬涂層隔離。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第二溝槽的至少一個(gè)連接所述第二金屬涂層和所述第三金屬涂層，并且與所述第一金屬涂層隔離。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第二溝槽的至少一個(gè)連接所述第一金屬涂層和所述第三金屬涂層，并且與所述第二金屬涂層隔離。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)溝槽凹槽是使用印刻模具形成的。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)溝槽凹槽是通過刻蝕工藝形成的。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述溝槽凹槽的至少一個(gè)被形成為“V”形。
19.一種裝置，包括多個(gè)金屬化平面；一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層，用于分隔所述多個(gè)金屬化平面；以及用于從所述多個(gè)金屬化平面的至少一個(gè)導(dǎo)電的裝置。
20.如權(quán)利要求18所述的裝置，還包括用于從所述多個(gè)金屬化平面的至少一個(gè)導(dǎo)熱的裝置。
全文摘要
一種裝置，包括多個(gè)金屬化平面(202，204)、用于分隔所述多個(gè)金屬化平面的一個(gè)或多個(gè)電解質(zhì)層，以及用于連接到所述多個(gè)金屬化平面中的至少一個(gè)金屬化平面的一個(gè)或多個(gè)傳導(dǎo)性溝槽(218、220、222)。
文檔編號(hào)H05K1/02GK1625925SQ03802980
公開日2005年6月8日 申請日期2003年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月4日
發(fā)明者達(dá)瑞爾·薩托, 加里·布里斯特, 加里·朗 申請人:英特爾公司