專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及降低了制造成本的半導(dǎo)體器件及其制造方法，特別涉及其中半導(dǎo)體芯片安裝在多層布線板上的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件及其制造方法。
相關(guān)技術(shù)介紹如日本專利特許公開No.2001-257288中公開的，根據(jù)減少半導(dǎo)體器件重量并減小安裝面積的要求，已提出了由裸片安裝工藝組裝的半導(dǎo)體器件，特別是倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。


圖1是常規(guī)倒裝芯片型半導(dǎo)體器件的截面圖。如圖1所示，在常規(guī)的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件318中，提供絕緣基板311。在絕緣基板311中提供導(dǎo)電粘結(jié)劑313。此外，在絕緣基板311的正面提供多層布線板309，在絕緣基板311的背面提供突點317。多層布線板309和突點317用導(dǎo)電粘結(jié)劑313相互連接。此外，半導(dǎo)體芯片314安裝在多層布線板309的表面上，半導(dǎo)體芯片314由絕緣樹脂316覆蓋，由樹脂316支撐和保護(hù)。倒裝芯片型半導(dǎo)體器件318通過突點317安裝在基板(未示出)上。突點317與半導(dǎo)體芯片314相互電連接，導(dǎo)電粘結(jié)劑313形成在絕緣基板311中。
多層布線板309需要具有優(yōu)良的平坦度。因此，多層布線板309由下面的步驟制造。首先，制備支撐基板(未示出)，基板具有高剛性并由銅(Cu)、鎳(Ni)、鋁(Al)等的金屬或這些金屬作為主要成分組成的合金組成。接下來，在支撐基板上形成多層布線板309。然后，通過腐蝕除去支撐基板，由此僅留下多層布線板309。
然而，以上介紹的常規(guī)技術(shù)具有以下問題。即，如上所述，一旦形成多層布線板之后通過腐蝕除去具有良好剛性的支撐基板。因此，當(dāng)形成下一多層布線時，必須制備一個新的支撐基板，由此增加了成本。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體的制造方法具有在第一材料形成的支撐基板上形成由第二材料形成的深腐蝕(etching-back)層的步驟。第二材料與第一材料的腐蝕速率不同。此外，根據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制造方法具有以下步驟在深腐蝕層上形成多層布線板；腐蝕深腐蝕層將支撐基板與多層布線板分開；以及在多層布線板上安裝半導(dǎo)體芯片。
在本發(fā)明中，深腐蝕層和多層布線板形成在支撐基板上之后，腐蝕深腐蝕層從多層布線板上除去支撐基板。因此，半導(dǎo)體芯片安裝在多層布線板上，以制造半導(dǎo)體器件，并且還除去支撐基板以便它可以重新使用。由此，減少了半導(dǎo)體器件的制造成本。
制造半導(dǎo)體器件的另一方法具有在第一材料形成的支撐基板上由第二材料形成深腐蝕層的步驟。第二材料與第一材料的腐蝕速率不同。根據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制造方法具有以下步驟在深腐蝕層上形成多層布線板；腐蝕深腐蝕層將支撐基板與多層布線板分離；在多層布線板上安裝多個半導(dǎo)體芯片；以及按每個半導(dǎo)體芯片分離多層布線板。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件具有多層布線板以及安裝在多層布線板上的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片安裝在多層布線板上。通過腐蝕深腐蝕層將多層布線板與支撐基板分離。深腐蝕層形成在多層布線板和支撐基板之間。因此，本發(fā)明能提供一種廉價的半導(dǎo)體器件。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，多層布線板通過深腐蝕層形成在支撐基板上之后，腐蝕深腐蝕層，以便從多層布線板除去支撐基板。由此支撐基板可以重新使用并且可以顯著降低半導(dǎo)體器件的制造成本中的材料成本。由此，可以減少使用多層布線板制造的半導(dǎo)體器件的成本。
優(yōu)選實施例的詳細(xì)說明下面參考附圖詳細(xì)地介紹本發(fā)明的各實施例。首先，介紹本發(fā)明的第一實施例。圖2A-2G、圖3A-3F、圖4A-4D以及圖5A-5D示出了根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。
首先，如圖2A所示，制備具有高表面平坦度和高機(jī)械強度的基底基板1。形成該基底基板1的材料為室溫下具有例如20GPa以上優(yōu)選100GPa以上彈性模量的材料?；谆?的材料例如為金屬或合金材料例如Si、Ti合金、不銹鋼合金(SUS)、硬鋁合金、malaging鋼等、或無機(jī)陶瓷材料例如氧化鋁、多鋁紅柱石、氮化鋁等、或具有優(yōu)良表面平坦度和耐熱性的有機(jī)材料例如聚酰亞胺等。
然后，如圖2B所示，通過濺射法等由Al或Cu作為主要成分的深腐蝕層2形成在基底基板1的整個表面上。應(yīng)該指出深腐蝕層2可以由鋁合金或銅合金形成。
然后，如圖2C所示，外部電極焊盤3形成在深腐蝕層2上。此時，當(dāng)深腐蝕層2由Al作為主要成分的材料形成時，通過下面的步驟形成外部電極焊盤3。即，首先，光致抗蝕劑(未示出)形成在深腐蝕層2上。然后，對光致抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影工藝并構(gòu)圖，由此露出形成外部電極焊盤3圖形的預(yù)定區(qū)域。之后，其中通過無電鍍技術(shù)，把Zn層、Ni層以及Cu層以此順序(下文稱做Zn/Ni/Cu層)疊置的三層膜的鍍覆膜形成在為深腐蝕層2中露出部分的光致抗蝕劑的開口中，形成外部電極焊盤3。此例中，Zn/Ni/Cu層中每層的厚度為0.1到1μm的Zn層、1到10μm的Ni層以及10到50μm的Cu層。因此，外部電極焊盤3的總厚度在11.1到61μm的范圍內(nèi)。形成外部電極焊盤3之后，除去光致抗蝕劑。
此時應(yīng)該注意，為了增強Al深腐蝕層2與外部電極焊盤3之間的粘附性，通過下面的工藝可以形成外部電極焊盤3。也就是，通過濺射工藝等在Al深腐蝕層2上形成Ti/Cu層、Cr/Cu層或Cu合金單層的薄中間層(未示出)。中間層的厚度設(shè)置為約例如0.2到2μm。在該中間層上形成光致抗蝕劑之后，進(jìn)行曝光和顯影工藝以構(gòu)圖，由此，在將形成外部電極焊盤3的預(yù)定區(qū)域處提供開口。然后通過使用以上介紹的Ti/Cu層、Cr/Cu層或Cu合金層中的Cu層(Cu合金層)作為電源層，使用電解電鍍技術(shù)形成Au/Ni/Cu復(fù)合鍍覆層作為外部電極焊盤3。此時，Au層的厚度為0.3到3μm，Ni層的厚度為1到10μm，Cu層的厚度為10到50μm。由此Au/Ni/Cu層的整個厚度達(dá)到11.3到63μm。
隨后，除去光致抗蝕劑。之后，通過化學(xué)腐蝕工藝或諸如離子束腐蝕工藝等的干腐蝕技術(shù)除去中間層中沒有被外部電極焊盤3覆蓋的區(qū)域。
另一方面，當(dāng)由Cu作為主要成分組成的材料形成深腐蝕層2時，通過下面的步驟形成外部電極焊盤3。也就是，在基底基板1上形成的深腐蝕層2上，形成光致抗蝕劑(未示出)。然后，對光致抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影工藝并構(gòu)圖，以便露出深腐蝕層2中形成外部電極焊盤3的預(yù)定區(qū)域。也就是形成光致抗蝕劑的圖形以具有通過使外部電極焊盤3的圖形倒像得到的圖形。
之后，作為深腐蝕層2的Cu層用做電源層，使用電解電鍍技術(shù)形成Au/Ni/Cu復(fù)合鍍覆層作為外部電極焊盤3。然后，除去光致抗蝕劑。此時，在Au/Ni/Cu復(fù)合鍍覆層中，Au層的厚度為0.3到3μm，Ni層的厚度為1到10μm，Cu層的厚度為10到50μm。由此，Au/Ni/Cu復(fù)合鍍覆層的總厚度達(dá)到11.3到63μm。
然后，如圖2D所示，以絕緣層4覆蓋外部電極焊盤3的方式在深腐蝕層2上形成絕緣層4?？梢允褂弥T如聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂之類的液相有機(jī)絕緣材料通過旋涂工藝形成絕緣層4，或者使用CVD(化學(xué)汽相淀積)工藝或PVD(物理汽相淀積)工藝使用等離子體表面處理技術(shù)淀積諸如SiO基等之類的無機(jī)絕緣材料形成絕緣層4。應(yīng)該注意絕緣層4優(yōu)選使用選自由環(huán)氧樹脂、硅樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、氰酸酯樹脂、酚醛樹脂以及萘樹脂作為主要成分組成的組中的一種或兩種或更多種樹脂形成。此時，對應(yīng)于直接位于絕緣層4中的外部電極焊盤3之上區(qū)域的那部分厚度為例如約20到80μm。
然后，如圖2E所示，部分地除去外部電極焊盤3上的絕緣層4以形成開口5。也就是光致抗蝕劑(未示出)形成在絕緣層4的整個表面上，對該光致抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影工藝以構(gòu)圖光致抗蝕劑，以便把開口形成在預(yù)定區(qū)域上，以形成開口5，也就是正好位于外部電極焊盤3之上的那部分區(qū)域。之后，通過使用構(gòu)圖的光致抗蝕劑作為掩模構(gòu)圖絕緣層4。然后，當(dāng)絕緣層4由能化學(xué)地腐蝕的材料，例如能用氫氧化鈉(NaOH)等腐蝕的聚酰亞胺形成時，通過濕腐蝕形成開口5。另一方面，當(dāng)絕緣層4由不能化學(xué)地腐蝕的材料，例如環(huán)氧材料或SiO基無機(jī)絕緣材料形成形成時，使用等離子體表面處理技術(shù)通過干腐蝕形成開口5。應(yīng)該指出由于腐蝕環(huán)氧材料或SiO基無機(jī)絕緣材料的腐蝕劑也腐蝕其它材料，因此實質(zhì)上這種材料不能化學(xué)地腐蝕。
然后，如圖2F所示，通過濺射工藝等將Ti、Cr、Mo或W或它們合金淀積在外部電極焊盤3和絕緣層4上形成薄膜層6。也就是，薄膜層6形成在開口5中。形成該薄膜層6以增強外部電極焊盤3和布線層7之間的粘附性(參見圖2G)，布線層7將在下一步驟形成。
隨后，如圖2G所示，通過濺射工藝、CVD工藝、無電鍍工藝等在薄膜層6上形成厚度例如5到50μm的電極薄膜(未示出)。電極薄膜由電極材料組成，即Cu、Al或Ni。然后，光致抗蝕劑(未示出)形成在電極薄膜上，對光致抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影工藝以構(gòu)圖光致抗蝕劑。然后使用構(gòu)圖的光致抗蝕劑通過濕腐蝕或干腐蝕腐蝕薄膜層6，選擇性除去它們，由此形成布線7。也就是，薄膜層6和電極薄膜中沒有被腐蝕的部分變成布線7。此時布線7的厚度約5到50μm。
此時，當(dāng)布線7的圖形間距較大時，通過下面的步驟形成布線7。也就是薄膜層6形成在絕緣層4的整個表面上，光致抗蝕劑形成在該薄膜層6上。然后對該光致抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影工藝以構(gòu)圖，該圖形為布線7的布線圖形的倒像圖形。隨后，電解電鍍Cu或類似物，以便布線圖形形成在光致抗蝕劑的開口中。然后，剝離光致抗蝕劑，并使用布線圖形作為掩模腐蝕薄膜層6，由此形成布線7。
然后如圖3A到3E所示，重復(fù)以上提到的從形成絕緣層4到形成布線7的步驟，也就是圖2D到2G所示的步驟，以便形成具有需要多層布線結(jié)構(gòu)的布線結(jié)構(gòu)體43。此時，以絕緣層4覆蓋就位于絕緣層4下面的布線7的方式形成絕緣層4。將布線結(jié)構(gòu)體43的上層形成為絕緣層4。因此，絕緣層4的數(shù)量比布線7的數(shù)量大1。在本實施例中，如圖3E所示交替地形成四個絕緣層4和三個布線7。
形成布線結(jié)構(gòu)體43之后，通過使用金屬薄膜布線形成技術(shù)在布線結(jié)構(gòu)體43的上層形成焊盤電極8，如圖3F所示。焊盤電極8形成在對應(yīng)于倒裝芯片型半導(dǎo)體芯片的突點電極圖形的位置處，突點電極將在以后的步驟安裝，也就是焊盤電極8連接到布線結(jié)構(gòu)體43的上層中的布線7。作為焊盤電極8，可以是用例如Au/Ni/Cu復(fù)合鍍覆層或由這些合金組成的層。此時，在形成焊盤電極8的Au/Ni/Cu復(fù)合鍍覆層中，Au層的厚度例如為0.3到3μm，Ni層的厚度為1到10μm，Cu層的厚度為10到50μm。由此，焊盤電極8的總厚度達(dá)到11.3到63μm。
然后，如圖4A所示，焊料抗蝕劑膜9形成在布線結(jié)構(gòu)體43的整個表面上，焊盤電極8和開口提供在就位于焊料抗蝕劑膜9中焊盤電極8之上的區(qū)域。此時，焊料抗蝕劑膜9的厚度設(shè)置為例如10到60μm。焊料抗蝕劑膜9包括布線結(jié)構(gòu)體43的露出部分以及焊盤電極8的邊緣部分。布線結(jié)構(gòu)體43、焊盤電極8以及焊料抗蝕劑膜9形成多層布線板44。
當(dāng)焊料抗蝕劑膜9由光敏材料形成時，光致抗蝕劑涂覆在焊料抗蝕劑膜9上，對光致抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影工藝以構(gòu)圖。然后使用構(gòu)圖的光致抗蝕劑作為掩模通過濕腐蝕或干腐蝕選擇性地除去焊料抗蝕劑膜9，以便在焊料抗蝕劑膜9中形成開口。此外，當(dāng)焊料抗蝕劑膜9由光敏材料形成時，對焊料抗蝕劑膜9進(jìn)行曝光和顯影工藝，以便形成焊料抗蝕劑膜的開口，同時不形成光致抗蝕劑。此外，當(dāng)布線結(jié)構(gòu)體43中的絕緣層對機(jī)械和化學(xué)應(yīng)力的可靠性極高時，不需要形成焊料抗蝕劑膜9。
如圖4A所示，通過從基底基板1側(cè)開始依次疊置外部電極焊盤3、絕緣層4、布線7、絕緣層4、布線7、絕緣層4、布線7、絕緣層4、焊盤電極8以及焊料抗蝕劑膜9形成多層布線板44，以便具有金屬化五層結(jié)構(gòu)。包括多層布線板44的每層的厚度如下。即，例如，外部電極焊盤3的厚度約11到63μm、對應(yīng)于就位于絕緣層4中布線上區(qū)域的那部分厚度約為20到80μm，布線7的厚度約5到50μm，焊盤電極8的厚度約11到63μm，焊料抗蝕劑膜9的厚度約10到60μm。因此，本實施例中的多層布線板44的整個厚度達(dá)到約127到656μm。
然后，如圖4B所示，絕緣粘結(jié)劑10施加到焊料抗蝕劑膜9的部分表面，焊料抗蝕劑膜9設(shè)置在多層布線板44的頂層。絕緣粘結(jié)劑10為例如環(huán)氧帶樹脂或硅樹脂型樹脂組成的粘結(jié)劑。此外，用于增強多層布線板44的加固板11通過絕緣粘結(jié)劑10粘附到多層布線板44的需要位置。加固板11可以由不銹鋼(SUS)、或通過鍍覆在Cu組成的加固板體表面上的Ni形成。
然后，如圖4C所示，通過化學(xué)濕腐蝕除去至少部分，例如，所有設(shè)置在基底基板1上的深腐蝕層2。此時，通過僅腐蝕深腐蝕層2而基本上不腐蝕基底基板1和多層布線板44的腐蝕條件進(jìn)行腐蝕。因此，如圖4D所示，多層布線板44和基底基板1相互隔開。此時，當(dāng)腐蝕深腐蝕層2由Al形成時，可以使用如TMAH(四甲基氫氧化銨)水溶液的堿性水溶液作為腐蝕劑除去。此外，當(dāng)深腐蝕層2由Cu形成時，可以使用氯化銅型腐蝕劑或水解硫酸鹽型腐蝕劑。
應(yīng)該注意在圖2C所示的步驟中，當(dāng)如Ti/Cu層、Cr/Cu層或Cu合金單層或類似物的中間層(未示出)形成在Al的深腐蝕層2上時，在圖4C和4D所示的步驟中不除去該中間層。因此，由于導(dǎo)電中間層留在外部電極焊盤3下面，圖4D所示的步驟之后，除去該中間層的步驟需要使用如離子束腐蝕工藝等的干腐蝕技術(shù)。
除去深腐蝕層2以將多層布線板44和基底基板1相互分開之后，可以進(jìn)行多層布線板44自身的電特性測試。由此，在隨后的倒裝芯片安裝步驟中，倒裝芯片型半導(dǎo)體芯片可以安裝在被鑒定為電特性良好產(chǎn)品的多層布線板44中的部分上。由此，可以提高半導(dǎo)體器件的成品率。
然后，如圖5A所示，倒裝芯片型半導(dǎo)體芯片12的突點電極13連接到多層布線板44的焊盤電極8。因此，半導(dǎo)體芯片12倒裝芯片地安裝在其中加固板11沒有提供在多層布線板44的焊盤電極8側(cè)的表面上的區(qū)域上。此時，如果突點電極13為如Sn或Pb等金屬化材料作為主要成分的焊料，那么使用助焊劑在熱回流步驟中進(jìn)行倒裝芯片安裝。此外，當(dāng)突點電極13由使用如Au、In或類似物的金屬化材料作為主要成分形成時，可以進(jìn)行通過熱接觸接合工藝的倒裝芯片安裝。
之后，如圖5B所示，半導(dǎo)體芯片12的側(cè)面和底面，也就是半導(dǎo)體芯片12和加強板11之間的部分以及半導(dǎo)體芯片12和多層布線板44之間的部分被絕緣密封樹脂14密封。此時，對于絕緣密封樹脂14的密封方法，可以使用引入真空密封技術(shù)、轉(zhuǎn)移密封技術(shù)或使用液相下填材料或類似物的密封技術(shù)的注入樹脂注入技術(shù)。優(yōu)選絕緣密封樹脂14由選自環(huán)氧樹脂、硅樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、氰酸酯樹脂、酚醛樹脂以及萘樹脂作為主要成分組成的組中的一種或兩種或更多種樹脂形成。
然后，如圖5C所示，多層布線板44中的各外部電極焊盤3附著上焊料球15，其中如Sn或類似物的金屬化材料用做外部端子的主要成分。此時，助焊劑選擇性施加到外部電極焊盤3之后，焊料球15安裝倒提供助焊劑的區(qū)域上，并通過IR回流工藝進(jìn)行熱處理，由此焊料球附著到外部電極焊盤3上。
如圖5D所示之后，使用劃片刀或類似物切割多層布線板44并分離例如每個半導(dǎo)體芯片12。因此，通過處理各個倒裝芯片型半導(dǎo)體器件，可以得到根據(jù)本實施例的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件45。
然后，如圖5D所示，在根據(jù)本實施例的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件45中，提供多層布線板44。在該多層布線板44中，從下側(cè)開始依所述順序疊置外部電極焊盤3、絕緣層4、布線7、絕緣層4、布線7、絕緣層4、布線7、絕緣層4、焊盤電極8以及焊料抗蝕劑膜9，以便形成金屬化五層結(jié)構(gòu)。如上所述，本實施例中的多層布線板44的總厚度為127到656μm。在多層布線板44的下表面上的外部電極焊盤3上安裝由例如Sn組成的焊料球15。此外，在多層布線板44的上表面的部分區(qū)域中，加強板11連接到焊料抗蝕劑膜9，在沒有提供加強板11的多層布線板44的上表面區(qū)域上，例如安裝一個半導(dǎo)體芯片12。半導(dǎo)體芯片12中的突點電極13電連接到多層布線板44上的焊盤電極8。此外，絕緣密封樹脂14填充在半導(dǎo)體芯片12和多層布線板44之間，以及半導(dǎo)體芯片12和加強板11之間以密封其間的各間隙。然后通過焊料球15，倒裝芯片型半導(dǎo)體器件45安裝在基板(未示出)上。
在倒裝芯片型半導(dǎo)體器件45中，通過焊料球15、外部電極焊盤3、三層布線7、焊盤電極8以及突點電極13，電源由基板(未示出)提供到半導(dǎo)體芯片12，同時輸入和輸出信號，由此運行半導(dǎo)體芯片12。
在根據(jù)本實施例的圖4D所示的步驟中，與多層布線板44分開的基底基板1不會受到作為腐蝕劑、氯化銅型腐蝕劑、水解硫酸鹽型腐蝕劑使用的堿性水溶液的任何物理和化學(xué)損傷。因此，可以重復(fù)使用基底基板1。由此可以減少半導(dǎo)體器件的制造成本。
此外，在本實施例的形成多層布線板44的布線圖形的步驟中，不需要形成象常規(guī)的疊置基板一樣約10到30μm較厚的金屬薄膜布線，可以利用金屬化制造工藝以及用于半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體器件。因此，即使光致抗蝕劑和布線層的厚度減薄到1μm以下，也可以容易地進(jìn)行加工處理，由此可以容易地促進(jìn)布線圖形的精細(xì)構(gòu)圖。由此，通過促進(jìn)布線圖形的精細(xì)構(gòu)圖高密度地提供有機(jī)多層布線板，減小多層布線板自身外部形狀的尺寸成為可能，并且可以顯著減少制造成本。
此外，如果半導(dǎo)體晶片用做基底基板，可以在晶片層次加工處理制備每個封裝。因此，與每個封裝由各片制造的封裝工藝相比，可以極大減少步驟，并且可以顯著減少制造成本。
應(yīng)該注意在本實施例中，示出了具有金屬化五層結(jié)構(gòu)作為多層布線板44的一個例子。然而，本發(fā)明不限于這種結(jié)構(gòu)。此外，多層布線板可以是由(外部電極焊盤/絕緣層/焊盤電極/焊料抗蝕劑膜)組成的金屬化兩層結(jié)構(gòu)。此時，由于每層的厚度如上所述，因此多層布線板的總厚度例如達(dá)到52到266μm。此外，多層布線板可以是由(外部電極焊盤/絕緣層/布線層/絕緣層/焊盤電極/焊料抗蝕劑膜)組成的金屬化三層結(jié)構(gòu)。此時，多層布線板的總厚度例如達(dá)到77到396μm。此外，多層布線板可以是由(外部電極焊盤/絕緣層/布線層/絕緣層/布線層/焊盤電極/焊料抗蝕劑膜)組成的金屬化四層結(jié)構(gòu)。此時，多層布線板的總厚度例如達(dá)到102到526μm。此外，多層布線板可以是由(外部電極焊盤/絕緣層/布線層/絕緣層/布線層/絕緣層/布線層/絕緣層/布線層/絕緣層/焊盤電極/焊料抗蝕劑膜)組成的金屬化六層結(jié)構(gòu)。此時，多層布線板的總厚度例如達(dá)到152到786μm。
接下來，示出了本實施例的變例。圖6示出了根據(jù)變例的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。倒裝芯片型半導(dǎo)體器件通常適用于多管腳/高速型邏輯器件。在這種器件的應(yīng)用中，存在如何根據(jù)半導(dǎo)體芯片的運行散發(fā)產(chǎn)生的熱的問題。
因此，如圖6所示，在根據(jù)變例的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件46中，為了增強本發(fā)明的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件44的散熱性能，在半導(dǎo)體芯片12的背面上，也就是，沒有提供突點電極13的一側(cè)表面上，在第一實施例制備的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件中，施加具有散熱特性的粘結(jié)劑16。然后通過具有散熱特性的粘結(jié)劑16，把用做散熱體的散熱器17附著到半導(dǎo)體芯片12的表面。
應(yīng)該注意散熱器17優(yōu)選由使用Cu、Al、W、Mo、Fe、Ni以及Cr中的任意一個作為主要成分的金屬材料形成，或者使用氧化鋁、AlN、SiC以及多鋁紅柱石中的任意一個作為主要成分的陶瓷材料形成。
此外，具有散熱特性的粘結(jié)劑16優(yōu)選由環(huán)氧樹脂、硅樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、氰酸酯樹脂、酚醛樹脂以及萘樹脂作為主要成分組成的任何一種樹脂形成，并且優(yōu)選由Ag、Pd、Cu、Al、Au、Mo、W、金剛石、氧化鋁、AlN、多鋁紅柱石、BN以及SiC組成的任何一種材料形成。除本變例中提到的這些之外的結(jié)構(gòu)、操作及制造方法都與以上介紹的第一實施例的相同。
如上所述，該變例增強了半導(dǎo)體器件的散熱效果。除變例中提到的效果之外的其它效果與第一實施例的相同。
接下來，介紹本實施例的其它變例。圖7示出了根據(jù)本變例的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件的剖面圖。在以上介紹的第一實施例中，介紹了安裝有單個半導(dǎo)體芯片12的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。然而，由于需要實現(xiàn)一些單個半導(dǎo)體芯片所不能實現(xiàn)的功能，因此近些年來，需要安裝有多個芯片的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。
如圖7所示，在根據(jù)本變例的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件47中，MPU芯片201和存儲芯片202通過突點電極13電連接到由第一實施例制造的多層布線板44的表面，并由絕緣密封樹脂14密封。此外，ASIC芯片203通過焊料球205連接到多層布線板44的背面，并由絕緣密封樹脂204密封。焊料球205連接到外部電極焊盤3。因此，通過突點電極13、焊盤電極8、布線7、外部電極焊盤3以及焊料球205，把MPU芯片201、存儲芯片202和ASIC芯片203相互連接，并通過焊料球15連接到外部。除本變例中提到的這些之外的結(jié)構(gòu)、操作及制造方法都與以上介紹的第一實施例的相同。
如上所述，根據(jù)本變例，包括多個半導(dǎo)體芯片的系統(tǒng)可以實現(xiàn)倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。除變例中提到的效果之外的其它效果與第一實施例的相同。
應(yīng)該注意在本變例中，ASIC芯片203設(shè)置在多層布線板44背面上的焊料球15之間的區(qū)域上。然而，如果在多層布線板44正面上具有用于ASIC芯片203的空間，也可以連接到它的正面。此外，以上提到的散熱器可以安裝在本變例中的每個半導(dǎo)體芯片上。
接下來，介紹本發(fā)明的第二實施例。圖8示出了根據(jù)實施例的剖面圖。在以上提到的第一實施例中，多層布線板44僅形成在基底基板1的一面。然而，基底基板1的另一面基本上沒有使用。由此，深腐蝕層2形成在基底基板1的正面和背面，多層布線板44可以形成在基底基板1的正面和背面上。注意由于在基底基板1的正面和背面上形成多層布線板44的步驟基本上與第一實施例中的相同，因此為了簡化省略了介紹。
如上所述，在本實施例中，多層布線板44可以形成在基底基板的正面和背面上，每個基底基板1的多層布線板的生產(chǎn)能力增加一倍，顯著提高了制造效率。由此可以降低半導(dǎo)體器件的制造成本并減少制造時間。除以上提到的效果之外的本實施例的效果與第一實施例的相同。
下面介紹本發(fā)明的第三實施例。圖9示出了根據(jù)實施例的剖面圖。如圖2B所示，在以上提到的第一和第二實施例中，僅形成了一層深腐蝕層2。由此，在圖4C所示的腐蝕深腐蝕層2的步驟中，僅深腐蝕層2的側(cè)面接觸腐蝕劑。因此，由于暴露到腐蝕劑的深腐蝕層2的區(qū)域較小，因此深腐蝕時間較長。由此，由于會降低多層布線板的制造生產(chǎn)能力，因此不優(yōu)選深腐蝕時間增加。因此，為了增加它的生產(chǎn)能力，需要快速地向深腐蝕層2提供腐蝕劑。
因此，如圖9所示，在本實施例中，具有優(yōu)良液體滲透(通透)性的多孔層18形成在基底基板1上。多孔層18例如由多孔的聚酰亞胺形成。然后，深腐蝕層2形成在多孔層18上。之后，通過圖2C到2G、圖3A到3F、圖4A到4D以及圖5A到5D中所示第一實施例中的相同步驟，形成倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。除本實施例中提到的這些之外的結(jié)構(gòu)、操作及制造方法都與以上介紹的第一實施例的相同。
在本實施例中，在完成形成多層布線板的步驟之后(對應(yīng)于第一實施例中圖4B的狀態(tài))通過腐蝕劑深腐蝕除去深腐蝕層2的步驟中(對應(yīng)于第一實施例中圖4C所示的步驟)中，腐蝕劑不僅提供到深腐蝕層2的側(cè)面，也提供到深腐蝕層2的表面，通過多孔層的內(nèi)部孔接觸多孔層18。由此，與沒有提供多孔層18的情況相比，進(jìn)一步增加了深腐蝕層2的腐蝕速度。在本實施例中，通過在基底基板1上形成具有優(yōu)良液體滲透性的多孔層18，可以提高深腐蝕層2的腐蝕速度，由此可以增加半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)能力。除以上提到的效果之外的本實施例的效果與第一實施例的相同。
應(yīng)該注意在本實施例中，多孔層18形成基底基板1上，但深腐蝕層2形成基底基板1上之后，多孔層18可以形成在深腐蝕層2上。此外，可以在基底基板1上形成夾層結(jié)構(gòu)(多孔層/深腐蝕層2/多孔層)。當(dāng)形成這種夾層結(jié)構(gòu)時，深腐蝕層2被多孔層18夾在中間，腐蝕劑提供到深腐蝕層2的正面和背面。由此，深腐蝕層2被腐蝕劑更快速地腐蝕。然而，在本實施例中，以多孔層接觸基底基板或多層布線板的方式形成多孔層18。由此，腐蝕除去深腐蝕層之后，需要除去剩余多孔層18的步驟。
此外，雖然在本實施例中介紹了提供多孔層使腐蝕穿透其內(nèi)的例子，但是如果腐蝕能夠以高速穿透進(jìn)入材料內(nèi)，那么可以使用除多孔層之外的任何材料。
接下來，介紹本申請的第四實施例。圖10為根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖面圖。在以上提到的第三實施例中，介紹了提供多孔層增加腐蝕速度的方法。然而，當(dāng)多孔層形成在基底基板上時，需要考慮多孔層與基底基板之間以及多孔層與深腐蝕層之間的粘附性。此外，當(dāng)多孔層形成在深腐蝕層和多層布線板之間時，需要考慮多孔層與深腐蝕層之間以及多孔層與基底基板之間的粘附性。
因此，在本實施例中，在基底基板1上形成三層結(jié)構(gòu)以增加粘附性的自由度。也就是，如圖10所示，深腐蝕層2形成在基底基板1上，具有優(yōu)良液體滲透性的多孔層18形成在深腐蝕層2上，另一深腐蝕層2再形成在多孔層18上。因此，當(dāng)腐蝕深腐蝕層2時，腐蝕劑通過多孔層18提供到深腐蝕層2。除本實施例中提到的這些之外的結(jié)構(gòu)、操作及制造方法都與以上介紹的第一實施例的相同。
如上所述，根據(jù)本實施例，不需要考慮多孔層18與多層布線板之間的粘附性，由于多孔層18被夾在深腐蝕層2之間，因此僅需要考慮多孔層18與深腐蝕層2之間的粘附性。此外，多孔層18被夾在深腐蝕層2之間，不接觸基底基板1和多層布線板中的任何一個。因此，如果腐蝕除去深腐蝕層2，那么多孔層18沒有留在基底基板1和多層布線板上。因此，與以上提到的第三實施例不同，不需要設(shè)置除去多孔層18的步驟。除以上提到的效果之外的本實施例的效果與上述第三實施例的相同。
下面介紹本發(fā)明的第五實施例。圖11A和11B按步驟順序示出了根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖面圖。第五實施例改進(jìn)了根據(jù)以上第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法，圖2A到4A所示步驟與第一實施例中的步驟完全相同。也就是在本實施例中，使用圖2A到4A所示步驟在基底基板1上形成深腐蝕層2，多層布線板44形成在深腐蝕層2上。
然后，如圖11A所示，腐蝕除去深腐蝕層2，基底基板1與多層布線板44分離。通過這些步驟，可以得到多層布線板44的膜。之后，如圖11B所示，絕緣粘結(jié)劑10施加到多層布線板44的膜。然后通過該絕緣粘結(jié)劑10，金屬或合金的加固板11粘附到多層布線板44。然后，通過圖5A到5D所示的第一實施例中的相同步驟，制造倒裝芯片型半導(dǎo)體器件45(圖5D所示)。除本實施例中提到的這些之外的結(jié)構(gòu)、操作及制造方法都與以上介紹的第一實施例的相同。
即使在本實施例中，也可以得到多層布線板44的膜，并且可以使用常規(guī)的TAB帶(載帶自動鍵合帶)的膜產(chǎn)品作運載形式的工藝中可以容易地施加安裝多層布線板44的膜。由此多層布線板44可以應(yīng)用到與基板相關(guān)的許多現(xiàn)有的制造安裝工藝中，優(yōu)點是減少了投資成本，可以容易地促進(jìn)本領(lǐng)域中安裝規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)化，獲得減少制造成本的效果。
此外，在本實施例中，在制造多層布線板的步驟中可以重復(fù)使用基底基板，因此顯著降低了半導(dǎo)體器件的制造成本中的材料成本。由此，促進(jìn)了成本的極大降低。
此外，如果與以上提到的第二實施例類似深腐蝕層形成在基底基板的正面和背面，那么每個基底基板的生產(chǎn)能力增加一倍，顯著提高了制造效率。由此可以極大降低半導(dǎo)體器件的制造成本。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟在第一材料形成的支撐基板上形成由第二材料形成的深腐蝕層，所述第二材料與所述第一材料的腐蝕速率不同；在所述深腐蝕層上形成多層布線板；腐蝕所述深腐蝕層，將所述支撐基板與所述多層布線板分開；以及在所述多層布線板上安裝半導(dǎo)體芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在腐蝕所述深腐蝕層的步驟中，通過濕腐蝕腐蝕所述深腐蝕層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，還包括在形成所述深腐蝕層與形成多層布線板的步驟之間在所述深腐蝕層上形成中間層的步驟，以便所述多層布線板疊置在所述深腐蝕層上，其中與腐蝕所述深腐蝕層一起腐蝕所述中間層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，還包括在形成所述深腐蝕層與形成多層布線板的步驟之間，在所述深腐蝕層上形成和所述深腐蝕層相比具有較高液體滲透性的滲透層的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件的制造方法，還包括在形成所述滲透層與形成多層布線板的步驟之間，在所述滲透層上形成由所述第二材料形成的另一深腐蝕層的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件的制造方法，還包括在形成所述深腐蝕的步驟之前，在所述支撐基板上形成和所述深腐蝕層相比具有較高液體滲透性的滲透層的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述滲透層由多孔材料形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述第二材料是Al、Al合金、Cu或Cu合金。
9.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述第一材料為基本上不被所述腐蝕步驟使用的腐蝕劑腐蝕的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述第一材料是選自Si、Ti合金、不銹鋼、硬鋁合金、malaging鋼組成的組中的一種金屬或合金。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述第一材料是選自氧化鋁、多鋁紅柱石以及氮化鋁組成的組中的一種無機(jī)陶瓷材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述第一材料是聚酰亞胺。
13.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述多層布線板的所述深腐蝕層側(cè)的表面由基本上不被所述腐蝕步驟使用的腐蝕劑腐蝕的材料形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1到13中的任意一個的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中形成所述多層布線板的步驟包括以下步驟在所述深腐蝕層上形成外部電極焊盤；形成絕緣層以覆蓋外部電極焊盤；在所述外部電極焊盤上方的至少部分絕緣層中形成開口；以及通過所述絕緣層上的所述開口形成連接到所述外部電極焊盤的內(nèi)部電極焊盤。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中形成所述多層布線板的步驟還包括形成一個或多個布線層的步驟，形成每個布線層的步驟包括以下步驟穿過所述絕緣層上的所述開口形成連接到所述外部電極焊盤的布線；形成另一絕緣層以覆蓋所述布線；以及在所述布線上方的部分所述另一絕緣層中形成另一開口，所述內(nèi)電極焊盤形成在所述另一絕緣層上并通過另一開口連接到所述布線。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述深腐蝕層形成在所述支撐基板的正面和背面的每一面上，所述多層布線板形成在所述支撐基板的正面和背面上形成的每一個所述深腐蝕層上，形成在所述支撐基板的正面和背面上的所述深腐蝕層在所述腐蝕步驟中一起被腐蝕。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，還包括將加固所述多層布線板的加固板附加到多層布線板的步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在所述腐蝕之前進(jìn)行所述加固板的附加，所述加固板附加到所述多層布線板與所述深腐蝕層表面相對的表面上。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述腐蝕形成所述多層布線板的膜，所述腐蝕之后進(jìn)行所述加固板的附著。
20.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟在第一材料形成的支撐基板上形成由第二材料形成的深腐蝕層，所述第二材料與所述第一材料的腐蝕速率不同；在所述深腐蝕層上形成多層布線板；腐蝕所述深腐蝕層將所述支撐基板與所述多層布線板分開；在所述多層布線板上安裝多個半導(dǎo)體芯片；以及將所述多層布線板分離成每個所述半導(dǎo)體芯片。
21.一種半導(dǎo)體器件，包括多層布線板；以及安裝在所述多層布線板上的半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片安裝在所述多層布線板上，通過腐蝕形成在所述多層布線板和所述支撐基板之間的深腐蝕層，將所述支撐基板與所述多層布線板分開。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體器件，還包括連接到所述多層布線板上的焊料球。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體器件，還包括將所述多層布線板與所述半導(dǎo)體芯片相連的突點電極。
24.根據(jù)權(quán)利要求21的半導(dǎo)體器件，還包括連接到與所述多層布線板表面相對的所述半導(dǎo)體芯片表面上的散熱器，用于冷卻所述半導(dǎo)體芯片。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的半導(dǎo)體器件，其中所述散熱器由Cu、Al、Mo、W、Fe、Ni以及Cr組成的組中的一種金屬或它的合金構(gòu)成。
26.根據(jù)權(quán)利要求24的半導(dǎo)體器件，其中所述散熱器含有由氧化鋁、AlN、SiC以及多鋁紅柱石組成的組中的一種材料的陶瓷材料形成。
27.根據(jù)權(quán)利要求24的半導(dǎo)體器件，其中用散熱粘結(jié)劑將所述散熱器粘附到所述半導(dǎo)體芯片上。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的半導(dǎo)體器件，其中所述散熱粘結(jié)劑含有由環(huán)氧樹脂、硅樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、氰酸酯樹脂、酚醛樹脂以及萘樹脂作為主要成分組成的任何一種樹脂形成，并且還含有由Ag、Pd、Cu、Al、Au、Mo、W、金剛石、氧化鋁、AlN、多鋁紅柱石、BN以及SiC組成的任何一種、或者兩種、或者多種材料形成。
29.根據(jù)權(quán)利要求21到28中任意一個的半導(dǎo)體器件，其中多層布線板為金屬兩層結(jié)構(gòu)，包括外部電極焊盤；絕緣層，形成以覆蓋外部電極焊盤并在與所述外部電極焊盤對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有開口；內(nèi)部電極焊盤，形成在所述絕緣層上，并通過所述開口連接到所述外部電極焊盤；以及覆蓋內(nèi)部電極焊盤邊緣的焊料抗蝕劑膜。
30.根據(jù)權(quán)利要求29的半導(dǎo)體器件，其中所述多層布線板的總的膜厚度為52到266μm。
31.根據(jù)權(quán)利要求21到28中任意一個的半導(dǎo)體器件，其中多層布線板為金屬三層結(jié)構(gòu)，包括外部電極焊盤；第一絕緣層，形成以覆蓋外部電極焊盤并在與所述外部電極焊盤對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第一開口；布線層，形成在所述第一絕緣層上并通過所述第一開口連接到所述外部電極焊盤；第二絕緣層，形成以覆蓋布線層并在與所述布線層對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第二開口；內(nèi)部電極焊盤，形成在第二絕緣層上并通過所述第二開口連接到所述布線層；以及覆蓋所述內(nèi)部電極焊盤邊緣的焊料抗蝕劑膜。
32.根據(jù)權(quán)利要求31的半導(dǎo)體器件，其中所述多層布線板的總的膜厚度為77到396μm。
33.根據(jù)權(quán)利要求21到28中任意一個的半導(dǎo)體器件，其中多層布線板為金屬四層結(jié)構(gòu)，包括外部電極焊盤；第一絕緣層，形成以覆蓋外部電極焊盤并在與所述外部電極焊盤對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第一開口；第一布線層，形成在所述第一絕緣層上并通過所述第一開口連接到所述外部電極焊盤；第二絕緣層，形成以覆蓋第一布線層并在與所述第一布線層對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第二開口；第二布線層，形成在所述第二絕緣層上并通過所述第二開口連接到所述第一布線層；第三絕緣層，形成以覆蓋第二布線層并在與所述第二布線層對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第三開口；內(nèi)部電極焊盤，形成在第三絕緣層上并通過所述第三開口連接到所述第二布線層；以及覆蓋所述內(nèi)部電極焊盤邊緣的焊料抗蝕劑膜。
34.根據(jù)權(quán)利要求33的半導(dǎo)體器件，其中所述多層布線板的總的膜厚度為102到526μm。
35.根據(jù)權(quán)利要求21到28中任意一個的半導(dǎo)體器件，其中多層布線板為金屬五層結(jié)構(gòu)，包括外部電極焊盤；第一絕緣層，形成以覆蓋外部電極焊盤并在與所述外部電極焊盤對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第一開口；第一布線層，形成在所述第一絕緣層上并通過所述第一開口連接到所述外部電極焊盤；第二絕緣層，形成以覆蓋第一布線層并在與所述第一布線層對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第二開口；第二布線層，形成在所述第二絕緣層上并通過所述第二開口連接到所述第一布線層；第三絕緣層，形成以覆蓋第二布線層并在與所述第二布線層對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第三開口；第三布線層，形成在所述第三絕緣層上并通過所述第三開口連接到所述第二布線層；第四絕緣層，形成以覆蓋第三布線層并在與所述第三布線層對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第四開口；內(nèi)部電極焊盤，形成在第四絕緣層上并通過所述第四開口連接到所述第三布線層；以及覆蓋所述內(nèi)部電極焊盤邊緣的焊料抗蝕劑膜。
36.根據(jù)權(quán)利要求35的半導(dǎo)體器件，其中所述多層布線板的總的膜厚度為127到656μm。
37.根據(jù)權(quán)利要求21到28中任意一個的半導(dǎo)體器件，其中多層布線板為金屬六層結(jié)構(gòu)，包括外部電極焊盤；第一絕緣層，形成以覆蓋外部電極焊盤并在與所述外部電極焊盤對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第一開口；第一布線層，形成在所述第一絕緣層上并通過所述第一開口連接到所述外部電極焊盤；第二絕緣層，形成以覆蓋第一布線層并在與所述第一布線層對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第二開口；第二布線層，形成在所述第二絕緣層上并通過所述第二開口連接到所述第一布線層；第三絕緣層，形成以覆蓋第二布線層并在與所述第二布線層對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第三開口；第三布線層，形成在所述第三絕緣層上并通過所述第三開口連接到所述第二布線層；第四絕緣層，形成以覆蓋第三布線層并在與所述第三布線層對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第四開口；第四布線層，形成在所述第四絕緣層上并通過所述第四開口連接到所述第三布線層；第五絕緣層，形成以覆蓋第四布線層并在與所述第四布線層對準(zhǔn)的部分區(qū)域中有第五開口；內(nèi)部電極焊盤，形成在第四絕緣層上并通過所述第五開口連接到所述第四布線層；以及覆蓋所述內(nèi)部電極焊盤邊緣的焊料抗蝕劑膜。
38.根據(jù)權(quán)利要求37的半導(dǎo)體器件，其中所述多層布線板的總的膜厚度為152到786μm。
39.根據(jù)權(quán)利要求29的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣層含有由選自環(huán)氧樹脂、硅樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、氰酸酯樹脂、酚醛樹脂以及萘樹脂作為主要成分組成的組中的一種、兩種、或更多種樹脂形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法。在所述方法中，由鋁或銅組成的深腐蝕層形成在基底基板上，并在深腐蝕層上制備多層布線板。之后，在不腐蝕多層布線板和基底基板的條件下腐蝕深腐蝕層，以便將基底基板與多層布線板分開。因此，可以重復(fù)使用基底基板。
文檔編號H05K3/20GK1438686SQ0310412
公開日2003年8月27日 申請日期2003年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月15日
發(fā)明者本多廣一 申請人:恩益禧電子股份有限公司