專利名稱：帶孔的組合用多層基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶孔的組合(ビルドアツプ)用多層基板及其制造方法，尤其涉及利用圓形搖擺電鍍形成電解淀積層的帶孔的組合用多層基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，對(duì)應(yīng)于移動(dòng)電話、手提電腦、PDA等電子儀器的高性能化、小型化，電路基板采用了組合基板。
現(xiàn)有組合基板的一例如圖21(a)、圖21(b)所示，在銅箔221的一側(cè)印刷形成凸起222，對(duì)形成了凸起222的銅箔221及加入玻璃纖維的環(huán)氧樹脂層223、銅箔224進(jìn)行熱壓成型，層積銅箔221、樹脂層223及銅箔224，進(jìn)行層間電連接。現(xiàn)有組合基板的另一例如圖22(a)～圖22(c)所示，在樹脂層230上開孔231，向孔231充填導(dǎo)電糊232，然后形成銅層(銅箔)233，進(jìn)行層間電連接。
再一個(gè)例子如圖23(a)～圖23(c)所示，在銅箔240和樹脂層241的層積板上開孔242，鍍銅進(jìn)行層間電連接。圖中，標(biāo)號(hào)245是利用鍍銅形成的電解淀積層。
在現(xiàn)有技術(shù)的圖21(a)～圖22(c)所示的組合基板中，其極限是孔徑100μm、電路寬和間隔比(L/S)為75/75μm、樹脂層厚度為100μm、銅的厚度為18～35μm的基板，為了對(duì)應(yīng)電子儀器的高性能化、小型化，要求開發(fā)更微細(xì)化的組合基板。
作為微細(xì)化技術(shù)，如圖23(a)～圖23(c)所示，使用了利用激光法在樹脂層開孔，利用電鍍形成銅層進(jìn)行層間電連接的技術(shù)，但是，該技術(shù)微細(xì)化的極限是孔徑75μm、L/S為45/45μm、絕緣樹脂層厚度為60μm、銅的厚度為18μm的基板，加工小于該極限的尺寸的微細(xì)化基板，價(jià)格會(huì)急劇升高，成本方面存在問題。
利用這種現(xiàn)有的微細(xì)孔內(nèi)壁面的電鍍，形成圖24所示的電解淀積層。也就是說，樹脂層241表面的電解淀積層245a厚，孔內(nèi)壁面的電解淀積層245b變薄，且其與底面銅層240上的電解淀積層245c在孔的底面端部產(chǎn)生電解淀積層薄的部分245d，有損層間的電連接。
在現(xiàn)有的、利用電鍍?cè)跇渲瑢由闲纬摄~層的多層基板中，存在下述問題，銅層的剝離強(qiáng)度(銅層和樹脂層的剝離強(qiáng)度)低，不能滿足多層基板部件安裝側(cè)必要的剝離強(qiáng)度，在部件安裝時(shí)，樹脂層和銅層會(huì)剝離。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明提供以下技術(shù)方案。
(1)一種帶孔的組合用多層基板，在由絕緣樹脂層和單面銅層構(gòu)成且在該絕緣樹脂層上形成有直到單面銅層的孔的基板上，利用圓形搖擺電鍍形成的電解淀積層形成于所述孔的內(nèi)壁部表面及未設(shè)銅層的絕緣樹脂層表面上，孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層表面的電解淀積層厚。
(2)一種帶孔的組合用多層基板，在形成有貫通絕緣樹脂層的孔的基板上，利用圓形搖擺電鍍形成的電解淀積層形成于所述孔的內(nèi)壁部表面及絕緣樹脂層的兩面上，孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層兩面的電解淀積層厚。
(3)如上述(1)或(2)所述的帶孔的組合用多層基板，其中，形成于絕緣樹脂層的孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層填滿絕緣樹脂層的孔。
(4)如上述(1)～(3)任一項(xiàng)所述的帶孔的組合用多層基板，其中，內(nèi)壁部表面上形成有電解淀積層的絕緣樹脂層的孔在多層基板上以規(guī)定的間隔形成多個(gè)。
(5)如上述(1)～(3)任一項(xiàng)所述的帶孔的組合用多層基板，其中，內(nèi)壁部表面上形成有電解淀積層的絕緣樹脂層的孔在多層基板的電路形成位置上形成多個(gè)。
(6)一種帶孔的組合用多層基板的制造方法，包括利用激光在由絕緣樹脂層和單面銅層構(gòu)成的基板的絕緣樹脂層上，形成直到單面銅層的孔的工序；
在形成所述孔的基板上進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；電鍍工序，使所述基板在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍，在孔的內(nèi)壁部表面及絕緣樹脂層的未設(shè)銅層的表面形成電解淀積層；由此，使孔的內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層的未設(shè)銅層的表面的電解淀積層厚。
(7)一種帶孔的組合用多層基板的制造方法，包括利用激光在絕緣樹脂層上形成貫通孔的工序；在形成所述孔的基板上進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；電鍍工序，該工序使所述基板在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍，在孔的內(nèi)壁部表面及絕緣樹脂層的兩面上形成電解淀積層；由此，使孔的內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層的兩面上的電解淀積層厚。
(8)如上述(6)或(7)所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，其中，在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流的電鍍工序中孔內(nèi)部的電鍍液的流速大于絕緣樹脂層表面的流速。
(這里，將上述(1)～(5)所述的帶孔的組合用多層基板及上述(6)～(8)所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法統(tǒng)稱作本發(fā)明的第一方式。)(9)一種帶孔的組合用多層基板，在絕緣樹脂層的單面上具有極薄銅箔且形成通孔的基件上，利用圓形搖擺電鍍，在極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及通孔的內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層，通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
(10)如上述(9)所述的帶孔的組合用多層基板，其中，形成于通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層填滿通孔。
(11)一種帶孔的組合用多層基板，在絕緣樹脂層的單面上具有極薄銅箔且在絕緣樹脂層上形成直到極薄銅箔的孔的基件上，利用圓形搖擺電鍍，在極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及孔的內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層，孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
(12)如上述(11)所述的帶孔的組合用多層基板，其中，形成于直到極薄銅箔的孔的內(nèi)壁部表面的電解淀積層填滿孔。
(13)如上述(9)～(12)任一項(xiàng)所述的帶孔的組合用多層基板，其中，絕緣樹脂層的單面的極薄銅箔厚1～5μm。
(14)一種如上述(9)或(10)所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，包括對(duì)絕緣樹脂層單面上具有極薄銅箔的基件的極薄銅箔進(jìn)行激光加工性好的處理，從所述極薄銅箔側(cè)利用激光穿孔加工形成通孔的工序；在形成所述通孔的基件上進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；圓形搖擺電鍍工序，使所述基件在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在通孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍；在所述基件的極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及通孔的內(nèi)壁部表面形成電解淀積層，使通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
(15)一種如上述(9)或(10)所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，絕緣樹脂層單面上具有極薄銅箔的基件是對(duì)極薄銅箔進(jìn)行了提高激光加工性的處理并接合在載體銅箔上的基件，該制造方法包括將所述基件自載體銅箔剝離，由進(jìn)行了所述基件的提高激光加工性的處理的極薄銅箔側(cè)利用激光穿孔加工形成通孔的工序；在形成所述通孔的基件上進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；圓形搖擺電鍍工序，使所述基件在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在通孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍；在基件的極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及通孔的內(nèi)壁部表面形成電解淀積層，使通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
(16)一種如上述(9)或(10)所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，包括對(duì)絕緣樹脂層單面上具有銅箔的基件的銅箔進(jìn)行提高激光加工性的處理，由所述銅箔側(cè)利用激光穿孔加工形成通孔的工序；通過腐蝕將形成所述通孔的基件的銅箔加工成極薄銅箔的工序；在所述基件上進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；圓形搖擺電鍍工序，使所述基件在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在通孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍；在所述基件的極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及通孔的內(nèi)壁部表面形成電解淀積層，使通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
(17)一種如上述(11)或(12)所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，包括自絕緣樹脂層單面上具有極薄銅箔的基件的絕緣樹脂層側(cè)進(jìn)行激光穿孔加工，在絕緣樹脂層上形成直到極薄銅箔的孔的工序；在絕緣樹脂層上形成直到所述極薄銅箔的孔的基件上進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；圓形搖擺電鍍工序，使所述基件在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在直到極薄銅箔的絕緣樹脂層的孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍；在基件的極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及孔的內(nèi)壁部表面形成電解淀積層，使孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
(18)一種如上述(11)或(12)所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，絕緣樹脂層單面上具有極薄銅箔的基件是接合在載體銅箔上的基件，該制造方法包括在將基件接合于載體銅箔上的狀態(tài)下，自基件的絕緣樹脂層側(cè)進(jìn)行激光穿孔加工，在絕緣樹脂層上形成直到極薄銅箔的孔的工序；將在絕緣樹脂層上形成直到極薄銅箔的孔的基件自載體銅箔剝離，并進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；圓形搖擺電鍍工序，使所述基件在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在直到極薄銅箔的絕緣樹脂層的孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍；在基件的極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及孔的內(nèi)壁部表面形成電解淀積層，使孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
(這里，將上述(9)～(13)所述的帶孔的組合用多層基板及上述(14)～(18)所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法統(tǒng)稱作本發(fā)明的第二方式。)這里，所謂本發(fā)明意味著包括所述第一方式和第二方式兩者。
這里，在設(shè)于絕緣樹脂層上的孔或通孔未被電解淀積層填滿的情況下，所謂“孔(或通孔)的內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層表面的電解淀積層厚”，是指只要孔或通孔的內(nèi)壁部表面的電解淀積層的厚度比絕緣樹脂層表面的電解淀積層的厚度厚，則對(duì)它們的厚度無特別限制。理想的是，孔或通孔的內(nèi)壁部表面的電解淀積層厚度是絕緣樹脂層表面的電解淀積層厚度的1倍以上2倍以下，更理想的是1.2～1.3倍。
在設(shè)于絕緣樹脂層上的孔或通孔被電解淀積層填滿的情況下，所謂“孔(或通孔)的內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層表面的電解淀積層厚”，是指其內(nèi)部被電解淀積層填滿的孔或通孔的直徑大于內(nèi)壁部表面的電解淀積層厚度。
本發(fā)明第一方式的帶孔的組合用多層基板，通過在由絕緣樹脂層和單面銅層構(gòu)成并于該絕緣樹脂層上形成直到單面銅層的孔的基板上，利用圓形搖擺電鍍形成電解淀積層，使形成于絕緣樹脂層的孔內(nèi)壁部表面及絕緣樹脂層的表面上的電解淀積層不會(huì)在直到單面銅層的孔的底面端部產(chǎn)生薄的部分，孔的內(nèi)壁部表面的電解淀積層比未設(shè)銅層的絕緣樹脂層表面的電解淀積層厚，故可提高微細(xì)化孔的層間電連接的可靠性，且可高速容易地對(duì)微細(xì)化孔進(jìn)行電鍍。
本發(fā)明第一方式的帶孔的組合用多層基板，通過利用圓形搖擺電鍍?cè)诮^緣樹脂層上形成有通孔的基板上形成電解淀積層，使絕緣樹脂層的通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層兩面的電解淀積層厚，并且，可利用圓形搖擺電鍍，在絕緣樹脂層兩面即絕緣樹脂層上面及下面形成大致相同厚度的電解淀積層，所以不會(huì)因電解淀積層的應(yīng)力使基板翹曲。并且，由于利用圓形搖擺電鍍?cè)诮^緣樹脂層的上面及下面形成電解淀積層，故可形成厚度在10μm以下的薄的電解淀積層。
本發(fā)明第二方式的帶孔的組合用多層基板，在絕緣樹脂層的單面上具有極薄銅箔的基件上形成通孔，利用圓形搖擺電鍍?cè)跇O薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及通孔的內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層，將絕緣樹脂層與其單面上的極薄銅箔的剝離強(qiáng)度提高到可滿足部件安裝的強(qiáng)度。在現(xiàn)有的在樹脂層上利用電鍍形成銅層的多層基板中，銅層的剝離強(qiáng)度很低，是0.7kg/cm左右，但是，本發(fā)明的在絕緣樹脂層單面上設(shè)置銅箔，利用圓形搖擺電鍍?cè)阢~箔面上形成電解淀積層的多層基板可以使單面的部件安裝側(cè)剝離強(qiáng)度為0.9kg/cm以上，形成可滿足部件安裝的強(qiáng)度。在絕緣樹脂層單面上設(shè)置銅箔形成通孔的基板上，利用圓形搖擺電鍍?cè)阢~箔及絕緣樹脂層表面以及通孔的內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層，使通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比基件的未設(shè)銅箔的絕緣樹脂層表面的電解淀積層厚，故微細(xì)化通孔的層間電連接的可靠性高。
本發(fā)明第二方式的帶孔的組合用多層基板，在絕緣樹脂層的單面上具有極薄銅箔并在絕緣樹脂層形成直到極薄銅箔的孔的基件上，利用圓形搖擺電鍍?cè)跇O薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及通孔的內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層，將絕緣樹脂層與其單面上的極薄銅箔的剝離強(qiáng)度提高到可滿足部件安裝的強(qiáng)度。使絕緣樹脂層的直到極薄銅箔的孔的內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚，故層間電連接的可靠性高。


圖1(a)～圖1(c)是本發(fā)明實(shí)施例1的孔的形成及圓形搖擺電鍍工序的說明圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例1得到的帶孔組合用多層基板的局部放大剖面圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例1得到的帶孔組合用多層基板的局部剖面圖；圖4是本發(fā)明的帶孔的組合用多層基板的一例的平面圖；圖5是本發(fā)明的帶孔的組合用多層基板的另一例的平面圖；圖6(a)～圖6(c)是本發(fā)明實(shí)施例2中孔的形成工序及得到的帶孔的組合用多層基板的剖面圖；圖7(a)～圖7(c)是本發(fā)明實(shí)施例3的通孔形成及圓形搖擺電鍍工序說明圖；圖8(a)、圖8(b)是本發(fā)明實(shí)施例3得到的帶孔的組合用多層基板的局部放大剖面圖；圖9(a)～圖9(c)是本發(fā)明實(shí)施例4中通孔的形成工序及得到的帶孔的組合用多層基板的剖面圖；圖10(a)～圖10(c)是本發(fā)明實(shí)施例5中通孔的形成工序及得到的帶孔的組合用多層基板的剖面圖；圖11(a)～圖11(c)是本發(fā)明實(shí)施例6中通孔和保護(hù)層的形成工序及得到的具有銅電路的帶孔的組合用多層基板的剖面圖；圖12(a)～圖12(d)是本發(fā)明實(shí)施例7的通孔形成工序的剖面圖；圖13(e)、圖13(f)是本發(fā)明實(shí)施例7的圓形搖擺電鍍工序及得到的帶孔的組合用多層基板的說明圖；圖14是本發(fā)明實(shí)施例7得到的帶孔的組合用多層基板的局部放大剖面圖；圖15(a)～圖15(d)是本發(fā)明實(shí)施例8中通孔的形成及圓形搖擺電鍍工序以及得到的帶孔的組合用多層基板的說明圖；圖16是本發(fā)明實(shí)施例8得到的帶孔的組合用多層基板的局部放大剖面圖；圖17(a)～圖17(e)是本發(fā)明實(shí)施例9中通孔的形成及圓形搖擺電鍍工序以及得到的帶孔的組合用多層基板的說明圖；圖18(a)～圖18(e)是本發(fā)明實(shí)施例10中通孔的形成及圓形搖擺電鍍工序以及得到的帶孔的組合用多層基板的說明圖；圖19是本發(fā)明實(shí)施例11得到的帶孔的組合用多層基板的局部放大剖面圖；圖20(a)～圖20(c)是本發(fā)明實(shí)施例12中的孔的形成工序的說明圖；圖21(a)～圖21(b)是現(xiàn)有組合基板的一例的剖面圖；圖22(a)～圖22(c)是現(xiàn)有組合基板的另一例的剖面圖；圖23(a)～圖23(c)是現(xiàn)有組合基板的再一例的剖面圖；圖24是現(xiàn)有組合基板的孔的內(nèi)壁面的電解淀積層的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
首先說明本發(fā)明的第一方式。
本發(fā)明第一方式的帶孔的組合用多層基板理想的是帶孔的組合用兩層基板由銅層和絕緣樹脂層構(gòu)成，樹脂層例如是FR4級(jí)的環(huán)氧系樹脂、FR5級(jí)耐熱樹脂、聚酰亞胺、加有玻璃纖維的樹脂(例如加有玻璃纖維的環(huán)氧樹脂)等，是將其和銅箔加壓層積而成的。
絕緣樹脂層的孔通過激光加工形成直到銅層的微細(xì)孔。
作為進(jìn)行圓形搖擺電鍍的前處理，要對(duì)形成所述孔的基板進(jìn)行表面粗糙化、無電解電鍍或使絕緣樹脂層表面及孔的內(nèi)壁部表面活化的活化處理。作為該前處理也可以在形成了所述孔的基件上進(jìn)行銅噴鍍。這些前處理可以組合進(jìn)行兩個(gè)以上的前處理。
電鍍是將多層基板在銅的電鍍?cè)≈袌A形搖擺并進(jìn)行的，孔也進(jìn)行圓形搖擺，使孔內(nèi)部的電鍍液產(chǎn)生渦流。通過使電鍍液產(chǎn)生渦流，使孔內(nèi)壁部表面的銅的電鍍液的流速高于絕緣樹脂層表面的流速，使極接近孔內(nèi)壁部表面的銅離子擴(kuò)散層(銅離子濃度低的區(qū)域)變薄。該銅離子濃度低的擴(kuò)散層左右電解淀積速度，故通過使該擴(kuò)散層變薄，可增大電解淀積速度(電解淀積電流)，通過加大電解淀積速度(電解淀積電流)，使孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層表面的電解淀積層厚。
在所述本發(fā)明的第一方式下，即使對(duì)多層基板的厚度為100μm以下、孔徑為50μm以下的比現(xiàn)有更微小的孔，也可以容易地進(jìn)行高速且可靠性高的電鍍。
在本發(fā)明的第一方式中，提供一種帶孔的組合用多層基板，該多層基板在形成貫通絕緣樹脂層的孔的基板上，利用圓形搖擺電鍍?cè)谕椎膬?nèi)壁部表面及絕緣樹脂層的兩面上形成電解淀積層，絕緣樹脂層例如是FR4級(jí)的環(huán)氧系樹脂、FR5級(jí)耐熱樹脂、聚酰亞胺、加有玻璃纖維的樹脂(例如加有玻璃纖維的環(huán)氧樹脂)等，絕緣樹脂層的通孔利用激光加工形成微細(xì)孔。
作為進(jìn)行圓形搖擺電鍍的前處理，要對(duì)形成所述通孔的基板進(jìn)行表面粗糙化、無電解電鍍或使絕緣樹脂層表面及通孔的內(nèi)壁部表面活化的活化處理。作為該前處理可以在形成了所述通孔的基件上進(jìn)行銅噴鍍。這些前處理可以組合進(jìn)行兩個(gè)以上的前處理。
圓形搖擺電鍍是將在絕緣樹脂層形成通孔的基板在銅的電鍍?cè)≈袌A形搖擺并進(jìn)行的，通孔也進(jìn)行圓形搖擺，使通孔內(nèi)部的電鍍液產(chǎn)生渦流。通過使電鍍液產(chǎn)生渦流，使通孔內(nèi)壁部表面的銅的電鍍液的流速高于絕緣樹脂層兩面的流速，使極接近孔內(nèi)壁部表面的銅離子擴(kuò)散層(銅離子濃度低的區(qū)域)變薄。該銅離子濃度低的擴(kuò)散層左右電解淀積速度，故通過使該擴(kuò)散層變薄，可增大電解淀積速度(電解淀積電流)，通過加大電解淀積速度(電解淀積電流)，使通孔內(nèi)壁部表面的銅的電鍍層比絕緣樹脂層上面及下面的銅的電鍍層厚。具體地說，絕緣樹脂層上面及下面的銅的電鍍層可形成厚度10μm以下的薄的電解淀積層，并且，由于形成相同的厚度，故不會(huì)出現(xiàn)因電鍍應(yīng)力而翹曲的現(xiàn)象。
這樣，本發(fā)明的第一方式的多層基板由于具有厚度100μm以下、孔徑50μm以下的比現(xiàn)有技術(shù)微小的孔，故可以用作下代移動(dòng)電話、手提電腦、PDA等的電路基板，可應(yīng)對(duì)高性能化、小型化。
下面說明本發(fā)明的第二方式。
在本發(fā)明的第二方式中，基件是在絕緣樹脂層的單面上具有極薄銅箔的基件，絕緣樹脂層例如用FR4級(jí)的環(huán)氧系樹脂、FR5級(jí)耐熱樹脂、聚酰亞胺等，利用壓力機(jī)將極薄銅箔層積在絕緣樹脂層的單面上?；蛘撸鳛榻^緣樹脂層使用加有玻璃纖維的樹脂(例如加有玻璃纖維的環(huán)氧樹脂)。若使用加有玻璃纖維的樹脂，則在利用激光穿孔形成孔的工序中，可抑制產(chǎn)生撓曲及局部凹凸等基件的變形。
通過用壓力機(jī)將銅箔層積在絕緣樹脂層的單面上，并通過腐蝕加工使銅箔變薄，可形成在絕緣樹脂層的單面上具有極薄銅箔的基件。
通過腐蝕使銅箔變薄為極薄銅箔的工序，最好在利用激光穿孔加工形成孔后進(jìn)行。這是由于激光穿孔加工產(chǎn)生的銅的飛散物等有時(shí)會(huì)附著在銅箔上，為了除去該薄化工序中附著的飛散物，最好在激光穿孔加工形成孔后進(jìn)行利用腐蝕使銅箔薄化為極薄銅箔的工序。
設(shè)在基件的絕緣樹脂層單面上的極薄銅箔使用厚1～5μm的銅箔。通過用這種極薄銅箔，并進(jìn)行圓形搖擺電鍍，可使單面的剝離強(qiáng)度提高到0.9kg/cm以上，形成滿足部件安裝的強(qiáng)度。另外，在絕緣樹脂層單面上設(shè)置厚3～5μm的極薄銅箔的基件，在利用激光穿孔加工形成通孔后，利用腐蝕減薄為1～3μm的厚度，利用圓形搖擺電鍍?cè)谄渖闲纬呻娊獾矸e層，從而，可使電解淀積層和1～3μm的極薄銅箔構(gòu)成的銅層的厚度為10μm以下。由此，可減小與絕緣樹脂層面的電解淀積層厚度的不同。
在基件的絕緣樹脂層的單面上設(shè)置厚12μm的銅箔的情況下，最好在激光穿孔加工后，利用腐蝕使其薄化為厚度1～5μm的極薄銅箔。
銅箔與絕緣樹脂層相接的界面的粗糙面粗糙度最好形成例如Rz＝1.9(μm)～2.7(μm)的低粗糙度。
為了自基件的銅箔側(cè)利用激光穿孔加工形成通孔，要對(duì)基件的銅箔進(jìn)行提高激光加工性的處理。作為提高激光加工性的處理，在銅箔上鍍0.05～0.1μm左右的Co-Cu合金。
在絕緣樹脂層的單面上具有極薄銅箔的基件操作上理想的是接合在載體銅箔上。例如，作為載體銅箔使用厚度35μm的銅箔。為了容易將基件自載體銅箔剝離，最好在載體銅箔上設(shè)置剝離層。
在自基件的銅箔側(cè)利用激光穿孔加工形成通孔的情況下，將基件自載體銅箔剝離，自進(jìn)行了提高激光加工性處理的銅箔側(cè)進(jìn)行激光穿孔加工。在作為銅箔將極薄銅箔設(shè)置在絕緣樹脂層的單面上的基件上，最好進(jìn)行輕度腐蝕，除去因激光穿孔加工而飛散附著的飛散物。
在基件上形成通孔的情況下，自基件的極薄銅箔側(cè)進(jìn)行激光穿孔加工是由于銅箔開孔所需的能量是樹脂層的5～10倍左右，若從樹脂層側(cè)照射激光，則樹脂層的損傷變大，故最好從銅箔側(cè)照射激光，首先在銅箔上開孔，然后在樹脂層開孔。
在基件的絕緣樹脂層形成直到極薄銅箔的孔的情況下，最好在將基件接合在載體銅箔的狀態(tài)下，自絕緣樹脂層側(cè)進(jìn)行激光穿孔加工。這是為了在激光穿孔加工時(shí)不使極薄銅箔熔化。
作為對(duì)形成通孔的基件、在絕緣樹脂層形成直到極薄銅箔的孔的基件進(jìn)行圓形搖擺電鍍的前處理，要對(duì)形成通孔及形成直到極薄銅箔的孔的基件進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理。具體地說，可進(jìn)行表面粗糙化、無電解電鍍、電解電鍍、銅噴鍍等。這些前處理可組合兩種以上進(jìn)行前處理。
圓形搖擺電鍍是將形成通孔的基件、在絕緣樹脂層形成直到極薄銅箔的孔的基件，在電鍍?cè)≈袌A形搖擺并進(jìn)行的。使基件進(jìn)行圓形搖擺，基件的孔也進(jìn)行圓形搖擺，使孔內(nèi)部的電鍍液產(chǎn)生渦流。通過使電鍍液產(chǎn)生渦流，使孔內(nèi)壁部表面的銅的電鍍液的流速高于極薄銅箔面及絕緣樹脂層面的流速，使極接近孔內(nèi)壁部表面的銅離子擴(kuò)散層(銅離子濃度低的區(qū)域)變薄。該銅離子濃度低的擴(kuò)散層左右電解淀積速度，故通過使該擴(kuò)散層變薄，可增大電解淀積速度(電解淀積電流)，通過加大電解淀積速度(電解淀積電流)，使通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比未設(shè)銅箔的絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
在本發(fā)明的第二方式下，即使對(duì)多層基板的厚度為100μm以下、孔徑為50μm以下的比現(xiàn)有更微小的通孔，也可以容易地進(jìn)行高速且可靠性高的電鍍。
并且，在本發(fā)明中，對(duì)絕緣樹脂層設(shè)有通孔的基板或絕緣樹脂層上設(shè)有直到單面的銅層或極薄銅箔的孔的基板，通過在使基板在銅的電鍍?cè)≈羞M(jìn)行圓形搖擺并電鍍前，在基板上預(yù)先設(shè)置用于形成所需電路的保護(hù)層，并在進(jìn)行銅的電鍍后除去該保護(hù)層，可在對(duì)所述孔或通孔進(jìn)行電解淀積層形成(根據(jù)需要也可以由電解淀積層填滿所述孔或通孔)的同時(shí)，形成電路。
例如作為基件，在使用了加有玻璃纖維的環(huán)氧樹脂等的絕緣樹脂層上利用CO2激光等激光進(jìn)行開孔加工，形成通孔或直到銅層(或極薄銅箔)的孔，然后，進(jìn)行表面粗糙化處理、無電解鍍銅等前處理，之后，在基板上兩面的規(guī)定位置形成形成所需電路用保護(hù)層。形成保護(hù)層本身可利用通常的方法例如用干膜進(jìn)行。然后，將設(shè)有保護(hù)層的基板整面，通過使基板在銅電鍍?cè)≈羞M(jìn)行圓形搖擺而進(jìn)行鍍銅，之后，除去保護(hù)層。這樣，對(duì)孔的電解淀積層形成或埋孔和電路形成可同時(shí)進(jìn)行。在此，通過一邊使基板進(jìn)行圓形搖擺一邊進(jìn)行鍍銅，可使孔或通孔的內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層表面的電解淀積層形成得厚，這與上述說明相同。
實(shí)施例下面，參照?qǐng)D示的實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明，但本發(fā)明決不限于這些實(shí)施例。
實(shí)施例1參照?qǐng)D1～圖5說明本發(fā)明的實(shí)施例1。
圖1(a)～圖1(c)是表示孔的形成及電鍍工序的說明圖，圖2、圖3是基板的剖面圖，圖4、圖5是分別表示帶孔的組合用多層基板的例子的平面圖。
如圖1(a)的剖面圖所示，基板1是層積銅層2和絕緣樹脂層3的基板，銅層2為9μm的銅箔，絕緣樹脂層3是80μm的FR4級(jí)的環(huán)氧系樹脂。
如圖1(b)的剖面圖所示，在基板1的所需位置，用UV-YAG激光5，在絕緣樹脂層3上形成直到銅層2的孔4。
然后，對(duì)絕緣樹脂層3的表面及孔4的內(nèi)壁部表面進(jìn)行表面粗糙化處理，之后進(jìn)行無電解電鍍或活化處理，使基板1上產(chǎn)生鍍銅。
如圖1(c)的立體圖所示，銅的電鍍是將開有孔4的基板1在銅的電鍍?cè)≈醒丶^A所示進(jìn)行圓形搖擺?；?的孔4也按箭頭A所示進(jìn)行圓形搖擺，從而，使孔4內(nèi)部的銅的電鍍液產(chǎn)生渦流?？?內(nèi)部的鍍銅液由于渦流使孔4的內(nèi)壁部表面的鍍銅液的流速大于絕緣樹脂層3的表面3a的流速。具體地說，孔4的內(nèi)壁部表面的鍍銅液的流速是絕緣樹脂層3的表面3a的流速的1.1～2.0倍左右。
這樣，在孔4的內(nèi)壁部表面上，通過使鍍銅液的流速加快，使極接近孔4的內(nèi)壁部表面的銅離子擴(kuò)散層(鍍銅液的銅離子濃度低的區(qū)域)比絕緣樹脂層3的表面3a的銅離子擴(kuò)散層薄，孔4的內(nèi)壁部表面的電解淀積速度(電解淀積電流)變大。
這樣，通過使開有孔4的基板1在銅的電鍍?cè)≈邪醇^A所示圓形搖擺，如圖2的局部放大剖面圖所示，使形成于孔的內(nèi)壁部表面和底部的銅層2的電解淀積層7a比絕緣樹脂層3的表面的電解淀積層7b厚。
通過使基板1的孔4按箭頭A所示圓形搖擺，使孔4內(nèi)部的鍍銅液產(chǎn)生渦流，從而也不會(huì)出現(xiàn)孔的底面端部產(chǎn)生電解淀積層薄的部分的現(xiàn)象。也就是說，不會(huì)發(fā)生現(xiàn)有的鍍銅產(chǎn)生的如圖24所示的電解淀積層薄的部分245d。
另外，絕緣樹脂層3表面的電解淀積層7b在孔的上部如7b般鼓起，但根據(jù)需要也可以將該部分研磨平坦。
圖3的剖面圖具體例示了如上述形成的帶孔的組合用基板1的尺寸。得到了下述尺寸的基板絕緣樹脂層3的厚度為80μm，銅層2的厚度t3為9μm，孔的間隔L1為500μm，孔的直徑φ為50μm，形成于孔的內(nèi)壁部表面和底部的銅層2的電解淀積層7a的厚度t2為10μm，絕緣樹脂層3的表面的電解淀積層7b的厚度t1為8μm。
另外，得到了下述尺寸的基板絕緣樹脂層3的厚度為40μm，銅層2的厚度t3為5μm，孔的間隔L1為300μm，孔的直徑φ為30μm，形成于孔的內(nèi)壁部表面和底部的銅層2的電解淀積層7a的厚度t2為6μm，絕緣樹脂層3的表面的電解淀積層7b的厚度t1為5μm。
這樣，可形成比現(xiàn)有基板更微細(xì)化的組合基板，其層間電連接的可靠性評(píng)價(jià)結(jié)果是合格率為99％以上?，F(xiàn)有的方法中，可靠性評(píng)價(jià)結(jié)果是合格率為80～90％。
下面，對(duì)如上形成的帶孔的組合用基板，具體例示內(nèi)壁部表面形成比絕緣樹脂層表面的電解淀積層厚的電解淀積層的孔的配置。
圖4所示的帶孔的組合用基板在基板1以規(guī)定的間隔X1、X2設(shè)有多個(gè)孔，所述孔形成有絕緣樹脂層表面的電解淀積層和內(nèi)壁部表面的電解淀積層7a。這用作通用基板，在基板1上形成電路時(shí)，用設(shè)置的多個(gè)孔中形成電路必要的位置的孔，形成電路。
圖5所示的帶孔的組合用基板在基板1上僅在形成電路必需的位置形成孔，所述孔形成絕緣樹脂層表面的電解淀積層7b和內(nèi)壁部表面的電解淀積層。
實(shí)施例2參照?qǐng)D6(a)～圖6(c)說明本發(fā)明的實(shí)施例2。實(shí)施例2顯示電解淀積層填滿孔的帶孔組合用基板。
如圖6(a)的剖面圖所示，基板1是層積銅層2和絕緣樹脂層3的基板，銅層2為5μm的銅箔，絕緣樹脂層3是40μm的FR4級(jí)的環(huán)氧系樹脂。如圖6(b)的剖面圖所示，在基板1，用激光5在絕緣樹脂層3上形成直到銅層2的孔4。
然后，對(duì)絕緣樹脂層3的表面及孔4的內(nèi)壁部表面進(jìn)行表面鈍化及粗糙化處理，之后進(jìn)行無電解電鍍或活化處理，使基板1上產(chǎn)生鍍銅。
然后，將開有孔4的基板1在銅的電鍍?cè)≈羞M(jìn)行圓形搖擺，進(jìn)行電鍍。如圖6(c)的剖面圖所示，用電解淀積層6a埋住孔4，在絕緣樹脂層3表面形成電解淀積層6b。
銅的電鍍?nèi)缟鲜鰧?shí)施例1所述，是將基板1在銅的電鍍?cè)≈袌A形搖擺而進(jìn)行的，從而，使孔4內(nèi)部產(chǎn)生銅的電鍍液的渦流。使孔4的內(nèi)壁部表面的鍍銅液的流速大于絕緣樹脂層3的表面3a的流速，使極接近孔4的內(nèi)壁部表面的銅離子擴(kuò)散層(鍍銅液的銅離子濃度低的區(qū)域)比絕緣樹脂層3的表面3a的銅離子擴(kuò)散層薄，孔4的內(nèi)壁部表面的電解淀積速度(電解淀積電流)變大。通過使基板1在銅的電鍍?cè)≈袌A形搖擺，持續(xù)進(jìn)行電鍍，使電解淀積層6a填滿孔4。
由該電解淀積層6a填滿孔的帶孔組合用基板其層間電連接更可靠，提高了電連接的可靠性。
另外，如圖6(c)所示，絕緣樹脂層3表面的電解淀積層6b在孔的上部如6b般鼓起，但根據(jù)需要也可以將該部分研磨平坦。
實(shí)施例3參照?qǐng)D7(a)～圖8(b)說明本發(fā)明的實(shí)施例3。
實(shí)施例3是在絕緣樹脂層3形成通孔，利用圓形搖擺電鍍?cè)谕椎膬?nèi)壁部表面及絕緣樹脂層的兩面上形成電解淀積層來制造帶孔組合用多層基板的實(shí)施例。
圖7(a)～圖7(c)是表示孔的形成及電鍍工序的說明圖，圖8(a)、圖8(b)是得到的基板的剖面圖。
在圖7(a)顯示其剖面圖的絕緣樹脂層13上，如圖7(b)的剖面圖所示，用UV-YAG激光5，在絕緣樹脂層13的所需位置上形成通孔14。然后，對(duì)絕緣樹脂層13的上面13a及下面13b以及通孔14的內(nèi)壁部表面進(jìn)行表面鈍化及粗糙化處理，之后進(jìn)行無電解電鍍或活化處理，使基板13上產(chǎn)生鍍銅。
如圖7(c)的立體圖所示，銅的電鍍是將開有通孔14的絕緣樹脂層13在銅的電鍍?cè)≈醒丶^A所示進(jìn)行圓形搖擺。通孔14也按箭頭A所示進(jìn)行圓形搖擺，從而，使通孔14內(nèi)部的銅的電鍍液產(chǎn)生渦流。通孔14內(nèi)部的鍍銅液由于渦流使通孔14的內(nèi)壁部表面的鍍銅液的流速大于絕緣樹脂層13的上面13a及下面13b這兩面的流速。具體地說，通孔14的內(nèi)壁部表面的鍍銅液的流速是絕緣樹脂層13的上面13a及下面13b的流速的1.1～2.0倍左右。
這樣，在通孔14的內(nèi)壁部表面上，通過使鍍銅液的流速加快，使極接近通孔14的內(nèi)壁部表面的銅離子擴(kuò)散層(鍍銅液的銅離子濃度低的區(qū)域)比絕緣樹脂層13的上面13a及下面13b的銅離子擴(kuò)散層薄，通孔14的內(nèi)壁部表面的電解淀積速度(電解淀積電流)變大。
這樣，通過使開有通孔14的絕緣樹脂層13在銅的電鍍?cè)≈邪醇^A所示圓形搖擺，如圖8(a)的剖面圖所示，使鍍銅17a電解淀積在絕緣樹脂層13的通孔(孔)14的內(nèi)壁部表面上，使鍍銅17b電解淀積在上面13a上，使鍍銅17c電解淀積在下面13b上。通孔14的內(nèi)壁部表面的電解淀積層即鍍銅17a比上面13a的鍍銅17b和下面13b的鍍銅17c厚。
另外，絕緣樹脂層13上面13a的鍍銅17b在通孔14的角部如17b般鼓起，下面13b的鍍銅17c如17c般鼓起，但根據(jù)需要也可以將該部分研磨平坦。
圖8(b)的剖面圖具體例示了如上述形成的帶孔的組合用基板的尺寸。
作為絕緣樹脂層13采用厚度為50μm的相當(dāng)于FR4的環(huán)氧樹脂，形成孔的直徑φ為50μm，孔的間隔L1為300μm的通孔，利用圓形搖擺電鍍得到通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層17a的厚度t2為8.2μm，上面的電解淀積層17b的厚度t1為7.6μm，下面的電解淀積層17c的厚度t1’為7.4μm的產(chǎn)品。
另外，作為絕緣樹脂層13采用厚度為40μm的聚酰亞胺樹脂，形成孔的直徑φ為30μm，孔的間隔L1為200μm的通孔，利用圓形搖擺電鍍得到通孔內(nèi)壁部表面上的電解淀積層17a的厚度t2為6.1μm，上面的電解淀積層17b的厚度t1為5.6μm，下面的電解淀積層17c的厚度t1’為5.8μm的產(chǎn)品。
該通孔的內(nèi)壁部表面上的電解淀積層17a形成得比上面13a的電解淀積層17b及下面13b的電解淀積層17c厚，而上面13a的電解淀積層17b和下面13b的電解淀積層17c的厚度大致相等，故不會(huì)因電鍍應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲。
實(shí)施例4
參照?qǐng)D9(a)～圖9(c)說明本發(fā)明的實(shí)施例4。實(shí)施例4顯示電解淀積層填滿通孔的帶孔組合用多層基板。
在圖9(a)顯示其剖面圖的絕緣樹脂層13上，如圖9(b)的剖面圖所示，用UV-YAG激光5，在絕緣樹脂層13的所需位置上形成通孔14。然后，對(duì)絕緣樹脂層13的上面13a及下面13b以及通孔14的內(nèi)壁部表面進(jìn)行表面鈍化及粗糙化處理，之后進(jìn)行無電解電鍍或活化處理，以可以進(jìn)行銅的電鍍。
然后，將開有通孔14的絕緣樹脂層13在銅的電鍍?cè)≈袌A形搖擺，進(jìn)行電鍍。如圖9(c)的剖面圖所示，用電解淀積層16a填充通孔14，在絕緣樹脂層13的上面13a上形成電解淀積層16b，在下面13b上形成電解淀積層16c。
銅的電鍍?nèi)缟鲜鰧?shí)施例3所述，是將絕緣樹脂層13在銅的電鍍?cè)≈袌A形搖擺而進(jìn)行的，從而，在通孔14內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層，通過圓形搖擺而持續(xù)進(jìn)行電鍍，用電解淀積層16a填滿通孔14。
由該電解淀積層16a填滿通孔14的帶孔組合用基板，提高了電連接的可靠性。
實(shí)施例5參照?qǐng)D10(a)～圖10(c)說明本發(fā)明的實(shí)施例5。
實(shí)施例5顯示電解淀積層填滿通孔的帶孔組合用多層基板的另一例。
如圖10(a)的剖面圖所示，用UV-YAG激光5，在聚酰亞胺薄膜(厚50μm)制的絕緣樹脂層13的所需位置上形成孔徑30μm的通孔14，對(duì)絕緣樹脂層13的上面13a及下面13b以及通孔14的內(nèi)壁部表面，用過錳酸鉀類鈍化液進(jìn)行鈍化處理和表面粗糙化處理。
然后，如圖10(b)的剖面圖所示，通過銅噴鍍，在絕緣樹脂層13的上面13a及下面13b以及通孔14的內(nèi)壁部表面形成厚0.3μm的銅噴鍍皮膜18，以可進(jìn)行銅的電鍍。
然后，將設(shè)有銅的噴鍍皮膜18的絕緣樹脂層13在銅的電鍍?cè)≈袌A形搖擺，進(jìn)行電鍍。如圖10(c)的剖面圖所示，用電解淀積層16a填充通孔14，在絕緣樹脂層13的上面13a上形成電解淀積層16b，在下面13b上形成電解淀積層16c。電解淀積層16b和電解淀積層16c厚度均為12μm。
另外，絕緣樹脂層13上面13a的鍍銅16b在通孔14的角部如16b般鼓起，下面13b的鍍銅16c如16c’般鼓起，但根據(jù)需要也可以將該部分研磨平坦。
銅的電鍍?nèi)缟鲜鰧?shí)施例3所述，是將絕緣樹脂層13在銅的電鍍?cè)≈袌A形搖擺而進(jìn)行的，從而，在通孔14內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層，通過圓形搖擺而持續(xù)進(jìn)行電鍍，從而用電解淀積層16a填滿通孔14。
利用該方法，由銅噴鍍電解淀積層16a填滿通孔14的帶孔組合用基板，提高了電連接的可靠性。
實(shí)施例6參照?qǐng)D11(a)～圖11(c)說明本發(fā)明的實(shí)施例6。
實(shí)施例6是顯示電解淀積層填滿通孔且與該填孔同時(shí)形成規(guī)定的銅電路的帶孔組合用多層基板的例子。
如圖11(a)的剖面圖所示，用CO2激光5，在FR4級(jí)的環(huán)氧樹脂(厚50μm)制的絕緣樹脂層13的所需位置上形成孔徑60μm的通孔14，對(duì)絕緣樹脂層13的上面13a及下面13b以及通孔14的內(nèi)壁部表面，用過錳酸鉀類鈍化液進(jìn)行鈍化處理和表面粗糙化處理，然后，進(jìn)行無電解銅電鍍(銅厚0.5μm)，以可進(jìn)行銅的電鍍。
然后，如圖11(b)的剖面圖所示，將厚度40μm的干膜19粘接在絕緣樹脂層13的上面13a及下面13b的規(guī)定位置，形成銅電鍍時(shí)的保護(hù)層。利用干膜19形成的保護(hù)層在形成規(guī)定的電路時(shí)，設(shè)在不形成銅制電路部的部位。
然后，將設(shè)有干膜19制保護(hù)層的絕緣樹脂層13在銅的電鍍?cè)≈袌A形搖擺，進(jìn)行電鍍。用電解淀積層16a填充通孔14，在絕緣樹脂層13的上面13a上形成電解淀積層16b，在下面13b上形成電解淀積層16c，從而同時(shí)進(jìn)行孔的填充及電路形成。電解淀積層16b和電解淀積層16c厚度均為30μm。
然后，利用通常的方法除去保護(hù)層，如圖11c的剖面圖所示，得到形成了所需電路的組合用多層基板。圖中，標(biāo)號(hào)20是除去保護(hù)層后的孔隙部，利用該孔隙部20形成電解淀積層16b相互間或16c相互間電隔離的銅電路。
另外，絕緣樹脂層13上面13a的鍍銅16b在通孔14的角部如16b’般鼓起，下面13b的鍍銅16c如16c’般鼓起，但根據(jù)需要也可以將該部分研磨平坦。
銅的電鍍?nèi)缟鲜鰧?shí)施例3所述，是將絕緣樹脂層13在銅的電鍍?cè)≈袌A形搖擺而進(jìn)行的，從而，在通孔14內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層，通過圓形搖擺而持續(xù)進(jìn)行電鍍，從而用電解淀積層16a填滿通孔14。
利用該方法，由銅噴鍍電解淀積層16a填滿通孔14的帶孔組合用基板，提高了電連接的可靠性。并且，由于可在填充通孔的同時(shí)形成規(guī)定的電路，故生產(chǎn)效率高。
如上所述，用電解淀積層填充絕緣樹脂層的直到銅層的孔的實(shí)施例2、在絕緣樹脂層的通孔形成電解淀積層的實(shí)施例3、用電解淀積層填充通孔的實(shí)施例4或?qū)嵤├?的帶孔組合用基板，與上述實(shí)施例1所述的同樣，如圖4所示按規(guī)定間隔設(shè)置多個(gè)通孔，用作通用基板，或如圖5所示，僅在形成電路必需的位置形成通孔，用作特定電路的基板。
實(shí)施例7參照?qǐng)D12(a)～圖14說明本發(fā)明的實(shí)施例7。
圖12(a)～圖12(d)及圖13(e)是表示通孔的形成及圓形搖擺電鍍工序的說明圖，圖13(f)及圖14是得到的基板的局部剖面圖。
如圖12(a)的剖面圖所示，基件110接合在載體銅箔128上?；?10將極薄銅箔107利用熱壓層積在絕緣樹脂層106的單面上。絕緣樹脂層106是FR4級(jí)的環(huán)氧樹脂，厚50μm，極薄銅箔107厚5μm，與絕緣樹脂層106相接的面的銅箔107的粗糙面粗糙度為Rz＝2.5μm。對(duì)極薄銅箔107進(jìn)行0.05～0.1μm左右的Co-Cu合金電鍍109，作為改善激光加工性能的處理。
載體銅箔128的厚度為35μm，施加了0.01μm左右的剝離層127。
絕緣樹脂層106的單面上具有極薄銅箔107、Co-Cu電鍍合金109的基件110接合在設(shè)有剝離層127的載體銅箔128上，操作容易。
如圖12(b)的剖面圖所示，剝?nèi)ポd體銅箔，形成在絕緣樹脂層106的單面上具有極薄銅箔107、Co-Cu電鍍合金109的基件110。
然后，如圖12(c)的剖面圖所示，自施加了改善激光加工性能的Co-Cu電鍍合金109的極薄銅箔107側(cè)，用UV-YAG激光115，通過激光穿孔加工形成通孔113。
然后，進(jìn)行腐蝕，如圖12(d)的剖面圖所示，形成厚2.2μm的極薄銅箔108。
然后，形成通孔113，對(duì)絕緣樹脂層106單面上具有經(jīng)腐蝕形成厚度為2.2μm的極薄銅箔108的基件，進(jìn)行鈍化處理、無電解電鍍或活化處理，使基件110上可進(jìn)行銅的電鍍。
然后，如圖13(e)的立體圖所示，將形成通孔113并進(jìn)行了鈍化處理、無電解電鍍或活化處理的基件110在銅的電鍍?cè)≈醒丶^A所示圓形搖擺，進(jìn)行圓形搖擺電鍍。通過使基件110沿箭頭A所示圓形搖擺，基件110的通孔113也按箭頭A所示進(jìn)行圓形搖擺，從而，使通孔113內(nèi)部的銅的電鍍液產(chǎn)生渦流。通孔113內(nèi)部的鍍銅液由于渦流使通孔113的內(nèi)壁部表面的鍍銅液的流速大于極薄銅箔108及絕緣樹脂層106的面的流速。具體地說，通孔113的內(nèi)壁部表面的鍍銅液的流速是絕緣樹脂層106的表面的流速的1.1～2.0倍左右。
在通孔113的內(nèi)壁部表面上，通過使鍍銅液的流速加快，使極接近通孔113的內(nèi)壁部表面的銅離子擴(kuò)散層(鍍銅液的銅離子濃度低的區(qū)域)比絕緣樹脂層106的表面的銅離子擴(kuò)散層薄，通孔113的內(nèi)壁部表面的電解淀積速度(電解淀積電流)變大。
這樣，通過使基件110在銅的電鍍?cè)≈邪醇^A所示圓形搖擺，如圖13(f)的剖面圖所示，得到在極薄銅箔108的面上形成電解淀積層114a、在絕緣樹脂層106的面上形成電解淀積層114b、在通孔113的內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層114c的帶孔組合用多層基板101。
用圖14所示的局部放大剖面圖說明帶孔組合用多層基板的具體尺寸。
通孔113的間隔L1為200μm，通孔113的直徑φ為50μm，絕緣樹脂層106的厚度為50μm，極薄銅箔108的厚度為2.2μm，通孔113內(nèi)壁部表面的電解淀積層114c的厚度t3＝8.2μm，極薄銅箔108面上的電解淀積層114a的厚度t1為10.5μm，絕緣樹脂層106面上的電解淀積層114b的厚度t2為7.4μm，銅層的剝離強(qiáng)度在極薄銅箔108側(cè)為1.25kg/cm，在絕緣樹脂層106側(cè)為0.75kg/cm。
該帶孔組合用多層基板的極薄銅箔108側(cè)的銅層的剝離強(qiáng)度為0.9kg/cm以上，足以應(yīng)付部件安裝。另外，通孔113的內(nèi)壁部表面電解淀積層114c形成得比絕緣樹脂層106的電解淀積層114b厚，提高了微細(xì)化通孔113的層間電連接的可靠性。
實(shí)施例8參照?qǐng)D15(a)～圖15(d)、圖16說明本發(fā)明的實(shí)施例8。
圖15(a)～圖15(c)是表示通孔的形成及圓形搖擺電鍍工序的說明圖，圖15(d)及圖16是得到的基板的剖面圖。
圖15(a)是顯示基件120的剖面圖，將極薄銅箔117利用熱壓層積在絕緣樹脂層116的單面上。絕緣樹脂層116是聚酰亞胺，厚40μm，極薄銅箔117厚5μm，與絕緣樹脂層116相接的面的銅箔117的粗糙面粗糙度為Rz＝1.9μm。對(duì)極薄銅箔117進(jìn)行0.05～0.1μm左右的Co-Cu合金電鍍109，作為改善激光加工性能的處理。
基件120接合在施加了0.01μm左右的剝離層的厚度為35μm的載體銅箔上，是剝離了的基件。
然后，如圖15(b)的剖面圖所示，自施加了改善激光加工性能的Co-Cu電鍍合金109的極薄銅箔117側(cè)，用UV-YAG激光115，通過激光穿孔加工形成通孔113。
然后，對(duì)形成通孔113、絕緣樹脂層116單面上具有極薄銅箔117的基件，進(jìn)行鈍化處理、無電解電鍍或活化處理，使基件可進(jìn)行銅的電鍍。
然后，如圖15(c)的立體圖所示，將進(jìn)行了鈍化處理、無電解電鍍或活化處理的基件120在銅的電鍍?cè)≈醒丶^A所示圓形搖擺，進(jìn)行圓形搖擺電鍍。通過使基件120沿箭頭A所示圓形搖擺，基件120的通孔113也按箭頭A所示進(jìn)行圓形搖擺。從而，使通孔113內(nèi)部的銅的電鍍液產(chǎn)生渦流。通孔113內(nèi)部的鍍銅液由于渦流使通孔113的鍍銅液的流速大于極薄銅箔117及絕緣樹脂層116的面的流速。通過使通孔113的鍍銅液的流速加快，使極接近通孔113的內(nèi)壁部表面的銅離子擴(kuò)散層(鍍銅液的銅離子濃度低的區(qū)域)比絕緣樹脂層116的表面的銅離子擴(kuò)散層薄，通孔113的電解淀積速度(電解淀積電流)變大。
通過持續(xù)進(jìn)行這種圓形搖擺電鍍，如圖15(d)的剖面圖所示，得到由電解淀積層124c充填通孔113、在極薄銅箔117的面上形成電解淀積層124a、在絕緣樹脂層116的面上形成電解淀積層124b的帶孔組合用多層基板101。
用圖16所放大顯示的剖面圖說明帶孔組合用多層基板的具體尺寸。
通孔113的間隔L1為150μm，孔113的直徑φ為30μm，絕緣樹脂層116的厚度為50μm，極薄銅箔117的厚度為4.8μm，通孔113由電解淀積層124c充填，極薄銅箔117面上的電解淀積層124a的厚度t1為15.3μm，絕緣樹脂層116面上的電解淀積層124b的厚度t2為12.8μm，銅層的剝離強(qiáng)度在極薄銅箔117側(cè)為1.25kg/cm，在絕緣樹脂層116側(cè)為0.67kg/cm。該帶孔組合用多層基板的極薄銅箔117側(cè)的銅層的剝離強(qiáng)度為0.9kg/cm以上，足以應(yīng)付部件安裝。另外，通孔113由電解淀積層124c充填，提高了微細(xì)化通孔113的層間電連接的可靠性。
實(shí)施例9參照?qǐng)D17(a)～圖17(e)說明本發(fā)明的實(shí)施例9。
圖17(a)～圖17(c)是表示通孔的形成工序的剖面圖，圖17(d)是表示圓形搖擺電鍍工序的立體圖，圖17(e)是得到的基板的剖面圖。
圖17(a)的剖面圖表示基件130，將銅箔132利用熱壓層積在絕緣樹脂層131的單面上。絕緣樹脂層131是相當(dāng)FR4的環(huán)氧樹脂，厚50μm，銅箔132厚12μm，與絕緣樹脂層131相接的面的銅箔132的粗糙面粗糙度為Rz＝2.5μm。對(duì)銅箔132進(jìn)行0.05～0.1μm左右的Co-Cu合金電鍍135，作為改善激光加工性能的處理。
如圖17(b)的剖面圖所示，自施加了改善激光加工性能的Co-Cu合金電鍍135的銅箔132側(cè)，用UV-YAG激光115，通過激光穿孔加工形成通孔113。
然后，進(jìn)行腐蝕，如圖17(c)的剖面圖所示，形成厚2.8μm的極薄銅箔133。然后，對(duì)形成通孔113、絕緣樹脂層131單面上具有經(jīng)腐蝕形成厚度為2.8μm的極薄銅箔133的基件，進(jìn)行鈍化處理、無電解電鍍或活化處理，使基件可進(jìn)行銅的電鍍。
然后，如圖17(d)的立體圖所示，將形成通孔113并進(jìn)行了鈍化處理、無電解電鍍或活化處理的基件130在銅的電鍍?cè)≈醒丶^A所示圓形搖擺，與實(shí)施例7同樣，進(jìn)行圓形搖擺電鍍，如圖17(e)的剖面圖所示，得到在極薄銅箔133的面上形成電解淀積層134a、在絕緣樹脂層131的面上形成電解淀積層134b、在通孔113的內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層134c的帶孔組合用多層基板。
該帶孔組合用多層基板的通孔113的間隔L1為200μm，通孔113的直徑φ為50μm，通孔113內(nèi)壁部表面的電解淀積層134c的厚度為8.1μm，極薄銅箔133面上的電解淀積層134a的厚度t1為10.2μm，絕緣樹脂層131面上的電解淀積層134b的厚度為7.5μm，銅層的剝離強(qiáng)度在極薄銅箔133側(cè)為1.15kg/cm，在絕緣樹脂層131側(cè)為0.69kg/cm。極薄銅箔133側(cè)的銅層的剝離強(qiáng)度為0.9kg/cm以上，足以應(yīng)付部件安裝。另外，通孔113的內(nèi)壁部表面電解淀積層134c形成得比絕緣樹脂層131的電解淀積層134b厚，提高了微細(xì)化通孔113的層間電連接的可靠性。
實(shí)施例10參照?qǐng)D18(a)～圖18(e)說明本發(fā)明的實(shí)施例10。
圖18(a)～圖18(c)是表示孔的形成工序的剖面圖，圖18(d)是表示圓形搖擺電鍍工序的立體圖，圖18(e)是得到的基板的剖面圖。
如圖18(a)的剖面圖所示，基件140接合在載體銅箔128上?；?40將極薄銅箔142利用熱壓層積在絕緣樹脂層141的單面上。絕緣樹脂層141是相當(dāng)FR4的環(huán)氧樹脂，厚50μm，極薄銅箔142厚5μm，與絕緣樹脂層141相接的面的極薄銅箔142的粗糙面粗糙度為Rz＝2.7μm。
載體銅箔128的厚度為35μm，施加了0.01μm左右的剝離層127。
如圖18(b)的剖面圖所示，剝?nèi)ポd體銅箔，形成在絕緣樹脂層141的單面上具有極薄銅箔142的基件140。
然后，如圖18(c)的剖面圖所示，自絕緣樹脂層141側(cè)，用UV-YAG激光115，通過激光穿孔加工形成直到極薄銅箔142的孔145。
然后，腐蝕極薄銅箔142，形成厚3.2μm的極薄銅箔142。然后，對(duì)形成孔145、絕緣樹脂層141單面上具有經(jīng)腐蝕形成厚度為3.2μm的極薄銅箔143的基件，進(jìn)行鈍化處理、無電解電鍍或活化處理，使基件上可進(jìn)行銅的電鍍。
然后，如圖18(d)的立體圖所示，將形成孔145并進(jìn)行了鈍化處理、無電解電鍍或活化處理的基件140在銅的電鍍?cè)≈醒丶^A所示圓形搖擺，進(jìn)行圓形搖擺電鍍。
通過使形成孔145的基件140在銅的電鍍?cè)≈醒丶^A所示圓形搖擺，孔145也按箭頭A所示進(jìn)行圓形搖擺，從而，使孔145內(nèi)部的銅的電鍍液產(chǎn)生渦流?？?45內(nèi)部的鍍銅液由于渦流使孔145的內(nèi)壁部表面的鍍銅液的流速大于絕緣樹脂層141的面的流速。
這樣，通過使基件140在銅的電鍍?cè)≈邪醇^A所示圓形搖擺，如圖18(e)的剖面圖所示，形成電解淀積層144a～144c。
該帶孔組合用多層基板的孔145的間隔L1為200μm，孔145的直徑φ為50μm，孔145內(nèi)壁部表面的電解淀積層144c的厚度為8.2μm，極薄銅箔143面上的電解淀積層144a的厚度為11.5μm，絕緣樹脂層141面上的電解淀積層144b的厚度為7.4μm，銅層的剝離強(qiáng)度在極薄銅箔143側(cè)為1.30kg/cm，在絕緣樹脂層141側(cè)為0.65kg/cm。極薄銅箔143側(cè)的銅層的剝離強(qiáng)度為0.9kg/cm以上，足以應(yīng)付部件安裝。另外，孔145的內(nèi)壁部表面電解淀積層144c形成得比絕緣樹脂層141的電解淀積層144b厚，提高了孔145的層間電連接的可靠性。
實(shí)施例11參照?qǐng)D19說明本發(fā)明的實(shí)施例11。
實(shí)施例11是在基件上形成直到極薄銅箔的孔并進(jìn)行圓形搖擺電鍍的實(shí)施例，所述基件的絕緣樹脂層使用加有玻璃纖維的樹脂，用熱壓將極薄銅箔層積在其單面上。
與上述實(shí)施例10同樣，對(duì)剝?nèi)ポd體銅箔的絕緣樹脂層單面上具有極薄銅箔的基件，自絕緣樹脂層側(cè)用UV-YAG激光進(jìn)行穿孔加工，形成直到極薄銅箔的孔。然后，腐蝕5μm的極薄銅箔，形成厚2.9μm的極薄銅箔。接著，進(jìn)行鈍化處理、無電解電鍍或活化處理，使基件上可進(jìn)行銅的電鍍。將該基板在銅的電鍍?cè)≈袌A形搖擺，進(jìn)行圓形搖擺電鍍。
圖19是進(jìn)行了圓形搖擺電鍍的帶孔組合用多層基板的剖面圖，絕緣樹脂層151是相當(dāng)FR4的環(huán)氧樹脂，是加有玻璃纖維的樹脂，其厚度為60μm，極薄銅箔153是腐蝕厚度5μm的極薄銅箔形成厚2.9μm的極薄銅箔。與絕緣樹脂層151相接的面的極薄銅箔的粗糙面粗糙度為Rz＝2.4μm。通過圓形搖擺電鍍形成電解淀積層154a～154d。
該帶孔組合用多層基板的孔的間隔L1為200μm，孔145的直徑φ為60μm，孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層154c的厚度為8.2μm，極薄銅箔153面上的電解淀積層154a的厚度為10.5μm，絕緣樹脂層151面上的電解淀積層154b的厚度為7.4μm，銅層的剝離強(qiáng)度在極薄銅箔153側(cè)為1.24kg/cm，在絕緣樹脂層151側(cè)為0.65kg/cm。極薄銅箔153側(cè)的銅層的剝離強(qiáng)度為0.9kg/cm以上，足以應(yīng)付部件安裝。另外，孔的內(nèi)壁部表面電解淀積層154c形成得比絕緣樹脂層151的電解淀積層144b厚，提高了孔的層間電連接的可靠性。
作為絕緣樹脂層151通過采用加有玻璃纖維的樹脂，在利用激光穿孔加工形成孔的工序中不會(huì)產(chǎn)生翹曲和局部凹凸等變形。
實(shí)施例12參照?qǐng)D20(a)～圖20(c)說明本發(fā)明的實(shí)施例12。
實(shí)施例12表示在接合于載體銅箔上的狀態(tài)下，在基件的絕緣樹脂層形成直到極薄銅箔的孔的工序。
圖20(a)～圖20(c)是表示孔的形成的說明圖。
如圖20(a)的剖面圖所示，基件140接合在載體銅箔128上?；?40將極薄銅箔142利用熱壓層積在絕緣樹脂層141的單面上。另外載體銅箔128作為剝離層施加了0.01μm左右的鉻酸鹽光澤處理127。
如圖20(b)的剖面圖所示，在基件140接合于載體銅箔128的狀態(tài)下，自基件的絕緣樹脂層142側(cè)，用UV-YAG激光115，通過激光穿孔加工形成直到極薄銅箔142的孔145。通過在基件140接合于載體銅箔128的狀態(tài)下，自絕緣樹脂層141側(cè)進(jìn)行激光穿孔加工，不會(huì)熔化極薄銅箔142。
在形成孔145后，如圖20(c)的剖面圖所示，將基件140自載體銅箔128剝離，與上述實(shí)施例10及11同樣，對(duì)基件進(jìn)行鈍化處理、無電解電鍍或活化處理，使基件上可進(jìn)行銅的電鍍，在銅的電鍍?cè)≈袌A形搖擺，進(jìn)行圓形搖擺電鍍，在孔145上形成電解淀積層，制造帶孔組合用多層基板。
下面，舉例說明上述實(shí)施例7～12形成的帶孔組合用基板的形成電解淀積層的孔的配置。
圖4所示的帶孔組合用基板101形成電解淀積層的通孔113或直到極薄銅箔的孔145以規(guī)定的間隔X1、X2設(shè)置有多個(gè)。這用作通用基板，在于基板101上形成電路時(shí)，用多個(gè)設(shè)置的孔113、145中電路形成所必需的位置的孔，形成電路。
圖5所示的帶孔組合用基板101僅在形成電路所必需的位置形成形成有電解淀積層的通孔113或直到極薄銅箔的孔145，是作為特定電路的基板制造的。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過在由絕緣樹脂層和單面銅層構(gòu)成且形成直到銅層的孔的基板上，利用圓形搖擺電鍍形成電解淀積層，可高速且容易地對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)微小的孔進(jìn)行高可靠性的電鍍，且具有微細(xì)化的層間電連接的可靠性高的效果。
根據(jù)本發(fā)明，通過在絕緣樹脂層形成有通孔的基板上利用圓形搖擺電鍍形成電解淀積層，與單面設(shè)置銅箔層的基板比，可在絕緣樹脂層的上面及下面均形成薄的電解淀積層，另外，由于形成上面及下面幾乎相同厚度的電解淀積層，故不會(huì)出現(xiàn)因電鍍應(yīng)力使基板翹曲的現(xiàn)象，可容易地對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)更微小的孔進(jìn)行高速且可靠性高的電鍍，可實(shí)現(xiàn)提高微細(xì)化的層間電連接的可靠性的效果。
根據(jù)本發(fā)明，在絕緣樹脂層的單面上具有極薄銅箔的基件上形成通孔，利用圓形搖擺電鍍?cè)跇O薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及通孔的內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層，絕緣樹脂層和單面的極薄銅箔的剝離強(qiáng)度提高到足以應(yīng)付部件安裝的強(qiáng)度，具有微細(xì)化通孔的層間電連接的可靠性高的效果。
在絕緣樹脂層形成有直到極薄銅箔的孔的基件上，利用圓形搖擺電鍍?cè)跇O薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及通孔的內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層，絕緣樹脂層和單面的極薄銅箔的剝離強(qiáng)度提高到足以應(yīng)付部件安裝的強(qiáng)度，具有層間電連接的可靠性高的效果。
權(quán)利要求
1.一種帶孔的組合用多層基板，在由絕緣樹脂層和根據(jù)需要設(shè)置在所述絕緣樹脂層單面或兩面上的銅層或極薄銅箔構(gòu)成且在所述絕緣樹脂層上形成有規(guī)定的孔的基板上，利用圓形搖擺電鍍形成的電解淀積層形成于所述孔的內(nèi)壁部表面及絕緣樹脂層的規(guī)定表面上，其特征在于，所述孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層的所述表面的電解淀積層厚。
2.如權(quán)利要求1所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，在由絕緣樹脂層和單面銅層構(gòu)成且在該絕緣樹脂層上形成有直到單面的銅層的孔的基板上，利用圓形搖擺電鍍形成的電解淀積層形成于所述孔的內(nèi)壁部表面及未設(shè)銅層的絕緣樹脂層表面上，孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層表面的電解淀積層厚。
3.如權(quán)利要求2所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，形成于絕緣樹脂層的孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層填滿絕緣樹脂層的孔。
4.如權(quán)利要求2所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，內(nèi)壁部表面上形成有電解淀積層的絕緣樹脂層的孔在多層基板上以規(guī)定的間隔形成多個(gè)。
5.如權(quán)利要求2所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，內(nèi)壁部表面上形成有電解淀積層的絕緣樹脂層的孔在多層基板的電路形成位置上形成多個(gè)。
6.如權(quán)利要求1所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，在絕緣樹脂層上形成有貫通的孔的基板上，利用圓形搖擺電鍍形成的電解淀積層形成于所述孔的內(nèi)壁部表面及絕緣樹脂層的兩面上，孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層兩面的電解淀積層厚。
7.如權(quán)利要求6所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，形成于絕緣樹脂層的孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層填滿絕緣樹脂層的孔。
8.如權(quán)利要求6所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，內(nèi)壁部表面上形成有電解淀積層的絕緣樹脂層的孔在多層基板上以規(guī)定的間隔形成多個(gè)。
9.如權(quán)利要求6所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，內(nèi)壁部表面上形成有電解淀積層的絕緣樹脂層的孔在多層基板的電路形成位置上形成多個(gè)。
10.如權(quán)利要求1所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，在絕緣樹脂層的單面上具有極薄銅箔且形成通孔的基件上，利用圓形搖擺電鍍，在極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及通孔的內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層，通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
11.如權(quán)利要求10所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，形成于通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層填滿所述通孔。
12.如權(quán)利要求10所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，絕緣樹脂層的單面的極薄銅箔厚度為1～5μm。
13.如權(quán)利要求1所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，在絕緣樹脂層的單面上具有極薄銅箔且在絕緣樹脂層上形成直到極薄銅箔的孔的基件上，利用圓形搖擺電鍍，在極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及孔的內(nèi)壁部表面上形成電解淀積層，孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
14.如權(quán)利要求13所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，形成于絕緣樹脂層上直到極薄銅箔的孔的內(nèi)壁部表面的電解淀積層填滿孔。
15.如權(quán)利要求13所述的帶孔的組合用多層基板，其特征在于，絕緣樹脂層的單面的極薄銅箔的厚度為1～5μm。
16.一種帶孔的組合用多層基板的制造方法，其特征在于，包括利用激光在由絕緣樹脂層和根據(jù)需要設(shè)置在所述絕緣樹脂層單面或兩面上的銅層或極薄銅箔構(gòu)成的基板上，形成規(guī)定的孔的工序；在形成所述孔的基板上進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；電鍍工序，使所述基板在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍，在孔的內(nèi)壁部表面及絕緣樹脂層的規(guī)定表面上形成電解淀積層；由此，使所述孔的內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層的所述表面的電解淀積層厚。
17.如權(quán)利要求16所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，其特征在于，包括利用激光在由絕緣樹脂層和單面銅層構(gòu)成的基板的絕緣樹脂層上，形成直到單面銅層的孔的工序；在形成所述孔的基板上進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；電鍍工序，使所述基板在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍，在孔的內(nèi)壁部表面及絕緣樹脂層的未設(shè)銅層的表面形成電解淀積層；由此，使孔的內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層的未設(shè)銅層的表面的電解淀積層厚。
18.如權(quán)利要求17所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，其特征在于，在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在孔內(nèi)部產(chǎn)生渦流的電鍍工序中孔內(nèi)部的電鍍液的流速大于絕緣樹脂層表面的流速。
19.如權(quán)利要求16所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，其特征在于，包括利用激光在絕緣樹脂層上形成貫通的孔的工序；在形成所述孔的基板上進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；電鍍工序，使所述基板在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍，在孔的內(nèi)壁部表面及絕緣樹脂層的兩面上形成電解淀積層；由此，使孔的內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層的兩面的電解淀積層厚。
20.如權(quán)利要求19所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，其特征在于，在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在孔內(nèi)部產(chǎn)生渦流的電鍍工序中孔內(nèi)部的電鍍液的流速大于絕緣樹脂層表面的流速。
21.如權(quán)利要求16所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，其特征在于，包括對(duì)絕緣樹脂層單面上具有極薄銅箔的基件的極薄銅箔進(jìn)行提高激光加工性的處理，從所述極薄銅箔側(cè)利用激光穿孔加工形成通孔的工序；在形成所述通孔的基件上進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；圓形搖擺電鍍工序，使所述基件在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在通孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍；在所述基件的極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及通孔的內(nèi)壁部表面形成電解淀積層，使通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
22.如權(quán)利要求16所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，其特征在于，絕緣樹脂層單面上具有極薄銅箔的基件是對(duì)極薄銅箔進(jìn)行了提高激光加工性的處理并接合在載體銅箔上的基件，該制造方法包括將所述基件自載體銅箔剝離，由所述基件的進(jìn)行了提高激光加工性的處理的極薄銅箔側(cè)利用激光穿孔加工形成通孔的工序；在形成所述通孔的基件上進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；圓形搖擺電鍍工序，使所述基件在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在通孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍；在基件的極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及通孔的內(nèi)壁部表面形成電解淀積層，使通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
23.如權(quán)利要求16所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，其特征在于，包括對(duì)絕緣樹脂層單面上具有銅箔的基件的銅箔進(jìn)行提高激光加工性的處理，由所述銅箔側(cè)利用激光穿孔加工形成通孔的工序；通過腐蝕將形成所述通孔的基件的銅箔加工成極薄銅箔的工序；在所述基件上進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；圓形搖擺電鍍工序，使所述基件在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在通孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍；在所述基件的極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及通孔的內(nèi)壁部表面形成電解淀積層，使通孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
24.如權(quán)利要求16所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，其特征在于，包括自絕緣樹脂層單面上具有極薄銅箔的基件的絕緣樹脂層側(cè)進(jìn)行激光穿孔加工，在絕緣樹脂層上形成直到極薄銅箔的孔的工序；對(duì)在絕緣樹脂層上形成直到所述極薄銅箔的孔的基件進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；圓形搖擺電鍍工序，使所述基件在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在直到極薄銅箔的絕緣樹脂層的孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍；在基件的極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及孔的內(nèi)壁部表面形成電解淀積層，使孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
25.如權(quán)利要求16所述的帶孔的組合用多層基板的制造方法，其特征在于，絕緣樹脂層單面上具有極薄銅箔的基件是接合在載體銅箔上的基件，該制造方法包括在將基件接合于載體銅箔上的狀態(tài)下，自基件的絕緣樹脂層側(cè)進(jìn)行激光穿孔加工，在絕緣樹脂層上形成直到極薄銅箔的孔的工序；將在絕緣樹脂層上形成直到極薄銅箔的孔的基件自載體銅箔剝離，并進(jìn)行無電解電鍍、銅噴鍍或活化處理的工序；圓形搖擺電鍍工序，使所述基件在電鍍?cè)≈袌A形搖擺，在直到極薄銅箔的絕緣樹脂層的孔內(nèi)部產(chǎn)生電鍍液的渦流，進(jìn)行電鍍；在基件的極薄銅箔面及絕緣樹脂層面以及孔的內(nèi)壁部表面形成電解淀積層，使孔內(nèi)壁部表面的電解淀積層比絕緣樹脂層面的電解淀積層厚。
全文摘要
一種帶孔的組合用多層基板及其制造方法,其微細(xì)化孔的層間電連接的可靠性高。利用激光5在層積銅層2和絕緣樹脂層3的基板1的所需位置形成孔4,將基板1在銅電鍍?cè)≈邪醇^A進(jìn)行圓形搖擺,使孔4內(nèi)部的電鍍液產(chǎn)生渦流,然后進(jìn)行電鍍,使孔4內(nèi)壁部表面的電解淀積層形成得比絕緣樹脂層表面3a的電解淀積層厚。
文檔編號(hào)H05K3/38GK1374827SQ0210539
公開日2002年10月16日 申請(qǐng)日期2002年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月28日
發(fā)明者古谷修一 申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社