專利名稱：一種能與絕緣層牢固結(jié)合的電熱膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種電熱膜，特別是一種能與絕緣層牢固結(jié)合的電熱膜。
電熱膜用于加熱已很普遍，它具有加熱快速，加熱均勻，使用方便的優(yōu)點(diǎn)。一般的電熱膜，例如電熱膜加熱鍋是將電熱膜材料涂復(fù)在電熱鍋底上，該電熱鍋可以是搪瓷的，即在金屬的鍋的里面和外面包以搪瓷釉面，在該搪瓷釉面鍋的鍋底外面，用電熱膜材料涂復(fù)，然后在干燥爐中加以烘干即成為電熱膜，也有將電熱膜材料直接涂復(fù)在玻璃瓶的底外面做為加熱膜，用于加熱該瓶中液體。這種涂復(fù)的電熱膜，其與絕緣層的結(jié)合面之間粘合強(qiáng)度很差，結(jié)合不牢固，電熱膜易脫落，絕緣性能和導(dǎo)熱速度均較差，使用壽命較短。
本實用新型目的是提供一種能與絕緣層牢固結(jié)合的電熱膜，其與絕緣層的結(jié)合面之間粘合強(qiáng)度很高，結(jié)合面之間結(jié)合很牢固，電熱膜不易脫落，絕緣性能好，導(dǎo)熱快，使用壽命可延長。
本實用新型的目的是按如下技術(shù)方案實現(xiàn)的。一種能與絕緣層牢固結(jié)合的電熱膜，包括絕緣層和電熱膜，所述電熱膜附著于所述絕緣層表面上，其特征是在電熱膜與絕緣層之間具有一共熔層。所述共溶層由電熱膜和絕緣層材料共同構(gòu)成?？刹捎谜翦?、濺鍍、刷鍍或真空鍍等工藝方法，將電熱膜材料在高溫下，以離子擴(kuò)散方式滲透到絕緣層材料中，形成一個共溶層，在此層中二種材料共溶在一起形成與絕緣層成一體的電熱膜，由于是金屬和絕緣層二種材料形成的共溶層，故該層與電熱膜和絕緣層的附著力均很強(qiáng)，不致脫落，絕緣性能強(qiáng)，導(dǎo)熱快，壽命長。
綜上所述，本實用新型由于采用了共溶層，使電熱膜材料擴(kuò)散滲透到絕緣層中形成共溶層，將電熱膜牢固地固定在絕緣層上，由原來的機(jī)械粘合改進(jìn)為冶金接合，使其不易脫落，其絕緣性、導(dǎo)熱性及壽命均得以提高。
以下結(jié)合附圖以實施例做具體介紹。


圖1為本實用新型的使用情況示意圖。
圖2為圖1中的A-A局部剖視圖，示出電熱膜經(jīng)絕緣層附在金屬容器上的情況，圖3為圖1中的A-A局部剖視圖，示出電熱膜直接附在絕緣容器上的情況。
圖中代號1電熱膜2共溶層3絕緣層4共溶層5金屬層6加熱容器如圖1所示為由電熱膜2附在加熱容器6上的情況，電熱膜2粘附在加熱容器6的底面上。如圖2，加熱容器6的骨架為金屬的，其結(jié)構(gòu)包括絕緣層3和電熱膜1，電熱膜1附著在絕緣層3的表面上，在電熱膜1與絕緣層3之間具有一共溶層2，該絕緣層3可為搪瓷、玻璃、陶瓷等，其厚度可為0.1到10毫米，將電熱膜的材料采用蒸鍍、濺鍍、刷鍍或真空鍍方法，使電熱膜材料的一部份以離子擴(kuò)散方式滲透到絕緣層3的材料中，形成一個共溶層2，該共溶層2由電熱膜材料和絕緣層材料共同構(gòu)成，使電熱膜1經(jīng)共溶層2牢固地結(jié)合在絕緣層3上，形成該金屬加熱容器的加熱底面。絕緣層3與金屬層5之間也有一共溶層4，使絕緣層3(例如陶瓷)與金屬容器的壁即金屬層5牢固地結(jié)合。如圖3所示為加熱容器6的骨架為絕緣物質(zhì)，電熱膜附在絕緣物質(zhì)即玻璃或陶瓷容器上的情況，由電熱膜1與陶瓷或玻璃器皿的底面即絕緣層3直接經(jīng)共溶層2連接在一起，形成電熱玻璃器皿的帶有電熱膜的加熱底面。
權(quán)利要求1.一種能與絕緣層牢固結(jié)合的電熱膜，包括絕緣層和電熱膜，所述電熱膜附著于所述絕緣層表面上，其特征是在電熱膜與絕緣層之間具有一共熔層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能與絕緣層牢固結(jié)合的電熱膜，其特征是所述共溶層由電熱膜和絕緣層材料共同構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能與絕緣層牢固結(jié)合的電熱膜，其特征是所述絕緣層為陶瓷層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能與絕緣層牢固結(jié)合的電熱膜，其特征是所述絕緣層為搪瓷層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能與絕緣層牢固結(jié)合的電熱膜，其特征是所述絕緣層為玻璃層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能與絕緣層牢固結(jié)合的電熱膜，其特征是所述絕緣層的厚度在0.1至10毫米之間。
專利摘要一種能與絕緣層牢固結(jié)合的電熱膜,包括絕緣層和電熱膜,所述電熱膜附著于所述絕緣層表面上,其特征是:在電熱膜1與絕緣層3之間具有一共熔層2,所述共溶層2由電熱膜1和絕緣層3的材料共同構(gòu)成,本電熱膜利用共溶層2使電熱膜1牢固地固定在絕緣層3上,其絕緣性、導(dǎo)熱性和壽命均得以提高。
文檔編號H05B3/26GK2419780SQ0020508
公開日2001年2月14日 申請日期2000年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月15日
發(fā)明者趙學(xué)新, 閻惠民 申請人:天津日通電熱膜技術(shù)研究開發(fā)中心