專利名稱：印刷線路板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及印刷線路板的處理方法，特別涉及在多層布線板內(nèi)用于通孔處理的處理方法。
通過激光處理，在絕緣層內(nèi)形成一個孔(通孔)，用于電連接印刷線路板的絕緣層的上下部的導(dǎo)體層，以便把下部導(dǎo)體層暴露在孔底，該孔必須只形成在絕緣層內(nèi)，而絕緣層的剩余物不能留在下部導(dǎo)體層上。
未審查日本專利公開10-322034公開了一種方法，其改變材料的顏色或把紫外光或電子束發(fā)射的光照到絕緣層并與絕緣層混合，在孔處理和化學(xué)蝕刻之后，紫外光或電子束被照到孔底，并從孔底部表面的光發(fā)射面積判斷孔處理情況。然而，在這種情況中，在激光處理期間，不能夠檢測孔底是否到達(dá)下部導(dǎo)體層。
另一方面，日本專利JP-A-10-85976公開了一種利用絕緣層和下部導(dǎo)體層之間的反射率差測量激光的激光強(qiáng)度的反射。從而檢測孔底到達(dá)下部導(dǎo)體層。在這種情況中，在激光處理期間，可以檢測孔底到達(dá)下部導(dǎo)體層，所以，根據(jù)檢測結(jié)果控制處理激光，因此，適當(dāng)?shù)目字恍纬稍诮^緣層內(nèi)。因為下部導(dǎo)體層的反射率和熱傳導(dǎo)率很高，因此下部導(dǎo)體層的表面上的樹脂的溫度沒有升高，所以它也公開了額外施加激光，用于除去在下部導(dǎo)體層的表面上的樹脂的剩余物。
然而，因為激光的反射有很強(qiáng)的方向性，所以限制了激光反射的檢測方向，此外，孔底表面的粗糙度和傾斜影響了反射的激光的檢測方向，以及絕緣層的上部導(dǎo)體層和下部導(dǎo)體層使用相同的材料，所以完成準(zhǔn)確性檢查是很困難的。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種印刷線路板的處理方法，其能夠精確地和容易地檢測在絕緣層上鉆的孔。
為此目的，按照本發(fā)明，提供一種印刷線路板的處理方法，其中，為了產(chǎn)生一個孔，用于把印刷線路板的絕緣層的上部導(dǎo)體層和絕緣層的下部導(dǎo)體層電連接入絕緣層，以便把下部導(dǎo)體層暴露給孔底，當(dāng)使用激光在印刷線路板的絕緣層內(nèi)形成孔時，包括位于下部導(dǎo)體層和絕緣層之間的處理層，在激光處理期間，發(fā)射與激光處理不同波長的電磁波，測量從印刷線路板的處理層發(fā)射的信號的變化，確定絕緣層的剩余狀態(tài)。由于激光處理，使用放置在下部導(dǎo)體層和絕緣層之間的處理層發(fā)射的電磁波而不是激光的反射，所以，可以精確地檢測到在絕緣層上鉆的孔。
作為處理層，印刷線路板最好包括由下部導(dǎo)體層的氧化表面提供的處理層，通過激光處理，由導(dǎo)電材料提供的處理層用于在下部導(dǎo)體層的表面上發(fā)射電磁波，通過激光處理，由樹脂提供了處理層，其包括一個成分，該成分在下部導(dǎo)體層的表面上發(fā)射很強(qiáng)的電磁波。
檢查光源可以應(yīng)用到該孔，同時，在激光處理期間，檢測處理層發(fā)射電磁波的信號變化，測量下部導(dǎo)體層的激光反射強(qiáng)度或處理層發(fā)射的光，以確定絕緣層的剩余狀態(tài)。
印刷線路板包括樹脂，作為絕緣層用于屏蔽處理層發(fā)射的電磁波。
為在下部導(dǎo)體層確定剩余樹脂的厚度，在激光處理期間，可以測量處理層發(fā)射的電磁波的峰值強(qiáng)度，測量的峰值強(qiáng)度與預(yù)置的參考值比較，因此，在下部導(dǎo)體層檢測到剩余樹脂厚度；下部導(dǎo)體層的剩余樹脂厚度可以根據(jù)如下事實檢測，處理層發(fā)射的電磁波的峰值強(qiáng)度超過預(yù)置上限參考值，那么，減少峰值強(qiáng)度，并使其落在預(yù)置下限參考值之下；當(dāng)測量處理層發(fā)射電磁波時，同時測量處理激光的反射，下部導(dǎo)體層的剩余樹脂厚度可以根據(jù)如下事實檢測，激光強(qiáng)度的反射等于或大于激光反射的參考值，電磁波強(qiáng)度等于或小于發(fā)射強(qiáng)度參考值；下部導(dǎo)體層的剩余樹脂厚度可以根據(jù)如下事實檢測，在激光照射結(jié)束之前，衰減處理層發(fā)射電磁波的波形，并檢測到峰值；或通過測量處理層發(fā)射電磁波的強(qiáng)度，檢測下部導(dǎo)體層的剩余樹脂厚度，為每一個孔計算發(fā)射強(qiáng)度的積分值，并把積分值與預(yù)置參考值進(jìn)行比較。然而，本發(fā)明不局限于這些方法。
在激光處理期間，測量處理層發(fā)射的電磁波的波長范圍最好是在500納米至2000納米；然而，可以采用任何其它波段，取決于處理層發(fā)射的電磁波。
此外，設(shè)置處理層的厚度最好等于或小于樹脂的厚度，該樹脂可以由下一處理步驟的化學(xué)蝕刻除去，當(dāng)測量處理層發(fā)射電磁波信號時，停止激光處理。
在激光處理期間，處理層發(fā)射電磁波的發(fā)射強(qiáng)度最好是絕緣層發(fā)射電磁波的發(fā)射強(qiáng)度的兩倍或更大。在這種情況中，特殊波長的發(fā)射強(qiáng)度比絕緣層發(fā)射電磁波的特殊波長的發(fā)射強(qiáng)度大兩倍或更大。
在激光處理期間，可以在波長上測量電磁波，提供了處理層發(fā)射電磁波的最大強(qiáng)度，并在波長上測量到處理層發(fā)射電磁波的強(qiáng)度小，而絕緣層發(fā)射電磁波的強(qiáng)度大，絕緣層的剩余狀態(tài)可以根據(jù)兩個波長的電磁波強(qiáng)度確定，或在多個波長上測量處理層發(fā)射的電磁波，絕緣層的剩余狀態(tài)可以根據(jù)波長上的峰值強(qiáng)度比測量。
因此，為檢測多個波長的電磁波，在激光處理期間，發(fā)射的電磁波由分光鏡分離，使用兩個或多個檢測器檢測后分離的電磁波。
在激光處理期間，如果分光鏡被放置在透鏡之間，用于把處理激光聚光到處理位置和印刷線路板，由分光鏡把發(fā)射的電磁波提取到激光光軸的外部，并被引入檢測器，就可以檢測電磁波而不受透鏡材料的影響。
這時，如果使用光傳感器陣列作為檢測器，或聚光鏡被放置在分光鏡和檢測器之間，當(dāng)激光光束掃描時，就可獲得非常好的結(jié)果。
為使用激光處理在絕緣層內(nèi)形成一個孔，測量印刷線路板處理層發(fā)射信號中的變化，以確定絕緣層的剩余狀態(tài)，當(dāng)絕緣層的剩余厚度大于設(shè)定值時，可以使用附加的激光脈沖。


圖1是本發(fā)明實施例的處理狀態(tài)的剖面圖。
圖2是本發(fā)明實施例的處理裝置的示意圖；圖3是本發(fā)明另一個實施例的處理狀態(tài)的剖面圖；圖4是測定操作的示意圖；圖5是另一個測定操作的示意圖；圖6是另一個測定操作的示意圖；圖7A到7C是另一個測定操作的示意圖；圖7A是激光的第一次發(fā)射的示意圖；圖7B是激光的第二次發(fā)射的示意圖；圖7C是激光的第三次發(fā)射的示意圖；圖8A到8D是另一個測定操作的示意圖；圖8A是激光的第一次發(fā)射的示意圖；圖8B是激光的第二次發(fā)射的示意圖；圖8C是激光的第三次發(fā)射的示意圖；圖8D按照累計的積分值的測定操作的示意圖；圖9A到9C描述了另一個例子的操作；圖9A是絕緣層的發(fā)射強(qiáng)度波長特性圖；圖9B是孔到達(dá)處理層時的絕緣層的發(fā)射強(qiáng)度波長特性圖；圖9C是處理層的發(fā)射強(qiáng)度波長特性圖；圖10描述另一個例子操作的發(fā)射強(qiáng)度波長特性圖；圖11是另一個例子的示意圖；圖12是另一個例子的示意圖；圖13是圖12中的另一個例子的示意圖；圖14是圖12中的另一個例子的示意圖；圖15是激光處理的操作流程示意圖；現(xiàn)在參考顯示本發(fā)明實施例的附圖。在本發(fā)明中，為了在絕緣層10中形成通孔，用于把印刷線路板1的絕緣層10的上部導(dǎo)體層11和絕緣層10的下部導(dǎo)體層12電連接為在絕緣層10中導(dǎo)電，以便把下部導(dǎo)體層12暴露給孔底，當(dāng)使用激光處理在絕緣層10內(nèi)形成孔13時，印刷線路板1包括放置在下部導(dǎo)體層12和絕緣層10之間的處理層14，在激光處理期間，處理層發(fā)射與激光波長不同波長的電磁波，測量印刷線路板1的處理層發(fā)射信號的變化，確定絕緣層10的剩余狀態(tài)。圖2顯示了激光處理裝置的一個例子。掩膜21由激光投影在印刷線路板1上，從而形成孔。使用電流測定鏡，所以激光可以掃描以加速處理，也可以使用X-Y平板23進(jìn)行移動。在圖中，24表示f-θ鏡。
為處理孔13，用于系統(tǒng)中的印刷線路板1的層間傳導(dǎo)，通過激光照射的除去處理，孔13形成在絕緣層內(nèi)，當(dāng)孔13的孔底到達(dá)下部導(dǎo)體層12的表面時，停止激光處理。然而，使用二氧化碳激光器處理，下部導(dǎo)體層12的熱傳導(dǎo)率很高，因此，下部導(dǎo)體層表面上的樹脂溫度沒有升高，所以樹脂留在下部導(dǎo)體層的表面上。因此，六在下部導(dǎo)體層的樹脂由另外加一個激光脈沖除去或在下一步使用除去步驟(化學(xué)蝕刻)。在化學(xué)蝕刻中，除去量的變化取決于時間、處理液體的濃度等。在這時，如果處理時間很長或液體的濃度很高，孔13的內(nèi)壁上的樹脂也被除去，影響了孔13的形狀，并在以后為上部導(dǎo)體層11和下部導(dǎo)體層12提供傳導(dǎo)的電鍍步驟中發(fā)生故障，在激光處理期間，必須控制剩在下部導(dǎo)體層上的樹脂的厚度。
因此，剩余樹脂厚度由監(jiān)視激光處理狀態(tài)所控制。在本發(fā)明中，所用的印刷線路板1形成有處理層14(面對絕緣層10)，其放置在下部導(dǎo)體層12的表面上，用于發(fā)射不同于激光處理波長的強(qiáng)電磁波。上部導(dǎo)體層11不是必需的。
處理層14對處理激光具有高吸收率，例如，二氧化碳激光，并容易進(jìn)行激光處理，它的熱容量、熱導(dǎo)率和熱擴(kuò)散率是很小的。如果孔處理激光是二氧化碳激光，當(dāng)絕緣層10的環(huán)氧樹脂很薄時，就存在電磁波的強(qiáng)度，因此，如果所用的處理層14具有很強(qiáng)的電磁波發(fā)射強(qiáng)度，在絕緣層10完成激光孔處理，測量處理層，并檢測到信號的變化，可以掌握孔底的狀態(tài)。
在這時，處理層14表面等方向地發(fā)射電磁波，因此，孔底的狀態(tài)不會影響電磁波的發(fā)射(例如，傾斜、表面粗糙度等)，只有來自處理層的信號可以在孔底檢測到。因此，就可能進(jìn)行穩(wěn)定的測定。
這個測定可以由測量以前好產(chǎn)品處理孔的信號變化完成，并把信號的變化與在處理中測到的信號變化進(jìn)行比較。檢測器27用于測量發(fā)射的電磁波強(qiáng)度，檢測器的相應(yīng)度等于或大于所用處理激光的脈沖寬度或輸出波形，因此，可以進(jìn)行聯(lián)機(jī)檢查。
如果所測量的電磁波是在紫外光到可見光范圍內(nèi)，可以使用微通道板光電倍增器作為檢測器27；如果所測量的電磁波是在190納米到1100納米的波長范圍內(nèi)，可以使用硅光電二極管作為檢測器27；如果所測量的電磁波是在700納米到2600納米的波長范圍內(nèi)，可以使用InGaAs光電二極管作為檢測器27；如果所測量的電磁波是在紅外范圍內(nèi)，除了上面提到的器件外，可以使用PbSe光電導(dǎo)管、InAs光伏管、InSb光伏管、MCT光電導(dǎo)管作為檢測器27。檢測器27正好放置在處理孔的上面，其中，孔底沒有隱藏在檢測器27位置的孔壁面上。然而，把檢測器27正好放置在處理孔的上面，就是說，放在處理激光的光軸上，那么，阻擋了處理激光，減小了處理能量，因此，安裝了光束分離器或針孔鏡28用于從激光光軸提取發(fā)射的電磁波。特別地，在掃描系統(tǒng)中使用電流測定鏡，通過軸向地用激光光軸檢測，檢查每一個孔而沒有降低處理速度是可能的。如圖1所示，檢測器27放置在光束L的光軸的邊上。
可以在印刷線路板1使用各種材料作為處理層14；所提供的處理層最好是下部導(dǎo)體層12的氧化表面(黑氧化物)。如果下部導(dǎo)體層12是銅，銅表面可以浸漬在NaOH溶液中作氧化處理。當(dāng)激光處理到達(dá)氧化處理層的處理層14時，處理層吸收激光并被加熱。在這時，同樣化對二氧化碳激光具有高的吸收率，由于熱產(chǎn)生的電磁波的發(fā)射強(qiáng)度是很強(qiáng)的，所以檢測到的信號變化增加了，所以具有高精度的檢查是可能的。在激光處理期間，當(dāng)檢測器27用于測量時，根據(jù)電磁波的波長選擇適當(dāng)?shù)臋z測器。這個主題將在后面討論。
在激光處理期間，如果電磁波的強(qiáng)度變化和剩余在下部導(dǎo)體層上的樹脂的厚度之間的關(guān)系是預(yù)先確定的，可以發(fā)現(xiàn)提供好產(chǎn)品的信號，通過比較信號變化，同時檢查處理是可能的。如果處理層14時黑氧化物，也希望提供絕緣層10和下部導(dǎo)體層12的粘附力，因為銅表面在黑氧化處理中形成粗糙表面。
可以使用傳導(dǎo)材料作為處理層14，用于發(fā)射電磁波，例如，下部導(dǎo)體層12上的碳。通過真空蒸發(fā)、真空濺射加熱碳材料形成處理層14(碳層)。在這種情況中，當(dāng)激光處理到達(dá)作為孔底的處理層14時，碳層的處理層14對二氧化碳激光具有高吸收率，由于加熱，電磁波的發(fā)射強(qiáng)度是很強(qiáng)的，所以增加了所檢測的信號的變化，高精度的檢查是可以實現(xiàn)的。
此外，由樹脂層提供了處理層14，其包括一個成分，通過激光處理，該成分在絕緣層10和下部導(dǎo)體層12之間發(fā)射很強(qiáng)的電磁波。例如，在印刷線路板1內(nèi)形成有預(yù)定的絕緣層10，在碳粉與環(huán)氧樹脂混合之后，涂敷到下部導(dǎo)體層12上，以形成處理層14，當(dāng)激光到達(dá)作為孔底的處理層14時，檢測到的信號變化增加了，進(jìn)行高精度檢查是可能的，當(dāng)碳吸收激光并被加熱時，碳所產(chǎn)生的電磁波的發(fā)射強(qiáng)度是很大的。在這種情況中，處理層可以是普通的絕緣材料，因此，不會發(fā)生粘著失敗。
如圖3所示，在測量處理層14發(fā)射電磁波的信號變化同時，檢查光源30可以應(yīng)用到孔13，下部導(dǎo)體層的激光反射強(qiáng)度或處理層14發(fā)射的光也可以用檢測器27測量。在激光處理期間，通過使用檢查光源30，主動地檢測處理層14的信號，而不是只檢測處理層14產(chǎn)生的信號，提高了檢查精度。在這時，處理層14發(fā)射電磁波用的檢測器不需要與測量檢查光源30的激光反射的檢測器相同。使用紫外線輻照產(chǎn)生熒光的處理層作為處理層14，紫外光可以作為檢查光源30并可以測量熒光強(qiáng)度。
如果絕緣層10是由混合有能夠屏蔽處理層14發(fā)射的電磁波的材料的樹脂所形成的，除去絕緣層并暴露處理層14，信號變化增加，所以，絕緣層的除去狀態(tài)可以很精確地掌握，并且，進(jìn)行高精度檢查是可能的。
為檢測處理層14發(fā)射電磁波的可見光的發(fā)射，碳黑(例如，鐵、錳、鉻、鈷、鎳或磁粉)可以混入絕緣層10的環(huán)氧樹脂內(nèi)。如果絕緣層剩余在下部導(dǎo)體層，由于激光通過絕緣層10和到達(dá)處理層14，即使處理層反射了電磁波，混入碳黑的絕緣層10也可以屏蔽電磁波。因此，很明顯，剩余的樹脂留在下部導(dǎo)體層。
如圖4所示，根據(jù)處理層14發(fā)射電磁波的信號變化，確定下部導(dǎo)體層上的絕緣層10的剩余狀態(tài)，在激光處理期間，可以測量處理層14發(fā)射電磁波的峰值強(qiáng)度，測量的峰值強(qiáng)度與預(yù)置參考值進(jìn)行比較。在激光處理期間，在下部導(dǎo)體層上剩余的樹脂厚度越薄，輸入到處理層14的能量越大，發(fā)射的電磁波的變化越大。因為測量了處理層14發(fā)射的電磁波的峰值強(qiáng)度，所以，由簡單的比較電路執(zhí)行測定處理，簡化了檢查流程，縮短了處理時間。
現(xiàn)在假定，絕緣層10的環(huán)氧樹脂的厚度是60微米，使用銅表面黑氧化物提供的處理層作為處理層14，處理的孔直徑是φ100微米，當(dāng)下部導(dǎo)體層上剩余的樹脂厚度是4微米或更多，信號強(qiáng)度變化很小，在波形上測量的峰值很小。然而，如果測量的峰值強(qiáng)度是參考值或大于參考值，下部導(dǎo)體層上的剩余樹脂厚度大約是1微米或小于1微米。因此，當(dāng)下部導(dǎo)體層上的剩余樹脂厚度等于或小于預(yù)定的樹脂厚度時，預(yù)定樹脂厚度可在下一步驟由化學(xué)蝕刻除去，事先測量信號強(qiáng)度峰值，并與該值進(jìn)行比較，因此，檢測到剩余樹脂厚度。上面提到的參考值的改變?nèi)Q于所處理的材料、激光處理條件等，因此，必須在每一個條件中設(shè)置參考值。
如圖5所示，根據(jù)下屬事實確定下部導(dǎo)體層上的剩余樹脂厚度等于或小于允許的厚度，即，在激光處理期間，發(fā)射的電磁波的峰值強(qiáng)度超過預(yù)定的上限參考值，那么，減小峰值強(qiáng)度，并落在預(yù)定的下限參考值的下面。
這個主題將被討論。在激光處理期間，在下部導(dǎo)體層上剩余的樹脂厚度越薄，輸入到處理層的能量越大，發(fā)射的電磁波的變化越大。當(dāng)處理進(jìn)行到下一步時，產(chǎn)生電磁波的處理層14由激光處理分解并除去，所測量的信號減小。在此，如果激光處理能量太小不能由一次激光發(fā)射形成到孔底的孔，應(yīng)用激光兩次或多次進(jìn)行處理。在這時，測量的電磁波的強(qiáng)度每一次發(fā)射都變化。但信號峰值強(qiáng)度的變化是比較小的。因此，如果測定僅由信號峰值強(qiáng)度的電平確定，很難保持檢查精度。然后，下部導(dǎo)體層上的剩余樹脂由下面事實確定，信號峰值強(qiáng)度超過上限參考值，那么，使其落在下限參考值之下。
信號峰值超過上限參考值，其表明孔底到達(dá)處理層14。然后，減小信號峰值，其表明足夠的激光能量被輸入到產(chǎn)生電磁波的處理層14。因此，檢測下部導(dǎo)體層上的剩余樹脂厚度等于或小于預(yù)定的樹脂厚度，預(yù)定樹脂厚度可在下一步驟由化學(xué)蝕刻除去。
現(xiàn)在假定，絕緣層10的環(huán)氧樹脂的厚度是60微米，使用銅表面黑氧化物提供的處理層作為處理層14，激光處理能量是1．7mJ／p，處理的孔直徑是φ100微米，由激光處理的一次發(fā)射不能把孔形成到下部導(dǎo)體層，信號變化很小，在波形上沒有測量到峰值。當(dāng)孔處理在附加的激光發(fā)射上到達(dá)孔底時，信號強(qiáng)度峰值增加，然后，減小峰值并沒有測量。以好孔的峰值設(shè)置上限和下限參考值。當(dāng)進(jìn)行附加激光發(fā)射時，從峰值強(qiáng)度的最大值確定上限參考值，在測量上限參考值之后，從峰值強(qiáng)度的最小值確定下限參考值。在激光處理期間，該值與測量峰值進(jìn)行比較，因此，在下部導(dǎo)體層上檢測剩余樹脂厚度是可能的。上面提到的參考值的變化取決于所處理的材料，激光處理條件等。因此，根據(jù)條件設(shè)置參考值。
如圖6所示，在測量處理層14發(fā)射電磁波的同時也測量激光的反射，測定根據(jù)如下事實，激光強(qiáng)度的反射等于或大于激光反射的參考值。在下部導(dǎo)體層上剩余的樹脂厚度越薄，輸入到處理層的能量越大，處理層14發(fā)射的電磁波的強(qiáng)度越大。當(dāng)處理進(jìn)行到下一步時，處理層14由激光處理分解并除去，所測量的信號減小。在這時，如果使用上限參考值進(jìn)行測定，如果因為噪聲超過了上限參考值，測量信號峰值強(qiáng)度是可能的。因此，不管處理激光的反射強(qiáng)度是否超過了激光的反射，反射被加到測定條件，代替信號強(qiáng)度是否超過上限參考值。預(yù)先測量了在好孔中的激光反射峰值強(qiáng)度的變化和處理層發(fā)射信號波形的峰值中的變化，并且，上面提到的參考值是根據(jù)測量結(jié)果設(shè)置的。
此外，根據(jù)如下事實測定，在激光處理期間，測量處理層14發(fā)射的電磁波，在激光照射結(jié)束之前，衰減處理層發(fā)射電磁波的波形，并檢測到峰值。如圖7A到7C所示，信號波形被檢測，并且下部導(dǎo)體層上的剩余樹脂狀態(tài)根據(jù)形狀檢測。在激光處理期間，在下部導(dǎo)體層上剩余的樹脂厚度越薄，輸入到處理層14的能量越大，發(fā)射的電磁波的強(qiáng)度越大。當(dāng)處理進(jìn)行到下一步時，產(chǎn)生電磁波的處理層14由激光處理分解并除去，所測量的信號減小。在此，在激光照射結(jié)束之前，衰減處理層發(fā)射電磁波的波形，并檢測到峰值，處理層14足夠熱，在下部導(dǎo)體層上的最大剩余樹脂大約是1微米。如果下部導(dǎo)體層上的剩余樹脂狀態(tài)由信號的波形確定，當(dāng)在波形上檢測到一個峰值時，停止激光照射，提供了一個穩(wěn)定的最佳孔形狀，而沒有輸入額外的處理能量。
例如，現(xiàn)在假定，絕緣層10的環(huán)氧樹脂的厚度是60微米，使用銅表面黑氧化物提供的處理層作為處理層14，激光處理能量是1．7mJ／p，脈沖寬度是30微秒，處理的孔直徑是φ100微米，第一次激光處理不能把孔形成到下部導(dǎo)體層(第一次發(fā)射，圖7A)，在第二次發(fā)射(圖7B)，孔到達(dá)處理層14，因為樹脂剩余在下部導(dǎo)體層，暴露的孔底直徑很小，所以不能提供適當(dāng)?shù)目仔螤?。在激光的第三次發(fā)射(圖7C)，在激光照射期間觀察峰值，下部導(dǎo)體層上剩余的最大樹脂厚度大約1微米；提供了好的處理孔。因為測定是通過信號的波形進(jìn)行的，所以，為進(jìn)行測定不需要使用預(yù)置參考值。
如圖8A到8D所示，在激光處理期間，通過測量處理層14發(fā)射電磁波的強(qiáng)度進(jìn)行測定，對每一個孔計算發(fā)射強(qiáng)度的積分值，檢查積分值是否到達(dá)預(yù)置參考值。圖8A顯示了第一次發(fā)射時發(fā)射強(qiáng)度的時間變化，圖8B顯示了第二次發(fā)射時發(fā)射強(qiáng)度的時間變化，圖8C顯示了第三次發(fā)射時發(fā)射強(qiáng)度的時間變化。如圖8D所示，波形(圖中的陰影線部分)作為發(fā)射強(qiáng)度積分，通過第一次發(fā)射開始，為每一個孔累計發(fā)射強(qiáng)度的積分值進(jìn)行測定，并檢查累計的積分值是否到達(dá)預(yù)置參考值。
如果孔底直徑相同，處理層發(fā)射電磁波的量是常數(shù)。另一方面，多次發(fā)射形成一個孔，在測量中，發(fā)射強(qiáng)度隨不同的孔和不同的發(fā)射變化。因此，與通過一次發(fā)射由信號的峰值確定下部導(dǎo)體層上的剩余樹脂相比較，如果通過在波形上進(jìn)行積分操作檢測下部導(dǎo)體層上的剩余樹脂厚度，并與前面計算的好產(chǎn)品的積分參考值的結(jié)果進(jìn)行比較，這樣，提高了檢查精度的可靠性。當(dāng)然，上面提到的參考值的變化取決于所處理的材料，激光處理條件等。因此，根據(jù)條件設(shè)置參考值。
順便說一下，為測量處理層14發(fā)射的電磁波，所測量的電磁波的波長范圍最好在500納米到2000納米之間。特別地，如果由下部導(dǎo)體層的氧化銅(黑氧化物)提供處理層，由二氧化碳激光處理的處理層發(fā)射的電磁波的發(fā)射強(qiáng)度將在500納米到2000納米的波長范圍內(nèi)變得很高。就可能通過濾波器除去外部噪聲，所以，檢測器27只檢測上面提到的波長范圍；提高了檢測剩余樹脂的精度。
使用傳導(dǎo)材料作為處理層14，通過激光處理在下部導(dǎo)體層12的表面上發(fā)射電磁波，或由樹脂提供了處理層14，其包括一個成分，通過激光處理該成分在下部導(dǎo)體層12的表面上發(fā)射很強(qiáng)的電磁波，如果使用銅硫化物而不是上面提到的碳，也可以發(fā)射波長范圍在500納米到2000納米的近紅外光，所以，通過只在該波長范圍內(nèi)測量電磁波，獲得了高精度的測定。
處理層14的厚度最好設(shè)置為等于或小于樹脂的厚度，該樹脂在激光處理的下一步驟中由化學(xué)蝕刻除去。特別地，通過激光處理，使用含有能夠發(fā)射強(qiáng)電磁波材料的樹脂作為發(fā)射電磁波的處理層14，如果進(jìn)行激光孔處理，除非到達(dá)下部導(dǎo)體層上的處理層14，否則不能測到發(fā)射強(qiáng)度的變化。當(dāng)處理進(jìn)到下一步，開始處理處理層14，測量到發(fā)射強(qiáng)度中的變化。因此，如果測量到發(fā)射強(qiáng)度中的變化，這意味著除去了絕緣層10，只有處理層14留在下部導(dǎo)體層上。下部導(dǎo)體層上剩余的處理層的樹脂由下一步驟的化學(xué)蝕刻除去。如果處理層的厚度等于或小于樹脂的厚度，該樹脂由化學(xué)蝕刻除去，通過激光處理檢測到處理層14的信號，確定下部導(dǎo)體層上的剩余樹脂厚度就是在下一步驟除去的樹脂的厚度是可能的。因此，設(shè)置處理層14的厚度等于或小于由化學(xué)蝕刻除去的樹脂的厚度，因此，不需要事先保持處理層的信號強(qiáng)度和剩余在下部導(dǎo)體層上的絕緣層10的厚度之間的相關(guān)紀(jì)錄，所以，高精度控制下部導(dǎo)體層上剩余的樹脂是可能的。
如果處理層是傳導(dǎo)材料，除非在下一步驟中導(dǎo)體電鍍有粘著問題，否則不需要除去該傳導(dǎo)材料。然而，如果處理層使用氧化的下部導(dǎo)體層(銅)，則由化學(xué)蝕刻除去處理層。
下一步，在激光處理期間，如果絕緣層10也發(fā)射很強(qiáng)的電磁波，因為絕緣層10由合成材料形成，例如，玻璃纖維基材料，可以采取下面的對策使用發(fā)射電磁波強(qiáng)度大于絕緣層發(fā)射電磁波強(qiáng)度兩倍或更大的材料作為處理層14。作為這樣的處理層14，可以使用氧化處理層(CuO)、碳層、金屬粉(銅、鐵)。發(fā)射強(qiáng)度可以是測定所用波長的電磁波的強(qiáng)度的兩倍或更大，但不需要在整個波長范圍是測定電磁波的兩倍或更大。
如果發(fā)射的電磁波不同于波長分布，盡管在一個波長上的電磁波的強(qiáng)度不是兩倍或更大，通過測量多個波長進(jìn)行下面的測定。如果絕緣層10發(fā)射電磁波的發(fā)射強(qiáng)度是圖9A所示的波長分布，激光處理到達(dá)處理層14，處理層14的發(fā)射強(qiáng)度是圖9B所示的波長分布，測定是由圖中的兩個波長λ1和λ2進(jìn)行的。當(dāng)兩個波長λ1和λ2的發(fā)射強(qiáng)度都大，可以確定絕緣層的激光處理已經(jīng)完成；如圖9C所示，當(dāng)波長λ1的發(fā)射強(qiáng)度小，波長λ2的發(fā)射強(qiáng)度大，可以確定處理層14的激光處理已經(jīng)完成。在這種情況中，最好先測量波長λ1的發(fā)射強(qiáng)度，并當(dāng)波長λ1的發(fā)射強(qiáng)度減小時，測量波長λ2的發(fā)射強(qiáng)度，從波長λ2的發(fā)射強(qiáng)度峰值或級數(shù)進(jìn)行測定。在這種情況中，如果絕緣層10發(fā)射電磁波的波長λ2的發(fā)射強(qiáng)度高于處理層14發(fā)射電磁波的波長λ2的發(fā)射強(qiáng)度，測定是沒有問題的。
如圖10所示，進(jìn)行了多個波長的測量(圖中所示的例子是λ1、λ2和λ3)，電磁波是絕緣層10發(fā)射的電磁波或處理層14發(fā)射的電磁波可以由在波長上發(fā)射的電磁波強(qiáng)度比確定。在圖中所示的例子中，如果在三個波長λ1、λ2和λ3上的發(fā)射強(qiáng)度基本相同，可以確定該電磁波是絕緣層10發(fā)射的電磁波，如果λ1上的發(fā)射強(qiáng)度＜λ2上的發(fā)射強(qiáng)度＜λ3上的發(fā)射強(qiáng)度，可以確定該電磁波是處理層14發(fā)射的電磁波。
因此，在激光處理期間，即使也從絕緣層10發(fā)射電磁波，在測定中，絕緣層10發(fā)射的電磁波也可以從處理層14的電磁波中區(qū)別出來，除非在波長分布的兩個點上絕緣層10發(fā)射的電磁波和處理層14發(fā)射的電磁波的發(fā)射強(qiáng)度相同。
如果必須測量多個波長，具有不同敏感波長的多個波長檢測器27被放置在分光鏡29的后面，例如圖11所示的棱鏡或衍射光柵。如果引入每一個檢測器27的電磁波沒有通過分光鏡29，在每一個波長上的檢測強(qiáng)度可以大于該數(shù)值。
圖12顯示了另一個例子。與處理激光同軸的檢測器27測量電磁波，分光鏡31被放置在透鏡24和印刷線路板1之間，被測量的電磁波由分光鏡31反射到檢測器27。
通常，使用鋅作為紅外光聚光鏡24，也可以用鍺。因為鍺透鏡的光學(xué)特性，由鍺構(gòu)成的聚光鏡24不允許小于2微米的近紅外光、可見光和紫外光通過，因此，不能夠通過聚光鏡24監(jiān)控電磁波。這意味著如果分光鏡31被放置在激光產(chǎn)生器和聚光鏡24之間，用于把電磁波引入檢測器27，則電磁波不能夠被監(jiān)控。然而，如上所述，在電磁波通過透鏡24之前，印刷線路板1發(fā)射的電磁波被提取到激光軸的外部，因此，可以測量電磁波而沒有受到透鏡24所用材料的影響。
這時，如圖13所示，如果排列像矩陣的光傳感器陣列被用作為檢測器27，當(dāng)電流測定鏡22掃描處理位置時，在所有處理區(qū)域測量電磁波，盡管在電磁波通過透鏡24之前，它被移到軸的外部。
當(dāng)然，如圖14所示，聚光鏡32被放置在分光鏡31和檢測器27之間，由聚光鏡32減少的形成圖像被引入檢測器27，因此，如果完成的掃描和處理是與上述類似的方式進(jìn)行，則也可以在所有處理區(qū)域測量電磁波。
圖15顯示了一個流程圖，其使用上述的測定控制激光處理。在激光處理中，絕緣層10和處理層14產(chǎn)生的電磁波(光發(fā)射信號)被檢測到，如果激光處理沒有到達(dá)處理層，應(yīng)用附加的激光脈沖。當(dāng)操作重復(fù)時，減小了絕緣層10的厚度，如果絕緣層10的剩余厚度等于或小于設(shè)置值(如果包含處理層14的厚度等于或小于可由化學(xué)蝕刻除去的厚度，處理層14也被除去)，開始處理另一個孔。在該區(qū)域完成所有孔的處理之后，移動處理臺到另一個區(qū)域。在所有區(qū)域完成處理所有孔之后，移動裝有工件的處理臺，并取出工件(印刷線路板)。
因為直到絕緣層10的剩余厚度變?yōu)樽銐虮〔艌?zhí)行處理，所以排除了失敗的可能。
如上所述，在本發(fā)明中，在絕緣層中形成一個孔，用于電連接印刷線路板的絕緣層的上部導(dǎo)體層和絕緣層的下部導(dǎo)體層，以便把下部導(dǎo)體層暴露在孔底，當(dāng)使用激光在印刷線路板的絕緣層內(nèi)形成孔時，包括位于下部導(dǎo)體層和絕緣層之間的處理層，在激光處理期間，發(fā)射與激光處理不同波長的電磁波，測量從印刷線路板的處理層發(fā)射的信號的變化，確定絕緣層的剩余狀態(tài)。由于激光處理，使用放置在下部導(dǎo)體層和絕緣層之間的處理層發(fā)射的電磁波而不是激光的反射，所以，可以精確地檢測到在絕緣層上鉆的孔。特別地，孔底等方向地發(fā)射電磁波，因此，電磁波檢測方向的限制是很少的?？椎椎膬A斜、表面粗糙度不會引起發(fā)射狀態(tài)和發(fā)射強(qiáng)度的變化。此外，上下部導(dǎo)體層使用相同的材料，上部導(dǎo)體層也沒有影響測定。
作為處理層，印刷線路板包括對下部導(dǎo)體層氧化處理的處理層。因為激光吸收率很高，所以提供了很強(qiáng)的信號和提高了可靠性，此外，提供了絕緣層和下部導(dǎo)體層之間的粘附力。
印刷線路板可以包括產(chǎn)到材料提供的處理層，用于在下部導(dǎo)體層上發(fā)射電磁波。也在這種情況中，因為激光吸收率很高，所以提供了很強(qiáng)的信號和提高了可靠性，此外，如果剩下處理層，則提供了連續(xù)的可靠性。
當(dāng)印刷線路板包括樹脂提供的處理層，該樹脂包括一個成分，通過激光處理該成分在下部導(dǎo)體層的表面上發(fā)射很強(qiáng)的電磁波，樹脂材料的限制很少，所以提供了絕緣層和處理層之間的粘附力。
檢查光源可以應(yīng)用到該孔，同時，在激光處理期間，檢測處理層發(fā)射電磁波的信號變化，測量孔底的激光反射強(qiáng)度或處理層發(fā)射的光，以確定絕緣層的剩余狀態(tài)，進(jìn)一步提高了檢查的可靠性。
如果印刷線路板包括樹脂，用于屏蔽處理層發(fā)射的電磁波作為絕緣層，也提高了檢查的可靠性。
為在下部導(dǎo)體層確定剩余樹脂的厚度，在激光處理期間，如果測量處理層發(fā)射的電磁波的峰值強(qiáng)度，測量的峰值強(qiáng)度與預(yù)置的參考值比較，因此，在下部導(dǎo)體層檢測到剩余樹脂厚度，使得檢查和測定很容易。
如果下部導(dǎo)體層的剩余樹脂厚度可以根據(jù)如下事實檢測，即，處理層發(fā)射的電磁波的峰值強(qiáng)度超過預(yù)置上限參考值，則減少峰值強(qiáng)度，并使其落在預(yù)置下限參考值之下，那么改善了檢查的可靠性。
此外，當(dāng)測量處理層發(fā)射電磁波時，同時測量處理激光的反射，下部導(dǎo)體層的剩余樹脂厚度可以根據(jù)如下事實檢測，激光強(qiáng)度的反射等于或大于激光反射的參考值，電磁波強(qiáng)度等于或小于發(fā)射強(qiáng)度參考值，也提供了高可靠性。
下部導(dǎo)體層的剩余樹脂厚度可以根據(jù)如下事實檢測，在激光照射結(jié)束之前，衰減處理層發(fā)射電磁波的波形，并檢測到峰值，或通過測量處理層發(fā)射電磁波的強(qiáng)度，檢測下部導(dǎo)體層的剩余樹脂厚度，為每一個孔計算發(fā)射強(qiáng)度的積分值，并把積分值與預(yù)置參考值進(jìn)行比較，也提供了高可靠性。
在激光處理期間，測量處理層發(fā)射的電磁波的波長范圍是在500納米至2000納米，因此，減少了噪聲并提供了可靠性。
最好設(shè)置處理層的厚度等于或小于樹脂的厚度，該樹脂可以由下一處理步驟的化學(xué)蝕刻除去，當(dāng)測量處理層發(fā)射電磁波信號時，停止激光處理。提供了高可靠性，此外，不需要事先保持處理層的信號強(qiáng)度和剩余在下部導(dǎo)體層上的樹脂的厚度之間的相關(guān)紀(jì)錄。
作為處理層，在絕緣層的激光處理期間，處理層發(fā)射電磁波的發(fā)射強(qiáng)度是絕緣層發(fā)射電磁波的發(fā)射強(qiáng)度的兩倍或更大，因此，在激光處理期間，本發(fā)明使用的絕緣層是由合成材料形成的，電磁波也從絕緣層發(fā)射。
如果特殊波長上的發(fā)射強(qiáng)度是絕緣層發(fā)射電磁波的特殊波長的兩倍或更大，當(dāng)然，也可以通過檢測特殊波長而實現(xiàn)本發(fā)明。
在激光處理期間，可以在波長上測量電磁波，提供了處理層發(fā)射電磁波的最大強(qiáng)度，并在波長上測量到處理層發(fā)射電磁波的強(qiáng)度小，而絕緣層發(fā)射電磁波的強(qiáng)度大，絕緣層的剩余狀態(tài)可以根據(jù)兩個波長的電磁波強(qiáng)度確定，或在多個波長上測量處理層發(fā)射的電磁波，絕緣層的剩余狀態(tài)可以根據(jù)波長上的峰值強(qiáng)度比測量。在這種情況中，在激光處理期間，如果處理層發(fā)射電磁波的最大強(qiáng)度與絕緣層發(fā)射電磁波的波長區(qū)域重疊，在測定中，絕緣層發(fā)射的電磁波可以從處理層發(fā)射的電磁波中區(qū)別開來。
因此，為檢測多個波長的電磁波，在激光處理期間，發(fā)射的電磁波由分光鏡分離，使用兩個或多個檢測器檢測后分離的電磁波，可以放大每一個波長的檢測強(qiáng)度，以提高檢查精度。
在激光處理期間，如果分光鏡被放置在透鏡和印刷線路板之間，由分光鏡把發(fā)射的電磁波提取到激光光軸的外部，并被引入檢測器，當(dāng)聚光鏡不允許電磁波通過時，就可以檢測電磁波而不受影響。
這時，如果使用光傳感器陣列作為檢測器，或聚光鏡被放置在分光鏡和檢測器之間，當(dāng)被檢測的電磁波沒有通過透鏡，如果激光光束掃描，可以檢測到每一個位置上的電磁波。
此外，為使用激光處理在絕緣層內(nèi)形成一個孔，測量印刷線路板處理層發(fā)射信號中的變化，以確定絕緣層的剩余狀態(tài)，當(dāng)絕緣層的剩余厚度大于設(shè)定植時，如果使用附加的激光脈沖，激光處理可以自動執(zhí)行，直到絕緣層的剩余厚度變?yōu)樽銐虮。耘懦耸　?br> 權(quán)利要求
1．一種處理印刷線路板的方法，其中，印刷線路板有一個孔，用于在絕緣層中把印刷線路板的絕緣層的上部導(dǎo)體層和絕緣層的下部導(dǎo)體層電連接，以便把下部導(dǎo)體層暴露給孔底，包括步驟在下部導(dǎo)體層和絕緣層之間形成處理層，在激光處理期間，處理層發(fā)射與處理激光不同波長的電磁波；當(dāng)使用激光處理在絕緣層內(nèi)形成孔時，測量從印刷線路板的處理層發(fā)射的信號的變化，確定絕緣層的剩余狀態(tài)。
2．按權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于通過氧化下部導(dǎo)體層的表面，提供了處理層。
3．按權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，通過把用于由激光處理而發(fā)射電磁波的導(dǎo)電材料置于下部導(dǎo)體層的表面上而提供該處理層。
4．按權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，通過把樹脂置于下部導(dǎo)體層的表面上而提供該處理層，該樹脂包括一種成分，該成分由激光處理而發(fā)射具有預(yù)定強(qiáng)度的電磁波。
5．按權(quán)利要求1到4任何之一所述的處理方法，其特征在于還包括步驟應(yīng)用檢查光源到該孔，在激光處理期間，檢測處理層發(fā)射電磁波的信號變化；同時測量下部導(dǎo)體層的反射光強(qiáng)度或處理層發(fā)射的光之一，以確定絕緣層的剩余狀態(tài)。
6．按權(quán)利要求1到5任何之一所述的處理方法，其特征在于絕緣層由樹脂構(gòu)成，用于屏蔽處理層發(fā)射的電磁波。
7．按權(quán)利要求1到5任何之一所述的處理方法，其特征在于還包括步驟在激光處理期間，測量處理層發(fā)射的電磁波的峰值強(qiáng)度；測量的峰值強(qiáng)度與預(yù)置的參考值比較，確定下部導(dǎo)體層上剩余樹脂厚度。
8．按權(quán)利要求1到5任何之一所述的處理方法，其特征在于還包括在激光處理期間，測量處理層發(fā)射的電磁波峰值強(qiáng)度，在測量的峰值強(qiáng)度超過預(yù)置上限參考值后，把電磁波的峰值強(qiáng)度減小到預(yù)置下限參考值之下，以檢測下部導(dǎo)體層上的剩余樹脂厚度。
9．按權(quán)利要求1到5任何之一所述的處理方法，其特征在于還包括在激光處理期間，當(dāng)測量處理層發(fā)射電磁波時，同時測量激光的反射；下部導(dǎo)體層的剩余樹脂厚度可以根據(jù)如下事實檢測，即，激光強(qiáng)度的反射等于或大于激光反射的參考值，以及電磁波強(qiáng)度等于或小于發(fā)射強(qiáng)度參考值。
10．按權(quán)利要求1到5任何之一所述的處理方法，其特征在于還包括在激光處理期間，測量處理層發(fā)射的電磁波；以及，在激光照射結(jié)束之前，衰減信號波形，并檢測到一個峰值，以檢測下部導(dǎo)體上的剩余樹脂厚度。
11．按權(quán)利要求1到5任何之一所述的處理方法，其特征在于還包括步驟在激光處理期間，測量處理層發(fā)射電磁波的強(qiáng)度；對每一個孔計算發(fā)射強(qiáng)度的積分值；把積分值與預(yù)置參考值進(jìn)行比較，檢測下部導(dǎo)體上剩余樹脂厚度。
12．按權(quán)利要求2到4所述的處理方法，其特征在于在激光處理期間，測量處理層發(fā)射的電磁波的波長范圍是在500納米至2000納米。
13．按權(quán)利要求4所述的處理方法，其特征在于設(shè)置處理層的厚度等于或小于樹脂的厚度，該樹脂可以由下一處理步驟的化學(xué)蝕刻除去，當(dāng)測量處理層發(fā)射電磁波信號時，停止激光處理。
14．按權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于在激光處理期間，處理層發(fā)射電磁波的發(fā)射強(qiáng)度是絕緣層發(fā)射電磁波的發(fā)射強(qiáng)度的兩倍或更大。
15．按權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于在激光處理期間，處理層的特殊波長的發(fā)射強(qiáng)度是絕緣層發(fā)射電磁波的特殊波長的發(fā)射強(qiáng)度的兩倍或更大。
16．按權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于還包括在激光處理期間，在波長上測量電磁波，提供了處理層發(fā)射電磁波的最大強(qiáng)度；在激光處理期間，在波長上測量到的處理層發(fā)射電磁波的強(qiáng)度是在第一個范圍內(nèi)，而絕緣層發(fā)射電磁波的強(qiáng)度是在大于第一范圍的第二范圍內(nèi)；絕緣層的剩余狀態(tài)根據(jù)兩個波長的電磁波強(qiáng)度確定。
17．按權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于還包括在激光處理期間，在多個波長上測量處理層發(fā)射的電磁波，根據(jù)波長上的峰值強(qiáng)度的比率，檢測絕緣層的剩余狀態(tài)。
18．按權(quán)利要求16或17所述的處理方法，其特征在于在激光處理期間，發(fā)射的電磁波由分光鏡分離，使用兩個或多個檢測器檢測后分離的電磁波。
19．按權(quán)利要求1到13任何之一所述的處理方法，其特征在于在激光處理期間，分光鏡被放置在透鏡和印刷線路板之間，由分光鏡把發(fā)射的電磁波提取到激光光軸的外部，并被引入檢測器。
20．按權(quán)利要求19所述的處理方法，其特征在于光傳感器陣列作為檢測器。
21．按權(quán)利要求19所述的處理方法，其特征在于聚光鏡被放置在分光鏡和檢測器之間。
22．一種使用激光在印刷線路板的絕緣層內(nèi)形成孔的方法，包括步驟測量印刷線路板處理層發(fā)射電磁波變化；根據(jù)變化確定絕緣層的剩余狀態(tài)，如果絕緣層的剩余厚度大于設(shè)定植，使用附加的激光脈沖。
23．使用激光在印刷線路板的絕緣層內(nèi)形成孔的方法，包括步驟測量印刷線路板處理層發(fā)射電磁波變化；根據(jù)變化同時確定絕緣層的剩余狀態(tài)；根據(jù)絕緣層的剩余狀態(tài)調(diào)整激光發(fā)射的次數(shù)；確認(rèn)在預(yù)定條件中的剩余狀態(tài)完成了每一個孔的形成處理。
24．按權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于如果絕緣層的剩余厚度大于預(yù)定厚度，盡管在預(yù)定激光發(fā)射的次數(shù)結(jié)束之后，附加的激光發(fā)射被施加到絕緣層，如果剩余厚度等于或小于預(yù)定厚度，盡管在預(yù)定激光發(fā)射的次數(shù)結(jié)束之前，停止激光發(fā)射。
25．按權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于激光發(fā)射能量是可調(diào)節(jié)的。
全文摘要
一種處理印刷線路板的方法,為形成一個孔,用于把印刷線路板(1)的絕緣層(10)的上部導(dǎo)體層(11)和絕緣層(10)的下部導(dǎo)體層(12)電連接入絕緣層(10),以便把下部導(dǎo)體層(12)暴露給孔底(13),包括在下部導(dǎo)體層(12)和絕緣層(10)之間形成處理層(14),在激光處理期間,處理層發(fā)射與處理激光不同波長的電磁波。測量從印刷線路板(1)的處理層(4)發(fā)射的信號的變化,確定絕緣層(10)的剩余狀態(tài)。
文檔編號H05K1/02GK1282203SQ00121129
公開日2001年1月31日 申請日期2000年7月27日 優(yōu)先權(quán)日1999年7月27日
發(fā)明者內(nèi)田雄一, 久保雅男, 田中健一郎, 宮本勇 申請人:松下電工株式會社, 宮本勇