一種耳機喇叭的盆架結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及耳機領域，尤其涉及一種耳機喇叭的盆架結構。
【背景技術】
[0002]耳機是生活中常用的一種電子產(chǎn)品。耳機的音質受到多種因素的影響，例如耳機振膜的分割振動。以水波的震動為例，將一盆水精致平靜后，在中央滴入一滴水，會發(fā)現(xiàn)激起的漣漪向四周擴散，當漣漪觸及水盆時，會被反射回來，反射波會干涉依然持續(xù)擴散的漣漪。如果用滴管持續(xù)的有節(jié)奏的往中央位置滴入水滴，會激起一波又一波的漣漪，然后產(chǎn)生一波又一波的反射波，這些波相互干涉，整個水面已活躍起來，漣漪已經(jīng)沒有之前那么清晰。實際上，在電動揚聲器工作時，也會遇到這樣的問題，音圈通電后，變成電磁體，與永磁體產(chǎn)生作用力，連續(xù)驅動振膜發(fā)聲。但這個過程不能視為簡單的活塞運動，振膜不是完全的剛體，其運動時，本身會象水面一樣會產(chǎn)生形變。波形沿著由音圈與振膜粘合處向四周和前端傳播，到遇到折環(huán)時，波也會漣漪一樣被反射回來，從而與其他波形相互干涉。實際情況比水滴濺出漣漪要更加復雜，因為驅動頻率高得多，變化也快得多。但頻率達到某個值時，振膜因為波的相互干涉而形成區(qū)域化的振動。中學實驗中，有個“波的干涉”的實驗，其實驗情形與我們提到的現(xiàn)象有些相似，可以借鑒，這樣更加形象一點，因為我們沒法用相機拍下振膜的振動時的樣子。振膜在不同的頻率下被無形的分割成多個區(qū)域，某些相鄰的區(qū)域振動相位還互為反相。這種成區(qū)域的局部振動，就叫分割振動。
[0003]在揚聲器工作時，尤其大功率工作時，揚聲器自身的部件，包括不該振動的部件，例如音圈、等實際也在振動，甚至揚聲器、本身都在振動，箱體內外的氣體對振膜的頂托，這些都會對分割振動最終出現(xiàn)產(chǎn)生作用。例如圖1所示，耳機的喇叭通常包括盆架101、底座
102、鐵芯103、磁鐵104、音圈105、振膜106、防塵蓋107以及彈波108。當音圈105通電后，變成電磁體，隨著信號的變化，電磁體產(chǎn)生的磁場會隨著發(fā)生變化，與磁鐵104產(chǎn)生作用力，連續(xù)驅動振膜106震動發(fā)聲。振膜106震動發(fā)聲后聲波向振膜106的兩側傳播，根據(jù)聲音傳播學理論，對于向盆架101 —側傳播的聲波，當碰撞盆架101后一部分會被盆架101吸收，另一部分會被盆架101反射，如圖1中箭頭所指向，而當聲波被反射后就會與振膜106后續(xù)的震動發(fā)聲產(chǎn)生的聲波發(fā)生干射，形成分割振動。分割震動目前來說還不能被完全消除，只能盡可能地降低。通過簡單了解分割失真，我們知道了振膜作為振動的傳播媒介，本身的物理特性也會影響到分割振動的劇烈程度，理想的材料就是剛性好并且內阻尼較高的膜片。剛性好不易形變，內阻尼較高則振動后會快速衰減，但似乎這兩個特性是相對立的，實際情況是剛性好的材料，內阻尼低，例如金屬振膜，剛性較差的材料，內阻尼高，例如振膜和紙基振膜。因此，有必要通過技術的改進來盡可能降低分割振動，以避免耳機音質嚴重失真。
【實用新型內容】
[0004]因此，本實用新型要解決的技術問題提供一種通過改變盆架的結構，以降低盆架對聲波的反射，從而降低振膜的分割振動，進而改善耳機音質的耳機喇叭的盆架結構。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型的一種耳機喇叭的盆架結構，包括盆架本體，在所述盆架本體上開設有若干通孔；所述盆架本體為錐形，包括半徑較大的頂端以及半徑較小的底端，所述若干通孔環(huán)繞所述盆架本體的周向，并且自靠近頂端一側向靠近底端一側排列設置形成多行；所述多行中的任意兩行，相對靠近頂端一側的行中的孔距比相對靠近底端一側的行中的孔距大。
[0006]所述通孔為圓孔。
[0007]所述通孔為等邊三角形。
[0008]所述多行中的任一行，其等邊三角形的通孔的至少一邊與軸向垂直。
[0009]所述盆架本體的頂端的厚度小于底端的厚度。
[0010]采用上述技術方案，本實用新型的耳機喇叭的盆架結構，當振膜震動發(fā)聲后聲波向振膜的兩側傳播，對于向盆架一側傳播的聲波，一部分聲波會穿過盆架上開設的通孔后向外衍射，因此這部分聲波不會因為發(fā)生發(fā)射而促使振膜形成分割振動。
【附圖說明】
[0011]圖1為現(xiàn)有的耳機喇叭的結構示意圖。
[0012]圖2為本實用新型中盆架的結構示意圖。
[0013]圖3為本實用新型中盆架的俯視結構示意圖。
[0014]圖4為本實用新型中耳機喇叭的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0015]以下通過附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步的詳細說明。
[0016]如圖2、3所示，本實施例提供一種耳機喇叭的盆架結構，包括盆架本體101a，在所述盆架本體1la上開設有若干通孔1lb ;所述盆架本體1la為錐形，包括半徑較大的頂端1lal以及半徑較小的底端101a2，所述若干通孔1lb環(huán)繞所述盆架本體1la的周向，并且自靠近頂端一側向靠近底端一側排列設置形成多行；所述多行中的任意兩行，相對靠近頂端1lal —側的行中的孔距比相對靠近底端101a2 —側的行中的孔距大。
[0017]所述通孔為圓孔，有益于加工，但也可以為其他形狀，例如所述通孔為等邊三角形。
[0018]所述多行中的任一行，其等邊三角形的通孔的至少一邊與軸向垂直。
[0019]所述盆架本體的頂端的厚度小于底端的厚度，理由如下:由于在盆架本體上開設有通孔，而通孔在底端較密，因此為了增大底端的結構強度，將所述盆架本體設置為頂端的厚度小于底端的厚度。
[0020]采用上述技術方案，本實用新型的耳機喇叭的盆架結構，當振膜震動發(fā)聲后聲波向振膜的兩側傳播，對于向盆架一側傳播的聲波，一部分聲波會穿過盆架上開設的通孔后向外衍射，因此這部分聲波不會因為發(fā)生發(fā)射而促使振膜形成分割振動。由于盆架的低端更加靠近振膜的低端，而振膜的低端震動更加劇烈，因此所述多行中的任意兩行，相對靠近頂端1lal —側的行中的孔距比相對靠近底端101a2 —側的行中的孔距大，也就是說靠近低端101a2 —側的行中的通孔較密，能夠起到更好的聲波衍射效果，同時靠近頂端1lal —側的行的通孔較疏，能夠盡可能保證盆架的結構強度。
[0021]如圖4所示，本實用新型還提供一種耳機的喇叭，包括盆架101、底座102、鐵芯
103、磁鐵104、音圈105、振膜106、防塵蓋107以及彈波108。其中鐵芯103與磁鐵104固定在底座102上形成磁路系統(tǒng)，所述音圈105上端固定在振膜106上，另一端穿過磁路系統(tǒng)的磁間隙。所述盆架101的結構包括盆架本體101a，在所述盆架本體1la上開設有若干通孔1lb ;所述盆架本體1la為錐形，包括半徑較大的頂端1lal以及半徑較小的底端101a2，所述若干通孔1lb環(huán)繞所述盆架本體1la的周向，并且自靠近頂端一側向靠近底端一側排列設置形成多行；所述多行中的任意兩行，相對靠近頂端1lal —側的行中的孔距比相對靠近底端101a2 —側的行中的孔距大。
[0022]所述通孔為圓孔，有益于加工，但也可以為其他形狀，例如所述通孔為等邊三角形。
[0023]所述多行中的任一行，其等邊三角形的通孔的至少一邊與軸向垂直。
[0024]所述盆架本體的頂端的厚度小于底端的厚度，理由如下:由于在盆架本體上開設有通孔，而通孔在底端較密，因此為了增大底端的結構強度，將所述盆架本體設置為頂端的厚度小于底端的厚度。
[0025]顯然，上述實施例僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本實用新型創(chuàng)造的保護范圍之中。
【主權項】
1.一種耳機喇叭的盆架結構，其特征在于:包括盆架本體，在所述盆架本體上開設有若干通孔；所述盆架本體為錐形，包括半徑較大的頂端以及半徑較小的底端，所述若干通孔環(huán)繞所述盆架本體的周向，并且自靠近頂端一側向靠近底端一側排列設置形成多行；所述多行中的任意兩行，相對靠近頂端一側的行中的孔距比相對靠近底端一側的行中的孔距大。2.如權利要求1所述的耳機喇叭的盆架結構，其特征在于:所述通孔為圓孔。3.如權利要求1所述的耳機喇叭的盆架結構，其特征在于:所述通孔為等邊三角形。4.如權利要求3所述的耳機喇叭的盆架結構，其特征在于:所述多行中的任一行，其等邊三角形的通孔的至少一邊與軸向垂直。5.如權利要求4所述的耳機喇叭的盆架結構，其特征在于:所述盆架本體的頂端的厚度小于底端的厚度。
【專利摘要】本實用新型公開了一種耳機喇叭的盆架結構，包括盆架本體，在所述盆架本體上開設有若干通孔；所述盆架本體為錐形，包括半徑較大的頂端以及半徑較小的底端，所述若干通孔環(huán)繞所述盆架本體的周向，并且自靠近頂端一側向靠近底端一側排列設置形成多行；所述多行中的任意兩行，相對靠近頂端一側的行中的孔距比相對靠近底端一側的行中的孔距大。采用上述技術方案，本實用新型的耳機喇叭的盆架結構，當振膜震動發(fā)聲后聲波向振膜的兩側傳播，對于向盆架一側傳播的聲波，一部分聲波會穿過盆架上開設的通孔后向外衍射，因此這部分聲波不會因為發(fā)生發(fā)射而促使振膜形成分割振動。
【IPC分類】H04R1/10, H04R7/02
【公開號】CN204616036
【申請?zhí)枴緾N201520270881
【發(fā)明人】康良軍
【申請人】朝陽聚聲泰（信豐）科技有限公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2015年4月30日