超薄型高功率揚(yáng)聲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于揚(yáng)聲器技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種超薄型高功率揚(yáng)聲器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步，電子市場(chǎng)的發(fā)展，電子器件如手機(jī)、平板電腦、MP3、MP4等電子及通訊產(chǎn)品對(duì)其聲學(xué)器件的聲音質(zhì)量要求越來(lái)越高，且聲學(xué)器件向著小型化、薄型化、高音質(zhì)等要求發(fā)展，使得對(duì)聲學(xué)器件核心部件振膜的要求越來(lái)越高。
[0003]現(xiàn)在用于IXD、LED、H)P等平板型視頻設(shè)備的大功率全頻段揚(yáng)聲器，一般都采用內(nèi)磁路傳統(tǒng)式揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)，由磁路、支架、定位支片、音盆和音圈等部件組成，現(xiàn)有平板TV揚(yáng)聲器的結(jié)構(gòu)都是單振膜配合單磁回，其承受功率受到限制，在IW以下，靈敏度也受到限制。
[0004]因此，有必要設(shè)計(jì)一種承受功率較大且體積小的平板揚(yáng)聲器。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種超薄型高功率揚(yáng)聲器，其可承受較大功率且靈敏度高。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案如下:
[0007]一種超薄型高功率揚(yáng)聲器，包括盆架、振膜、音圈及磁路組件，所述磁路組件包括華司、磁鐵和U鐵，所述振膜包括長(zhǎng)方形的胴體和環(huán)繞設(shè)置在所述胴體外緣的懸邊，所述音圈的形狀與所述振膜的形狀相同，所述華司和所述磁鐵的形狀均與所述音圈的形狀相匹配，所述音圈的面積占所述振膜面積的40%以上，所述盆架包括矩形的本體、設(shè)于所述本體一端面內(nèi)用于安置所述振膜的階梯槽和設(shè)于所述本體另一端面上用于限位所述U鐵的擋塊，所述階梯槽內(nèi)開(kāi)有用于安裝所述音圈及所述磁路組件的通孔。
[0008]相比于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型超薄型高功率揚(yáng)聲器的有益效果為:
[0009]通過(guò)設(shè)置口徑尺寸較大的長(zhǎng)方形的音圈及磁路組件配合線徑較粗的導(dǎo)線來(lái)推動(dòng)振膜，比常規(guī)揚(yáng)聲器的承受功率更大；組裝后的高度只有3_，且采用長(zhǎng)方形的振膜更適合于超薄的平板電腦內(nèi)窄小的空間，并提高了振膜的振動(dòng)面積，高效利用音圈的能量；其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、組裝方便、承受功率大且靈敏度高。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型超薄型高功率揚(yáng)聲器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為本實(shí)用新型超薄型高功率揚(yáng)聲器的振膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖3為本實(shí)用新型超薄型高功率揚(yáng)聲器的音圈的安裝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖4為本實(shí)用新型超薄型高功率揚(yáng)聲器的磁路組件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖5為本實(shí)用新型超薄型高功率揚(yáng)聲器的盆架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖6為本實(shí)用新型超薄型高功率揚(yáng)聲器的擋塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖7為本實(shí)用新型超薄型高功率揚(yáng)聲器的U鐵的安裝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖8為本實(shí)用新型超薄型高功率揚(yáng)聲器的U鐵的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步進(jìn)行描述。
[0019]如圖1至圖8所示，一種超薄型高功率揚(yáng)聲器，包括盆架2、振膜1、音圈3及磁路組件，磁路組件包括華司4、磁鐵5和U鐵6，振膜I包括長(zhǎng)方形的胴體101和環(huán)繞設(shè)置在胴體101外緣的懸邊102，音圈3的形狀與振膜I的形狀相同，華司4和磁鐵5的形狀均與音圈3的形狀相匹配，音圈3的面積占振膜I面積的40%以上，盆架2包括矩形的本體201、設(shè)于本體201 —端面內(nèi)用于安置振膜I的階梯槽205和設(shè)于本體201另一端面上用于限位U鐵6的擋塊，階梯槽205內(nèi)開(kāi)有用于安裝音圈3及磁路組件的通孔202，通孔202為長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)。
[0020]音圈3的面積占振膜I面積的45%。胴體101為剛性較大的發(fā)泡平板制作，懸邊102為柔性材質(zhì)的PEEK (聚醚醚酮)塑料制作，并且懸邊102通過(guò)熱壓等方式貼合在胴體101的四周邊緣，懸邊102的外側(cè)與階梯槽205內(nèi)壁相貼合，在揚(yáng)聲器中音圈3的作用下，胴體101可借助懸邊的撓性反復(fù)振動(dòng)而產(chǎn)生聲音。階梯槽205為長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)。擋塊包括成對(duì)設(shè)置的第一擋板203和第二擋板204，第一擋板203和第二擋板204對(duì)稱的設(shè)于通孔202的四邊處，具體的，兩個(gè)第一擋板203位于通孔202的長(zhǎng)邊處，兩個(gè)第二擋板204位于通孔202的短邊處，；第一擋板203和第二擋板204之間設(shè)有第一缺口。華司4和磁鐵5均為長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)，U鐵6包括長(zhǎng)方形的底板601和設(shè)于底板601四邊處的第一翻邊602和第二翻邊603，具體的，兩個(gè)第一翻邊602位于底板601的兩條長(zhǎng)邊上，兩個(gè)第二翻邊603位于底板601的兩條短邊上，第一翻邊602和第二翻邊603之間設(shè)有第二缺口 604，第一翻邊602和第二翻邊603形成容納磁路組件的內(nèi)腔的腔壁，在安裝到盆架2上時(shí)，第一翻邊602和第二翻邊603被第一擋板203和第二擋板204限位阻擋，防止U鐵6橫向偏移。
[0021 ] 本實(shí)用新型可組裝成長(zhǎng)25mm、寬9mm、高度3mm的方形喇叭，其承受功率可達(dá):1.5W ;總諧波失真可達(dá)450-20KHZ < 5% ;靈敏度可達(dá):69dB/lw/0.5m，由于采用大口徑的長(zhǎng)方形音圈3，比常規(guī)揚(yáng)聲器線徑高出20%-30%，其承受功率比常規(guī)的揚(yáng)聲器得到提升。
[0022]以上示意性的對(duì)本實(shí)用新型及其實(shí)施方式進(jìn)行了描述，該描述沒(méi)有限制性，附圖中所示的也只是本實(shí)用新型的實(shí)施方式之一，實(shí)際的結(jié)構(gòu)并不局限于此。所以，如果本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員受其啟示，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造宗旨的情況下，不經(jīng)創(chuàng)造性的設(shè)計(jì)出與該技術(shù)方案相似的結(jié)構(gòu)方式及實(shí)施例，均應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種超薄型高功率揚(yáng)聲器，包括盆架、振膜、音圈及磁路組件，所述磁路組件包括華司、磁鐵和U鐵，所述振膜包括長(zhǎng)方形的胴體和環(huán)繞設(shè)置在所述胴體外緣的懸邊，所述音圈的形狀與所述振膜的形狀相同，所述華司和所述磁鐵的形狀均與所述音圈的形狀相匹配，其特征在于:所述音圈的面積占所述振膜面積的40%以上，所述盆架包括矩形的本體、設(shè)于所述本體一端面內(nèi)用于安置所述振膜的階梯槽和設(shè)于所述本體另一端面上用于限位所述U鐵的擋塊，所述階梯槽內(nèi)開(kāi)有用于安裝所述音圈及所述磁路組件的通孔。
2.如權(quán)利要求1所述的超薄型高功率揚(yáng)聲器，其特征在于:所述音圈的面積占所述振膜面積的45%。
3.如權(quán)利要求1所述的超薄型高功率揚(yáng)聲器，其特征在于:所述胴體為發(fā)泡平板制作，所述懸邊為PEEK塑料制作，所述階梯槽為長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的超薄型高功率揚(yáng)聲器，其特征在于:所述擋塊包括成對(duì)設(shè)置的第一擋板和第二擋板，所述第一擋板和所述第二擋板對(duì)稱的設(shè)于所述通孔的四邊處；所述第一擋板和所述第二擋板之間設(shè)有第一缺口。
5.如權(quán)利要求1所述的超薄型高功率揚(yáng)聲器，其特征在于:所述華司和所述磁鐵均為長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)，所述U鐵包括長(zhǎng)方形的底板和設(shè)于所述底板四邊處的第一翻邊和第二翻邊，所述第一翻邊和所述第二翻邊之間設(shè)有第二缺口。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種超薄型高功率揚(yáng)聲器，屬于揚(yáng)聲器技術(shù)領(lǐng)域。它包括盆架、振膜、音圈及磁路組件，所述磁路組件包括華司、磁鐵和U鐵，所述振膜包括長(zhǎng)方形的胴體和環(huán)繞設(shè)置在所述胴體外緣的懸邊，所述音圈的形狀與所述振膜的形狀相同，所述華司和所述磁鐵的形狀均與所述音圈的形狀相匹配，所述音圈的面積占所述振膜面積的40%以上，所述盆架包括矩形的本體、設(shè)于所述本體一端面內(nèi)用于安置所述振膜的階梯槽和設(shè)于所述本體另一端面上用于限位所述U鐵的擋塊，所述階梯槽內(nèi)開(kāi)有用于安裝所述音圈及所述磁路組件的通孔。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、組裝方便、承受功率大且靈敏度高。
【IPC分類】H04R9-06
【公開(kāi)號(hào)】CN204482032
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520145373
【發(fā)明人】戴正權(quán)
【申請(qǐng)人】蘇州東立電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月15日
【申請(qǐng)日】2015年3月13日