頻寬可選直放站及其控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及頻寬可選直放站，是涉及一種根據(jù)運(yùn)營商傳輸帶寬而能調(diào)整直放站工作帶寬的直放站及其控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著智能終端的普及和LTE (Long Term Evo L中頻聲表面濾波器Ut1n長期演進(jìn)技術(shù))的技術(shù)發(fā)展，以及其它無線通信設(shè)備的發(fā)展，從而使得無線頻率的資源變得非常緊張。隨著2G、3G技術(shù)向LTE技術(shù)的發(fā)展，為了解決無線頻率的緊張狀況，包括900MHz、1.7/1.8/1.9GHz、2.1GHz等2G/3G頻率就將升級利用在LTE頻率規(guī)劃。由于現(xiàn)有的2G/3G信號被LTE替換的時(shí)間不一致，同時(shí)又為了滿足終端用戶的高數(shù)據(jù)速率的需求，所以LTE的頻寬將會逐步拓寬，以達(dá)到用更大的頻譜帶寬換取更高的傳輸數(shù)據(jù)速率。從目前的LTE頻寬規(guī)劃來看，運(yùn)營在900MHz、1.7/1.8/1.9GHz、2.1GHz頻率上的帶寬基本是在5MHz、10MHz、15MHz和20MHz。而目前在工程應(yīng)用中的直放站主要是固定帶寬的直放站，不能進(jìn)行5MHz、10MHz、15MHz和20MHz之間的切換，如果要升級到LTE頻寬工作，就會需要到站點(diǎn)進(jìn)行更換選頻模塊。另外一種頻寬可調(diào)直放站為了實(shí)現(xiàn)頻寬可調(diào)，所以采用了二個(gè)IF S AW進(jìn)行串聯(lián)來實(shí)現(xiàn)，這樣就增長了直站的時(shí)延，同時(shí)也增加了二次變頻的所帶來的干擾、串?dāng)_和多級濾波的處理，也造成了成本的增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述問題，本發(fā)明提供一種頻寬可選直放站及其控制方法。
[0004]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明頻寬可選直放站，所述直放站集成了上行鏈路、下行鏈路以及控制部分，上行鏈路和下行鏈路均包括雙工器、功率放大器、中頻濾波器、本振信號發(fā)生器、AG C控制電路和低噪聲放大器，所述上行鏈路的中頻濾波器和所述下行鏈路的中頻濾波器中均連接有用于頻寬可選電路，
[0005]所述支路包括依次連接的PIN管、中頻聲表面濾波器、放大器、PIN管，PNP晶體管、NPN晶體管組成的電源開關(guān)，所述支路均與D/A轉(zhuǎn)換器相連；
[0006]基于直放站工作頻帶的中心頻率f，設(shè)置頻帶可選直放站工作的中心頻率；
[0007]基于直放站工作帶寬，設(shè)置頻帶可選直放站工作帶寬:
[0008]調(diào)整PIN管D/A轉(zhuǎn)換器的輸出高低電平；
[0009]當(dāng)有高平電時(shí)，則把PIN管的PN結(jié)打開，從而實(shí)現(xiàn)IF信號的選通；
[0010]其中，高低電平控制通過由NPN晶體管和PNP晶體管組成的電源開關(guān)電路控制。
[0011]進(jìn)一步地，所述頻帶可選直放站工作的中心頻率的步進(jìn)值為10KHz。
[0012]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明頻寬可選直放站控制方法，至少包括，基于直放站工作頻帶的中心頻率f，設(shè)置頻帶可選直放站工作的中心頻率；
[0013]基于直放站工作帶寬，設(shè)置頻帶可選直放站工作帶寬:
[0014]調(diào)整PIN管D/A轉(zhuǎn)換器的輸出高低電平；
[0015]當(dāng)有高平電時(shí)，則把PIN管的PN結(jié)打開，從而實(shí)現(xiàn)IF信號的選通；
[0016]其中，高低電平控制通過由NPN晶體管和PNP晶體管組成的電源開關(guān)電路控制。
[0017]有益效果:
[0018]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用選擇工作通道，由于其只采用了一級降中頻處理，減少本振信號的干擾，減少了 RF濾波電路，節(jié)約了成本。同時(shí)，在中頻濾波器F C里預(yù)設(shè)了 5MHz、1MHz、15MHz和20MHz帶寬的IF S Aff,因此可以實(shí)現(xiàn)LTE信號對不同傳輸帶寬的要求，也不會由于帶寬太寬而產(chǎn)生鄰頻干擾。另外在通路的選擇上使用了開/關(guān)電源的方式，使得放大器(SGA-4463)、PIN管(HSMP-3814)有60B的高隔離，保證了信號不會從其它三路泄漏出去，從而實(shí)現(xiàn)帶外抑制符合3GPP的要求。
【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明頻寬可選直放站的架構(gòu)圖；
[0020]圖2為本發(fā)明原理圖；
[0021]圖3為本發(fā)明的每通道原理圖；
[0022]圖4為本發(fā)明控制流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的描述。
[0024]實(shí)施例
[0025]一般的直放站包括上行鏈路和下行鏈路，上行鏈路和下行鏈路均包括雙工器、低噪聲放大器(LN A)、混頻器(Mixer)、中頻濾波器(F C)、本振信號發(fā)生器(P L)和功率放大器(P A)等設(shè)備，本發(fā)明的方法是在上行鏈路和下行鏈路均設(shè)置用于頻寬可選的中頻濾波器(F C)電路上，如圖1所示。該中頻濾波器(F C)電路設(shè)有放大器(SG A-4463)、中頻聲表面濾波器(LBS140A33、LBN140A34、LBN140A39、LBN140A28)、PIN 管(HSMP-3814)、D/A 轉(zhuǎn)換器(A/D5308)、NPN 晶體管(MMBT3904)和 PNP 晶體管(MMBT3906)等元件:
[0026]如圖2至3所示:⑷通道I由電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容 C7、電容 C8、電容 C9、電容 C10、電容 C11、電容 C12，電阻 Rl、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8，電感L1、電感L2、電感L3、電感L4、電感L5，PIN管Dl、PIN管D2 (HSMP-3814)，放大器Al (SG A-4463)，中頻聲表面濾波器Ul (LBS140A33、PNP晶體管Ql (MMBT3906)和PNP晶體管Q2 (MMBT3904)組成；所示的電容Cl的2腳、R2的I腳、PIN管Dl的3腳并聯(lián)，PIN管Dl的2腳、電容C3的I腳、電感L3的I腳并聯(lián)，電感L2的2腳、電容ClO的2腳、R4的I腳相并聯(lián)；電容C3的2腳、電容C7的I腳、電感LI的I腳相并聯(lián)；電感LI的2腳、電容C8的I腳、中頻聲表面濾波器Ul的Input腳相并聯(lián)；中頻聲表面濾波器Ul的Output腳、電容C6的I腳、電感L2的I腳相并聯(lián)；電感L2的2腳、電容C9的I腳、電容C4的I腳相并聯(lián)；電容C4的2腳、放大器Al的3腳相串聯(lián)；放大器Al的6腳、電感L4的I腳、電容C5的I腳相并聯(lián)；電感L4的2腳、電容Cll的2腳、電阻R5的I腳相并聯(lián)；電容C5的2腳、PIN管D2的2腳、電感L5的I腳相并聯(lián)；電容C12的2腳、R6的I腳、電感L5的2腳相并聯(lián)；電容C2的I腳、PIN管D2的3腳、Rl的I腳相并聯(lián)；R4、R5、R6的2腳、PNP晶體管Q2的3腳相并聯(lián)；PNP晶體管Q2的I腳、R3的I腳串聯(lián)；PNP晶體管Q2的2腳、R7的I腳串聯(lián)；PNP晶體管Ql的I腳、R8的I腳串聯(lián)；R3的2腳、R7的2腳、PNP晶體管Ql的3腳相并聯(lián)；R1、R2的2腳，PIN管Dl、PIN管D2的I腳，電容C6、電容C7、電容C8、電容C9的2腳，電容C10、電容Cl 1、電容C12的I腳、PNP晶體管Ql的2腳接地
[0027]所述的PNP晶體管Ql、PNP晶體管Q2、R3、R7、R8組成電源的開關(guān)電路，通過R4、R5、R6為PIN管Dl、PIN管D2、放大器Al提供電源。
[0028]B)通道2由電容C17、電容C18、電容C19、電容C20、電容C21、電容C22、電容C23、電容 C24、電容 C25、電容 C26、電容 C27、電容 C28，電阻 R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16，電感電感L6、電感L7、電感L8、電感L9、電感L10, PIN管D4、PIN管D5 (PIN管HSMP-3814)，放大器A2 (SG-A-4463)，中頻聲表面濾波器U3 (LBN140A34)，PNP晶體管Q3 (MMBT3906)和PNP晶體管Q4 (MMBT3904)組成；所示的電容C17的2腳、RlO的I腳、PIN管D4的3腳并聯(lián)，PIN管D4的2腳、電容C19的I腳、電感L8的I腳并聯(lián)；電感L8的2腳、電容C26的2腳、R12的I腳相并聯(lián)；電容C19的2腳、電容C23的I腳、電感L6的I腳相并聯(lián)；電感L6的2腳、電容C24的I腳、中頻聲表面濾波器U3的Input腳相并聯(lián)；中頻聲表面濾波器U3的Output腳、電容C22的I腳、電感L7的I腳相并聯(lián)；電感L7的2腳、電容C25的I腳、電容C20的I腳相并聯(lián)；電容C20的2腳、放大器A2的3腳相串聯(lián)；放大器A2的6腳、電感L9的I腳、電容C21的I腳相并聯(lián)；電感L9的2腳、電容C27的2腳、R13的I腳相并聯(lián)；電容C21的2腳、PIN管D5的2腳、電感LlO的I腳相并聯(lián)；電容C28的2腳、R14的I腳、電感LlO的2腳相并聯(lián)；電容C18的I腳、PIN管D5的3腳、R9的I腳相并聯(lián)；R12、R13、R14的2腳、PNP晶體管Q4的3腳相并聯(lián)；PNP晶體管Q4的I腳、Rll的I腳串聯(lián)；PNP晶體管Q4的2腳、R15的I腳串聯(lián)；PNP晶體管Q3的I腳、R16的I腳串聯(lián)；R11的2腳、R15的2腳、PNP晶體管Q3的3腳相并聯(lián)；R9、RlO的2腳，PIN管D4、PIN管D5的I腳，電容C22、電容C23、電容C24、電容C25的2腳，電容C26、電容C27、電容C28的I腳、PNP晶體管Q3的2腳接地；
[0029]所