一種新型低成本的網(wǎng)絡(luò)物理通斷控制電路拓?fù)涞闹谱鞣椒?br>【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種網(wǎng)絡(luò)通斷控制電路拓?fù)洌貏e是涉及一種新型低成本的網(wǎng)絡(luò)物理通斷控制電路拓?fù)洹?br>【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，網(wǎng)絡(luò)物理通斷控制方法主要有兩種，一種是通過在網(wǎng)卡I與網(wǎng)絡(luò)變壓器2之間的網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)總線上增加一顆用于控制通斷的開關(guān)芯片3，通過控制信號4來控制開關(guān)芯片3的導(dǎo)通和關(guān)斷來實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)的通斷控制，其電路拓?fù)淙鐖D1所示；另一種是選用具有使能引腳的網(wǎng)卡芯片1，通過控制信號4控制網(wǎng)卡I的使能來實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)通斷控制，電路拓?fù)淙鐖D2所示。第一種方法需要改變差分?jǐn)?shù)據(jù)總線的走線形式，易影響信號質(zhì)量，且需要增加專用控制芯片增加了成本；第二種方法由網(wǎng)卡軟件驅(qū)動層干預(yù)，且對網(wǎng)卡功能要求高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是提供一種新型低成本的網(wǎng)絡(luò)物理通斷控制電路拓?fù)洌鉀Q網(wǎng)絡(luò)物理通斷的問題。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣的:一種新型低成本的網(wǎng)絡(luò)物理通斷控制電路拓?fù)?，包括網(wǎng)卡芯片、網(wǎng)絡(luò)變壓器和RJ45網(wǎng)絡(luò)接口，所述網(wǎng)卡芯片與網(wǎng)絡(luò)變壓器之間以及網(wǎng)絡(luò)變壓器與RJ45網(wǎng)絡(luò)接口之間通過網(wǎng)絡(luò)信號總線連接，所述網(wǎng)絡(luò)物理通斷控制電路拓?fù)溥€包括推挽電路，所述推挽電路的輸出端與網(wǎng)絡(luò)變壓器的中心抽頭連接，所述推挽電路的輸入端與網(wǎng)絡(luò)通斷控制信號連接。
[0005]進(jìn)一步的，所述推挽電路包括P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，所述P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極連接網(wǎng)絡(luò)變壓器的中心抽頭高參考電平，所述N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極接地，所述P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極和N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極連接并與網(wǎng)絡(luò)變壓器的中心抽頭連接，所述P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極和N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極連接并連接網(wǎng)口控制信號。
[0006]本發(fā)明所提供的技術(shù)方案基于網(wǎng)絡(luò)變壓器中心抽頭電平控制來實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)物理通斷管理，具有低成本、小體積、實現(xiàn)簡單的特點，兼容所有網(wǎng)絡(luò)接口通用。
[0007]其與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是:
[0008]1、與第一種方法相比，本發(fā)明技術(shù)方案不改變差分?jǐn)?shù)據(jù)總線的走線形式，不影響信號質(zhì)量；不需要添加專用的控制芯片，降低了應(yīng)用成本；電路體積小，結(jié)構(gòu)簡單，易于在布局緊湊的電路設(shè)計中使用；
[0009]2、與第二種方法相比，本發(fā)明技術(shù)方案可在主機(jī)工作的任意時刻控制網(wǎng)絡(luò)的通斷，而無須網(wǎng)卡軟件驅(qū)動層的干預(yù)，控制簡單可靠；無須選擇具有使能功能的網(wǎng)卡，適用性廣；無須對網(wǎng)卡的驅(qū)動軟件進(jìn)行修改。
【附圖說明】
[0010]圖1為利用網(wǎng)絡(luò)信號控制芯片控制的電路拓?fù)涫疽鈭D。
[0011]圖2為利用網(wǎng)卡使能端控制的電路拓?fù)涫疽鈭D。
[0012]圖3為本發(fā)明電路拓?fù)涫疽鈭D。
[0013]圖4為本發(fā)明在INTEL 82576網(wǎng)卡上應(yīng)用的電路拓?fù)涫疽鈭D。
【具體實施方式】
[0014]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但不作為對本發(fā)明的限定。
[0015]請結(jié)合圖3及圖4，網(wǎng)卡芯片10通過網(wǎng)絡(luò)信號總線與網(wǎng)絡(luò)變壓器20連接，網(wǎng)絡(luò)變壓器20通過網(wǎng)絡(luò)信號總線與RJ45網(wǎng)絡(luò)接口 30連接，P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(PMOS) 40和N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(NMOS) 50構(gòu)成推挽電路，PMOS 40的源極連接中心抽頭參考電平60，NM0S 50的源極接地，PMOS 40的漏極和NMOS 50的漏極構(gòu)成推挽電路輸出端，連接至網(wǎng)絡(luò)變壓器20的中心抽頭21，PMOS 40和NMOS 50的柵極為推挽電路輸入端其連接至網(wǎng)絡(luò)通斷控制信號70。
[0016]以INTEL 82576網(wǎng)卡上應(yīng)用為例，圖4中J8073是內(nèi)置網(wǎng)絡(luò)變壓器的網(wǎng)絡(luò)接口，Q107是PMOS，Q30是NMOS，LAN1_CTR信號是系統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)通斷控制信號。由于INTEL 82576網(wǎng)卡正常工作時，網(wǎng)絡(luò)變壓器中心抽頭參考電平需要達(dá)到1.8V，所以，當(dāng)需要網(wǎng)口導(dǎo)通時，LAN1_CTR就輸出低電平，此時PMOS導(dǎo)通而NMOS斷開，此時網(wǎng)絡(luò)變壓器中心抽頭電平就連接到LAN_1.8V電平節(jié)點上，從而達(dá)到1.8V的電平，滿足網(wǎng)卡正常通訊條件，此時網(wǎng)口導(dǎo)通；當(dāng)需要將網(wǎng)絡(luò)通訊斷開時，LAN1_CTR就輸出高電平，此時PMOS斷開而NMOS導(dǎo)通，此時網(wǎng)絡(luò)變壓器中心抽頭電平就連接到地電平節(jié)點上，從而達(dá)到OV的電平，無法滿足網(wǎng)卡正常通訊條件，此時網(wǎng)口斷開。
【主權(quán)項】
1.一種新型低成本的網(wǎng)絡(luò)物理通斷控制電路拓?fù)洌ňW(wǎng)卡芯片、網(wǎng)絡(luò)變壓器和RJ45網(wǎng)絡(luò)接口，所述網(wǎng)卡芯片與網(wǎng)絡(luò)變壓器之間以及網(wǎng)絡(luò)變壓器與RJ45網(wǎng)絡(luò)接口之間通過網(wǎng)絡(luò)信號總線連接，其特征在于:包括推挽電路，所述推挽電路的輸出端與網(wǎng)絡(luò)變壓器的中心抽頭連接，所述推挽電路的輸入端與網(wǎng)絡(luò)通斷控制信號連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型低成本的網(wǎng)絡(luò)物理通斷控制電路拓?fù)洌涮卣髟谟?所述推挽電路包括P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，所述P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極連接網(wǎng)絡(luò)變壓器的中心抽頭高參考電平，所述N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極接地，所述P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極和N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極連接并與網(wǎng)絡(luò)變壓器的中心抽頭連接，所述P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極和N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極連接并連接網(wǎng)口控制信號。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種新型低成本的網(wǎng)絡(luò)物理通斷控制電路拓?fù)?，包括網(wǎng)卡芯片、網(wǎng)絡(luò)變壓器、RJ45網(wǎng)絡(luò)接口和推挽電路，所述網(wǎng)卡芯片與網(wǎng)絡(luò)變壓器之間以及網(wǎng)絡(luò)變壓器與RJ45網(wǎng)絡(luò)接口之間通過網(wǎng)絡(luò)信號總線連接，所述推挽電路的輸出端與網(wǎng)絡(luò)變壓器的中心抽頭連接，所述推挽電路的輸入端與網(wǎng)絡(luò)通斷控制信號連接。該電路拓?fù)浠诰W(wǎng)絡(luò)變壓器中心抽頭電平控制來實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)物理通斷管理，具有低成本、小體積、實現(xiàn)簡單的特點，兼容所有網(wǎng)絡(luò)接口通用。
【IPC分類】H04L12/02
【公開號】CN104954143
【申請?zhí)枴緾N201510365917
【發(fā)明人】汪俊杰, 郭學(xué)楓, 張福新, 崔太有, 丁汨江, 羅梓桂, 徐鋒
【申請人】江蘇龍芯夢蘭信息安全技術(shù)有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2015年6月29日