一種提高射頻鏈路收發(fā)性能的裝置、移動(dòng)終端及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及移動(dòng)終端中射頻鏈路性能管理技術(shù)，尤其涉及一種提高射頻鏈路收發(fā)性能的裝置、移動(dòng)終端及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著無(wú)線通信技術(shù)的高速發(fā)展和深入普及，用戶已經(jīng)能夠深入感受到新技術(shù)具有的高速和便捷所帶來(lái)的無(wú)線移動(dòng)生活方式，面向用戶使用的移動(dòng)終端產(chǎn)品，如:功能手機(jī)(Funct1n Phone)、智能手機(jī)(Smart Phone)、數(shù)據(jù)卡(Datacard)以及便攜 WiFi 熱點(diǎn)(HotSpot)等產(chǎn)品，得到了廣泛的普及和使用。
[0003]移動(dòng)通信經(jīng)歷了 2G/3G/4G這樣一個(gè)漫長(zhǎng)的發(fā)展和演進(jìn)過(guò)程后，目前，長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE, Long Term Evolut1n)網(wǎng)絡(luò)正在全面普及，各個(gè)國(guó)家已展開(kāi)規(guī)?；木W(wǎng)絡(luò)建設(shè)。LTE作為第四代(4G)移動(dòng)通信技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，引入了正交頻分復(fù)用(0FDM，OrthogonalFrequency Divis1n Multiplexing)技術(shù)和多輸入多輸出(ΜΙΜΟ, Multiple-1nputMultiple-Output)天線等關(guān)鍵傳輸技術(shù),有效增加了頻譜效率和數(shù)據(jù)傳輸速率。在Cat3技術(shù)規(guī)范框架下，LTE技術(shù)的峰值速率能達(dá)到上行50Mbit/s和下行100Mbit/s，并支持多種帶寬分配:1.4MHz、3MHz、5MHz、10MHz、l5MHz和20MHz等，如此，可使頻譜分配更加靈活，系統(tǒng)容量和覆蓋顯著提升。LTE無(wú)線網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)更加扁平化，減小了系統(tǒng)時(shí)延，降低了建網(wǎng)成本和維護(hù)成本，并能支持與第三代合作伙伴計(jì)劃組織(3GPP, The3rd Generat1n PartnershipProject)系統(tǒng)的互操作。
[0004]時(shí)分長(zhǎng)期演進(jìn)(TD-LTE,Time Divis1n-Long Term Evolut1n)技術(shù)是 4G 中的一個(gè)重要分支，與頻分雙工長(zhǎng)期演進(jìn)(FDD-LTE, Frequency Divis1n Duplexing-Long TermEvolut1n)技術(shù)相對(duì)應(yīng)。與FDD-LTE上行和下行功能工作在成對(duì)的對(duì)稱頻段不同，TD-LTE的上行和下行功能使用相同的頻段實(shí)現(xiàn)，因此能提高資源的利用率；并且，TD-LTE在實(shí)際使用中可以根據(jù)用戶具體需求，通過(guò)調(diào)整上下行幀結(jié)構(gòu)配比，提高LTE網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)資源的利用率，具有更強(qiáng)的靈活性。
[0005]然而，目前移動(dòng)終端所采用的功率放大器(PA,Power Amplifier)大部分為單片集成放大器，它是將輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)、直流偏置電路以及放大管管芯等都集成在一塊很小的GaAs為襯底的芯片上，雖然具有體積小、重量輕、可靠性高和成本低等特點(diǎn)，且能免去使用者再對(duì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和靜態(tài)工作點(diǎn)進(jìn)行設(shè)計(jì)，從而節(jié)省設(shè)計(jì)時(shí)間；但由于匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感器L和電容器C分別由金絲和金箔構(gòu)成，所以承受功率相對(duì)較??；由于體積小，直流消耗功率較大，管芯到元件表面的熱阻大，導(dǎo)致發(fā)熱比較厲害。如此，使得此類功率放大器最大輸出功率約為28-30dBm，難以達(dá)到更高的輸出功率，再考慮到IdB壓縮點(diǎn)因素，功率放大器實(shí)際可用的輸出功率只有約為27-29dBm。
[0006]另外，在4G網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)建成或在建的國(guó)家和地區(qū)中，運(yùn)營(yíng)商對(duì)于移動(dòng)終端的具體要求，除了參考3GPP定制標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范外，還會(huì)根據(jù)本國(guó)或地區(qū)的網(wǎng)絡(luò)部署特點(diǎn)，實(shí)際用戶需求等多方面因素，制定相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，其中很重要的一條就是移動(dòng)終端的屏蔽暗室的(0ΤΑ，Over The Air)指標(biāo),包括總?cè)蚋Ｉ涔β?TRP, Total Radiated Power)和總?cè)蜢`敏度(TIS, Total Isotropic Sensitivity),該指標(biāo)直接關(guān)系到具體的用戶體驗(yàn),是運(yùn)營(yíng)商選擇移動(dòng)終端產(chǎn)品的重要的標(biāo)準(zhǔn)。通常意義下，在達(dá)到3GPP規(guī)定的傳導(dǎo)功率和接收靈敏度的前提下，期望具有更高的總?cè)蜉椛涔β屎涂側(cè)蜢`敏度。
[0007]目前，對(duì)于提高總?cè)蜉椛涔β视袃蓷l途徑:第一條途徑，當(dāng)射頻鏈路到天線端口的功率一定時(shí)，調(diào)試天線，使其具有更高的輻射效率，即可以提高總?cè)蜉椛涔β?；第二條途徑，當(dāng)天線的輻射效率一定時(shí)，提高射頻鏈路的輸出功率或降低其鏈路插入損耗，也可以提高總?cè)蜉椛涔β?。?duì)比而言，當(dāng)天線設(shè)計(jì)完成定型后，調(diào)整射頻鏈路的輸出功率是更為容易和簡(jiǎn)單的措施。
[0008]對(duì)于提高總?cè)蜢`敏度，類似的也有兩條途徑:第一條途徑，在射頻鏈路端口的接收靈敏度一定時(shí)，調(diào)試天線，提高其效率，可以提高總?cè)蜢`敏度；第二條途徑，當(dāng)天線的效率一定時(shí)，減低接收鏈路上的插入損耗，也可以提高總?cè)蜢`敏度。對(duì)比而言，當(dāng)天線設(shè)計(jì)完成定型后，降低接收射頻鏈路的插入損耗是更為容易和簡(jiǎn)單的措施。在達(dá)到3GPP規(guī)定的傳導(dǎo)功率和接收靈敏度的前提下，具有更高的總?cè)蜉椛涔β屎涂側(cè)蜢`敏度的產(chǎn)品能夠提高發(fā)射鏈路的發(fā)射功率和接收鏈路的接收靈敏度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種提高射頻鏈路收發(fā)性能的裝置、移動(dòng)終端及方法，能夠提高移動(dòng)終端的發(fā)射功率和接收靈敏度。
[0010]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0011]本發(fā)明實(shí)施例提供一種提高射頻鏈路收發(fā)性能的裝置，包括:用于發(fā)射信號(hào)的射頻發(fā)射鏈路、用于接收基站發(fā)射信號(hào)的射頻接收鏈路、以及用于測(cè)試射頻發(fā)射鏈路和射頻接收鏈路的測(cè)試鏈路；其中，
[0012]所述射頻發(fā)射鏈路中的功率放大器與第一天線觸點(diǎn)簧片之間設(shè)置有第一節(jié)點(diǎn)，所述第一節(jié)點(diǎn)與所述測(cè)試鏈路中射頻主開(kāi)關(guān)的第一通斷端口相連；
[0013]所述射頻接收鏈路中的接收濾波器與第二天線觸點(diǎn)簧片之間設(shè)置有第二節(jié)點(diǎn)，所述第二節(jié)點(diǎn)與所述測(cè)試鏈路中射頻主開(kāi)關(guān)的第三通斷端口相連；
[0014]所述測(cè)試鏈路中射頻主開(kāi)關(guān)的第二通斷端口通過(guò)電阻與地相連。
[0015]優(yōu)選地，所述射頻發(fā)射鏈路還包括:基帶芯片、射頻收發(fā)芯片、發(fā)射濾波器及發(fā)射天線；所述基帶芯片與所述射頻收發(fā)芯片互連，所述射頻收發(fā)芯片的輸出連接至所述發(fā)射濾波器，所述發(fā)射濾波器經(jīng)由所述功率放大器與發(fā)射天線相連。
[0016]優(yōu)選地，所述射頻接收鏈路還包括:接收天線、射頻收發(fā)芯片及基帶芯片；所述基帶芯片與所述射頻收發(fā)芯片互連，所述接收濾波器的輸出連接至所述射頻收發(fā)芯片；所述接收天線與所述接收濾波器連接。
[0017]優(yōu)選地，所述測(cè)試鏈路還包括:基帶芯片及射頻測(cè)試座；所述射頻測(cè)試座設(shè)置于所述射頻主開(kāi)關(guān)與所述基帶芯片之間。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種提高射頻鏈路收發(fā)性能的測(cè)試裝置，包括:用于發(fā)射測(cè)試信號(hào)的射頻發(fā)射鏈路、用于接收測(cè)試信號(hào)的射頻接收鏈路、用于測(cè)試射頻發(fā)射鏈路和射頻接收鏈路的測(cè)試鏈路、及用于為所述測(cè)試裝置提供電源的供電電路；其中，
[0019]所述射頻發(fā)射鏈路中的功率放大器與所述測(cè)試鏈路中射頻主開(kāi)關(guān)的第一通斷端口相連；
[0020]所述射頻接收鏈路中的接收濾波器與測(cè)試鏈路中射頻主開(kāi)關(guān)的第三通斷端口相連；
[0021]所述測(cè)試鏈路中射頻主開(kāi)關(guān)的第二通斷端口通過(guò)電阻與地相連。
[0022]優(yōu)選地，所述射頻發(fā)射鏈路還包括:基帶芯片、射頻收發(fā)芯片、及發(fā)射濾波器；所述基帶芯片與所述射頻收發(fā)芯片互連，所述射頻收發(fā)芯片的輸出連接至所述發(fā)射濾波器，所述發(fā)射濾波器與所述功率放大器相連。
[0023]優(yōu)選地，所述射頻接收鏈路還包括:射頻收發(fā)芯片和基帶芯片；所述基帶芯片與所述射頻收發(fā)芯片互連，所述接收濾波器的輸出連接至所述射頻收發(fā)芯片。
[0024]優(yōu)選地，所述測(cè)試鏈路，用于測(cè)試射頻發(fā)射鏈路和射頻接收鏈路；所述測(cè)試鏈路還包括:綜測(cè)儀、基帶芯片及射頻測(cè)試座；所述射頻測(cè)試座設(shè)置于所述射頻主開(kāi)關(guān)與所述基帶芯片之間，所述綜測(cè)儀與所述射頻測(cè)試座連接。
[0025]優(yōu)選地，所述供電電路包括:底座、測(cè)試供電觸點(diǎn)、及Micro-USB插座；或底座、Micro-USB 插座、及 Micro-USB 連接線。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例提供一種提高射頻鏈路收發(fā)性能的移動(dòng)終端，其特征在于，所述移動(dòng)終端包括上述任意一種所述提高射頻鏈路收發(fā)性能的裝置；或者，
[0027]所述移動(dòng)終端包括上述任意一種所述的提高射頻鏈路收發(fā)性能的測(cè)試裝置。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供一種提高射頻鏈路收發(fā)性能的方法，將測(cè)試鏈路中射頻主開(kāi)關(guān)的第一通斷端口與射頻發(fā)射鏈路