式接地平面的若干附加的金屬結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)包括微帶線13周圍的金屬31，51，52 (圖3+4和圖5+6)，以及設(shè)置在微帶線13下方、位于絕緣基板的箔片12的相對(duì)側(cè)的金屬71，81 (圖7+8)。
[0067]金屬可圍繞微帶線13進(jìn)行添加以形成俗稱的共面波導(dǎo)，在該共面波導(dǎo)中微帶線13的接地平面或其一部分形成于同一金屬層上以作為微帶線13的主導(dǎo)體，從而在微帶線13與接地平面之間留出水平間隙32。接地平面既可以填充圍繞微帶線13的整個(gè)區(qū)域(如圖3+4中以金屬31示出的那樣)也可以僅是位于微帶線13兩側(cè)的相當(dāng)窄的導(dǎo)體或?qū)w對(duì)(如圖5+6中以金屬51，52示出的那樣，任選地在微芯片14的位置處帶有凹口 53)。如果對(duì)象110在某特定區(qū)域不具有金屬，那么可讓應(yīng)答器30，50的接地平面部分地打開(kāi)，從而為磁通留出一些空間以穿過(guò)待標(biāo)記的對(duì)象110。如果應(yīng)答器30，50，70是通過(guò)印刷來(lái)制備的，那么還有利于節(jié)省導(dǎo)電油墨。
[0068]取代或附加于這種布置的是，附加的金屬層71，81可添加在應(yīng)答器70的絕緣基板的底部上。金屬層71可如圖7所示地覆蓋整個(gè)應(yīng)答器70的區(qū)域，或者金屬層81可仿照應(yīng)答器70頂部上的微帶線13的形式，其中如圖8所示該金屬層81具有比微帶線13的寬度e更大的寬度E。好處是，這與圖5和6所示的應(yīng)答器50的情況相同。
[0069]無(wú)論實(shí)施哪種方式，圍繞微帶線13或在微帶線13下方所添加的金屬都能穩(wěn)定應(yīng)答器30，50, 70的饋電阻抗，以使之更少地依賴于應(yīng)答器30，50, 70與待標(biāo)記的對(duì)象110之間的距離。當(dāng)待標(biāo)記的對(duì)象110的導(dǎo)電性受到限制或者該對(duì)象的表面不平坦時(shí)，這還能增強(qiáng)應(yīng)答器30，50，70的操作。由此，可使應(yīng)答器30，50，70在不犧牲讀取范圍的情況下制造得更堅(jiān)固耐用并且適用于不同的應(yīng)用及對(duì)象110。盡管應(yīng)答器30，50，70可理想地用于金屬對(duì)象，但是通過(guò)添加接地金屬31，51，70，81，其應(yīng)用范圍還能擴(kuò)展至非導(dǎo)電對(duì)象以及形狀特異的金屬對(duì)象。
[0070]應(yīng)答器的結(jié)構(gòu)也可如圖9所示的那樣不對(duì)稱。隨著微帶線13的一個(gè)或兩個(gè)典型邊緣部通過(guò)使對(duì)象110的邊緣產(chǎn)生電流而感生出磁場(chǎng)，有利的是，在這些部件周圍的接地平面中留出一些非金屬空間91，以使磁場(chǎng)產(chǎn)生在右側(cè)區(qū)域中。圖9中示出了這種類型的應(yīng)答器的共面模式的實(shí)施例。在兩層式實(shí)施例的情況下，可以使應(yīng)答器的耦合區(qū)域不具有接地平面。
[0071]圖3至9所示的尺寸為aXb的應(yīng)答器30，50, 70最為優(yōu)選地使得a = 20+/_2mm并且b = 22+/-2_，但也可以使用先前所討論的尺寸。
[0072]本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)理解為僅限于所附的權(quán)利要求書(shū)，而應(yīng)當(dāng)理解為還包括其所有的合法等同物。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種近場(chǎng)UHF識(shí)別系統(tǒng)(100)，包括: i)作為導(dǎo)電材料的對(duì)象(110)或包含導(dǎo)電材料的對(duì)象(110);和 ii)超高射頻微帶應(yīng)答器(10，30，50，70)，其包括微帶線(13)和連接于所述微帶線(13)的識(shí)別微芯片(14); 其中: 所述微帶應(yīng)答器(10，30，50，70)處在所述對(duì)象(110)上的其中所述對(duì)象(110)具有導(dǎo)電區(qū)域的位置處，所述微帶線(13)沿所述對(duì)象(110)的至少一個(gè)邊緣部(111，114)布置；和 當(dāng)識(shí)別系統(tǒng)(100)正被所述系統(tǒng)下方的問(wèn)詢器詢問(wèn)時(shí)，所述系統(tǒng)配置成通過(guò)由所述對(duì)象(I1)邊緣部上的電流所感生的磁性近場(chǎng)而從所述微帶線(13)向所述對(duì)象(110)的下方發(fā)送來(lái)自所述識(shí)別微芯片(14)的識(shí)別信號(hào)，使得所述識(shí)別微芯片(14)能被識(shí)別。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識(shí)別系統(tǒng)(100)，其中，所述對(duì)象(110)是用于電子設(shè)備的可充電電池，具體說(shuō)是基于鋰離子的可充電電池或是包括用于存儲(chǔ)能量的金屬基板的可充電電池。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的識(shí)別系統(tǒng)(100)，其中，所述微帶線(13)包含、銅或銀，或者由銷、銅或銀構(gòu)成。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的識(shí)別系統(tǒng)(100)，其中，所述微帶應(yīng)答器(10，30，50，70)包括箔片(12)，其中所述微帶線(13)附接于所述箔片，并且所述箔片附接于所述對(duì)象(110)或圍繞所述對(duì)象(110)的箔片、紙、包裝物或覆蓋物上，所述箔片(12)最優(yōu)選是或者包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯PET、聚乙烯PE、聚苯乙烯PS、聚丙烯PP、聚乙炔PA、丙稀腈-丁二稀-苯乙稀ABS、聚碳酸醋PC或紙。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的識(shí)別系統(tǒng)(100)，其中，所述箔片(12)具有40-60μπι的厚度，最優(yōu)選為50 μ m，并且所述微帶線(13)所具有的厚度為16至20 μ m，最優(yōu)選為18 μ m。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的識(shí)別系統(tǒng)(100)，其中，所述微帶線(13)所具有的尺寸 aXb 約為 10_14mmX 13_17mm，最優(yōu)選為 12mmX15mm0
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的識(shí)別系統(tǒng)(100)，其中，所述微帶線(13)位于沿至少兩個(gè)相鄰的邊緣部(111，114)的一定距離(c，d)處，所述距離(c，d)優(yōu)選為0.8-1.2mm,最優(yōu)選為 1.0mm。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的識(shí)別系統(tǒng)(100)，其中: -所述微帶應(yīng)答器(30)還包括集成式接地平面(31)，其中所述集成式接地平面與所述微帶線(13)共面，并與所述微帶線(13)分隔開(kāi)一定距離(32);和/或 -所述微帶應(yīng)答器(50)還包括另一集成式接地平面(51，52)，其中所述另一集成式接地平面與所述微帶線(13)共面，并具有能隨所述微帶線(13)的形狀的帶狀形狀；和/或 -所述微帶應(yīng)答器(70)還包括第二層中的集成式接地平面(71，81)，其中所述第二層中的集成式接地平面(81)優(yōu)選具有能隨所述微帶線(13)的形狀的帶狀形狀；和/或 -其中，所述微帶應(yīng)答器(30)還包括相對(duì)于所述微帶線(13)而非對(duì)稱地布置的集成式接地平面(31)。
9.一種使用近場(chǎng)識(shí)別來(lái)識(shí)別作為導(dǎo)電材料或包含導(dǎo)電材料的對(duì)象(110)或此類對(duì)象(110)的方法，其中所述對(duì)象(110)具體是用于移動(dòng)電話或任何其他電子設(shè)備的可充電電池或者是鑄模，所述方法包括下列步驟: -將微帶應(yīng)答器(10，30，50，70)附接到所述對(duì)象(110)上，以創(chuàng)建根據(jù)上述權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)(100)； -通過(guò)問(wèn)詢器來(lái)詢問(wèn)所述系統(tǒng)(100); -當(dāng)所述對(duì)象在其一側(cè)與磁性近場(chǎng)進(jìn)行耦合時(shí)，接收識(shí)別微芯片(14)的識(shí)別信號(hào)，其中所述對(duì)象一側(cè)例如是與所述微帶應(yīng)答器(10，30，50，70)所在位置相對(duì)的對(duì)象(110)的那一側(cè)；和 -利用所述識(shí)別信號(hào)來(lái)識(shí)別所述對(duì)象(110)或此類對(duì)象(110)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，根據(jù)技術(shù)UHF RFID標(biāo)準(zhǔn)和/或EPC Gen 2標(biāo)準(zhǔn)ISO 18000-6來(lái)執(zhí)行詢問(wèn)和識(shí)別。
【專利摘要】一種近場(chǎng)UHF識(shí)別系統(tǒng)(100)包括：i)作為導(dǎo)電材料或包含導(dǎo)電材料的對(duì)象(110)；和ii)超高射頻微帶應(yīng)答器(10,30,50,70)，其中該微帶應(yīng)答器包括微帶線(13)和連接于所述微帶線(13)的識(shí)別微芯片(14)；其中微帶應(yīng)答器(10,30,50,70)在對(duì)象(110)上位于該對(duì)象(110)具有導(dǎo)電區(qū)域的位置處，微帶線(13)沿對(duì)象(110)的至少一個(gè)邊緣部(111,114)。當(dāng)識(shí)別系統(tǒng)(100)正被該系統(tǒng)下方的問(wèn)詢器詢問(wèn)時(shí)，將該系統(tǒng)配置為：通過(guò)由對(duì)象(110)邊緣部上的電流所感生的磁性近場(chǎng)從微帶線(13)向所述對(duì)象(110)的下方發(fā)送識(shí)別信號(hào)，使得識(shí)別微芯片(14)能被識(shí)別。本申請(qǐng)還包括針對(duì)使用近場(chǎng)識(shí)別來(lái)識(shí)別作為導(dǎo)電材料或包含導(dǎo)電材料的對(duì)象(110)或此類對(duì)象(110)的方法的獨(dú)立權(quán)利要求。
【IPC分類】H04B5-00
【公開(kāi)號(hào)】CN104718711
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380034628
【發(fā)明人】卡爾勒·亞科拉, 彼得里·科易烏, 卡伊·努米拉
【申請(qǐng)人】芬蘭國(guó)家技術(shù)研究中心
【公開(kāi)日】2015年6月17日
【申請(qǐng)日】2013年6月20日
【公告號(hào)】EP2867996A1, WO2014001976A1