本申請屬于聲學(xué)，具體地，本申請涉及一種發(fā)聲裝置和聲學(xué)設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、傳統(tǒng)發(fā)聲裝置在有限尺寸的約束下，導(dǎo)致其發(fā)聲的振動面積與振動位移的提升非常有限，造成了整體性能難以大幅度增強的問題，影響了發(fā)聲裝置的發(fā)聲品質(zhì)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請實施例的一個目的是提供一種發(fā)聲裝置和聲學(xué)設(shè)備的新技術(shù)方案。

2、根據(jù)本申請實施例的第一方面，提供了一種發(fā)聲裝置，包括：

3、蓋體單元，所述蓋體單元內(nèi)具有容納空間，所述蓋體單元包括支架，所述支架具有頂表面、底表面和側(cè)表面，所述側(cè)表面設(shè)置有出聲孔；

4、磁路單元，所述磁路單元設(shè)置于容納空間并與所述支架連接；

5、振動單元，所述振動單元設(shè)于所述容納空間，所述振動單元包括第一振動組件和第二振動組件，所述第一振動組件連接于所述頂表面，所述第二振動組件連接于所述底表面，所述第一振動組件和第二振動組件在所述磁路單元的兩側(cè)與所述磁路單元相配合，所述第一振動組件背離所述第二振動組件的一側(cè)形成第一前腔，所述第二振動組件背離所述第一振動組件的一側(cè)行程第二前腔；

6、其中，在垂直于所述振動單元的振動方向上，所述出聲孔至少部分與所述磁路單元對應(yīng)，所述支架上設(shè)置有貫通頂表面并連通第一前腔和出聲孔的第一通道，以及貫通底表面并連通第二前腔和出聲孔第二通道。

7、可選地，所述第一振動組件、所述第二振動組件和所述支架圍成后腔，所述第一前腔和所述第一通道形成第一空間，所述第二前腔和所述第二通道形成第二空間，所述第一空間和所述第二空間均與所述后腔隔離。

8、可選地，在所述振動單元的振動方向上，所述磁路單元的兩側(cè)分別具有第一磁間隙和第二磁間隙；

9、所述第一振動組件包括第一振膜和連接于所述第一振膜的第一音圈，所述第二振動組件包括第二振膜和連接于所述第二振膜的第二音圈，所述第一音圈的至少部分位于所述第一磁間隙，所述第二音圈的至少部分位于所述第二磁間隙。

10、可選地，所述第一通道和所述第二通道在沿所述振動單元的振動方向上連通。

11、可選地，所述第一通道包括位于所述頂表面的第一端口，所述第二通道包括位于所述底表面的第二端口，所述第一端口位于所述第一振動組件的外周側(cè)，所述第二端口位于所述第二振動組件的外周側(cè)。

12、可選地，所述支架包括圓形部和凸出于所述圓形部的延伸部，所述第一振動組件和所述第二振動組件均連接于所述圓形部，所述第一端口、所述第二端口、所述第一通道和所述第二通道均設(shè)置于所述延伸部。

13、可選地，所述蓋體單元還包括上蓋和下蓋，所述上蓋連接于所述支架的頂表面，所述下蓋連接于所述支架的底表面；

14、所述第一振動組件與所述上蓋之間具有所述第一前腔，所述第二振動組件與所述下蓋之間形成所述第二前腔。

15、可選地，所述上蓋上具有背離所述支架的第一外凸部，所述下蓋上具有背離所述支架的第二外凸部，所述第一外凸部的至少部分與所述第一通道對應(yīng)，所述第二外凸部的至少部分與所述第二通道對應(yīng)。

16、可選地，所述支架包括第一支架和第二支架，所述第一支架和所述第二支架相對連接，所述第一支架遠離所述第二支架的一側(cè)形成所述頂表面，所述第二支架遠離所述第一支架的一側(cè)形成所述底表面；

17、所述第一支架具有第一延伸部，所述第二支架具有第二延伸部，所述第一通道設(shè)置于所述第一延伸部，所述第二通道設(shè)置于所述第二延伸部；

18、所述出聲孔設(shè)置于所述第一支架和第二支架之間。

19、可選地，所述磁路單元包括磁軛、中心磁部和邊磁部，所述磁軛具有中間容納區(qū)和外周容納區(qū)，所述中心磁部設(shè)置于所述中間容納區(qū)，所述邊磁部設(shè)置于所述外周容納區(qū)；

20、所述邊磁部包括邊華司，所述磁軛的邊緣裝配至所述第一支架，所述邊華司的邊緣裝配至所述第二支架。

21、可選地，所述支架上設(shè)置有與所述后腔連通的泄露孔；

22、所述發(fā)聲裝置在發(fā)聲時，所述第一振動組件和所述第二振動組件通過所述出聲孔向所述發(fā)聲裝置外部輻射相同相位的第一聲波，所述第一振動組件和所述第二振動組件通過所述泄露孔向所述發(fā)聲裝置外部輻射與所述第一聲波相反相位的第二聲波。

23、根據(jù)本申請實施例的第二方面，提供了一種聲學(xué)設(shè)備，聲學(xué)設(shè)備包括第一方面所述的發(fā)聲裝置。

24、可選地，聲學(xué)設(shè)備包括外殼，所述發(fā)聲裝置通過所述支架連接于所述外殼內(nèi)；

25、所述外殼上設(shè)置有外放孔，所述外放孔與所述出聲孔相對且連通。

26、可選地，所述外殼上設(shè)置有外泄孔，所述外殼與所述蓋體單元之間具有外后腔，所述第一振動組件、所述第二振動組件和所述支架圍成后腔，所述支架上設(shè)置有泄露孔；

27、其中，所述后腔通過所述泄露孔連通至所述外后腔，所述外后腔通過所述外泄孔連通至所述聲學(xué)設(shè)備外部。

28、本申請的一個技術(shù)效果在于：

29、本申請實施例提供了一種發(fā)聲裝置，該發(fā)聲裝置包括蓋體單元、磁路單元和振動單元，振動單元包括第一振動組件和第二振動組件，第一振動組件背離第二振動組件的一側(cè)形成第一前腔，第二振動組件背離第一振動組件的一側(cè)形成第二前腔；其中，在垂直于所述振動單元的振動方向上，所述出聲孔至少部分與所述磁路單元對應(yīng)，支架上設(shè)置有從頂表面貫通至側(cè)表面的第一通道以及從底表面貫通至側(cè)表面的第二通道，使得發(fā)聲裝置的出聲結(jié)構(gòu)利用支架本身完成，不額外增加零部件來設(shè)置第一通道和第二通道，減小了發(fā)聲裝置的尺寸，使發(fā)聲裝置的結(jié)構(gòu)更為簡單和緊湊，便于發(fā)聲裝置的微型化設(shè)置；并且第一通道連通第一前腔至出聲孔，第二通道連通第二前腔至出聲孔，使得第一前腔和第二前腔通過第一通道和第二通道匯聚到支架的側(cè)面，增強了發(fā)聲裝置的發(fā)聲品質(zhì)。

30、通過以下參照附圖對本申請的示例性實施例的詳細描述，本申請的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)聲裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一振動組件、所述第二振動組件和所述支架圍成后腔，所述第一前腔和所述第一通道形成第一空間，所述第二前腔和所述第二通道形成第二空間，所述第一空間和所述第二空間均與所述后腔隔離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，在所述振動單元的振動方向上，所述磁路單元的兩側(cè)分別具有第一磁間隙和第二磁間隙；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一通道和所述第二通道在沿所述振動單元的振動方向上連通。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一通道包括位于所述頂表面的第一端口，所述第二通道包括位于所述底表面的第二端口，所述第一端口位于所述第一振動組件的外周側(cè)，所述第二端口位于所述第二振動組件的外周側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述支架包括圓形部和凸出于所述圓形部的延伸部，所述第一振動組件和所述第二振動組件均連接于所述圓形部，所述第一端口、所述第二端口、所述第一通道和所述第二通道均設(shè)置于所述延伸部。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述蓋體單元還包括上蓋和下蓋，所述上蓋連接于所述支架的頂表面，所述下蓋連接于所述支架的底表面；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述上蓋上具有背離所述支架的第一外凸部，所述下蓋上具有背離所述支架的第二外凸部，所述第一外凸部的至少部分與所述第一通道對應(yīng)，所述第二外凸部的至少部分與所述第二通道對應(yīng)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述支架包括第一支架和第二支架，所述第一支架和所述第二支架相對連接，所述第一支架遠離所述第二支架的一側(cè)形成所述頂表面，所述第二支架遠離所述第一支架的一側(cè)形成所述底表面；

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述磁路單元包括磁軛、中心磁部和邊磁部，所述磁軛具有中間容納區(qū)和外周容納區(qū)，所述中心磁部設(shè)置于所述中間容納區(qū)，所述邊磁部設(shè)置于所述外周容納區(qū)；

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述支架上設(shè)置有與所述后腔連通的泄露孔；

12.一種聲學(xué)設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-11任一項所述的發(fā)聲裝置。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的聲學(xué)設(shè)備，其特征在于，包括外殼，所述發(fā)聲裝置通過所述支架連接于所述外殼內(nèi)；

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的聲學(xué)設(shè)備，其特征在于，所述外殼上設(shè)置有外泄孔，所述外殼與所述蓋體單元之間具有外后腔，所述第一振動組件、所述第二振動組件和所述支架圍成后腔，所述支架上設(shè)置有泄露孔；

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N發(fā)聲裝置和聲學(xué)設(shè)備，該發(fā)聲裝置包括蓋體單元、磁路單元和振動單元，振動單元包括第一振動組件和第二振動組件，第一振動組件背離第二振動組件的一側(cè)形成第一前腔，第二振動組件背離第一振動組件的一側(cè)形成第二前腔；其中，在垂直于所述振動單元的振動方向上，所述出聲孔至少部分與所述磁路單元對應(yīng)，支架上設(shè)置有從頂表面貫通至側(cè)表面的第一通道以及從底表面貫通至側(cè)表面的第二通道，便于發(fā)聲裝置的微型化設(shè)置；并且第一通道連通第一前腔至出聲孔，第二通道連通第二前腔至出聲孔，使得第一前腔和第二前腔通過第一通道和第二通道匯聚到支架的側(cè)面，增強了發(fā)聲裝置的發(fā)聲品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：楊子坤,王建建,郭翔,周樹芝,張軍,葛連山
受保護的技術(shù)使用者：歌爾股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19