本發(fā)明涉及數(shù)字對(duì)講領(lǐng)域，尤其涉及一種震蕩信號(hào)生成電路、數(shù)字對(duì)講終端及生產(chǎn)方法。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有對(duì)講領(lǐng)域，對(duì)講終端內(nèi)都包括晶振，即震蕩晶體，晶體的作用是為電路提供一個(gè)基準(zhǔn)頻率，通過對(duì)基準(zhǔn)頻率的倍頻或分頻得到系統(tǒng)所需要的頻率。而基準(zhǔn)頻率是否精確、穩(wěn)定直接影響系統(tǒng)的可靠性。對(duì)于對(duì)講機(jī)來說，基準(zhǔn)頻率的可靠性影響最重要的指標(biāo)—接收靈敏度。

但是，在實(shí)際應(yīng)用中，不同要求的震蕩晶體的成本不相同，例如精度為±2.5ppm的TCXO(Temperature Compensate X'tal(crystal)Oscillator)是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器，其成本就很高。在某些應(yīng)用場(chǎng)景，如玩具對(duì)講機(jī)中，就不合適，而若直接采用普通震蕩晶體產(chǎn)生震蕩信號(hào)，頻率誤差隨著溫度等環(huán)境參數(shù)變化比較大，影響用戶的使用體驗(yàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種震蕩信號(hào)生成電路、數(shù)字對(duì)講終端及生產(chǎn)方法，以解決現(xiàn)有數(shù)字對(duì)講機(jī)采用普通震蕩晶體存在的頻率誤差受環(huán)境參數(shù)變化影響較大的問題。

本發(fā)明提供了一種震蕩信號(hào)生成電路，包括震蕩晶體及負(fù)載電容補(bǔ)償電路，震蕩晶體用于產(chǎn)生震蕩信號(hào)；負(fù)載電容補(bǔ)償電路用于補(bǔ)償震蕩晶體受環(huán)境參數(shù)影響導(dǎo)致的震蕩信號(hào)的頻率誤差變化。

進(jìn)一步的，震蕩信號(hào)的震蕩頻率隨著運(yùn)行場(chǎng)景的環(huán)境參數(shù)變化而變化，震蕩信號(hào)的震蕩頻率與目標(biāo)頻率的頻率誤差變化趨勢(shì)與運(yùn)行場(chǎng)景的環(huán)境參數(shù)變化趨勢(shì)呈第一對(duì)應(yīng)關(guān)系；震蕩信號(hào)的震蕩頻率隨著震蕩晶體的負(fù)載電容變化而變化，震蕩信號(hào)的頻率誤差變化趨勢(shì)與負(fù)載電容變化趨勢(shì)呈第二對(duì)應(yīng)關(guān)系；負(fù)載電容補(bǔ)償電路用于提供負(fù)載電容，包括：轉(zhuǎn)換電路及補(bǔ)償電路，轉(zhuǎn)換電路用于根據(jù)環(huán)境參數(shù)的變化產(chǎn)生變化的補(bǔ)償電信號(hào)，補(bǔ)償電路用于根據(jù)變化的補(bǔ)償電信號(hào)控制震蕩晶體的負(fù)載電容隨著環(huán)境參數(shù)的變化而變化，控制負(fù)載電容變化趨勢(shì)與運(yùn)行場(chǎng)景的環(huán)境參數(shù)變化趨勢(shì)呈第三對(duì)應(yīng)關(guān)系，第一對(duì)應(yīng)關(guān)系與第二對(duì)應(yīng)關(guān)系基于第三對(duì)應(yīng)關(guān)系，為互補(bǔ)對(duì)應(yīng)關(guān)系。

進(jìn)一步的，轉(zhuǎn)換電路至少包括一個(gè)熱敏電阻，補(bǔ)償電路至少包括一個(gè)變?nèi)荻O管；熱敏電阻的阻值根據(jù)環(huán)境參數(shù)中溫度的變化而變化，熱敏電阻的阻值變化導(dǎo)致變?nèi)荻O管的分壓變化，變?nèi)荻O管的分壓變化引起變?nèi)荻O管的電容變化。

進(jìn)一步的，還包括可變電阻及濾波電容，可變電阻用于調(diào)節(jié)負(fù)載電容補(bǔ)償電路的補(bǔ)償范圍大小及補(bǔ)償線性度，濾波電容用于調(diào)節(jié)負(fù)載電容補(bǔ)償電路的補(bǔ)償范圍值。

進(jìn)一步的，負(fù)載電容補(bǔ)償電路連接在震蕩晶體的基準(zhǔn)端。

本發(fā)明提供了一種數(shù)字對(duì)講終端，其包括數(shù)字對(duì)講芯片及本發(fā)明提供的震蕩信號(hào)生成電路，數(shù)字對(duì)講芯片根據(jù)震蕩信號(hào)生成電路輸出的震蕩信號(hào)處理數(shù)據(jù)。

本發(fā)明提供了一種數(shù)字對(duì)講終端的生產(chǎn)方法，用于生產(chǎn)本發(fā)明提供的數(shù)字對(duì)講終端，數(shù)字對(duì)講終端包括數(shù)字對(duì)講芯片及震蕩信號(hào)生成電路，震蕩信號(hào)生成電路包括震蕩晶體及負(fù)載電容補(bǔ)償電路，負(fù)載電容補(bǔ)償電路包括轉(zhuǎn)換電路及補(bǔ)償電路；生產(chǎn)方法包括：

模擬震蕩晶體的運(yùn)行場(chǎng)景，檢測(cè)震蕩晶體輸出的震蕩信號(hào)的震蕩頻率與目標(biāo)頻率的頻率誤差；

獲取震蕩信號(hào)的頻率誤差變化趨勢(shì)與運(yùn)行場(chǎng)景的環(huán)境參數(shù)變化趨勢(shì)之間的第一對(duì)應(yīng)關(guān)系；

獲取震蕩信號(hào)的頻率誤差變化趨勢(shì)與負(fù)載電容變化趨勢(shì)之間的第二對(duì)應(yīng)關(guān)系；

計(jì)算使得第一對(duì)應(yīng)關(guān)系與第二對(duì)應(yīng)關(guān)系形成互補(bǔ)對(duì)應(yīng)關(guān)系的第三對(duì)應(yīng)關(guān)系，第三對(duì)應(yīng)關(guān)系為負(fù)載電容變化趨勢(shì)與運(yùn)行場(chǎng)景的環(huán)境參數(shù)變化趨勢(shì)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系；

根據(jù)第三對(duì)應(yīng)關(guān)系選擇轉(zhuǎn)換電路及補(bǔ)償電路的類型，轉(zhuǎn)換電路用于根據(jù)環(huán)境參數(shù)的變化產(chǎn)生變化的補(bǔ)償電信號(hào)，補(bǔ)償電路用于根據(jù)變化的補(bǔ)償電信號(hào)控制震蕩晶體的負(fù)載電容隨著環(huán)境參數(shù)的變化而變化，控制負(fù)載電容變化趨勢(shì)與運(yùn)行場(chǎng)景的環(huán)境參數(shù)變化趨勢(shì)呈第三對(duì)應(yīng)關(guān)系。

進(jìn)一步的，第一對(duì)應(yīng)關(guān)系為震蕩信號(hào)的頻率誤差隨著環(huán)境參數(shù)中溫度的升高向負(fù)方向偏移，隨著環(huán)境參數(shù)中溫度的降低向正方向偏移；第二對(duì)應(yīng)關(guān)系為震蕩信號(hào)的頻率誤差隨著負(fù)載電容的增大向負(fù)方向偏移，隨著負(fù)載電容的減小向正方向偏移；第三對(duì)應(yīng)關(guān)系為負(fù)載電容隨著環(huán)境參數(shù)中溫度的升高而減小，隨著環(huán)境參數(shù)中溫度的降低而增大。

進(jìn)一步的，轉(zhuǎn)換電路至少包括一個(gè)熱敏電阻，補(bǔ)償電路至少包括一個(gè)變?nèi)荻O管；熱敏電阻的阻值根據(jù)環(huán)境參數(shù)中溫度的變化而變化，熱敏電阻的阻值變化導(dǎo)致變?nèi)荻O管的分壓變化，變?nèi)荻O管的分壓變化引起變?nèi)荻O管的電容變化。

進(jìn)一步的，還包括：根據(jù)負(fù)載電容補(bǔ)償電路的補(bǔ)償范圍大小及補(bǔ)償線性度設(shè)置可變電阻；根據(jù)負(fù)載電容補(bǔ)償電路的補(bǔ)償范圍值設(shè)置濾波電容；可變電阻用于調(diào)節(jié)負(fù)載電容補(bǔ)償電路的補(bǔ)償范圍大小及補(bǔ)償線性度，濾波電容用于調(diào)節(jié)負(fù)載電容補(bǔ)償電路的補(bǔ)償范圍值。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明提供了一種新的震蕩信號(hào)生成電路，其使用普通的震蕩晶體產(chǎn)生震蕩信號(hào)，通過負(fù)載電容補(bǔ)償電路實(shí)現(xiàn)隨著環(huán)境參數(shù)的變化而改變震蕩晶體的實(shí)際負(fù)載電容，以補(bǔ)償震蕩晶體受環(huán)境參數(shù)影響導(dǎo)致的震蕩信號(hào)的頻率誤差變化；這樣就可以在降低設(shè)備成本的同時(shí)，使得震蕩信號(hào)的震蕩頻率誤差不會(huì)變化太大，保證了通信質(zhì)量。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的震蕩信號(hào)生成電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明涉及的熱敏電阻的特性曲線圖；

圖3為本發(fā)明涉及的變?nèi)荻O管的特性曲線圖；

圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的震蕩信號(hào)生成電路的電路連接圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)通過具體實(shí)施方式結(jié)合附圖的方式對(duì)本發(fā)明做輸出進(jìn)一步的詮釋說明。

第一實(shí)施例：

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的震蕩信號(hào)生成電路的結(jié)構(gòu)示意圖，由圖1可知，在本實(shí)施例中，本發(fā)明提供的震蕩信號(hào)生成電路包括：震蕩晶體11及負(fù)載電容補(bǔ)償電路12，震蕩晶體11用于產(chǎn)生震蕩信號(hào)；負(fù)載電容補(bǔ)償電路12用于補(bǔ)償震蕩晶體受環(huán)境參數(shù)影響導(dǎo)致的震蕩信號(hào)的頻率誤差變化。

在一些實(shí)施例中，上述實(shí)施例中的震蕩信號(hào)的震蕩頻率隨著運(yùn)行場(chǎng)景的環(huán)境參數(shù)變化而變化，震蕩信號(hào)的震蕩頻率與目標(biāo)頻率的頻率誤差變化趨勢(shì)與運(yùn)行場(chǎng)景的環(huán)境參數(shù)變化趨勢(shì)呈第一對(duì)應(yīng)關(guān)系；震蕩信號(hào)的震蕩頻率隨著震蕩晶體的負(fù)載電容變化而變化，震蕩信號(hào)的頻率誤差變化趨勢(shì)與負(fù)載電容變化趨勢(shì)呈第二對(duì)應(yīng)關(guān)系；負(fù)載電容補(bǔ)償電路用于提供負(fù)載電容，包括：轉(zhuǎn)換電路121及補(bǔ)償電路122，轉(zhuǎn)換電路用于根據(jù)環(huán)境參數(shù)的變化產(chǎn)生變化的補(bǔ)償電信號(hào)，補(bǔ)償電路用于根據(jù)變化的補(bǔ)償電信號(hào)控制震蕩晶體的負(fù)載電容隨著環(huán)境參數(shù)的變化而變化，控制負(fù)載電容變化趨勢(shì)與運(yùn)行場(chǎng)景的環(huán)境參數(shù)變化趨勢(shì)呈第三對(duì)應(yīng)關(guān)系，第一對(duì)應(yīng)關(guān)系與第二對(duì)應(yīng)關(guān)系基于第三對(duì)應(yīng)關(guān)系，為互補(bǔ)對(duì)應(yīng)關(guān)系。

在一些實(shí)施例中，上述實(shí)施例中的轉(zhuǎn)換電路至少包括一個(gè)熱敏電阻，補(bǔ)償電路至少包括一個(gè)變?nèi)荻O管；熱敏電阻的阻值根據(jù)環(huán)境參數(shù)中溫度的變化而變化，熱敏電阻的阻值變化導(dǎo)致變?nèi)荻O管的分壓變化，變?nèi)荻O管的分壓變化引起變?nèi)荻O管的電容變化。

在一些實(shí)施例中，上述實(shí)施例中的還包括可變電阻及濾波電容，可變電阻用于調(diào)節(jié)負(fù)載電容補(bǔ)償電路的補(bǔ)償范圍大小及補(bǔ)償線性度，濾波電容用于調(diào)節(jié)負(fù)載電容補(bǔ)償電路的補(bǔ)償范圍值。

在一些實(shí)施例中，上述實(shí)施例中的負(fù)載電容補(bǔ)償電路連接在震蕩晶體的基準(zhǔn)端。

對(duì)應(yīng)的，本發(fā)明提供了一種數(shù)字對(duì)講終端，其包括數(shù)字對(duì)講芯片及本發(fā)明提供的震蕩信號(hào)生成電路，數(shù)字對(duì)講芯片根據(jù)震蕩信號(hào)生成電路輸出的震蕩信號(hào)處理數(shù)據(jù)。

對(duì)應(yīng)的，本發(fā)明提供了一種數(shù)字對(duì)講終端的生產(chǎn)方法，用于生產(chǎn)本發(fā)明提供的數(shù)字對(duì)講終端，數(shù)字對(duì)講終端包括數(shù)字對(duì)講芯片及震蕩信號(hào)生成電路，震蕩信號(hào)生成電路包括震蕩晶體及負(fù)載電容補(bǔ)償電路，負(fù)載電容補(bǔ)償電路包括轉(zhuǎn)換電路及補(bǔ)償電路；生產(chǎn)方法包括：

模擬震蕩晶體的運(yùn)行場(chǎng)景，檢測(cè)震蕩晶體輸出的震蕩信號(hào)的震蕩頻率與目標(biāo)頻率的頻率誤差；

獲取震蕩信號(hào)的頻率誤差變化趨勢(shì)與運(yùn)行場(chǎng)景的環(huán)境參數(shù)變化趨勢(shì)之間的第一對(duì)應(yīng)關(guān)系；

獲取震蕩信號(hào)的頻率誤差變化趨勢(shì)與負(fù)載電容變化趨勢(shì)之間的第二對(duì)應(yīng)關(guān)系；

計(jì)算使得第一對(duì)應(yīng)關(guān)系與第二對(duì)應(yīng)關(guān)系形成互補(bǔ)對(duì)應(yīng)關(guān)系的第三對(duì)應(yīng)關(guān)系，第三對(duì)應(yīng)關(guān)系為負(fù)載電容變化趨勢(shì)與運(yùn)行場(chǎng)景的環(huán)境參數(shù)變化趨勢(shì)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系；

根據(jù)第三對(duì)應(yīng)關(guān)系選擇轉(zhuǎn)換電路及補(bǔ)償電路的類型，轉(zhuǎn)換電路用于根據(jù)環(huán)境參數(shù)的變化產(chǎn)生變化的補(bǔ)償電信號(hào)，補(bǔ)償電路用于根據(jù)變化的補(bǔ)償電信號(hào)控制震蕩晶體的負(fù)載電容隨著環(huán)境參數(shù)的變化而變化，控制負(fù)載電容變化趨勢(shì)與運(yùn)行場(chǎng)景的環(huán)境參數(shù)變化趨勢(shì)呈第三對(duì)應(yīng)關(guān)系。

在一些實(shí)施例中，上述實(shí)施例中的第一對(duì)應(yīng)關(guān)系為震蕩信號(hào)的頻率誤差隨著環(huán)境參數(shù)中溫度的升高向負(fù)方向偏移，隨著環(huán)境參數(shù)中溫度的降低向正方向偏移；第二對(duì)應(yīng)關(guān)系為震蕩信號(hào)的頻率誤差隨著負(fù)載電容的增大向負(fù)方向偏移，隨著負(fù)載電容的減小向正方向偏移；第三對(duì)應(yīng)關(guān)系為負(fù)載電容隨著環(huán)境參數(shù)中溫度的升高而減小，隨著環(huán)境參數(shù)中溫度的降低而增大。

在一些實(shí)施例中，上述實(shí)施例中的轉(zhuǎn)換電路至少包括一個(gè)熱敏電阻，補(bǔ)償電路至少包括一個(gè)變?nèi)荻O管；熱敏電阻的阻值根據(jù)環(huán)境參數(shù)中溫度的變化而變化，熱敏電阻的阻值變化導(dǎo)致變?nèi)荻O管的分壓變化，變?nèi)荻O管的分壓變化引起變?nèi)荻O管的電容變化。

在一些實(shí)施例中，上述實(shí)施例中的方法還包括：根據(jù)負(fù)載電容補(bǔ)償電路的補(bǔ)償范圍大小及補(bǔ)償線性度設(shè)置可變電阻；根據(jù)負(fù)載電容補(bǔ)償電路的補(bǔ)償范圍值設(shè)置濾波電容；可變電阻用于調(diào)節(jié)負(fù)載電容補(bǔ)償電路的補(bǔ)償范圍大小及補(bǔ)償線性度，濾波電容用于調(diào)節(jié)負(fù)載電容補(bǔ)償電路的補(bǔ)償范圍值。

現(xiàn)結(jié)合具體應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詮釋說明。

第二實(shí)施例：

本實(shí)施例以產(chǎn)生26M震蕩頻率的震蕩晶體為例，進(jìn)行說明。

在實(shí)際應(yīng)用中，通過用綜測(cè)在晶體VCON腳直測(cè)頻率誤差的方法可知，產(chǎn)生26M震蕩頻率的震蕩晶體隨著溫度的升高，測(cè)得頻率誤差往負(fù)方向偏移，如表1所示：

表1

增大其負(fù)載電容(C48或D4)晶體頻率誤差往負(fù)偏移；減小負(fù)載電容(C48或D4)頻率誤差往正方向偏移。

針對(duì)本發(fā)涉及的熱敏電阻，在該電路中，選用的是負(fù)溫度系數(shù)(即溫度與阻值負(fù)相關(guān)，溫度越高阻值越小，溫度越低阻值越大)的電阻，該類型電阻溫度隨阻值變化曲線，如圖2所示。

針對(duì)本發(fā)涉及的變?nèi)荻O管，在該電路中，選用的是1SV278二極管，其變?nèi)荻O管特性如圖3所示。

由于普通晶體隨環(huán)境溫度變化不穩(wěn)定，本實(shí)施例總的思路是：使晶體負(fù)載電容的大小隨溫度變化，并以此變化來校正晶體頻率。這樣可以使普通晶體在溫度變化時(shí)更穩(wěn)定；具體的電路如圖4所示。

在圖4所示的實(shí)施例中，實(shí)現(xiàn)環(huán)境溫度變化轉(zhuǎn)換成晶體負(fù)載電容變化主要器件是：熱敏電阻RJ1、變?nèi)荻O管1SV278(或者BB181)。當(dāng)環(huán)境溫度低(頻率誤差往正偏移)，RJ1變大，D4的分壓變小，根據(jù)變?nèi)荻O管的特性晶體Y1的Vcon腳的負(fù)載電容變大，使得頻率誤差往負(fù)方向拉回；當(dāng)環(huán)境溫度高(頻率誤差往負(fù)偏移)，RJ1變小，D4的分壓變大，晶體Y1的Vcon腳的負(fù)載電容變小，使得頻率誤差往正方向拉回。

在圖4所示的實(shí)施例中可調(diào)電阻VR1和D4實(shí)現(xiàn)頻率誤差可調(diào)的功能，R33和RJ1阻值大小影響頻率誤差可調(diào)范圍的大小以及補(bǔ)償?shù)木€性度；C48和C17值決定頻率誤差能否在+/-范圍偏移。

綜上可知，通過本發(fā)明的實(shí)施，至少存在以下有益效果：

本發(fā)明提供了一種新的震蕩信號(hào)生成電路，其使用普通的震蕩晶體產(chǎn)生震蕩信號(hào)，通過負(fù)載電容補(bǔ)償電路實(shí)現(xiàn)隨著環(huán)境參數(shù)的變化而改變震蕩晶體的實(shí)際負(fù)載電容，以補(bǔ)償震蕩晶體受環(huán)境參數(shù)影響導(dǎo)致的震蕩信號(hào)的頻率誤差變化；這樣就可以在降低設(shè)備成本的同時(shí)，使得震蕩信號(hào)的震蕩頻率誤差不會(huì)變化太大，保證了通信質(zhì)量。

以上僅是本發(fā)明的具體實(shí)施方式而已，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施方式所做的任意簡(jiǎn)單修改、等同變化、結(jié)合或修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。