本實(shí)用新型涉及平板電視機(jī)領(lǐng)域，特別涉及抑制平板電視機(jī)自燃的系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
平板電視機(jī)在使用過程中由于外部或者內(nèi)部的原因會產(chǎn)生自燃的情況，易造成財(cái)產(chǎn)、人身、公司品牌美譽(yù)度的損失。
當(dāng)開關(guān)管(MOSFET)工作于開關(guān)和導(dǎo)通狀態(tài)的時候，由于變壓器初級電感線圈上的電流不能突變，因此平板電視機(jī)開關(guān)電源初級部分開關(guān)MOS管受到尖峰電壓影響較大，過高的尖峰電壓易使MOS管失效瞬間產(chǎn)生巨大的能量釋放，從而導(dǎo)致MOS周邊的器件存在自燃風(fēng)險(xiǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是：提供一種抑制平板電視機(jī)自燃的系統(tǒng)，降低平板電視機(jī)自燃風(fēng)險(xiǎn)。
為解決上述問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：抑制平板電視機(jī)自燃的系統(tǒng)，包括開關(guān)電源電路，開關(guān)電源電路的線圈初級接有MOS管，同時，開關(guān)電源電路的線圈初級還接有吸收電路，所述吸收電路包括第一至第三電阻、電容、第一至第二二極管、第一至第二磁珠；其中，電容與第一至第三電阻并聯(lián)，第一二極管與第二二極管正向并聯(lián)，第一磁珠與第二磁珠并聯(lián)，電容的一端與線圈初級的一端連接，電容的另一端與第一二極管的負(fù)極連接，第一二極管的正極與MOS管的漏極、第一磁珠的一端連接，MOS管的柵極用于連接電視的主控芯片，MOS管的源極接地，第一磁珠的另一端與線圈初級的另一端連接。
具體的，所述磁珠由兩個并聯(lián)在一起的磁珠組成。
具體的，所述電阻由三個并聯(lián)在一起的電阻組成。
具體的，所述二極管由兩個正向并聯(lián)的二極管組成。
進(jìn)一步的，本實(shí)用新型還包括電視機(jī)的機(jī)殼，機(jī)殼的壁掛架螺釘孔為盲孔。
本實(shí)用新型的有益效果是：通過在在變壓器的線圈初級設(shè)置吸收電路，使得MOS受尖峰電壓、電流的影響較小，有效地降低了MOS管周邊的器件自燃的風(fēng)險(xiǎn)；同時，平板電視機(jī)機(jī)殼的壁掛架螺釘孔為盲孔設(shè)計(jì)方式，能防止壁掛螺釘刺穿交流電源線導(dǎo)致初級打火從而使平板電視機(jī)產(chǎn)生自燃。
附圖說明
圖1吸收電路的連接示意圖。
圖中編號：C1為電容，Q1為MOS管，T1為線圈，R1-R3為第一至第三電阻，D1-D2為第一至第二二極管，L1-L2為第一至第二磁珠。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例就本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步說明。
實(shí)施例包括電視機(jī)的機(jī)殼以及位于其內(nèi)部的開關(guān)電源電路，如圖1所示，開關(guān)電源電路的線圈T1初級接有MOS管，同時，開關(guān)電源電路的線圈T1初級還接有吸收電路，所述吸收電路包括第一至第三電阻R1-R3、電容C1、第一至第二二極管D1-D2、第一至第二磁珠L1-L2；其中：電容C1與第一至第三電阻R1-R3并聯(lián)，第一二極管與第二二極管D1-D2正向并聯(lián)，第一磁珠與第二磁珠L1-L2并聯(lián)；電容C1的一端與線圈T1初級的一端連接，電容C1的另一端與第一二極管D1的負(fù)極連接，第一二極管D2的正極與MOS管Q1的漏極、第一磁珠L1的一端連接，MOS管Q1的柵極用于連接電視的主控芯片，MOS管Q1的源極接地，第一磁珠L1的另一端與線圈T1初級的另一端連接。
電視機(jī)在工作時，一旦開關(guān)電源電路的線圈T1的初級有尖峰電壓、電流輸入，即可通過吸收電路中的磁珠等器件吸收，降低MOS管受尖峰電壓、電流的影響，將少M(fèi)OS管釋放的熱量，從而達(dá)到降低MOS管周邊的器件自燃的風(fēng)險(xiǎn)。
同時，本實(shí)施例的機(jī)殼的壁掛架螺釘孔為盲孔，能防止壁掛螺釘刺穿交流電源線導(dǎo)致初級打火從而使平板電視機(jī)產(chǎn)生自燃，從而進(jìn)一步提高電視機(jī)的安全性。
以上描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要的特征，說明書的描述只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。