1.一種成像像素，其特征在于包括：
上襯底層；
下襯底層；
浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；
所述上襯底層中耦接到所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的光電二極管；
插入所述上襯底層和所述下襯底層之間的互連層，所述互連層將所述上襯底層耦接到所述下襯底層；以及
所述下襯底層中的第一存儲(chǔ)電容器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像像素，其特征在于還包括：
耦接到所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的源極跟隨器晶體管；
另一個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；
耦接到所述另一個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的另一個(gè)源極跟隨器晶體管；以及
耦接在所述源極跟隨器晶體管和所述另一個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)之間的采樣晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像像素，其特征在于所述互連層插入所述源極跟隨器晶體管和所述采樣晶體管之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成像像素，其特征在于所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)和所述源極跟隨器晶體管在所述上襯底層中形成，并且其中所述采樣晶體管、所述另一個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)和所述另一個(gè)源極跟隨器晶體管在所述下襯底層中形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成像像素，其特征在于還包括：
在所述下襯底層中形成的第二存儲(chǔ)電容器和第三存儲(chǔ)電容器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像像素，其特征在于還包括：
在所述下襯底層中形成的耦接到所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的源極跟隨器晶體管，其中所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)在所述上襯底層中形成，并且其中所述互連層插入所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)和所述源極跟隨器晶體管之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像像素，其特征在于還包括：
在所述下襯底層中形成的第二存儲(chǔ)電容器和第三存儲(chǔ)電容器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像像素，其特征在于還包括：
在所述上襯底層中形成的耦接到所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的轉(zhuǎn)移晶體管，其中所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)在所述下襯底層中形成，并且其中所述互連層插入所述轉(zhuǎn)移晶體管和所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成像像素，其特征在于還包括：
在所述下襯底層中形成的第二存儲(chǔ)電容器和第三存儲(chǔ)電容器。
10.一種成像像素，其特征在于包括：
第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；
耦接到所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的光電二極管；
耦接到所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的第一源極跟隨器晶體管；
第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；
耦接到所述第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的第二源極跟隨器晶體管；
第一存儲(chǔ)電容器；
第二存儲(chǔ)電容器；和
第三存儲(chǔ)電容器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的成像像素，其特征在于還包括插入所述第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)和所述第一源極跟隨器晶體管之間的采樣晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的成像像素，其特征在于還包括：
插入所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)和第一正電源端子之間的第一重置晶體管；和
插入所述第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)和第二正電源端子之間的第二重置晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的成像像素，其特征在于還包括：
插入所述采樣晶體管和所述第一存儲(chǔ)電容器之間的晶體管；
插入所述采樣晶體管和所述第二存儲(chǔ)電容器之間的晶體管；
插入所述采樣晶體管和所述第三存儲(chǔ)電容器之間的晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的成像像素，其特征在于還包括插入輸出線(xiàn)和所述第二源極跟隨器晶體管之間的行選擇晶體管。