本實(shí)用新型涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種交換機(jī)的電源電路和交換機(jī)。

背景技術(shù)：

隨著互聯(lián)網(wǎng)的普及度日益提高，越來(lái)越多的小區(qū)或?qū)懽謽堑裙矆?chǎng)所都組建了連接以太網(wǎng)的局域網(wǎng)。因此，必然需要組件一個(gè)完整的POE系統(tǒng)。所謂完整的POE(Power Over Ethernet，有源以太網(wǎng))系統(tǒng)是包括：POE供電設(shè)備(PSE，Power Sourcing Equipment)和受電設(shè)備(PD，Power Device)兩部分。POE供電設(shè)備是為以太網(wǎng)客戶端設(shè)備供電的設(shè)備，同時(shí)也是整個(gè)POE以太網(wǎng)供電過(guò)程的管理者。而受電設(shè)備則是POE供電設(shè)備的負(fù)載，即為POE系統(tǒng)的客戶端設(shè)備，如交換機(jī)。兩者基于IEEE 802.3af標(biāo)準(zhǔn)建立有關(guān)受電端設(shè)備的連接情況、設(shè)備類(lèi)型、功耗級(jí)別等方面的信息聯(lián)系，并以此為根據(jù)POE供電設(shè)備通過(guò)以太網(wǎng)向受電端設(shè)備供電。

然而，在實(shí)際應(yīng)用中，POE供電設(shè)備包括標(biāo)準(zhǔn)的供電設(shè)備和非標(biāo)準(zhǔn)的供電設(shè)備兩種，由于現(xiàn)有的交換機(jī)要么只允許標(biāo)準(zhǔn)的供電設(shè)備為其供電，要么只允許非標(biāo)準(zhǔn)的供電設(shè)備為其供電，因此，現(xiàn)有的交換機(jī)中存在對(duì)POE供電設(shè)備的兼容性差的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種交換機(jī)的電源電路和交換機(jī)，以解決現(xiàn)有的交換機(jī)對(duì)POE供電設(shè)備的兼容性差的問(wèn)題。

本實(shí)用新型的目的在于提供一種交換機(jī)的電源電路，用于連接POE供電設(shè)備進(jìn)而為交換機(jī)的控制芯片供電，其中，所述POE供電設(shè)備為第一供電設(shè)備或第二供電設(shè)備，所述電源電路包括：用于連接所述POE供電設(shè)備的端口單元、連接于所述端口單元與所述控制芯片之間的網(wǎng)絡(luò)變壓?jiǎn)卧约罢鲉卧?，所述電源電路還包括：采樣電阻、開(kāi)關(guān)單元以及電壓轉(zhuǎn)換輸出單元；

所述整流單元的第一輸入端與所述整流單元的第二輸入端分別與所述網(wǎng)絡(luò)變壓?jiǎn)卧牡谝惠敵龆撕退鼍W(wǎng)絡(luò)變壓?jiǎn)卧牡诙敵龆讼噙B，所述整流單元的第一輸出端與所述采樣電阻的第一端相連，所述整流單元的第二輸出端與所述采樣電阻的第二端相連，所述開(kāi)關(guān)單元的第一輸入端與所述開(kāi)關(guān)單元的第二輸入端分別與所述采樣電阻的第一端和采樣電阻的第二端相連，所述開(kāi)關(guān)單元的第一輸出端與所述電壓轉(zhuǎn)換輸出單元的第一電源輸入端相連，所述開(kāi)關(guān)單元的第二輸出端與所述電壓轉(zhuǎn)換輸出單元的第二電源輸入端相連，所述電壓轉(zhuǎn)換輸出單元的第一輸出端與所述電壓轉(zhuǎn)換輸出單元的第二輸出端共接所述控制芯片；

當(dāng)所述POE供電設(shè)備為第一供電設(shè)備時(shí)，所述第一供電設(shè)備通過(guò)所述端口單元向所述采樣電阻發(fā)送測(cè)試電壓后，根據(jù)測(cè)試結(jié)果通過(guò)所述采樣電阻向所述開(kāi)關(guān)單元輸出第一供電電壓，并根據(jù)所述測(cè)試結(jié)果限制所述第一供電電壓的最大輸出電流，所述開(kāi)關(guān)單元根據(jù)所述第一供電電壓導(dǎo)通并向所述電壓轉(zhuǎn)換輸出單元輸出第二供電電壓，所述電壓轉(zhuǎn)換輸出單元對(duì)所述第二供電電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換后向所述控制芯片輸出工作電壓；

當(dāng)所述POE供電設(shè)備為第二供電設(shè)備時(shí)，所述第二供電設(shè)備通過(guò)所述端口單元向所述采樣電阻與所述開(kāi)關(guān)單元發(fā)送第三供電電壓，當(dāng)所述第三供電電壓大于開(kāi)關(guān)單元的導(dǎo)通閾值時(shí)，所述開(kāi)關(guān)單元根據(jù)所述第三供電電壓導(dǎo)通并向所述電壓轉(zhuǎn)換輸出單元輸出第四供電電壓，所述電壓轉(zhuǎn)換輸出單元對(duì)所述第四供電電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換后向所述控制芯片輸出工作電壓。

進(jìn)一步的，所述電源電路還包括：保護(hù)單元；

所述保護(hù)單元的第一端共接所述采樣電阻的第一端與所述整流單元的第一輸出端，所述保護(hù)單元的第二端共接所述采樣電阻的第二端與所述整流單元的第二輸出端。

進(jìn)一步的，所述保護(hù)單元包括第一瞬變電壓抑制二極管，所述第一瞬變電壓抑制二極管的陰極為所述保護(hù)單元的第一端，所述第一瞬變電壓抑制二極管的陽(yáng)極為所述保護(hù)單元的第二端。

進(jìn)一步的，所述開(kāi)關(guān)單元包括第一電阻、第二電阻、第一二極管以及第一開(kāi)關(guān)管；

所述第一電阻的第一端為所述開(kāi)關(guān)單元的第一輸入端和所述開(kāi)關(guān)單元的第一輸出端，所述第一電阻的第二端與所述第一二極管的第一端相連，所述第一二極管的第二端與所述第二電阻的第一端共接所述第一開(kāi)關(guān)管的受控端，所述第二電阻的第二端與所述第一開(kāi)關(guān)管的低電位端相連，所述第二電阻的第二端為所述開(kāi)關(guān)單元的第二輸入端，所述第一開(kāi)關(guān)管的高電位端為所述開(kāi)關(guān)單元的第二輸出端。

進(jìn)一步的，所述第一二極管為穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管的陰極為所述第一二極管的第一端，所述穩(wěn)壓二極管的陽(yáng)極為所述第一二極管的第二端。

進(jìn)一步的，所述第一開(kāi)關(guān)管為MOS管，所述第一開(kāi)關(guān)管的受控端為所述MOS管的柵極，所述第一開(kāi)關(guān)管的高電位端為所述MOS管的漏極，所述第一開(kāi)關(guān)管的低電位端為所述MOS管的源極。

進(jìn)一步的，所述第一開(kāi)關(guān)管為IGBT管，所述第一開(kāi)關(guān)管的受控端為所述IGBT管的柵極，所述第一開(kāi)關(guān)管的高電位端為所述IGBT管的集電極，所述第一開(kāi)關(guān)管的低電位端為所述IGBT管的發(fā)射極。

進(jìn)一步的，所述第一開(kāi)關(guān)管為帶體二極管的IGBT管，所述第一開(kāi)關(guān)管的受控端為所述帶體二極管的IGBT管的柵極，所述第一開(kāi)關(guān)管的高電位端為所述帶體二極管的IGBT管的集電極，所述第一開(kāi)關(guān)管的低電位端為所述帶體二極管的IGBT管的發(fā)射極。

本實(shí)用新型的另一目的在于提供一種交換機(jī)，所述交換機(jī)包括控制芯片，其特征在于，所述交換機(jī)還包括與所述控制芯片相連的電源電路，所述電源電路為如上所述的交換機(jī)的電源電路。

本實(shí)用新型提供交換機(jī)的電源電路，用于連接POE供電設(shè)備進(jìn)而為交換機(jī)的控制芯片供電，該電源電路包括：整流單元、采樣電阻、開(kāi)關(guān)單元以及電壓轉(zhuǎn)換輸出單元；當(dāng)POE供電設(shè)備為第一供電設(shè)備時(shí)，第一供電設(shè)備向開(kāi)關(guān)單元發(fā)送第一供電電壓，開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通后輸出第二供電電壓，由電壓轉(zhuǎn)換輸出單元根據(jù)第二供電電壓向控制芯片輸出工作電壓；當(dāng)POE供電設(shè)備為第二供電設(shè)備時(shí)，第二供電設(shè)備向開(kāi)關(guān)單元發(fā)送第三供電電壓，當(dāng)?shù)谌╇婋妷捍笥趯?dǎo)通閾值時(shí)，開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通并輸出第四供電電壓，由電壓轉(zhuǎn)換輸出單元根據(jù)第四供電電壓向控制芯片輸出工作電壓。實(shí)現(xiàn)了交換機(jī)能夠允許不同標(biāo)準(zhǔn)的POE供電設(shè)備為其供電，提高了交換機(jī)對(duì)POE供電設(shè)備的兼容程度。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是第一實(shí)施例提供的交換機(jī)的電源電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是第二實(shí)施例提供的交換機(jī)的電源電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是第二實(shí)施例提供的交換機(jī)的電源電路的具體電路圖；

圖4是第三實(shí)施例提供的交換機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

本實(shí)用新型的目的在于提供一種交換機(jī)的電源電路和交換機(jī)，以解決現(xiàn)有的交換機(jī)對(duì)POE供電設(shè)備的兼容性差的問(wèn)題。

為了說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，下面通過(guò)具體實(shí)施例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。

在本實(shí)用新型的所有實(shí)施例中，交換機(jī)的電源電路用于連接POE供電設(shè)備進(jìn)而為交換機(jī)的控制芯片供電，其中，所述POE供電設(shè)備為第一供電設(shè)備或第二供電設(shè)備，第一供電設(shè)備準(zhǔn)尋的標(biāo)準(zhǔn)與第二供電設(shè)備準(zhǔn)尋的標(biāo)準(zhǔn)不同。具體的，第一供電設(shè)備為IEEE 802.3af標(biāo)準(zhǔn)下的供電設(shè)備，第二供電設(shè)備為非IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn)下的供電設(shè)備，在后續(xù)實(shí)施例中不再說(shuō)明。

圖1示出了本實(shí)施例提供的交換機(jī)的電源電路的結(jié)構(gòu)，如圖1所示，一種交換機(jī)的電源電路100包括：用于連接POE供電設(shè)備200的端口單元10，連接于端口單元10與控制芯片30之間的網(wǎng)絡(luò)變壓?jiǎn)卧?0，其還包括：整流單元40、采樣電阻R1、開(kāi)關(guān)單元50以及電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60。

整流單元40的第一輸入端與整流單元40的第二輸入端分別與網(wǎng)絡(luò)變壓?jiǎn)卧?0的第一輸出端和網(wǎng)絡(luò)變壓?jiǎn)卧?0的第二輸出端相連，整流單元40的第一輸出端與采樣電阻R1的第一端相連，整流單元40的第二輸出端與采樣電阻R1的第二端相連，開(kāi)關(guān)單元50的第一輸入端與開(kāi)關(guān)單元50的第二輸入端分別與采樣電阻R1的第一端和采樣電阻R1的第二端相連，開(kāi)關(guān)單元50的第一輸出端與電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60的第一電源輸入端相連，開(kāi)關(guān)單元50的第二輸出端與電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60的第二電源輸入端相連，電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60的第一輸出端與電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60的第二輸出端共接控制芯片30。

當(dāng)POE供電設(shè)備200為第一供電設(shè)備時(shí)，第一供電設(shè)備通過(guò)端口單元10向采樣電阻R1發(fā)送測(cè)試電壓后，根據(jù)測(cè)試結(jié)果通過(guò)采樣電阻R1向開(kāi)關(guān)單元50輸出第一供電電壓，并根據(jù)測(cè)試結(jié)果限制第一供電電壓的最大輸出電流，開(kāi)關(guān)單元50根據(jù)第一供電電壓導(dǎo)通并向電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60輸出第二供電電壓，電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60對(duì)第二供電電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換后向控制芯片30輸出工作電壓；

當(dāng)POE供電設(shè)備200為第二供電設(shè)備時(shí)，第二供電設(shè)備通過(guò)端口單元10向采樣電阻R1與開(kāi)關(guān)單元50發(fā)送第三供電電壓，當(dāng)?shù)谌╇婋妷捍笥陂_(kāi)關(guān)單元的導(dǎo)通閾值時(shí)，開(kāi)關(guān)單元50根據(jù)第三供電電壓導(dǎo)通并向電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60輸出第四供電電壓，電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60對(duì)第四供電電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換后向控制芯片30輸出工作電壓。

需要說(shuō)明的是，IEEE 802.3af標(biāo)準(zhǔn)是基于以太網(wǎng)供電系統(tǒng)POE的新標(biāo)準(zhǔn)，它在IEEE 802.3的基礎(chǔ)上增加了通過(guò)網(wǎng)線直接供電的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，是現(xiàn)有以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)的擴(kuò)展，也是第一個(gè)關(guān)于電源分配的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。基于該IEEE 802.3af標(biāo)準(zhǔn)，在本實(shí)施例中，第一供電設(shè)備為符合該IEEE 802.3af標(biāo)準(zhǔn)的供電設(shè)備，對(duì)應(yīng)的第二供電設(shè)備為非標(biāo)準(zhǔn)的供電設(shè)備。第一供電設(shè)備在與受電設(shè)備相連時(shí)，即與本實(shí)用新型中的交換機(jī)相連時(shí)，第一供電設(shè)備會(huì)向采樣電阻R1發(fā)送測(cè)試電壓，例如2.8V到10V的探測(cè)電壓檢測(cè)電源輸出線對(duì)之間的直流阻抗，以判斷對(duì)端是否是標(biāo)準(zhǔn)的受電設(shè)備，然后向受電設(shè)備輸出一個(gè)10-20V之間的功率等級(jí)探測(cè)電壓，根據(jù)回路電流作為測(cè)試結(jié)果判斷該受電設(shè)備的受電等級(jí)，進(jìn)而根據(jù)該受電等級(jí)分配相應(yīng)的最大輸出功率并輸出第一供電電壓。第二供電設(shè)備則是直接輸出第二供電電壓，不會(huì)檢測(cè)與其相連的是否是標(biāo)準(zhǔn)的受電設(shè)備也不會(huì)檢測(cè)該受電設(shè)備的功率等級(jí)。

在IEEE802.3標(biāo)準(zhǔn)中定義受電設(shè)備的特征有：1)直流阻抗在19K～26.5Kohm之間；2)容值不超過(guò)150nF。當(dāng)檢測(cè)到對(duì)端是標(biāo)準(zhǔn)受電設(shè)備后，標(biāo)準(zhǔn)的供電設(shè)備會(huì)輸出例如15.5V-20.5V的探測(cè)電壓來(lái)檢測(cè)受電設(shè)備的功率級(jí)別。受電設(shè)備通過(guò)從線上吸收一個(gè)恒定電流(分級(jí)特征信號(hào))向第一供電設(shè)備發(fā)送請(qǐng)求以描述所需的最大功率，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的供電設(shè)備輸出第一供電電壓為受電設(shè)備進(jìn)行供電。

本實(shí)施例提供的一種交換機(jī)的電源電路，用于連接POE供電設(shè)備200進(jìn)而為交換機(jī)的控制芯片30供電，該電源電路100包括：整流單元40、采樣電阻R1、開(kāi)關(guān)單元50以及電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60。當(dāng)POE供電設(shè)備200為第一供電設(shè)備時(shí)，POE供電設(shè)備200向開(kāi)關(guān)單元發(fā)送第一供電電壓，開(kāi)關(guān)單元50導(dǎo)通后輸出第二供電電壓，由電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60根據(jù)第二供電電壓向控制芯片30輸出工作電壓；當(dāng)POE供電設(shè)備為第二供電設(shè)備時(shí)，POE供電設(shè)備200向開(kāi)關(guān)單元50發(fā)送第三供電電壓，當(dāng)?shù)谌╇婋妷捍笥趯?dǎo)通閾值時(shí)，開(kāi)關(guān)單元50導(dǎo)通并輸出第四供電電壓，由電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60根據(jù)第四供電電壓向控制芯片30輸出工作電壓。實(shí)現(xiàn)了交換機(jī)能夠允許不同標(biāo)準(zhǔn)的POE供電設(shè)備為期供電，提高了交換機(jī)對(duì)POE供電設(shè)備的兼容程度。

以上述實(shí)施例為基礎(chǔ)，提出第二實(shí)施例。圖2示出了本實(shí)施例提供的交換機(jī)的電源電路的結(jié)構(gòu)，如圖2所示，電源電路100還包括：保護(hù)單元70。

保護(hù)單元70的第一端共接采樣電阻R1的第一端與整流單元40的第一輸出端，保護(hù)單元70的第二端共接采樣電阻R1的第二端與整流單元40的第二輸出端。

在本實(shí)施例中，當(dāng)POE供電設(shè)備200輸出第一供電電壓或第二供電電壓時(shí)，保護(hù)單元70為開(kāi)關(guān)單元50與電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60提供對(duì)應(yīng)的過(guò)壓保護(hù)。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型中的保護(hù)單元70的閾值大于第一供電設(shè)備與第二供電設(shè)備中的輸出電壓最大值。以保護(hù)單元70的閾值大于第一供電設(shè)備與第二供電設(shè)備中的輸出電壓最大值為例，在本實(shí)施例中，第一供電設(shè)備的輸出電壓為48V至57V，第二供電設(shè)備的輸出電壓則為24V至57V。保護(hù)單元70的保護(hù)閾值則大于60V。當(dāng)POE供電設(shè)備發(fā)生故障時(shí)，其輸出的電壓大于保護(hù)單元70的保護(hù)閾值時(shí)，保護(hù)單元70受觸發(fā)后抑制POE供電設(shè)備的輸出電壓持續(xù)升高。

作為本實(shí)用新型的一實(shí)施例，保護(hù)單元70包括第一瞬變電壓抑制二極管D1，第一瞬變電壓抑制二極管D1的陰極為保護(hù)單元70的第一端，第一瞬變電壓抑制二極管D1的陽(yáng)極為保護(hù)單元70的第二端。

圖3示出了實(shí)施例提供的交換機(jī)的電源電路的具體電路，如圖3所示，開(kāi)關(guān)單元50包括第一電阻R101、第二電阻R102、第一二極管D2以及第一開(kāi)關(guān)管Q1。

第一電阻R101的第一端為開(kāi)關(guān)單元50的第一輸入端和開(kāi)關(guān)單元60的第一輸出端，第一電阻R101的第二端與第一二極管D2的第一端相連，第一二極管D2的第二端與第二電阻R101的第一端共接第一開(kāi)關(guān)管Q1的受控端，第二電阻R102的第二端與第一開(kāi)關(guān)管Q1的低電位端相連，第二電阻R102的第二端為開(kāi)關(guān)單元50的第二輸入端，第一開(kāi)關(guān)管Q1的高電位端為開(kāi)關(guān)單元50的第二輸出端。

作為本實(shí)用新型的一實(shí)施例，第一二極管D2為穩(wěn)壓二極管D2，穩(wěn)壓二極管D2的陰極為第一二極管D2的第一端，穩(wěn)壓二極管D2的陽(yáng)極為第一二極管D2的第二端。

作為本實(shí)用新型的一實(shí)施例，第一開(kāi)關(guān)管Q1為MOS管或IGBT管。其中，IGBT管具體可以為帶體二極管的IGBT管。

實(shí)際應(yīng)用中選用的第一開(kāi)關(guān)管Q1為MOS管Q1時(shí)，第一開(kāi)關(guān)管Q1的受控端為MOS管Q1的柵極，第一開(kāi)關(guān)管Q1的高電位端為MOS管Q1的漏極，第一開(kāi)關(guān)管Q1的低電位端為MOS管Q1的源極。

當(dāng)選用的第一開(kāi)關(guān)管Q1為IGBT管，第一開(kāi)關(guān)管Q1的受控端為IGBT管Q1的柵極，第一開(kāi)關(guān)管Q1的高電位端為IGBT管Q1的集電極，第一開(kāi)關(guān)管Q1的低電位端為IGBT管Q1的發(fā)射極。

當(dāng)選用的第一開(kāi)關(guān)管Q1為帶體二極管的IGBT管Q1，第一開(kāi)關(guān)管Q1的受控端為帶體二極管的IGBT管Q1的柵極，第一開(kāi)關(guān)管Q1的高電位端為帶體二極管的IGBT管Q1的集電極，第一開(kāi)關(guān)管Q1的低電位端為帶體二極管的IGBT管Q1的發(fā)射極。

需要說(shuō)明的是，在本實(shí)用新型所有實(shí)施例中，端口單元10可以為現(xiàn)有的RJ45接口，整流單元40可以是現(xiàn)有的整流橋，電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60可以為現(xiàn)有的DC-DC轉(zhuǎn)換器或轉(zhuǎn)換芯片。

以下結(jié)合說(shuō)圖3對(duì)本實(shí)施例提供的交換機(jī)的電源電路100的工作原理進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

如圖3所示，當(dāng)POE供電設(shè)備200為第一供電設(shè)備時(shí)，第一供電設(shè)備輸出的測(cè)試電壓經(jīng)整流橋后加到采樣電阻R1的兩端，第一供電設(shè)備能識(shí)別出本交換機(jī)設(shè)備為標(biāo)準(zhǔn)的受電設(shè)備。進(jìn)而對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步的分級(jí)檢測(cè)階段，由于本實(shí)施例提供的電源電路未設(shè)計(jì)1至4等級(jí)的功率分級(jí)檢測(cè)電路，功率等級(jí)檢測(cè)電壓低于開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通閥值，僅有一個(gè)很小(約2mA)的電流通過(guò)采樣電阻流回第一供電設(shè)備，所述電流值在功率等級(jí)0級(jí)的范圍內(nèi)。因此第一供電設(shè)備會(huì)將本實(shí)施例的交換機(jī)設(shè)備功率等級(jí)標(biāo)記為0級(jí)，將所述供電設(shè)備自身的最大輸出功率限制為15.4W(IEEE802.3af)或者30W(IEEE802.3at)，在一個(gè)可配置的時(shí)間后輸出一個(gè)44V至57V之間的供電電壓(典型值為48V)，開(kāi)關(guān)單元50將導(dǎo)通，所述供電電壓經(jīng)過(guò)電壓轉(zhuǎn)換輸出單元60轉(zhuǎn)換為3.3V、2.5V等低壓直流電供給控制芯片30，使得控制芯片30開(kāi)始工作。

當(dāng)POE供電設(shè)備200為第二供電設(shè)備時(shí)，用戶使用網(wǎng)線將該第二供電設(shè)備LAN口與計(jì)算機(jī)或者其他網(wǎng)絡(luò)設(shè)備相連。因?yàn)樵揚(yáng)OE供電設(shè)備為第二供電設(shè)備，所以不會(huì)有對(duì)受控設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)，即第二供電設(shè)備直接輸出自身正常工作時(shí)所能輸出的第一供電電壓，例如20V或者48V。當(dāng)?shù)诙╇娫O(shè)備接入電源電路100后，第二供電設(shè)備輸出的電壓直接加到由第一電阻R101、穩(wěn)壓二極管D2、第一開(kāi)關(guān)管Q1管所組成的開(kāi)關(guān)單元50，當(dāng)輸入的第一供電電流的電壓為24V至57V時(shí)，穩(wěn)壓二極管D2導(dǎo)通，受控端與低電位端之間產(chǎn)生一個(gè)4V以上的正向電壓，第一開(kāi)關(guān)管Q1導(dǎo)通，控制芯片30開(kāi)始工作。

以上述實(shí)施例為基礎(chǔ)，提出第三實(shí)施例。

圖4是示出了本實(shí)施例交換機(jī)的結(jié)構(gòu)，如圖4所示，交換機(jī)300包括控制芯片30，還包括與所述控制芯片30相連的電源電路100，所述電源電路100為如上所述的交換機(jī)的電源電路100。

本實(shí)施例中的交換機(jī)300與本實(shí)用新型相關(guān)的實(shí)現(xiàn)方式或工作原理已經(jīng)在上述實(shí)施例中詳細(xì)說(shuō)明，故此處不再贅述。

本實(shí)用新型提供交換機(jī)的電源電路，用于連接POE供電設(shè)備進(jìn)而為交換機(jī)的控制芯片供電，該電源電路包括：整流單元、采樣電阻、開(kāi)關(guān)單元以及電壓轉(zhuǎn)換輸出單元；當(dāng)POE供電設(shè)備為第一供電設(shè)備時(shí)，第一供電設(shè)備向開(kāi)關(guān)單元發(fā)送第一供電電壓，開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通后輸出第二供電電壓，由電壓轉(zhuǎn)換輸出單元根據(jù)第二供電電壓向控制芯片輸出工作電壓；當(dāng)POE供電設(shè)備為第二供電設(shè)備時(shí)，第二供電設(shè)備向開(kāi)關(guān)單元發(fā)送第三供電電壓，當(dāng)?shù)谌╇婋妷捍笥趯?dǎo)通閾值時(shí)，開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通并輸出第四供電電壓，由電壓轉(zhuǎn)換輸出單元根據(jù)第四供電電壓向控制芯片輸出工作電壓。實(shí)現(xiàn)了交換機(jī)能夠允許不同標(biāo)準(zhǔn)的POE供電設(shè)備為其供電，提高了交換機(jī)對(duì)POE供電設(shè)備的兼容程度。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下做出若干等同替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型由所提交的權(quán)利要求書(shū)確定的專(zhuān)利保護(hù)范圍。