本實用新型涉及電聲轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，尤其涉及一種揚(yáng)聲器。

背景技術(shù)：

隨著移動互聯(lián)網(wǎng)時代的到來，智能移動設(shè)備的數(shù)量不斷上升。而在眾多移動設(shè)備之中，手機(jī)無疑是最常見、最便攜的移動終端設(shè)備。目前，手機(jī)的功能已多樣化，其中一重要的功能便是高品質(zhì)的音樂功能，而手機(jī)中的揚(yáng)聲器便是實現(xiàn)這個高品質(zhì)音樂功能的必備條件之一。

相關(guān)技術(shù)的揚(yáng)聲器包括振動系統(tǒng)和驅(qū)動所述振動系統(tǒng)的磁路系統(tǒng)，所述振動系統(tǒng)包括具有切中孔的音膜和球頂，所述音膜正對所述磁路系統(tǒng)，所述球頂固設(shè)于所述音膜遠(yuǎn)離所述磁路系統(tǒng)的一側(cè)并覆蓋所述切中孔，所述磁路系統(tǒng)包括極芯，所述極芯包括正對所述音膜設(shè)置的上表面、與所述上表面相對的下表面及自所述上表面向所述下表面凹陷形成的讓位部，所述音膜在所述極芯上的正投影超出所述讓位部范圍。

為了保證所述音膜的有效振動，所述音膜與所述讓位部之間的間距及所述球頂與所述上表面之間的間距會大于所述音膜與所述上表面之間的間距，這樣會造成空間的浪費。

因此，實有必要提供一種新的揚(yáng)聲器解決上述問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種揚(yáng)聲器，其用于解決相關(guān)技術(shù)的揚(yáng)聲器存在空間浪費的技術(shù)問題。

為了解決上述技術(shù)問題，設(shè)計了一種揚(yáng)聲器，其包括振動系統(tǒng)和驅(qū)動所述振動系統(tǒng)的磁路系統(tǒng)，所述振動系統(tǒng)包括球頂和具有切中孔的音膜，所述音膜正對所述磁路系統(tǒng)，所述球頂固設(shè)于所述音膜遠(yuǎn)離所述磁路系統(tǒng)的一側(cè)并覆蓋所述切中孔，所述磁路系統(tǒng)包括第一磁體部及環(huán)繞所述第一磁體部設(shè)置并與所述第一磁體部之間形成磁間隙的第二磁體部，所述第一磁體部和所述第二磁體部至少有一個包括磁鋼，所述第一磁體部包括本體和形成于所述本體上的讓位部，所述讓位部位于所述本體的邊緣并環(huán)繞所述本體，所述本體包括正對所述音膜的上表面、與所述上表面相對的下表面，所述讓位部自所述上表面向所述下表面凹陷形成，所述音膜圍成所述切中孔的輪廓線在所述第一磁體部上的正投影位于所述讓位部的區(qū)域內(nèi)。

優(yōu)選的，所述音膜包括折環(huán)部、自所述折環(huán)部向外延伸形成的固定部及自所述折環(huán)部向內(nèi)延伸形成的結(jié)合部，所述結(jié)合部圍成所述切中孔。

優(yōu)選的，所述讓位部包括自所述上表面向所述下表面方向延伸的擋墻和自所述擋墻向所述第一磁體部的外側(cè)延伸的讓位面，所述結(jié)合部圍成所述切中孔的輪廓線在所述第一磁體部的正投影位于所述讓位面的區(qū)域內(nèi)。

優(yōu)選的，所述結(jié)合部與所述讓位面之間的間距等于所述球頂與所述上表面之間的間距。

優(yōu)選的，所述本體為磁鋼。

優(yōu)選的，所述磁鋼包括正對所述音膜設(shè)置的第一磁鋼及疊設(shè)于所述第一磁鋼并與所述第一磁鋼的極性反向設(shè)置的第二磁鋼，所述讓位部位于所述第一磁鋼上。

優(yōu)選的，所述本體包括正對所述音膜設(shè)置的極芯及貼設(shè)于所述極芯遠(yuǎn)離所述音膜一側(cè)的表面的磁鋼，所述讓位部位于所述極芯上。

優(yōu)選的，所述磁鋼包括依次層疊于所述極芯遠(yuǎn)離所述音膜一側(cè)的表面的第一磁鋼和第二磁鋼，且所述第一磁鋼與所述第二磁鋼的極性反向設(shè)置。

優(yōu)選的，所述本體包括磁鋼和極芯，所述磁鋼包括第一磁鋼及與所述第一磁鋼的極性反向設(shè)置的第二磁鋼，所述極芯包括正對所述音膜的第一極芯以及第二極芯，所述第一極芯遠(yuǎn)離所述音膜一側(cè)的表面依次層疊所述第一磁鋼、所述第二極芯及所述第二磁鋼，所述讓位部位于所述第一極芯上。

優(yōu)選的，所述本體包括磁鋼和極芯，所述磁鋼包括正對所述音膜設(shè)置的第一磁鋼及與所述第一磁鋼的極性反向設(shè)置的第二磁鋼，所述第一磁鋼遠(yuǎn)離所述音膜一側(cè)的表面依次層疊所述極芯和所述第二磁鋼，所述讓位部位于所述第一磁鋼上。

與相關(guān)技術(shù)相比，本實用新型提供的揚(yáng)聲器通過減小所述結(jié)合部的延伸尺寸或增加所述讓位面的延伸尺寸，使得所述結(jié)合部遠(yuǎn)離所述折環(huán)部的邊緣在所述第一磁體部上的正投影位于所述讓位部的所述讓位面的輪廓范圍內(nèi)，可以增加所述磁路系統(tǒng)的整體厚度以提高磁路的磁通量，提高揚(yáng)聲器的靈敏度，而且不會影響到揚(yáng)聲器的失真和高次。

【附圖說明】

圖1為本實用新型提供的揚(yáng)聲器實施例一的立體結(jié)構(gòu)分解圖；

圖2為圖1所示揚(yáng)聲器的盆架的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖1所示揚(yáng)聲器的第一磁體部的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖1所示揚(yáng)聲器的立體結(jié)構(gòu)圖；

圖5為沿圖3中A-A線的剖視圖；

圖6為本實用新型提供的揚(yáng)聲器實施例二的第一磁體部的剖視圖；

圖7為本實用新型提供的揚(yáng)聲器實施例三的第一磁體部的剖視圖；

圖8為本實用新型提供的揚(yáng)聲器實施例四的第一磁體部的剖視圖；

圖9為本實用新型提供的揚(yáng)聲器實施例五的第一磁體部的剖視圖；

圖10為本實用新型提供的揚(yáng)聲器實施例六的第一磁體部的剖視圖。

【具體實施方式】

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部份實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。

實施例一

如圖1至圖5所示，本實用新型提供了一種揚(yáng)聲器1，其包括具有收容空間的盆架11、收容于所述盆架11內(nèi)的磁路系統(tǒng)13及固持于所述盆架11的振動系統(tǒng)15。

所述盆架11整體呈中空的矩形，所述盆架11包括兩條長軸側(cè)壁111、兩條短軸側(cè)壁113、設(shè)置于所述長軸側(cè)壁111兩端的擋塊115及設(shè)置于所述短軸側(cè)壁113兩端的固定臂117。兩條所述長軸側(cè)壁111與兩條所述短軸側(cè)壁113相接，所述擋塊115與所述長軸側(cè)壁111形成第一收容部11A，所述固定臂117與所述短軸側(cè)壁113形成第二收容部11B。

所述第一收容部11A和所述第二收容部11B用于部分收容所述磁路系統(tǒng)13。

所述磁路系統(tǒng)13包括下夾板131、第一磁體部133、第二磁體部135及上夾板137。所述下夾板131為固持于所述盆架11的平板，且當(dāng)所述下夾板131固持于所述盆架11后，所述擋塊115位于所述下夾板131內(nèi)，所述第一磁體部133和所述第二磁體部135貼設(shè)于所述下夾板131，且所述第二磁體部135環(huán)繞所述第一磁體部133設(shè)置并與所述第一磁體部133之間形成磁間隙，所述上夾板137固持于所述盆架11上，并疊設(shè)于所述第二磁體部135，所述上夾板137具有通孔，所述第一磁體部133部分位于所述上夾板137的通孔內(nèi)。

所述第一磁體部133整體為長方體形結(jié)構(gòu)，所述第一磁體部133包括本體1333和形成于所述本體1333上的讓位部1335，所述讓位部1335位于所述本體1333的邊緣并環(huán)繞所述本體1333，所述本體1333包括正對所述振動系統(tǒng)15的上表面1331、與所述上表面1331相對的下表面(圖未示)，所述讓位部自所述上表面1331向所述下表面凹陷形成。裝配后，所述下表面直接貼附于所述下夾板131，所述上表面1331與所述上夾板137遠(yuǎn)離所述第二磁體部135一側(cè)的表面位于同一水平面內(nèi)，且所述讓位部1335位于所述上夾板137的通孔內(nèi)。

所述本體1333為磁鋼。在本實施例中，所述磁鋼為一整塊呈長方體形的磁鋼。

所述讓位部1335包括自所述上表面1331向所述下表面方向延伸的擋墻13351和自所述擋墻13351向所述本體1333的外側(cè)延伸的讓位面13353。

所述第二磁體部135為副磁鋼，其包括設(shè)置于所述本體1333兩長軸邊的第一副磁鋼1351和設(shè)置于所述本體1333兩短軸邊的第二副磁鋼1353，所述第一副磁鋼1351收容于所述第一收容部11A，所述第二副磁鋼1353收容于所述第二收容部11B。

所述振動系統(tǒng)15包括音圈151、音膜153及球頂155。所述音圈151的一端插入所述第一磁體部133和所述第二磁體部135之間形成的磁間隙中，其另一端固接于所述音膜153，所述音膜153正對所述上表面1331，所述音膜具有切中孔153A，所述球頂155固接于所述音膜153遠(yuǎn)離所述第一磁體部133的所述上表面1331一側(cè)的表面并覆蓋所述切中孔153A。當(dāng)所述音圈151通電后，所述音圈151會在所述磁路系統(tǒng)13磁場的作用下振動，與此同時，所述音圈151帶動所述音膜153一同振動。

所述音膜153包括折環(huán)部1531、自所述折環(huán)部1531向外延伸形成的固定部1533及自所述折環(huán)部1531向內(nèi)延伸形成的結(jié)合部1535，所述結(jié)合部1535圍成所述切中孔153A。

所述固定部1533固接于所述盆架11。

所述結(jié)合部1535分別與所述音圈151和所述球頂155固接。具體的，所述音圈151固接于所述結(jié)合部1535靠近所述第一磁體部133的所述上表面1331的表面，所述球頂155固接于所述結(jié)合部1535遠(yuǎn)離所述第一磁體部133的所述上表面1331的表面并覆蓋所述切中孔153A。

所述結(jié)合部1535圍成所述切中孔153A的輪廓線在所述第一磁體部133上的正投影位于所述讓位部1335的所述讓位面13353的輪廓范圍內(nèi)。為了滿足上述條件，可以通過減小所述結(jié)合部1535的延伸尺寸，也可以通過增加所述讓位面13353的延伸尺寸。在本實施例中，優(yōu)選的，減小所述結(jié)合部1535的延伸尺寸，并使得所述結(jié)合部1535圍成所述切中孔153A的輪廓線在所述第一磁體部133上的正投影與所述讓位部1335的所述擋墻13351和所述讓位面13353的連接線重疊，且所述結(jié)合部1535與所述讓位面13353之間的間距等于所述球頂155與所述音膜153的所述上表面1331之間的間距，從而在保證所述音膜15的有效振動空間的同時，利用剩下來的空間增加所述磁路系統(tǒng)13的整體厚度以增加磁路的磁通量，進(jìn)而提高所述揚(yáng)聲器1的靈敏度。

實施例二

如圖6所示，所述第一磁體部233包括本體2333和形成于所述本體2333上的讓位部2335。所述本體2333包括上表面2331、與所述上表面2331相對的下表面，所述讓位部2335自所述上表面2331向所述下表面凹陷形成。所述上表面2331、下表面及所述讓位部2335的結(jié)構(gòu)與所述實施例一中相應(yīng)部件的結(jié)構(gòu)相同，且所述上表面2331、所述下表面、所述讓位部2335及所述本體2333的設(shè)置位置與所述實施例一中相應(yīng)部件的設(shè)置位置相同，但所述本體2333的結(jié)構(gòu)與所述實施例一中相應(yīng)本體的結(jié)構(gòu)不同。具體的，所述本體2333為磁鋼，且所述磁鋼為分體結(jié)構(gòu)，其包括第一磁鋼23331及與所述第一磁鋼23331的極性反向設(shè)置的第二磁鋼23333，所述上表面2331為所述第一磁鋼233311的一表面，所述第二磁鋼23333層疊于所述第一磁鋼23331遠(yuǎn)離所述上表面2331一側(cè)的表面，所述下表面為所述第二磁鋼23333遠(yuǎn)離所述第一磁鋼23331一側(cè)的表面，所述讓位部2335由所述上表面2331向所述下表面凹陷但并不貫穿所述第一磁鋼23331形成的。

實施例三

如圖7所示，所述第一磁體部333包括本體3333和形成于所述本體3333上的讓位部3335。所述本體3333包括上表面3331、與所述上表面3331相對的下表面，所述讓位部3335自所述上表面3331向所述下表面凹陷形成。所述上表面3331、下表面及所述讓位部3335的結(jié)構(gòu)與所述實施例一中相應(yīng)部件的結(jié)構(gòu)相同，且所述上表面3331、所述下表面、所述讓位部3335及所述本體3333的設(shè)置位置與所述實施例一中相應(yīng)部件的設(shè)置位置相同，但所述本體3333的結(jié)構(gòu)與所述實施例一中相應(yīng)本體的結(jié)構(gòu)不同。具體的，所述本體3333包括磁鋼33331及極芯33333，所述上表面2331為所述極芯33333的一表面，所述磁鋼23331疊設(shè)于所述極芯33333與所述上表面3331相對一側(cè)的表面，所述下表面為所述磁鋼33331遠(yuǎn)離所述極芯33333一側(cè)的表面，所述讓位部3335由所述上表面3331向所述下表面凹陷但并不貫穿所述極芯33333形成的。

實施例四

如圖8所示，所述第一磁體部433包括本體4333和形成于所述本體4333上的讓位部4335。所述本體4333包括上表面4331、與所述上表面4331相對的下表面，所述讓位部4335自所述上表面4331向所述下表面凹陷形成，所述本體4333包括磁鋼43331和極芯43333。所述上表面4331、所述下表面、所述讓位部4335及所述極芯43333的結(jié)構(gòu)與所述實施例三中相應(yīng)部件的結(jié)構(gòu)相同，且所述上表面4331、所述下表面、所述讓位部4335、所述磁鋼43331及所述極芯43333的設(shè)置位置與所述實施例三中相應(yīng)部件的設(shè)置位置相同，但所述磁鋼43331的結(jié)構(gòu)與所述實施例三中相應(yīng)磁鋼的結(jié)構(gòu)不同。具體的，所述磁鋼43331包括依次層疊于所述極芯43333與所述上表面4331相對一側(cè)的表面的第一磁鋼433311和第二磁鋼433313，且所述第一磁鋼433311與所述第二磁鋼433313的極性反向設(shè)置，所述下表面為所述第二磁鋼433313遠(yuǎn)離所述第一磁鋼433311一側(cè)的表面。

實施例五

如圖9所示，所述第一磁體部533包括本體5333和形成于所述本體5333上的讓位部5335。所述本體5333包括上表面5331、與所述上表面5331相對的下表面，所述讓位部5335自所述上表面5331向所述下表面凹陷形成。所述上表面5331、所述下表面及所述讓位部5335的結(jié)構(gòu)與所述實施例一中相應(yīng)部件的結(jié)構(gòu)相同，且所述上表面5331、所述下表面、所述讓位部5335及所述本體5333的設(shè)置位置與所述實施例一中相應(yīng)部件的設(shè)置位置相同，但所述本體5333的結(jié)構(gòu)與所述實施例一中相應(yīng)本體的結(jié)構(gòu)不同。具體的，所述本體5333包括磁鋼53331和極芯53333，所述磁鋼53331包括第一磁鋼533311及與所述第一磁鋼533311的極性反向設(shè)置的第二磁鋼533313，所述極芯53333包括第一極芯533331和第二極芯533333，所述上表面5331為所述第一極芯533331的一表面，所述第一極芯533331與所述上表面5331相對一側(cè)的表面依次層疊所述第一磁鋼533311、所述第二極芯533333及所述第二磁鋼533313，所述下表面為所述第二磁鋼533313遠(yuǎn)離所述第一磁鋼533311一側(cè)的表面，所述讓位部5335由所述上表面5331向所述下表面凹陷但并不貫穿所述第一極芯533331形成的。

實施例六

如圖10所示，所述第一磁體部633包括本體6333和形成于所述本體6333上的讓位部6335。所述本體6333包括上表面6331、與所述上表面6331相對的下表面，所述讓位部6335自所述上表面6331向所述下表面凹陷形成。所述上表面6331、所述下表面及所述讓位部6335的結(jié)構(gòu)與所述實施例一中相應(yīng)部件的結(jié)構(gòu)相同，且所述上表面6331、所述下表面、所述讓位部6335及所述本體6333的設(shè)置位置與所述實施例一中相應(yīng)部件的設(shè)置位置相同，但所述本體6333的結(jié)構(gòu)與所述實施例一中相應(yīng)本體的結(jié)構(gòu)不同。具體的，所述本體6333包括磁鋼63331和極芯63333，所述磁鋼包括第一磁鋼633311及與所述第一磁鋼633311的極性反向設(shè)置的第二磁鋼633313，所述上表面6331為所述第一磁鋼633311的一表面，所述第一磁鋼633311與所述上表面6331相對一側(cè)的表面依次層疊所述極芯63333和所述第二磁鋼633313，所述下表面為所述第二磁鋼633313遠(yuǎn)離所述第一磁鋼633311一側(cè)的表面，所述讓位部6335由所述上表面6331向所述下表面凹陷但并不貫穿所述第一磁鋼633311形成的。

在所述實施例二、所述實施例四、所述實施例五及所述實施例六中，所述第一磁鋼和所述第二磁鋼的極性可以按照N-S-S-N的設(shè)置方式設(shè)置，也可以按照S-N-N-S的設(shè)置方式設(shè)置。

本實用新型提供的揚(yáng)聲器，通過減小所述結(jié)合部的延伸尺寸或增加所述讓位面的延伸尺寸，使得所述結(jié)合部遠(yuǎn)離所述折環(huán)部的邊緣在所述第一磁體部上的正投影位于所述讓位部的所述讓位面的輪廓范圍內(nèi)，在保證所述音膜的有效振動空間的同時，利用剩下來的空間增加所述磁路系統(tǒng)的整體厚度以提高磁路的磁通量，提高揚(yáng)聲器的靈敏度，而且不會影響到揚(yáng)聲器的失真和高次。

以上所述的僅是本實用新型的實施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本實用新型的保護(hù)范圍。