本發(fā)明關(guān)于一種信號(hào)讀取電路，特別是一種主動(dòng)式像素感測(cè)器的信號(hào)讀取電路。

背景技術(shù)：

主動(dòng)式像素感測(cè)器（active pixel sensor,APS）利用建構(gòu)在每個(gè)像素中的感測(cè)電路回應(yīng)于光線照射產(chǎn)生光電信號(hào)，并根據(jù)每個(gè)像素的X-Y位址來(lái)選擇性地讀出每個(gè)像素的光學(xué)信號(hào)。一般而言，當(dāng)感測(cè)電路中用以進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的面積越大時(shí)，主動(dòng)式像素感測(cè)器可以具有更佳的靈敏度。

但是，于實(shí)務(wù)上，由于制程上的不可抗力因素，感測(cè)電路中的元件參數(shù)可能不會(huì)是如預(yù)期中的數(shù)值。舉例來(lái)說(shuō)，在現(xiàn)今的玻璃制程中，在不同位置上的薄膜晶體管（thin film transistor,TFT）極可能具有不同的門(mén)檻電壓值。此外，隨著使用時(shí)間拉長(zhǎng)，各元件也有可能因此劣化，使元件參數(shù)更進(jìn)一步地飄移。

在常見(jiàn)的作法中，是通過(guò)增加感測(cè)電路中的元件，藉由電路設(shè)計(jì)的方式，補(bǔ)償溢增或者是不足的電壓或電流。但這樣的作法必須在感測(cè)電路中增加電路元件，而使電路元件占據(jù)更多的面積，反而減少了用以進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的面積。因此，如何在保有光電轉(zhuǎn)換的效能的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)主動(dòng)式像素感測(cè)器的電路校正為目前極需解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明在于提供一種信號(hào)讀取電路，以在保有光電轉(zhuǎn)換的效能的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)主動(dòng)式像素感測(cè)器的電路校正。

本發(fā)明揭露了一種信號(hào)讀取電路，所述的信號(hào)讀取電路包括多個(gè)信號(hào)讀取子電路。每一信號(hào)讀取子電路包括隨耦開(kāi)關(guān)與讀取模塊。隨耦開(kāi)關(guān)的第一端用以接收第一基準(zhǔn)電壓。隨耦開(kāi)關(guān)的控制端用以接收輸入信號(hào)。隨耦開(kāi)關(guān)依據(jù)接收到的輸入信號(hào)產(chǎn)生電流至隨耦開(kāi)關(guān)的第二端。每一讀取模塊接收輸入信號(hào)的其中之一。每一讀取模塊耦接隨耦開(kāi)關(guān)的控制端。每一讀取模塊依據(jù)讀取控制信號(hào)選擇性地提供接收的輸入信號(hào)至隨耦開(kāi)關(guān)的控制端。

綜合以上所述，本發(fā)明提供了一種信號(hào)讀取電路，信號(hào)讀取電路中具有多個(gè)信號(hào)讀取子電路。每個(gè)信號(hào)讀取子電路具有多個(gè)讀取模塊與一隨耦開(kāi)關(guān)，所述的多個(gè)讀取模塊耦接至同一個(gè)隨耦開(kāi)關(guān)。藉此，本發(fā)明提供的信號(hào)讀取電路得以降低元件個(gè)數(shù)。此外，由于多個(gè)讀取模塊共用同一個(gè)隨耦開(kāi)關(guān)，在這樣的電路架構(gòu)下，隨耦開(kāi)關(guān)可以設(shè)置于顯示區(qū)（active area,AA）之外，更進(jìn)一步地降低了顯示區(qū)中的元件個(gè)數(shù)，提升了信號(hào)讀取電路用以進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的面積。另一方面，本發(fā)明所提供的信號(hào)讀取電路更具有校正開(kāi)關(guān)，此校正開(kāi)關(guān)耦接于隨耦開(kāi)關(guān)的控制端，以適時(shí)地調(diào)整所述的控制端的電壓電平，以使各讀取開(kāi)關(guān)提供控制端的電壓電平具有相同的比較基準(zhǔn)。藉此，本發(fā)明提供的信號(hào)讀取電路得以在保有光電轉(zhuǎn)換的效能的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了主動(dòng)式像素感測(cè)器的電路校正。

以上的關(guān)于本發(fā)明內(nèi)容的說(shuō)明及以下的實(shí)施方式的說(shuō)明是用以示范與解釋本發(fā)明的精神與原理，并且提供本發(fā)明的專(zhuān)利申請(qǐng)范圍更進(jìn)一步的解釋。

附圖說(shuō)明

圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的信號(hào)讀取電路的功能方塊示意圖。

圖2為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的其中一個(gè)信號(hào)讀取子電路的電路示意圖。

圖3為根據(jù)本發(fā)明圖2的信號(hào)讀取子電路的部分信號(hào)時(shí)序示意圖。

圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的其中一個(gè)信號(hào)讀取子電路的電路示意圖。

圖5為根據(jù)本發(fā)明圖4的信號(hào)讀取子電路的部分信號(hào)時(shí)序示意圖。

圖6為根據(jù)本發(fā)明更一實(shí)施例所繪示的其中一個(gè)信號(hào)讀取子電路的電路示意圖。

圖7為根據(jù)本發(fā)明圖6的信號(hào)讀取子電路的部分信號(hào)時(shí)序示意圖。

圖8為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的感測(cè)面板的示意圖。

圖9為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的感測(cè)面板的示意圖。

其中，附圖標(biāo)記：

4、5 感測(cè)面板

416 控制模塊

42、52 顯示區(qū)

44、54 驅(qū)動(dòng)模塊

48、58 電源供應(yīng)模塊

5162 列取樣控制器

5163 模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器

5164 微控制器

5165數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器

5166 第一子控制單元

5167 第二子控制單元

10 信號(hào)讀取電路

11_1～11_M、21_1、31_1、41_1～41_M 信號(hào)讀取子電路

112_1～112_M、212_1～212_M、312_1～312_M 讀取模塊

114、214、314 積分器

Cint、CFD 電容

GS1～GSM 分流控制信號(hào)

ID 電流

Nbl1～NblM 分流端

OP 放大器

PD1～PDM 光電二極管

P11～PNM 像素單元

RS1～RSM 讀取控制信號(hào)

RT1～RTM 重置控制信號(hào)

SW1～SWM 讀取開(kāi)關(guān)

SW4～SW2M 重置開(kāi)關(guān)

SW7～SW3M 輸入開(kāi)關(guān)

SW10～SW4M 分流開(kāi)關(guān)

SWCR、SWCR1～SWCRM 校正開(kāi)關(guān)

SWSF、SWSF1～SWSFM 隨耦開(kāi)關(guān)

SWint 積分器開(kāi)關(guān)

T1～T5、T11～T18、T21～T23 時(shí)間點(diǎn)

Tr1、Tr1’、Tr1”、Tr2、Tr2’、Tr2” 讀取時(shí)間區(qū)間

TX1～TXN 輸入控制信號(hào)

V1 第一基準(zhǔn)電壓

V2、V21～V2M 校正基準(zhǔn)電壓

V3 第二基準(zhǔn)電壓

VCR、VCR1～VCRM 校正信號(hào)

Vint 積分控制信號(hào)

Vin1～VinM 輸入信號(hào)

Vin1’～VinM’ 輸入信號(hào)

Vo 輸出信號(hào)

Vref 參考電壓

Vrst 重置信號(hào)

具體實(shí)施方式

以下在實(shí)施方式中詳細(xì)敘述本發(fā)明的詳細(xì)特征以及優(yōu)點(diǎn)，其內(nèi)容足以使任何熟習(xí)相關(guān)技藝者了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，且根據(jù)本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容、申請(qǐng)專(zhuān)利范圍及圖式，任何熟習(xí)相關(guān)技藝者可輕易地理解本發(fā)明相關(guān)的目的及優(yōu)點(diǎn)。以下的實(shí)施例是進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的觀點(diǎn)，但非以任何觀點(diǎn)限制本發(fā)明的范疇。

請(qǐng)參照?qǐng)D1與圖2，圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的信號(hào)讀取電路的功能方塊示意圖，圖2為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的其中一個(gè)信號(hào)讀取子電路的電路示意圖。如圖1與圖2所示，信號(hào)讀取電路1具有多個(gè)信號(hào)讀取子電路，在此舉信號(hào)讀取子電路11_1～11_M進(jìn)行說(shuō)明，其中M為一大于1的正整數(shù)。

信號(hào)讀取子電路11_1～11_M具有相仿的電路結(jié)構(gòu)，后續(xù)舉信號(hào)讀取子電路11_1進(jìn)行說(shuō)明之。信號(hào)讀取子電路11_1具有一隨耦開(kāi)關(guān)SWSF與多個(gè)讀取模塊，在此舉讀取模塊112_1～112_M進(jìn)行說(shuō)明，其中M為一正整數(shù)。讀取模塊112_1～112_M分別耦接隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端。

隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的第一端用以接收第一基準(zhǔn)電壓V1，隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端用以接收輸入信號(hào)Vin1～VinM的其中之一。隨耦開(kāi)關(guān)SWSF依據(jù)接收到的輸入信號(hào)產(chǎn)生電流ID至隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的第二端。其中，第一基準(zhǔn)電壓V1例如為相對(duì)的高電壓電平，在一實(shí)施例中，第一基準(zhǔn)電壓V1為系統(tǒng)中的電壓VDD，但并不以此為限。

讀取模塊112_1～112_M分別用以接收輸入信號(hào)Vin1～VinM的其中之一。具體來(lái)說(shuō)，讀取模塊112_1分別用以接收輸入信號(hào)Vin1，讀取模塊112_2分別用以接收輸入信號(hào)Vin2，讀取模塊112_M分別用以接收輸入信號(hào)VinM，后續(xù)以此類(lèi)推，不再贅述。讀取模塊112_1～112_M依據(jù)讀取控制信號(hào)RS1～RSM的其中之一選擇性地提供接收的輸入信號(hào)Vin1～VinM至隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端。具體來(lái)說(shuō)，讀取模塊112_1依據(jù)讀取控制信號(hào)RS1選擇性地提供接收到的輸入信號(hào)Vin1至隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端，讀取模塊112_2依據(jù)讀取控制信號(hào)RS2選擇性地提供接收到的輸入信號(hào)Vin2至隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端，讀取模塊112_M依據(jù)讀取控制信號(hào)RSM選擇性地提供接收到的輸入信號(hào)VinM至隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端，后續(xù)以此類(lèi)推，不再贅述。

接下來(lái)對(duì)讀取模塊112_1～112_M的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明，由于讀取模塊112_1～112_M具有相仿的電路結(jié)構(gòu)，后續(xù)以讀取模塊112_1來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，讀取模塊112_2～112_M的電路結(jié)構(gòu)當(dāng)可由讀取模塊112_1的相關(guān)敘述類(lèi)推而得。如圖2所示，在此實(shí)施例中，讀取模塊112_1具有讀取開(kāi)關(guān)SW1與重置開(kāi)關(guān)SW4。讀取開(kāi)關(guān)SW1電性連接重置開(kāi)關(guān)SW4。更詳細(xì)地來(lái)說(shuō)，讀取開(kāi)關(guān)SW1的第一端用以接收輸入信號(hào)Vin1。讀取開(kāi)關(guān)SW1的第二端耦接隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端。讀取開(kāi)關(guān)SW1的控制端用以接收讀取控制信號(hào)RS1。讀取開(kāi)關(guān)SW1依據(jù)接收到的讀取控制信號(hào)RS1選擇性地將接收到的輸入信號(hào)Vin1提供給隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端。重置開(kāi)關(guān)SW4的第一端用以接收重置信號(hào)Vrst。重置開(kāi)關(guān)SW4的第二端耦接讀取開(kāi)關(guān)SW1的第一端。重置開(kāi)關(guān)SW4的控制端用以接收重置控制信號(hào)RT1。重置開(kāi)關(guān)SW4依據(jù)接收到的重置控制信號(hào)RT1選擇性地將重置信號(hào)Vrst提供給讀取開(kāi)關(guān)SW1的第一端。

在一實(shí)施例中，輸入信號(hào)Vin1～VinM來(lái)自光電二極管PD1～PDM，所述的光電二極管PD1～PDM則設(shè)置于顯示面板（未繪示）的顯示區(qū)中。就等效電路而言，光電二極管PD1～PDM分別等效地并聯(lián)于各個(gè)液晶電容（未繪示），當(dāng)光電二極管PD1～PDM被照光時(shí)，被照到光的光電二極管PD1～PDM導(dǎo)通。此時(shí)，被照到光的光電二極管PD1～PDM依據(jù)第二基準(zhǔn)電壓V3提供輸入信號(hào)Vin1～VinM給讀取模塊112_1～112_M。為求圖式簡(jiǎn)明，在圖2的實(shí)施例中，光電二極管PD1～PDM與對(duì)應(yīng)的液晶電容耦接至相同的基準(zhǔn)電壓，且在圖式中以三角形符號(hào)表示所述的基準(zhǔn)電壓。然此為所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者能依實(shí)際所需自行設(shè)計(jì)，光電二極管PD1～PDM與對(duì)應(yīng)的液晶電容也可分別耦接至不同的基準(zhǔn)電壓，在此并不加以限制。上述舉顯示面板為例進(jìn)行說(shuō)明，然實(shí)際上，信號(hào)讀取電路10可以位于任意的感測(cè)面板當(dāng)中，感測(cè)面板并不以上述所舉的顯示面板為限制。

在一實(shí)施例中，信號(hào)讀取子電路11_1更具有積分器114。積分器114耦接隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的第二端。積分器114用以依據(jù)積分控制信號(hào)Vint選擇性地對(duì)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的第二端的電壓電平值進(jìn)行積分以形成輸出信號(hào)Vo。更詳細(xì)地來(lái)說(shuō)，積分器114具有放大器OP、電容Cint與積分器開(kāi)關(guān)SWint。電容Cint耦接于放大器OP的非反向輸入端與輸出端之間。積分器開(kāi)關(guān)SWint的兩端并聯(lián)電容Cint。積分器開(kāi)關(guān)SWint的控制端用以接收積分控制信號(hào)Vint。放大器OP的反向輸入端用以接收參考電壓Vref。上述所舉各開(kāi)關(guān)例如為雙極性接面晶體管或者是金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，但并不以此為限。

請(qǐng)一并參照?qǐng)D3以對(duì)信號(hào)讀取子電路11_1的作動(dòng)時(shí)序進(jìn)行說(shuō)明，圖3為根據(jù)本發(fā)明圖2的信號(hào)讀取子電路的部分信號(hào)時(shí)序示意圖。在圖3中，舉讀取模塊112_1與讀取模塊112_2的各信號(hào)時(shí)序進(jìn)行說(shuō)明，由于讀取模塊112_3至讀取模塊112_M具有與讀取模塊112_1或讀取模塊112_2相仿的電路結(jié)構(gòu)，讀取模塊112_3至讀取模塊112_M的信號(hào)時(shí)序及其作動(dòng)方式則可依此類(lèi)推。讀取模塊112_M具有讀取開(kāi)關(guān)SWM與重置開(kāi)關(guān)SW2M。讀取開(kāi)關(guān)SWM電性連接重置開(kāi)關(guān)SW2M。更詳細(xì)地來(lái)說(shuō)，讀取開(kāi)關(guān)SWM的第一端用以接收輸入信號(hào)VinM。讀取開(kāi)關(guān)SWM的第二端耦接隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端。讀取開(kāi)關(guān)SWM的控制端用以接收讀取控制信號(hào)RSM。讀取開(kāi)關(guān)SWM依據(jù)接收到的讀取控制信號(hào)RSM選擇性地將接收到的輸入信號(hào)VinM提供給隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端。重置開(kāi)關(guān)SW2M的第一端用以接收重置信號(hào)Vrst。重置開(kāi)關(guān)SW2M的第二端耦接讀取開(kāi)關(guān)SWM的第一端。重置開(kāi)關(guān)SW2M的控制端用以接收重置控制信號(hào)RTM。重置開(kāi)關(guān)SW2M依據(jù)接收到的重置控制信號(hào)RTM選擇性地將重置信號(hào)Vrst提供給讀取開(kāi)關(guān)SWM的第一端。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1中的時(shí)間點(diǎn)T1至?xí)r間點(diǎn)T2之間，讀取控制信號(hào)RS1與積分控制信號(hào)Vint為相對(duì)的高電壓電平，讀取控制信號(hào)RS2與重置控制信號(hào)RT1、RT2為相對(duì)的低電壓電平。此時(shí)，讀取開(kāi)關(guān)SW1、隨耦開(kāi)關(guān)SWSF與積分器開(kāi)關(guān)SWint導(dǎo)通，讀取開(kāi)關(guān)SW2、SWM與重置開(kāi)關(guān)SW4、SW5、SW2M不導(dǎo)通。輸入信號(hào)Vin1經(jīng)由讀取開(kāi)關(guān)SW1被提供至隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端。隨耦開(kāi)關(guān)SWSF依據(jù)讀取開(kāi)關(guān)SW1提供的輸入信號(hào)Vin1而提供電流ID給積分器114。由于積分器開(kāi)關(guān)SWint導(dǎo)通，積分器114并不依據(jù)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF提供的電壓或電流進(jìn)行積分。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1中的時(shí)間點(diǎn)T2至?xí)r間點(diǎn)T3之間，積分控制信號(hào)Vint被調(diào)整至相對(duì)的低電壓電平。此時(shí)，讀取開(kāi)關(guān)SW1與隨耦開(kāi)關(guān)SWSF導(dǎo)通，積分器開(kāi)關(guān)SWint、讀取開(kāi)關(guān)SW2、SWM與重置開(kāi)關(guān)SW4、SW5、SW2M不導(dǎo)通。積分器114依據(jù)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF提供的電流進(jìn)行積分以形成輸出信號(hào)Vo。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1中的時(shí)間點(diǎn)T3至?xí)r間點(diǎn)T4之間，重置控制信號(hào)RT1與積分控制信號(hào)Vint被調(diào)整至相對(duì)的高電壓電平。此時(shí)，讀取開(kāi)關(guān)SW1、重置開(kāi)關(guān)SW4與積分器開(kāi)關(guān)SWint導(dǎo)通，讀取開(kāi)關(guān)SW2、SWM與重置開(kāi)關(guān)SW5、SW2M不導(dǎo)通。此時(shí)，隨耦開(kāi)關(guān)SWSF可以是導(dǎo)通或是不導(dǎo)通。重置信號(hào)Vrst經(jīng)由重置開(kāi)關(guān)SW4被提供到讀取開(kāi)關(guān)SW1的第一端，以重置讀取開(kāi)關(guān)SW1的第一端的電壓電平。且被提供至讀取開(kāi)關(guān)SW1的第一端的重置信號(hào)Vrst更經(jīng)由讀取開(kāi)關(guān)SW1被提供到隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端，以使隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端的電壓電平被重置為所欲的電壓電平。由于積分器開(kāi)關(guān)SWint導(dǎo)通，積分器114并不進(jìn)行積分。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1中的時(shí)間點(diǎn)T4至?xí)r間點(diǎn)T5之間，積分控制信號(hào)Vint被調(diào)整至相對(duì)的低電壓電平，此時(shí)積分器開(kāi)關(guān)SWint不導(dǎo)通，積分器114依據(jù)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF提供的電流進(jìn)行積分形成輸出信號(hào)Vo。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1中的時(shí)間點(diǎn)T5時(shí)，讀取控制信號(hào)RS1、重置控制信號(hào)RT1被拉至相對(duì)的低電壓電平，積分控制信號(hào)Vint被拉至相對(duì)的高電壓電平。此時(shí)，讀取開(kāi)關(guān)SW1與隨耦開(kāi)關(guān)SWSF不導(dǎo)通，積分器開(kāi)關(guān)SWint導(dǎo)通。隨耦開(kāi)關(guān)SWSF不提供電流給積分器114，此時(shí)參考電壓Vref被提供至積分器114地輸出以作為輸出信號(hào)Vo。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr2中，讀取控制信號(hào)RS2被拉至相對(duì)的高電壓電平，且讀取模塊112_2的其他信號(hào)時(shí)序則相仿于讀取模塊112_1的各信號(hào)于讀取時(shí)間區(qū)間Tr1中的時(shí)序。因此，讀取模塊112_2于讀取時(shí)間區(qū)間Tr2中的作動(dòng)方式相仿于讀取模塊112_1于讀取時(shí)間區(qū)間Tr1中的作動(dòng)方式。相仿地，讀取模塊112_3至讀取模塊112_M于后續(xù)的讀取時(shí)間區(qū)間中也分別具有相仿的作動(dòng)方式。因此，隨耦開(kāi)關(guān)SWSF在不同的讀取時(shí)間區(qū)間中是依據(jù)相對(duì)應(yīng)的讀取模塊所提供的信號(hào)而相應(yīng)地提供電流給積分器114以產(chǎn)生輸出信號(hào)Vo。

如前述地，在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1中是由讀取模塊112_1提供信號(hào)給隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端，在讀取時(shí)間區(qū)間Tr2中是由讀取模塊112_2提供信號(hào)給隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端，后續(xù)以此類(lèi)推。雖然在不同的讀取時(shí)間區(qū)間中是由不同的讀取模塊提供信號(hào)給隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端，但由于電容耦合效應(yīng)的關(guān)系，在由當(dāng)前的讀取模塊提供信號(hào)給隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端時(shí)，隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端可能仍存有前一次讀取模塊提供信號(hào)時(shí)的殘留電荷。當(dāng)前的讀取模塊提供的信號(hào)電平受到殘留電荷的影響，從而讓隨耦開(kāi)關(guān)SWSF依據(jù)失準(zhǔn)的信號(hào)電平提供電流給積分器114，使得輸出信號(hào)Vo失真。

請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2以說(shuō)明信號(hào)讀取子電路如何克服電容耦合效應(yīng)的影響。在圖2所對(duì)應(yīng)的實(shí)施例中，信號(hào)讀取子電路11_1更具有校正開(kāi)關(guān)SWCR。校正開(kāi)關(guān)SWCR的第一端耦接隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端。校正開(kāi)關(guān)SWCR的第二端用以接收校正基準(zhǔn)電壓V2。校正開(kāi)關(guān)SWCR的控制端接收校正信號(hào)VCR。校正開(kāi)關(guān)SWCR依據(jù)校正電壓VCR選擇性地將隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端導(dǎo)通至校正開(kāi)關(guān)SWCR的第二端。在一種作法中，校正信號(hào)VCR為一個(gè)可調(diào)的定電壓，校正開(kāi)關(guān)SWCR依據(jù)校正信號(hào)VCR持續(xù)地導(dǎo)通。此時(shí)，校正開(kāi)關(guān)SWCR持續(xù)地導(dǎo)通而將隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端的殘余電荷釋放到校正開(kāi)關(guān)SWCR的第二端。其中，藉由適當(dāng)?shù)卦O(shè)定校正信號(hào)VCR的電壓電平，得以在釋放隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端的殘留電荷的同時(shí)，不至于過(guò)度地改變隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端的電壓電平。校正信號(hào)VCR的電壓電平關(guān)聯(lián)于校正開(kāi)關(guān)SWCR的元件特性，相關(guān)細(xì)節(jié)為所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者經(jīng)詳閱本說(shuō)明書(shū)后可自由設(shè)計(jì)，于此不多加限制。藉此，得以避免隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端受到電容耦合效應(yīng)的影響。后續(xù)將對(duì)校正信號(hào)VCR的設(shè)定再進(jìn)行詳述，在此先不與贅述。

請(qǐng)接著參照?qǐng)D4以說(shuō)明本發(fā)明所提供的信號(hào)讀取子電路的另外一種實(shí)施態(tài)樣，圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的其中一個(gè)信號(hào)讀取子電路的電路示意圖。相較于圖2所對(duì)應(yīng)的實(shí)施例，在圖4所對(duì)應(yīng)的實(shí)施例中，信號(hào)讀取子電路21_1的各讀取模塊212_1～212_M更分別具有輸入開(kāi)關(guān)。以讀取模塊212_1來(lái)說(shuō)，讀取模塊212_1更具有輸入開(kāi)關(guān)SW7，輸入開(kāi)關(guān)SW7的第一端用以接收輸入信號(hào)Vin1’，輸入開(kāi)關(guān)SW7的第二端耦接讀取開(kāi)關(guān)SW1與重置開(kāi)關(guān)SW4。輸入開(kāi)關(guān)SW7受控于輸入控制信號(hào)TX1而選擇性地導(dǎo)通。此外，讀取模塊212_1更具有電容CFD，電容CFD的一端耦接讀取開(kāi)關(guān)SW1、重置開(kāi)關(guān)SW4與輸入開(kāi)關(guān)SW7，電容CFD的另一端用以接收基準(zhǔn)電壓。電容CFD所接收的基準(zhǔn)電壓的定義是相仿于前述的液晶電容與光電二極管所接收的基準(zhǔn)電壓的定義，于此不再重復(fù)贅述。

請(qǐng)一并參照?qǐng)D5以說(shuō)明信號(hào)讀取子電路21_1相對(duì)應(yīng)的控制時(shí)序，圖5為根據(jù)本發(fā)明圖4的信號(hào)讀取子電路的部分信號(hào)時(shí)序示意圖。在圖5中，舉讀取模塊212_1與讀取模塊212_2的各信號(hào)時(shí)序進(jìn)行說(shuō)明，由于讀取模塊212_3至讀取模塊212_M具有與讀取模塊212_1或讀取模塊212_2相仿的電路結(jié)構(gòu)，讀取模塊212_3至讀取模塊212_M的信號(hào)時(shí)序及其作動(dòng)方式則可依此類(lèi)推。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1’中的時(shí)間點(diǎn)T11至?xí)r間點(diǎn)T12之間，讀取控制信號(hào)RS1與積分控制信號(hào)Vint為相對(duì)的高電壓電平，重置控制信號(hào)RT1與輸入控制信號(hào)TX1為相對(duì)的低電壓電平，讀取控制信號(hào)RS1、重置控制信號(hào)與輸入控制信號(hào)TX2為相對(duì)的低電壓電平。此時(shí)，讀取開(kāi)關(guān)SW1與積分器開(kāi)關(guān)SWint導(dǎo)通，重置開(kāi)關(guān)SW4與輸入開(kāi)關(guān)SW7不導(dǎo)通，讀取開(kāi)關(guān)SW2、SWM、重置開(kāi)關(guān)SW5、SW2M與輸入開(kāi)關(guān)SW8、SW3M不導(dǎo)通，隨耦開(kāi)關(guān)SWSF可以是導(dǎo)通或不導(dǎo)通。積分器114并不依據(jù)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF提供的電流進(jìn)行積分。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1’中的時(shí)間點(diǎn)T12至?xí)r間點(diǎn)T13之間，重置控制信號(hào)RT1被調(diào)整至相對(duì)的高電壓電平。此時(shí)，讀取開(kāi)關(guān)SW1與重置開(kāi)關(guān)SW4導(dǎo)通，積分器開(kāi)關(guān)SWint、讀取開(kāi)關(guān)SW2、SWM不導(dǎo)通，隨耦開(kāi)關(guān)SWSF可以是導(dǎo)通或不導(dǎo)通。重置信號(hào)Vrst經(jīng)由重置開(kāi)關(guān)SW4被提供至讀取開(kāi)關(guān)SW1的第一端以重置讀取開(kāi)關(guān)SW1的第一端的電壓電平，且重置信號(hào)Vrst被提供至讀取開(kāi)關(guān)SW1的第一端的重置信號(hào)Vrst更經(jīng)由讀取開(kāi)關(guān)SW1被提供隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端，以重置隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端的電壓電平。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1’中的時(shí)間點(diǎn)T13至?xí)r間點(diǎn)T14之間，積分控制信號(hào)Vint被調(diào)整至相對(duì)的低電壓電平。此時(shí)，讀取開(kāi)關(guān)SW1與重置開(kāi)關(guān)SW4導(dǎo)通，輸入開(kāi)關(guān)SW7不導(dǎo)通，讀取開(kāi)關(guān)SW2、讀取開(kāi)關(guān)SWM、重置開(kāi)關(guān)SW5、重置開(kāi)關(guān)SW2M與輸入開(kāi)關(guān)SW8、輸入開(kāi)關(guān)SW3M不導(dǎo)通，隨耦開(kāi)關(guān)SWSF導(dǎo)通，積分器開(kāi)關(guān)SWint不導(dǎo)通。積分器114依據(jù)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF所提供的電流進(jìn)行積分以形成輸出信號(hào)Vo。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1’中的時(shí)間點(diǎn)T14至?xí)r間點(diǎn)T15之間，重置控制信號(hào)RT1被調(diào)整至相對(duì)的低電壓電平，積分控制信號(hào)Vint被調(diào)整至相對(duì)的高電壓電平。此時(shí)，讀取開(kāi)關(guān)SW1導(dǎo)通，重置開(kāi)關(guān)SW4與輸入開(kāi)關(guān)SW7不導(dǎo)通，讀取開(kāi)關(guān)SW2、讀取開(kāi)關(guān)SWM、重置開(kāi)關(guān)SW5、重置開(kāi)關(guān)SW2M與輸入開(kāi)關(guān)SW8、輸入開(kāi)關(guān)SW3M不導(dǎo)通，隨耦開(kāi)關(guān)SWSF導(dǎo)通，積分器開(kāi)關(guān)SWint導(dǎo)通。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1’中的時(shí)間點(diǎn)T15至?xí)r間點(diǎn)T16之間，輸入控制信號(hào)TX1被調(diào)整至相對(duì)的高電壓電平。此時(shí)，讀取開(kāi)關(guān)SW1與輸入開(kāi)關(guān)SW7導(dǎo)通，重置開(kāi)關(guān)SW4不導(dǎo)通，讀取開(kāi)關(guān)SW2、讀取開(kāi)關(guān)SWM、重置開(kāi)關(guān)SW5、重置開(kāi)關(guān)SW2M與輸入開(kāi)關(guān)SW8、輸入開(kāi)關(guān)SW3M不導(dǎo)通，隨耦開(kāi)關(guān)SWSF導(dǎo)通，積分器開(kāi)關(guān)SWint導(dǎo)通。輸入信號(hào)Vin1’經(jīng)由輸入開(kāi)關(guān)SW7被提供到讀取開(kāi)關(guān)SW1的第一端，且被提供到讀取開(kāi)關(guān)SW1的第一端的輸入信號(hào)Vin1更被提供至隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端。隨耦開(kāi)關(guān)SWSF依據(jù)接收到的輸入信號(hào)Vin提供相應(yīng)的電壓電流給積分器114。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1’中的時(shí)間點(diǎn)T16至?xí)r間點(diǎn)T17之間，積分控制信號(hào)Vint被調(diào)整至相對(duì)的低電壓電平。此時(shí)，讀取開(kāi)關(guān)SW1與輸入開(kāi)關(guān)SW7導(dǎo)通，重置開(kāi)關(guān)SW4不導(dǎo)通，讀取開(kāi)關(guān)SW2、讀取開(kāi)關(guān)SWM、重置開(kāi)關(guān)SW5、重置開(kāi)關(guān)SW2M與輸入開(kāi)關(guān)SW8、輸入開(kāi)關(guān)SW3M不導(dǎo)通，隨耦開(kāi)關(guān)SWSF導(dǎo)通，積分器開(kāi)關(guān)SWint不導(dǎo)通。積分器114依據(jù)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF提供的電流進(jìn)行積分以成輸出信號(hào)Vo。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1’中的時(shí)間點(diǎn)T17至?xí)r間點(diǎn)T18之間，輸入控制信號(hào)TX1被調(diào)整至相對(duì)的低電壓電平，積分控制信號(hào)Vint被調(diào)整至相對(duì)的高電壓電平。此時(shí)，讀取開(kāi)關(guān)SW1與輸入開(kāi)關(guān)SW7導(dǎo)通，重置開(kāi)關(guān)SW4不導(dǎo)通，讀取開(kāi)關(guān)SW2、讀取開(kāi)關(guān)SWM、重置開(kāi)關(guān)SW5、重置開(kāi)關(guān)SW2M與輸入開(kāi)關(guān)SW8、輸入開(kāi)關(guān)SW3M不導(dǎo)通，隨耦開(kāi)關(guān)SWSF導(dǎo)通，積分器開(kāi)關(guān)SWint導(dǎo)通。積分器114不依據(jù)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF提供的電流進(jìn)行積分。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr1’中的時(shí)間點(diǎn)T18時(shí)，讀取控制信號(hào)RS1被調(diào)整為相對(duì)的低電壓電平。此時(shí)，讀取開(kāi)關(guān)SW1不導(dǎo)通而使得輸入信號(hào)Vin不被提供到隨耦開(kāi)關(guān)SWSF的控制端。

在讀取時(shí)間區(qū)間Tr2’中時(shí)，讀取控制信號(hào)RS2被拉至相對(duì)的高電壓電平，且讀取模塊212_2的其他信號(hào)時(shí)序則相仿于讀取模塊212_1的各信號(hào)于讀取時(shí)間區(qū)間Tr1’中的時(shí)序。因此，讀取模塊212_2于讀取時(shí)間區(qū)間Tr2’中的作動(dòng)方式相仿于讀取模塊212_1于讀取時(shí)間區(qū)間Tr1’中的作動(dòng)方式。相仿地，讀取模塊212_3至讀取模塊212_M于后續(xù)的讀取時(shí)間區(qū)間中也分別具有相仿的作動(dòng)方式。因此，隨耦開(kāi)關(guān)SWSF在不同的讀取時(shí)間區(qū)間中是依據(jù)相對(duì)應(yīng)的讀取模塊所提供的信號(hào)而相應(yīng)地提供電壓電流給積分器214以產(chǎn)生輸出信號(hào)Vo。

如前述地，如圖5所示，當(dāng)光電二極管PD1～PDM接受光照時(shí)，光電二極管PD1～PDM依據(jù)第二基準(zhǔn)電壓V3產(chǎn)生輸入信號(hào)Vin1’～VinM’。而當(dāng)光電二極管PD1～PDM接受到過(guò)強(qiáng)的光照時(shí)，光電二極管PD1～PDM會(huì)產(chǎn)生過(guò)大的電流，而可能對(duì)后端元件造成傷害。

請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D6以說(shuō)明信號(hào)讀取子電路如何克服光照過(guò)強(qiáng)而損害電路元件的問(wèn)題，圖6為根據(jù)本發(fā)明更一實(shí)施例所繪示的其中一個(gè)信號(hào)讀取子電路的電路示意圖。相較于圖4所示的實(shí)施例，在圖6所示的實(shí)施例中，信號(hào)讀取子電路31_1中的各讀取模塊312_1～312_M更分別具有分流開(kāi)關(guān)。以讀取模塊312_1來(lái)說(shuō)，讀取模塊312_1具有分流開(kāi)關(guān)SW10，分流開(kāi)關(guān)SW10的第一端耦接至分流端Nbl1，分流開(kāi)關(guān)SW10的第二端耦接至輸入開(kāi)關(guān)SW10的第一端，分流開(kāi)關(guān)SW7的控制端用以接收分流控制信號(hào)GS1。分流開(kāi)關(guān)SW10用以依據(jù)分流控制信號(hào)GS1而選擇性地將分流端Nbl1導(dǎo)通至輸入開(kāi)關(guān)SW10的第一端。于一實(shí)施例中，分流端Nbl1～NblM分別具有分流電壓電平，所述的分流電壓電平為一相對(duì)的低電壓電平，甚至分流端Nbl1～NblM也可分別具有不同的分流電壓電平。相關(guān)細(xì)節(jié)為所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者經(jīng)詳閱本說(shuō)明書(shū)后可自由設(shè)計(jì)，于此不加以限制。

請(qǐng)接著參照?qǐng)D7，圖7為根據(jù)本發(fā)明圖6的信號(hào)讀取子電路的部分信號(hào)時(shí)序示意圖。圖7所示的時(shí)序控制方式是相仿于圖5所示的時(shí)序控制方式，惟其中更繪示了有關(guān)于分流控制信號(hào)GS1、GS2的相關(guān)時(shí)序。如圖7所示，在時(shí)間點(diǎn)T21至?xí)r間點(diǎn)T23之間，輸入控制信號(hào)TX被調(diào)整至高電壓電平。此外，在時(shí)間點(diǎn)T22至?xí)r間點(diǎn)T23之間，分流控制信號(hào)GS1被提高至高電壓電平。此時(shí)，分流開(kāi)關(guān)SW10導(dǎo)通，分流開(kāi)關(guān)SW10的第一端被導(dǎo)通至分流端Nbl1，以避免過(guò)高的電流經(jīng)由分流開(kāi)關(guān)SW10流至后端電路而傷害相關(guān)電路元件。于一實(shí)施例中，在每次的時(shí)脈周期中，分流控制信號(hào)GS1～GSM并不總是被調(diào)整至高電壓電平，而是依據(jù)光照強(qiáng)度是否過(guò)強(qiáng)而選擇性地被調(diào)高至高電壓電平。相關(guān)的控制或檢測(cè)方法為所屬技術(shù)領(lǐng)預(yù)計(jì)有通常知識(shí)者經(jīng)詳閱本說(shuō)明書(shū)后可自由設(shè)計(jì)，在此并不加以限制。

圖8為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的感測(cè)面板的示意圖。感測(cè)面板4定義有顯示區(qū)42，感測(cè)面板4具有驅(qū)動(dòng)模塊44與電源供應(yīng)模塊48，且感測(cè)面板4具有如前述的信號(hào)讀取電路。顯示區(qū)42中設(shè)置有N×M個(gè)像素單元P11～PNM，所述的N×M個(gè)像素單元排列成陣列。驅(qū)動(dòng)模塊44與電源供應(yīng)模塊48分別耦接至各像素單元P11～PNM。所述的N代表的是所述陣列的行數(shù)，所述的M代表的是所述陣列的列數(shù)。其中，像素單元的標(biāo)號(hào)第一碼用以表示像素單元所在的行編號(hào)，像素單元的標(biāo)號(hào)第二碼用以表示像素單元所在的列編號(hào)。舉例來(lái)說(shuō)，像素單元P32用以表示位于第3行第2列的像素單元。為求圖面簡(jiǎn)潔，在此僅繪示部分的像素單元以舉例說(shuō)明，且顯示區(qū)42中設(shè)置的像素單元的數(shù)量實(shí)際上并不以此為限。各像素單元受控于驅(qū)動(dòng)模塊44，而電源供應(yīng)模塊48則是用以供應(yīng)電源至各像素單元。像素單元的組成方式與控制方式為所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者經(jīng)詳閱本說(shuō)明書(shū)后能自由設(shè)計(jì)，于此不再贅述。其中，驅(qū)動(dòng)模塊44例如為柵極驅(qū)動(dòng)電路或相關(guān)的驅(qū)動(dòng)集成電路。

此外，感測(cè)面板4具有信號(hào)讀取電路40。信號(hào)讀取電路40的電路結(jié)構(gòu)如前述各實(shí)施例的其中之一。簡(jiǎn)要來(lái)說(shuō)，信號(hào)讀取電路40具有信號(hào)讀取子電路41_1、41_2～41_M。信號(hào)讀取子電路41_1、41_2～41_M分別耦接其中一列像素單元。具體來(lái)說(shuō)，信號(hào)讀取子電路41_1耦接像素單元P11、P21～PN1所形成的單列像素，信號(hào)讀取子電路41_2耦接像素單元P12、P22～PN2所形成的單列像素，后續(xù)以此類(lèi)推，不再贅述。信號(hào)讀取子電路41_1、41_2～41_M彼此具有相仿的電路結(jié)構(gòu)。以信號(hào)讀取子電路41_1來(lái)說(shuō)，信號(hào)讀取子電路41_1具有隨耦開(kāi)關(guān)SWSF1、校正開(kāi)關(guān)SWCR1、讀取模塊412_1。在此實(shí)施例中，信號(hào)讀取子電路41_1～41_M的各讀取模塊分別設(shè)置于對(duì)應(yīng)的像素單元中。舉例來(lái)說(shuō)，信號(hào)讀取子電路41_1的讀取模塊412_1設(shè)置于像素單元P11中，信號(hào)讀取子電路41_1的讀取模塊412_2設(shè)置于像素單元P21中，后續(xù)以此類(lèi)推，不再贅述。而在此實(shí)施例中，信號(hào)讀取子電路41_1～41_M的隨耦開(kāi)關(guān)SWSF1～SWSFM與校正開(kāi)關(guān)SWCR1～SWCRM則是設(shè)置于顯示區(qū)42外。借著這樣的作法，得以更進(jìn)一步地減少顯示區(qū)42中的元件數(shù)量，提高像素單元中的發(fā)光面積或是感光元件的面積。由于，信號(hào)讀取電路40的各元件分散于感測(cè)面板4的各部位，于圖4中并不對(duì)各元件或模塊逐一標(biāo)號(hào)，以避免圖式紊亂。

于此實(shí)施例中，信號(hào)讀取電路40更具有一控制模塊416?？刂颇K416耦接每一信號(hào)讀取子電路的隨耦開(kāi)關(guān)的第二端。控制模塊416依據(jù)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF1～SWSFM的第二端的電壓電平調(diào)整校正信號(hào)VCR1～VCRM的電壓電平或調(diào)整校正基準(zhǔn)電壓V21～V2M的電壓電平。控制模塊416例如包含了如前述的積分器，以依據(jù)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF所提供的電流形成相應(yīng)的信號(hào)，并據(jù)以進(jìn)行判斷。在一實(shí)施例中，控制模塊416用以判斷出隨耦開(kāi)關(guān)SWSF1～SWSFM中至少部分的第二端的電壓電平的中位數(shù)。且控制模塊416依據(jù)判斷出的中位數(shù)調(diào)整各校正信號(hào)VCR1～VCRM的電壓電平，以使至少部分的隨耦開(kāi)關(guān)的第二端的電壓電平都相同于中位數(shù)。而于另一實(shí)施例中，控制模塊416用以判斷出隨耦開(kāi)關(guān)SWSF1～SWSFM中至少部分的第二端的電壓電平的平均數(shù)。且控制模塊416依據(jù)判斷出的平均數(shù)調(diào)整各校正基準(zhǔn)電壓V21～V2M的電壓電平，以使至少部分的隨耦開(kāi)關(guān)的第二端的電壓電平都相同于平均數(shù)。

請(qǐng)參照?qǐng)D9以說(shuō)明控制模塊的一種實(shí)施態(tài)樣，圖9為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的感測(cè)面板的示意圖。于圖9所示的實(shí)施例中，控制模塊516具有列取樣控制器5162、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器5163、微控制器5164、數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器5165、第一子控制單元5166與第二子控制單元5167。其中，列取樣控制器5162耦接隨耦開(kāi)關(guān)SWSF1～SWSFM的第二端，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器5163耦接列取樣控制器5162，微控制器5164耦接模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器5163，數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器5165耦接微控制器5164、第一子控制單元5166耦接與第二子控制單元5167。第一子控制單元5166耦接校正開(kāi)關(guān)SWCR1～SWCRM的控制端，第二子控制單元5167耦接校正開(kāi)關(guān)SWCR1～SWCRM的第二端。

在圖9的實(shí)施例中，列取樣控制器5162用以取得隨耦開(kāi)關(guān)SWSF1～SWSFM的第二端的電壓電平。列取樣控制器5162例如包含有前述的各積分器，以依據(jù)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF所提供的電流形成相應(yīng)的信號(hào)，并據(jù)以進(jìn)行取樣。模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器5163用以將列取樣控制器5162取得的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。微控制器5164依據(jù)列取樣控制器5162形成的數(shù)字信號(hào)統(tǒng)計(jì)出如前述的中位數(shù)或者是平均數(shù)，并依據(jù)此中位數(shù)或平均數(shù)對(duì)前述的數(shù)字信號(hào)的內(nèi)容進(jìn)行判斷，以形成一輸出信號(hào)。數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器5165將微控制器5164的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，并依據(jù)微控制器5164的輸出信號(hào)的內(nèi)容選擇性地將模擬信號(hào)提供第一子控制單元5166或第二子控制單元5167的至少其中之一。第一子控制單元5166依據(jù)接收到的模擬信號(hào)選擇性地調(diào)整校正信號(hào)VCR1～VCRM的電壓電平。第二子控制單元5167依據(jù)接收到的模擬信號(hào)選擇性地調(diào)整校正基準(zhǔn)電壓V21～V2M的電壓電平。

延續(xù)前述，在一實(shí)施例中，當(dāng)微控制器5164判斷每一個(gè)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF1～SWSFM的第二端的電壓電平皆相同于統(tǒng)計(jì)出來(lái)的中位數(shù)或平均數(shù)時(shí)，微控制器5164指示第一子控制單元5166調(diào)整校正信號(hào)VCR1～VCRM的電壓電平，以調(diào)整流經(jīng)校正開(kāi)關(guān)SWCR的電流。當(dāng)微控制器5164判斷隨耦開(kāi)關(guān)SWSF1～SWSFM中有至少其中之一的第二端的電壓電平不相同于統(tǒng)計(jì)出來(lái)的中位數(shù)或平均數(shù)時(shí)，微控制器5164指示第二子控制單元5167調(diào)整校正基準(zhǔn)電壓V21～V2M的電壓電平，以使每一個(gè)隨耦開(kāi)關(guān)SWSF1～SWSFM的第二端的電壓電平皆相同于統(tǒng)計(jì)出來(lái)的中位數(shù)或平均數(shù)。

綜合以上所述，本發(fā)明提供了一種信號(hào)讀取電路，信號(hào)讀取電路中具有多個(gè)信號(hào)讀取子電路。每個(gè)信號(hào)讀取子電路具有多個(gè)讀取模塊與一隨耦開(kāi)關(guān)，所述的多個(gè)讀取模塊耦接至同一個(gè)隨耦開(kāi)關(guān)。藉此，相較于以往每一個(gè)讀取模塊都具有不同的隨耦開(kāi)關(guān)的作法，本發(fā)明提供的信號(hào)讀取電路得以降低元件個(gè)數(shù)。此外，由于多個(gè)讀取模塊共用同一個(gè)隨耦開(kāi)關(guān)，在這樣的電路架構(gòu)下，隨耦開(kāi)關(guān)可以設(shè)置于顯示區(qū)之外，更進(jìn)一步地降低了顯示區(qū)中的元件個(gè)數(shù)，提升了信號(hào)讀取電路用以進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的面積。另一方面，本發(fā)明所提供的信號(hào)讀取電路更具有校正開(kāi)關(guān)，此校正開(kāi)關(guān)耦接于隨耦開(kāi)關(guān)的控制端，以適時(shí)地調(diào)整所述的控制端的電壓電平，以使各讀取開(kāi)關(guān)提供控制端的電壓電平具有相同的比較基準(zhǔn)。藉此，本發(fā)明提供的信號(hào)讀取電路得以在保有光電轉(zhuǎn)換的效能的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了主動(dòng)式像素感測(cè)器的電路校正。

雖然本發(fā)明以前述的實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所為的更動(dòng)與潤(rùn)飾，均屬本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍。關(guān)于本發(fā)明所界定的保護(hù)范圍請(qǐng)參考所附的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍。