1.一種可收集寄生光生電荷的圖像傳感器，包括襯底(1)及生長在襯底(1)上的存儲節(jié)點(4)，其特征在于所述襯底(1)上靠近存儲節(jié)點(4)寄生p-n結(jié)的區(qū)域生長保護區(qū)(6)；存儲節(jié)點(4)和保護區(qū)(6)均為n+型半導體，保護區(qū)(6)接高電位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可收集寄生光生電荷的圖像傳感器，其特征在于所述的保護區(qū)(6)由多個保護柱組成，多個保護柱均勻分布在存儲節(jié)點(4)周圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可收集寄生光生電荷的圖像傳感器，其特征在于所述的保護區(qū)(6)由多個保護柱組成，多個保護柱沿平行于存儲節(jié)點(4)長度的方向均勻分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求2、3所述的可收集寄生光生電荷的圖像傳感器，其特征在于所述保護柱為正方形，其邊長在0.1-60um之間，相鄰保護柱之間的間隙t在0.1-0.56um之間，保護柱與存儲節(jié)點(4)之間的間隙w在0.1-0.56um之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可收集寄生光生電荷的圖像傳感器，其特征在于所述的保護區(qū)(6)三面圍繞存儲節(jié)點(4)形成保護開環(huán)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可收集寄生光生電荷的圖像傳感器，其特征在于所述的保護區(qū)(6)平行于存儲節(jié)點(4)的長度方向形成保護層。