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一種DP-QPSK調制器的相位偏置點的鎖定方法及裝置與流程

文檔序號:12829064閱讀:457來源:國知局
一種DP-QPSK調制器的相位偏置點的鎖定方法及裝置與流程

本發(fā)明涉及光調制技術領域,具體涉及一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定方法及裝置。



背景技術:

隨著光通信技術的發(fā)展,光傳輸已經迎來了100g時代,100g長距離密集型光波復用(dwdm,densewavelengthdivisionmultiplexing)光模塊是100g光傳輸中的關鍵部件,且雙偏振四相移鍵控(dp-qpsk,dual-polarizationquadraturephaseshiftkeying)是dwdm光模塊的關鍵器件。目前,常見的dp-qpsk調制器可以由鈮酸鋰(linb03,lithiumniobate)材料、磷化銦(inp,indiumphotonics)材料或硅光(sip,siliconphotonics)材料構成,且由于具有成本低、尺寸小、功耗低、性能穩(wěn)定以及不需要恒溫的優(yōu)點,由sip材料構成的dp-qpsk調制器成為了主流調制器。

在實際應用中,在由sip材料構成的dp-qpsk調制器實現(xiàn)光調制時,由sip材料構成的dp-qpsk調制器需要工作在穩(wěn)定的相位偏置點,即由sip材料構成的dp-qpsk調制器通過內部的加熱電阻進行局部加熱的方式實現(xiàn)相位調節(jié),進而實現(xiàn)相位偏置點的鎖定,且由于相位偏置點會隨著溫度以及光信號波長的改變而改變,通過同步加擾以及解調電路可以實現(xiàn)相位偏置點的恒定。但是,通過加熱電阻進行局部加熱來實現(xiàn)相位調節(jié)的方式調節(jié)速度慢且加擾速度也慢,這使得無法快速的鎖定由sip材料構成的dp-qpsk調制器的相位偏置點。



技術實現(xiàn)要素:

本發(fā)明實施例公開了一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定方法及裝置,能夠快速的鎖定由sip材料構成的dp-qpsk調制器的相位偏置點。

本發(fā)明實施例第一方面公開了一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定方法,所述方法應用于雙偏振四相移鍵控dp-qpsk調制器中,所述dp-qpsk調制器由硅光材料構成,所述dp-qpsk調制器中設置有溫度傳感器,所述方法包括:

通過所述溫度傳感器檢測所述dp-qpsk調制器的初始溫度,并確定所述dp-qpsk調制器中傳輸?shù)墓庑盘柕哪繕瞬ㄩL;

從預先存儲的所述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定所述dp-qpsk調制器在所述初始溫度下的初始相位偏置點;

啟動相位偏置點自鎖定算法,將所述初始相位偏置點修正到所述dp-qpsk調制器在所述初始溫度下的目標相位偏置點。

這樣能夠在dp-qpsk調制器上電時確定出在初始溫度下的初始相位偏置點,然后以該初始相位偏置點為基準啟動相位偏置點自鎖定算法進行相位偏置點的修正,這樣能夠快速的鎖定dp-qpsk調制器的相位偏置點,進而加快dp-qpsk調制器的調制進程。

在本發(fā)明實施例第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中,所述啟動相位偏置點自鎖定算法,將所述初始相位偏置點修正到所述dp-qpsk調制器在所述初始溫度下的目標相位偏置點之后,所述方法還包括:

通過所述溫度傳感器檢測所述dp-qpsk調制器在預設時間段內的目標溫度變化速率;

根據(jù)預先獲取到的溫度變化速率與加擾信號以及偏移步長的對應關系,確定所述目標溫度變化速率對應的目標加擾信號以及目標偏移步長;

將所述目標加擾信號以及所述目標偏移步長確定為所述相位偏置點自鎖定算法的輸入?yún)?shù),確定所述dp-qpsk調制器在當前溫度下的穩(wěn)定相位偏置點。

這樣能夠通過溫度傳感器實時監(jiān)測溫度的變化,通過加擾信號、偏移步長以及相位偏置點自鎖定算法能夠在溫度發(fā)生變化時提高相位偏置點的追蹤速度,進一步提高溫度變化時相位偏置點的鎖定速度。

結合本發(fā)明實施例第一方面或本發(fā)明實施例第一方面的第一種可能的實 現(xiàn)方式,在本發(fā)明實施例第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式中,所述從預先存儲的所述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定所述dp-qpsk調制器在所述初始溫度下的初始相位偏置點,包括:

判斷預先存儲的所述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中是否存在與所述初始溫度相等的溫度;

當存在與所述初始溫度相等的溫度時,將所述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中與所述初始溫度相等的溫度對應的相位偏置點確定為所述dp-qpsk調制器在所述初始溫度下的初始相位偏置點。

這樣能夠快速的確定出初始相位偏置點。

結合本發(fā)明實施例第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式,在本發(fā)明實施例第一方面的第三種可能的實現(xiàn)方式中,所述方法還包括:

當不存在與所述初始溫度相等的溫度時,從所述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定與所述初始溫度的差值最小的第一溫度以及所述第一溫度對應的第一相位偏置點;

計算所述初始溫度與所述第一溫度的溫度差;

根據(jù)所述溫度差調整所述第一相位偏置點,得到所述dp-qpsk調制器在所述初始溫度下的初始相位偏置點。

這樣能夠提高確定出的初始相位偏置點的精確度。

結合本發(fā)明實施例第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式,在本發(fā)明實施例第一方面的第四種可能的實現(xiàn)方式中,所述目標加擾信號為方波電壓信號或方波電流信號。

結合本發(fā)明實施例第一方面、本發(fā)明實施例第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式、本發(fā)明實施例第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式、本發(fā)明實施例第一方面的第三種可能的實現(xiàn)方式或本發(fā)明實施例第一方面的第四種可能的實現(xiàn)方式中,所述方法還包括:

當檢測到熱串擾系數(shù)為k且加熱功率為p的熱串擾時,生成大小為k*p的反向調節(jié)功率,這樣能夠避免因周圍其它的熱串擾造成的溫度變化,進而導致的相位偏置點移動的情況發(fā)生,提高了相位偏置點的穩(wěn)定性。

本發(fā)明實施例第二方面公開了一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置,所述裝置應用于雙偏振四相移鍵控dp-qpsk調制器中,所述dp-qpsk調制器由硅光材料構成,所述dp-qpsk調制器中設置有溫度傳感器,所述裝置包括檢測模塊、第一確定模塊、第二確定模塊以及鎖定模塊,其中:

所述檢測模塊,用于通過所述溫度傳感器檢測所述dp-qpsk調制器的初始溫度;

所述第一確定模塊,用于確定所述dp-qpsk調制器中傳輸?shù)墓庑盘柕哪繕瞬ㄩL;

所述第二確定模塊,用于從預先存儲的所述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定所述dp-qpsk調制器在所述初始溫度下的初始相位偏置點;

所述鎖定模塊,用于啟動相位偏置點自鎖定算法,將所述初始相位偏置點修正到所述dp-qpsk調制器在所述初始溫度下的目標相位偏置點。

在本發(fā)明實施例第二方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中,所述檢測模塊,還用于在所述鎖定模塊執(zhí)行所述啟動相位偏置點自鎖定算法,將所述初始相位偏置點修正到所述dp-qpsk調制器在所述初始溫度下的目標相位偏置點的操作之后,通過所述溫度傳感器檢測所述dp-qpsk調制器在預設時間段內的目標溫度變化速率;

所述裝置還包括第三確定模塊,其中:

所述第三確定模塊,用于根據(jù)預先獲取到的溫度變化速率與加擾信號以及偏移步長的對應關系,確定所述目標溫度變化速率對應的目標加擾信號以及目標偏移步長,將所述目標加擾信號以及所述目標偏移步長確定為所述相位偏置點自鎖定算法的輸入?yún)?shù),確定所述dp-qpsk調制器在當前溫度下的穩(wěn)定相位偏置點。

結合本發(fā)明實施例第二方面或本發(fā)明實施例第二方面的第一種可能的實現(xiàn)方式,在本發(fā)明實施例第二方面的第二種可能的實現(xiàn)方式中,所述第二確定模塊包括判斷子模塊以及確定子模塊,其中:

所述判斷子模塊,用于判斷所述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關 系中是否存在與所述初始溫度相等的溫度;

所述確定子模塊,用于當所述判斷子模塊的判斷結果為是時,將所述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中與所述初始溫度相等的溫度對應的相位偏置點確定為所述dp-qpsk調制器在所述初始溫度下的初始相位偏置點。

結合本發(fā)明實施例第二方面的第二種可能的實現(xiàn)方式,在本發(fā)明實施例第二方面的第三種可能的實現(xiàn)方式中,所述確定子模塊,還用于當所述判斷子模塊的判斷結果為否時,從所述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定與所述初始溫度的差值最小的第一溫度以及所述第一溫度對應的第一相位偏置點;

所述第二確定模塊還包括計算子模塊以及調整子模塊,其中:

所述計算子模塊,用于計算所述初始溫度與所述第一溫度的溫度差;

所述調整子模塊,用于根據(jù)所述溫度差調整所述第一相位偏置點,得到所述dp-qpsk調制器在所述初始溫度下的初始相位偏置點。

結合本發(fā)明實施例第二方面的第一種可能的實現(xiàn)方式,在本發(fā)明實施例第二方面的第四種可能的實現(xiàn)方式中,所述目標加擾信號為方波電壓信號或方波電流信號。

結合本發(fā)明實施例第二方面、本發(fā)明實施例第二方面的第一種可能的實現(xiàn)方式、本發(fā)明實施例第二方面的第二種可能的實現(xiàn)方式、本發(fā)明實施例第二方面的第三種可能的實現(xiàn)方式或本發(fā)明實施例第二方面的第四種可能的實現(xiàn)方式中,所述裝置還包括生成模塊,其中:

所述生成模塊,用于當檢測到熱串擾系數(shù)為k且加熱功率為p的熱串擾時,生成大小為k*p的反向調節(jié)功率。

本發(fā)明實施例中,通過由硅光材料構成的dp-qpsk調制器中設置的溫度傳感器檢測該dp-qpsk調制器的初始溫度,并確定該dp-qpsk調制器中傳輸?shù)墓庑盘柕哪繕瞬ㄩL,從預先存儲的目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定該dp-qpsk調制器在該初始溫度下的初始相位偏置點,并啟動相位偏置點自鎖定算法,將該初始相位偏置點修正到該dp-qpsk調制器在初始 溫度下的目標相位偏置點。可見,實施本發(fā)明實施例能夠在dp-qpsk調制器上電時確定出在初始溫度下的初始相位偏置點,然后以該初始相位偏置點為基準啟動相位偏置點自鎖定算法進行相位偏置點的修正,這樣能夠快速的鎖定dp-qpsk調制器的相位偏置點,進而加快dp-qpsk調制器的調制進程。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例公開的一種由sip材料構成的dp-qpsk調制器的結構示意圖;

圖2是本發(fā)明實施例公開的一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定方法的流程示意圖;

圖3是本發(fā)明實施例公開的另一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定方法的流程示意圖;

圖4是本發(fā)明實施例公開的一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構示意圖;

圖5是本發(fā)明實施例公開的另一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構示意圖;

圖6是本發(fā)明實施例公開的又一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構示意圖;

圖7是本發(fā)明實施例公開的又一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構示意圖;

圖8是本發(fā)明實施例公開的又一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構示意圖;

圖9是本發(fā)明實施例公開的一種y/q支路的相位偏置點曲線與溫度的對應關系的曲線示意圖;

圖10是本發(fā)明實施例公開的一種y/p支路的相位偏置點曲線與溫度的對應關系的曲線示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例公開了一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定方法及裝置,能夠在dp-qpsk調制器上電時確定出在初始溫度下的初始相位偏置點,然后以該初始相位偏置點為基準啟動相位偏置點自鎖定算法進行相位偏置點的修正,這樣能夠快速的鎖定dp-qpsk調制器的相位偏置點,進而加快dp-qpsk調制器的調制進程。以下分別進行詳細說明。

請參閱圖2,圖2是本發(fā)明實施例公開的一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定方法的流程示意圖。其中,圖2所示的方法可以應用于雙偏振四相移鍵控dp-qpsk調制器中,該dp-qpsk調制器由硅光材料構成,該dp-qpsk調制器中設置有溫度傳感器,且其結構可以如圖1所示,圖1是本發(fā)明實施例公開的一種由sip材料構成的dp-qpsk調制器的結構示意圖,如圖1所示,該由sip材料構成的dp-qpsk調制器與現(xiàn)有的dp-qpsk調制器相比多了一個溫度傳感器,其余結構與現(xiàn)有技術中的dp-qpsk調制器的結構相同,這里不再贅述,且圖1中的dp-qpsk調制器依然通過內部的加熱電阻進行局部加熱的方式實現(xiàn)相位調節(jié)。如圖2所示,該dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定方法可以包括以下步驟:

s201、通過溫度傳感器檢測dp-qpsk調制器的初始溫度,并確定dp-qpsk調制器中傳輸?shù)墓庑盘柕哪繕瞬ㄩL。

本發(fā)明實施例中,具體的,在dp-qpsk調制器上電工作時,將通過溫度傳感器檢測到的dp-qpsk調制器的溫度作為該初始溫度。

s202、從預先存儲的上述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中, 確定dp-qpsk調制器在上述初始溫度下的初始相位偏置點。

本發(fā)明實施例中,dp-qpsk調制器中可以預先存儲有不同波長下溫度與相位偏置點的對應關系,當確定出dp-qpsk調制器中光信號的目標波長后,首先查找到該目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系,然后再根據(jù)上述初始溫度確定出dp-qpsk調制器在上述初始溫度下的初始相位偏置點。

作為一種可選的實施方式,從預先存儲的上述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定dp-qpsk調制器在上述初始溫度下的初始相位偏置點可以包括:

判斷預先存儲的目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中是否存在與上述初始溫度相等的溫度;

當存在與上述初始溫度相等的溫度時,將上述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中與上述初始溫度相等的溫度對應的相位偏置點確定為dp-qpsk調制器在上述初始溫度下的初始相位偏置點。這樣能夠根據(jù)預先存儲的對應關系快速直接的確定出上述初始溫度下的初始相位偏置點。

作為另一種可選的實施方式,從預先存儲的上述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定dp-qpsk調制器在上述初始溫度下的初始相位偏置點也可以包括:

判斷預先存儲的目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中是否存在與上述初始溫度相等的溫度;

當不存在與上述初始溫度相等的溫度時,從上述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定與上述初始溫度的差值最小的第一溫度以及該第一溫度對應的第一相位偏置點;

計算上述初始溫度與第一溫度的溫度差;

根據(jù)溫度差調整第一相位偏置點,得到dp-qpsk調制器在上述初始溫度下的初始相位偏置點。

該可選的實施例中,當上述初始溫度大于上述第一溫度時,可以根據(jù)溫度差與相位步長的對應關系將第一相位偏置點沿相位增大的方向移動對應的相位步長,當上述初始溫度小于上述第一溫度時,可以根據(jù)溫度差與相位步 長的對應關系將第一相位偏置點沿相位減小的方向移動對應的相位步長,能夠實現(xiàn)在未查找到與上述初始溫度相等的溫度時根據(jù)上述初始溫度和與其最接近的溫度的溫度差對該最接近溫度對應的相位偏置點的調整,進而能夠提高確定出的初始相位偏置點的精確度。舉例來說,在光功率不變的情況下,當溫度由第一溫度變化為第二溫度時,相位偏置點移動的總的相位步長為m°,則每1℃的溫差需要移動的相位步長為m°除以第一溫度與第二溫度的溫度差的絕對值。

s203、啟動相位偏置點自鎖定算法,將上述初始相位偏置點修正到dp-qpsk調制器在上述初始溫度下的目標相位偏置點。

本發(fā)明實施例中,上述初始溫度下的目標相位偏置點可以是盡可能靠近在上述初始溫度下的理想相位偏置點的相位偏置點。舉例來說,假設圖1所示的dp-qpsk調制器中y/q支路(y偏振正交支路)相位偏置點曲線與溫度的對應關系如圖9所示,圖9是本發(fā)明實施例公開的一種y/q支路的相位偏置點曲線與溫度的對應關系的曲線示意圖。其中,當溫度分別為0℃、30℃以及60℃時,光功率最低的相位偏置點為對應溫度下的理想相位偏置點。假設圖1所示的dp-qpsk調制器中y/p支路(y偏振同向支路)相位偏置點曲線與溫度的對應關系如圖10所示,圖10是本發(fā)明實施例公開的一種y/p支路的相位偏置點曲線與溫度的對應關系的曲線示意圖。其中,當溫度分別為0℃、30℃以及60℃時,光功率位于最大光功率與最小光功率之間的中間光功率的相位偏置點為對應溫度下的理想相位偏置點。

需要說明的是,本發(fā)明實施例公開的方法主要用于對圖1所示的dp-qpsk調制器中需要進行相位偏置點鎖定的器件進行相位偏置點的鎖定,即在實際應用中,針對圖1所示的dp-qpsk調制器中的每個需要進行相位偏置點鎖定的器件均可以執(zhí)行上述操作以達到快速鎖定對應器件的相位偏置點的目的,且針對該器件的相位調節(jié)是通過與該器件對應的加熱電阻對其進行加熱來實現(xiàn)的。

本發(fā)明實施例中,通過由硅光材料構成的dp-qpsk調制器中設置的溫度傳感器檢測該dp-qpsk調制器的初始溫度,并確定該dp-qpsk調制器中傳輸 的光信號的目標波長,從預先存儲的目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定該dp-qpsk調制器在該初始溫度下的初始相位偏置點,并啟動相位偏置點自鎖定算法,將該初始相位偏置點修正到該dp-qpsk調制器在初始溫度下的目標相位偏置點。可見,實施本發(fā)明實施例能夠在dp-qpsk調制器上電時確定出在初始溫度下的初始相位偏置點,然后以該初始相位偏置點為基準啟動相位偏置點自鎖定算法進行相位偏置點的修正,這樣能夠快速的鎖定dp-qpsk調制器的相位偏置點,進而加快dp-qpsk調制器的調制進程。

請參閱圖3,圖3是本發(fā)明實施例公開的另一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定方法的流程示意圖。其中,圖3所示的方法可以應用于雙偏振四相移鍵控dp-qpsk調制器中,該dp-qpsk調制器由硅光材料構成,該dp-qpsk調制器中設置有溫度傳感器,且其結構可以如圖1所示,該由sip材料構成的dp-qpsk調制器與現(xiàn)有的dp-qpsk調制器相比多了一個溫度傳感器,其余結構與現(xiàn)有技術中的dp-qpsk調制器的結構相同,這里不再贅述,且圖1中的dp-qpsk調制器依然通過內部的加熱電阻進行局部加熱的方式實現(xiàn)相位調節(jié)。如圖3所示,該dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定方法可以包括以下步驟:

步驟s301-步驟s303與圖2對應實施例中的步驟s201-步驟s203對應相同,詳情請參照針對圖2的實施例的描述,本發(fā)明實施例不再贅述。

s304、通過上述溫度傳感器檢測dp-qpsk調制器在預設時間段內的目標溫度變化速率。

本發(fā)明實施例中,上述溫度傳感器可以實時檢測dp-qpsk調制器的溫度變化,且該目標溫度變化速率等于在該預設時間段內溫度的變化量與該預設時間段的比值。

s305、根據(jù)預先獲取到的溫度變化速率與加擾信號以及偏移步長的對應關系,確定上述目標溫度變化速率對應的目標加擾信號以及目標偏移步長。

可選的,該目標加擾信號可以為方波電壓信號,也可以為方波電流信號,本發(fā)明實施例不做限定,其中,溫度變化速率與加擾信號以及偏移步長的對 應關系中的加擾信號以及偏移步長均是由加熱電阻的加熱功率進行控制的。

本發(fā)明實施例中,當上述目標溫度變化速率比較快時,上述目標溫度變化速率對應的目標加擾信號的幅度值越大,且上述目標溫度變化速率對應的目標偏移步長就越大,當上述目標溫度變化速率比較慢時,上述目標溫度變化速率對應的目標加擾信號的幅度值越小,且上述目標溫度變化速率對應的目標偏移步長就越小,這樣能夠實現(xiàn)相位偏置點的追蹤速度隨著溫度的變化而變化。

s306、將上述目標加擾信號以及上述目標偏移步長確定為上述相位偏置點自鎖定算法的輸入?yún)?shù),確定dp-qpsk調制器在當前溫度下的穩(wěn)定相位偏置點。

需要說明的是,本發(fā)明實施例公開的方法主要用于對圖1所示的dp-qpsk調制器中需要進行相位偏置點鎖定的器件進行相位偏置點的鎖定,即在實際應用中,針對圖1所示的dp-qpsk調制器中的每個需要進行相位偏置點鎖定的器件均可以執(zhí)行上述操作以達到快速鎖定對應器件的相位偏置點的目的,且針對該器件的相位調節(jié)是通過與該器件對應的加熱電阻對其進行加熱來實現(xiàn)的。

在一個可選的實施例中,該dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定方法還可以包括以下操作:

當檢測到熱串擾系數(shù)為k且加熱功率為p的熱串擾時,生成大小為k*p的反向調節(jié)功率。

具體的,在對dp-qpsk調制器中需要進行相位偏置點鎖定的兩個器件進行相位調節(jié)進而實現(xiàn)相位偏置點的快速鎖定時,由于兩個器件的距離較近,在其中一個器件通過其加熱電阻加熱進行相位調節(jié)時,該其中一個器件的加熱電阻會對另一個器件造成熱串擾,這影響了另一個器件的加熱功率,由于在溫度變化時加擾信號以及偏移步長均是由加熱電阻的加熱功率進行控制的,這會導致另一個器件的相位偏置點的移動,該可選的實施例通過生成大小為k*p的反向調節(jié)功率的方式能夠抵消掉或盡可能降低其中一個器件對另一個器件的干擾,這樣能夠提高鎖定的相位偏置點的精確度。

可見,實施本發(fā)明實施例不僅能夠實現(xiàn)相位偏置點的快速跟蹤與鎖定,而且還能夠提高確定出的相位偏置點的精確度,使鎖定的相位偏置點盡可能的靠近對應溫度下的穩(wěn)定相位偏置點。

請參閱圖4,圖4是本發(fā)明實施例公開的一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構示意圖。其中,圖4所示的裝置可以應用于雙偏振四相移鍵控dp-qpsk調制器中,該dp-qpsk調制器由硅光材料構成,該dp-qpsk調制器中設置有溫度傳感器,且其結構可以如圖1所示,該由sip材料構成的dp-qpsk調制器與現(xiàn)有的dp-qpsk調制器相比多了一個溫度傳感器,其余結構與現(xiàn)有技術中的dp-qpsk調制器的結構相同,這里不再贅述,且圖1中的dp-qpsk調制器依然通過內部的加熱電阻進行局部加熱的方式實現(xiàn)相位調節(jié)。如圖4所示,該dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置可以包括檢測模塊401、第一確定模塊402、第二確定模塊403以及鎖定模塊404,其中:

檢測模塊401,用于通過溫度傳感器檢測dp-qpsk調制器的初始溫度。

本發(fā)明實施例中,檢測模塊401在檢測出dp-qpsk調制器的初始溫度后,將該初始溫度發(fā)送至第二確定模塊403。

第一確定模塊402,用于確定dp-qpsk調制器中傳輸?shù)墓庑盘柕哪繕瞬ㄩL。

本發(fā)明實施例中,第一確定模塊402在確定出目標波長后,將該目標波長發(fā)送至第二確定模塊403。

第二確定模塊403,用于從預先存儲的上述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定dp-qpsk調制器在上述初始溫度下的初始相位偏置點。

鎖定模塊404,用于啟動相位偏置點自鎖定算法,將上述初始相位偏置點修正到dp-qpsk調制器在上述初始溫度下的目標相位偏置點。

在一個可選的實施例中,檢測模塊401還可以用于在鎖定模塊404啟動相位偏置點自鎖定算法,將上述初始相位偏置點修正到dp-qpsk調制器在上述初始溫度下的目標相位偏置點之后,通過上述溫度傳感器檢測dp-qpsk調制器在預設時間段內的目標溫度變化速率。

在該可選的實施例中,該dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置還可以包括第三確定模塊405,此時,該dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構可以如圖5所示,圖5是本發(fā)明實施例公開的另一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構示意圖。其中:

第三確定模塊405,用于根據(jù)預先獲取到的溫度變化速率與加擾信號以及偏移步長的對應關系,確定上述目標溫度變化速率對應的目標加擾信號以及目標偏移步長,將該目標加擾信號以及該目標偏移步長確定為上述相位偏置點自鎖定算法的輸入?yún)?shù),確定dp-qpsk調制器在當前溫度下的穩(wěn)定相位偏置點。

進一步可選的,第二確定模塊403可以包括判斷子模塊4031、確定子模塊4032、計算子模塊4033以及調整子模塊4034,此時,該dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構可以如圖6所示,圖6是本發(fā)明實施例公開的又一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構示意圖。其中:

判斷子模塊4031用于判斷預先存儲的目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中是否存在與上述初始溫度相等的溫度。

確定子模塊4032用于當判斷子模塊4031的判斷結果為是時,將上述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中與上述初始溫度相等的溫度對應的相位偏置點確定為dp-qpsk調制器在上述初始溫度下的初始相位偏置點。

確定子模塊4032還可以用于當判斷子模塊4031的判斷結果為否時,從上述目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定與上述初始溫度的差值最小的第一溫度以及該第一溫度對應的第一相位偏置點。

計算子模塊4033用于計算上述初始溫度與第一溫度的溫度差。

調整子模塊4034用于根據(jù)計算子模塊4033計算出的溫度差調整第一相位偏置點,得到dp-qpsk調制器在上述初始溫度下的初始相位偏置點。

在另一個可選的實施例中,檢測模塊401還可以用于檢測是否存在熱串擾,第一確定模塊402還可以用于在檢測模塊401檢測到存在熱串擾時,確定該熱串擾的熱串擾系數(shù)為k以及加熱功率為p,且在圖6所示的裝置結構基礎上,該dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置還可以包括生成模塊406,此 時,該dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構可以如圖7所示,圖7是本發(fā)明實施例公開的又一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構示意圖。其中:

生成模塊406用于生成大小為k*p的反向調節(jié)功率。

可選的,上述目標加擾信號可以為方波電壓信號,也可以為方波電流信號,本發(fā)明實施例不做限定。

可見,實施本發(fā)明實施例不僅能夠實現(xiàn)相位偏置點的快速跟蹤與鎖定,而且還能夠提高確定出的相位偏置點的精確度,使鎖定的相位偏置點盡可能的靠近對應溫度下的穩(wěn)定相位偏置點。

請參閱圖8,圖8是本發(fā)明實施例公開的又一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置的結構示意圖。其中,圖8所示的裝置可以應用于雙偏振四相移鍵控dp-qpsk調制器中,該dp-qpsk調制器由硅光材料構成,該dp-qpsk調制器中設置有溫度傳感器,且其結構可以如圖1所示,該由sip材料構成的dp-qpsk調制器與現(xiàn)有的dp-qpsk調制器相比多了一個溫度傳感器,其余結構與現(xiàn)有技術中的dp-qpsk調制器的結構相同,這里不再贅述,且圖1中的dp-qpsk調制器依然通過內部的加熱電阻進行局部加熱的方式實現(xiàn)相位調節(jié)。如圖8所示,該dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定裝置可以包括:存儲器801、至少一個處理器802(如cpu)以及至少一個通信總線803,存儲器801可以是高速ram存儲器,也可以是非易失性存儲器(non-volatilememory),如至少一個磁盤存儲器,可選的,存儲器801還可以是至少一個位于遠離前述處理802的存儲裝置。其中:

通信總線803用于實現(xiàn)這些組件之間的連接通信。

存儲器801中存儲一組程序代碼,處理器802調用存儲器801中存儲的程序代碼,用于執(zhí)行以下操作:

通過溫度傳感器檢測dp-qpsk調制器的初始溫度,并確定dp-qpsk調制器中傳輸?shù)墓庑盘柕哪繕瞬ㄩL;

從預先存儲的目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定 dp-qpsk調制器在初始溫度下的初始相位偏置點;

啟動相位偏置點自鎖定算法,將初始相位偏置點修正到dp-qpsk調制器在初始溫度下的目標相位偏置點。

在一個可選的實施例中,處理器802調用存儲器801中存儲的程序代碼,還用于執(zhí)行以下操作:

通過溫度傳感器檢測dp-qpsk調制器在預設時間段內的目標溫度變化速率;

根據(jù)預先獲取到的溫度變化速率與加擾信號以及偏移步長的對應關系,確定目標溫度變化速率對應的目標加擾信號以及目標偏移步長;

將目標加擾信號以及目標偏移步長確定為相位偏置點自鎖定算法的輸入?yún)?shù),確定dp-qpsk調制器在當前溫度下的穩(wěn)定相位偏置點。

在一個可選的實施例中,處理器802從預先存儲的目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定dp-qpsk調制器在初始溫度下的初始相位偏置點具體方式可以為:

判斷預先存儲的目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中是否存在與初始溫度相等的溫度;

當存在與初始溫度相等的溫度時,將目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中與初始溫度相等的溫度對應的相位偏置點確定為dp-qpsk調制器在初始溫度下的初始相位偏置點。

在一個可選的實施例中,處理器802從預先存儲的目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定dp-qpsk調制器在初始溫度下的初始相位偏置點具體方式也可以為:

判斷預先存儲的目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中是否存在與初始溫度相等的溫度;

當不存在與初始溫度相等的溫度時,從目標波長下溫度與相位偏置點的對應關系中,確定與初始溫度的差值最小的第一溫度以及第一溫度對應的第一相位偏置點;

計算初始溫度與第一溫度的溫度差;

根據(jù)溫度差調整第一相位偏置點,得到dp-qpsk調制器在初始溫度下的初始相位偏置點。

在一個可選的實施例中,處理器802調用存儲器801中存儲的程序代碼,還用于執(zhí)行以下操作:

當檢測到熱串擾系數(shù)為k且加熱功率為p的熱串擾時,生成大小為k*p的反向調節(jié)功率。

可選的,上述目標加擾信號可以為方波電壓信號,也可以為方波電流信號,本發(fā)明實施例不做限定。

可見,實施本發(fā)明實施例不僅能夠實現(xiàn)相位偏置點的快速跟蹤與鎖定,而且還能夠提高確定出的相位偏置點的精確度,使鎖定的相位偏置點盡可能的靠近對應溫度下的穩(wěn)定相位偏置點。

需要說明的是,在上述實施例中,對各個實施例的描述都各有側重,某個實施例中沒有詳細描述的部分,可以參見其他實施例的相關描述。其次,本領域技術人員也應該知悉,說明書中所描述的實施例均屬于優(yōu)選實施例,所涉及的動作和模塊以及子模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。

本發(fā)明實施例方法中的步驟可以根據(jù)實際需要進行順序調整、合并和刪減。

本發(fā)明實施例裝置中的模塊以及子模塊可以根據(jù)實際需要進行合并、劃分和刪減。

本發(fā)明實施例中所述模塊以及子模塊可以通過通用集成電路,例如cpu(centralprocessingunit,中央處理器),或通過asic(applicationspecificintegratedcircuit,專用集成電路)來實現(xiàn)。

本領域普通技術人員可以理解實現(xiàn)上述實施例方法中的全部或部分流程,是可以通過計算機程序來指令相關的硬件來完成,所述的程序可存儲于計算機可讀取存儲介質中,該程序在執(zhí)行時,可包括如上述各方法的實施例的流程。其中,所述的存儲介質可為磁碟、光盤、只讀存儲記憶體(read-onlymemory,rom)或隨機存儲記憶體(randomaccessmemory,ram)等。

以上對本發(fā)明實施例所提供的一種dp-qpsk調制器的相位偏置點的鎖定 方法及裝置進行了詳細介紹,本文中應用了具體實例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想;同時,對于本領域的一般技術人員,依據(jù)本發(fā)明的思想,在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內容不應理解為對本發(fā)明的限制。

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