基于lte模塊的sim卡熱插拔電路及移動(dòng)終端的制作方法
【專利摘要】一種基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路及移動(dòng)終端，該電路包括：LTE模塊；SIM卡座，與所述LTE模塊總線連接，具有第一端口，所述SIM卡座有SIM卡插入和無SIM卡插入時(shí)，該第一端口分別表現(xiàn)為高電平和低電平；電源模塊，與所述LTE模塊連接，為所述LTE模塊供電；檢測(cè)端口，接所述SIM卡座的第一端口；以及控制端口，接所述電源模塊的使能引腳，與所述檢測(cè)端口狀態(tài)關(guān)聯(lián)，輸出控制電平使所述電源模塊開或關(guān)?？刂贫丝谕ㄟ^檢測(cè)端口根據(jù)SIM卡座的指示電平輸出控制電平以控制LTE模塊的電源，當(dāng)SIM未插入時(shí)，將LTE模塊電源切斷，當(dāng)SIM卡插入后，給LTE模塊通電，在SIM卡已經(jīng)接入LTE模塊后再開始上電初始化并進(jìn)入工作狀態(tài)，從而保證了LTE模塊的正常工作。
【專利說明】基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路及移動(dòng)終端

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及移動(dòng)終端領(lǐng)域，具體涉及一種基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路及移動(dòng)終端。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著3G/4G的普及，路由器、網(wǎng)關(guān)等Internet接入設(shè)備選擇LTE(Long TermEvolut1n,長(zhǎng)期演進(jìn))模塊作為一種備用的上行口已經(jīng)成為一種趨勢(shì)，加入LTE功能可以保證在無有線接入的場(chǎng)所也可以方便的實(shí)現(xiàn)Internet共享服務(wù)。
[0003]LTE 是由 3GPP(The 3rd Generat1n Partnership Project)第三代合作伙伴計(jì)劃)組織制定的 UMTS (Universal Mobile Telecommunicat1ns System,通用移動(dòng)通信系統(tǒng))技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的長(zhǎng)期演進(jìn)，直至2010年12月6日國際電信聯(lián)盟把LTE Advanced正式稱為4G。LTE是應(yīng)用于手機(jī)及數(shù)據(jù)卡終端的高速無線通訊標(biāo)準(zhǔn)，此方案中主要用LTE作為一個(gè)子模塊給系統(tǒng)提供一種上行方式。
[0004]SIM卡是(Subscriber Identity Module,客戶識(shí)別模塊)的縮寫，也稱為用戶身份識(shí)別卡、智能卡，它在一電腦芯片上存儲(chǔ)了數(shù)字移動(dòng)電話客戶的信息，加密的密鑰以及用戶的電話簿等內(nèi)容，可供GSM(Global System for Mobile Communicat1n,全球移動(dòng)通信系統(tǒng))網(wǎng)絡(luò)客戶身份進(jìn)行鑒別，并對(duì)客戶通話時(shí)的語音信息進(jìn)行加密，此方案中主要用于LTE用戶注冊(cè)。通常情況下LTE模塊都必須帶SIM進(jìn)行身份注冊(cè)，而SIM若需要頻繁更換，系統(tǒng)需要支持熱插拔功能，而LTE模塊卻又不支持熱拔插功能。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]基于此，有必要提供一種可支持SIM卡熱拔插的基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路。
[0006]本實(shí)用新型提供一種基于LTE模塊的SM卡熱插拔電路，包括:
[0007]LTE 模塊；
[0008]SIM卡座，與所述LTE模塊總線連接，具有第一端口，所述SM卡座有SM卡插入和無SIM卡插入時(shí)，該第一端口分別表現(xiàn)為高電平和低電平；
[0009]電源模塊，與所述LTE模塊連接，為所述LTE模塊供電；
[0010]檢測(cè)端口，接所述SIM卡座的第一端口 ；以及
[0011]控制端口，接所述電源模塊的使能引腳，與所述第一端口狀態(tài)關(guān)聯(lián)，輸出控制電平使所述電源模塊開或關(guān)。
[0012]進(jìn)一步地，還包括開關(guān)模塊，所述開關(guān)模塊包括第一三極管、第一電阻和第二電阻，所述第一三極管為PNP型三極管，所述第一三極管的基極接所述SIM卡座的CD引腳，集電極接地，發(fā)射極通過所述第一電阻接電源，通過所述第二電阻接地，并接所述電源模塊的使能引腳。
[0013]在另一個(gè)實(shí)施例中，所述開關(guān)模塊包括第二三極管、第三電阻和第四電阻，所述第二三極管為PNP型三極管，所述第二三極管的基極接所述檢測(cè)端口，集電極接地，發(fā)射極通過所述第四電阻接所述控制端口，所述控制端口還通過所述第三電阻接電源。
[0014]進(jìn)一步地，還包括具有兩個(gè)以上I/O 口的ARM主控芯片，其中一個(gè)I/O 口接所述檢測(cè)端口，另一個(gè)I/o 口接所述控制端口。
[0015]進(jìn)一步地，所述ARM主控芯片的型號(hào)為BCM4708。
[0016]進(jìn)一步地，所述電源模塊為DC-DC開關(guān)電源。
[0017]進(jìn)一步地，所述DC-DC開關(guān)電源的型號(hào)為SY8120B。
[0018]進(jìn)一步地，所述LTE模塊為高通3G/4G上行解決方案。
[0019]進(jìn)一步地，所述高通3G/4G上行解決方案的型號(hào)為L(zhǎng)UA20。
[0020]此外，還提供了一種移動(dòng)終端，包括上述的基于LTE模塊的SM卡熱插拔電路。[0021 ] 上述基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路主要用到電源模塊在電平信號(hào)的控制下實(shí)現(xiàn)enable (使能)/disable (失效)功能,控制端口通過關(guān)聯(lián)檢測(cè)端口根據(jù)SIM卡座的指示電平輸出控制電平以控制LTE模塊的電源，當(dāng)SM未插入時(shí)，將LTE模塊電源切斷，當(dāng)SM卡插入后，給LTE模塊通電，此時(shí)雖然LTE模塊本身不支持熱插拔，但是在SM卡已經(jīng)接入LTE模塊后再開始上電初始化并進(jìn)入工作狀態(tài)，從而保證了 LTE模塊的正常工作。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例中基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路的電路示意圖；
[0023]圖2為本實(shí)用新型第二實(shí)施例中基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路的電路示意圖；
[0024]圖3為本實(shí)用新型第三實(shí)施例中基于LTE模塊的SM卡熱插拔電路的電路示意圖。
[0025]圖4為本實(shí)用新型第四實(shí)施例中基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路的電路示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0026]為了使本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0027]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型較佳實(shí)施例中一種基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路，包括:LTE模塊110、SM卡座120、電源模塊130、檢測(cè)端口 GP1l和控制端口 GP102。
[0028]SM卡座120與LTE模塊110總線連接，SM卡座120具有第一端口⑶，SM卡座120有SM卡200插入，該第一端口⑶表現(xiàn)為高電平，SIM卡座120無SM卡200插入時(shí)，該第一端口⑶表現(xiàn)為低電平。電源模塊130與LTE模塊110連接，為L(zhǎng)TE模塊110供電。檢測(cè)端口 GP1l接SIM卡座120的第一端口⑶；控制端口 GP102接電源模塊的使能引腳(圖未示)，與檢測(cè)端口 GP1l狀態(tài)關(guān)聯(lián)，控制端口 GP102根據(jù)SM卡座120的第一端口⑶的電平控制輸出控制電平使電源模塊130開或關(guān)。
[0029]參考圖2，在一種的實(shí)施例中，SM卡熱插拔電路還包括開關(guān)模塊140，利用該開關(guān)模塊檢測(cè)SIM卡座120的第一端口⑶的狀態(tài)，并控制電源模塊130的開或關(guān)。
[0030]在一個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)模塊140包括第一三極管Q1、第一電阻Rl和第二電阻R2,第一三極管Ql為PNP型三極管，第一三極管Ql的基極接檢測(cè)端口 GP1l，第一三極管Ql的集電極接地，第一三極管Ql的發(fā)射極通過第一電阻Rl接電源vcc，且通過第二電阻R2接地，且第一三極管Ql的發(fā)射極接控制端口 GP102。
[0031]參考圖3，在另一個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)模塊140包括第二三極管Q2、第三電阻R3和第四電阻R4，第二三極管Q2為PNP型三極管，第二三極管Q2的基極接檢測(cè)端口 GP1l，第二三極管Q2的集電極接地，第二三極管Q2的發(fā)射極通過第四電阻R4接控制端口 GP102，控制端口 GP102還通過第三電阻R3接電源vcc。
[0032]參考圖4，在另一種實(shí)施例中，SM卡熱插拔電路還包括有兩個(gè)以上I/O 口的ARM主控芯片150，其中一個(gè)I/O 口 Pl接檢測(cè)端口 GP101，另一個(gè)I/O 口 P2接控制端口 GP102。利用ARM主控芯片150檢測(cè)SM卡座120的第一端口⑶的狀態(tài)，并控制電源模塊130的開或關(guān)。ARM主控芯片150可以為BCM4708。
[0033]進(jìn)一步地，電源模塊130為DC-DC開關(guān)電源。其型號(hào)優(yōu)選為SY8120B。
[0034]進(jìn)一步地，LTE模塊110為高通3G/4G上行解決方案。其型號(hào)優(yōu)選為L(zhǎng)UA20。
[0035]結(jié)合附圖2對(duì)基于LTE模塊110的SIM卡200熱插拔電路的原理進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0036]圖中所示SM卡座120的第一端口⑶在SM卡200插入與未插入時(shí)狀態(tài)的不同，再由開關(guān)模塊140整個(gè)LTE模塊110的電源，通過整個(gè)LTE模塊110的重置實(shí)現(xiàn)對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)而言SM卡200的熱插拔功能。通常默認(rèn)情況下未插入SM卡200時(shí)第一端口⑶是保持低電平狀態(tài)，在插入SIM卡200后通第一端口⑶會(huì)被拉高。開關(guān)模塊140的輸入端in接檢測(cè)端口 GI1l檢測(cè)該第一端口⑶的狀態(tài)判斷是否有SIM卡200插入，再通過輸出端out接控制端口 GP102控制LTE模塊110的電源開或者關(guān)。
[0037]當(dāng)SM卡200未插入時(shí)，第一端口⑶保持低電平，第一三極管Ql導(dǎo)通，使得電源模塊130的使能引腳接地，電源模塊130不輸出電壓，LTE模塊110電源切斷；當(dāng)S頂卡200插入后，第一端口⑶被置成高電平，第一三極管Ql不導(dǎo)通，使得電源模塊130的使能引腳接高電平，電源模塊130輸出電壓給LTE模塊110通電，因此，LTE模塊110在SM卡200已經(jīng)接入的情況下，再開始上電初始化并進(jìn)入工作狀態(tài)，從而保證了 LTE模塊110的正常工作。
[0038]此外，還提供了一種移動(dòng)終端，包括上述的基于LTE模塊110的SM卡200熱插拔電路。
[0039]上述基于LTE模塊110的SM卡200熱插拔電路主要用到電源模塊130在電平信號(hào)的控制下實(shí)現(xiàn)enable (使能)/disable (失效)功能,控制端口 GP102通過關(guān)聯(lián)檢測(cè)端口GP1l根據(jù)SIM卡座120的指示電平輸出控制電平以控制LTE模塊110的電源，當(dāng)SIM未插入時(shí)，將LTE模塊110電源切斷，當(dāng)SM卡200插入后，給LTE模塊110通電，此時(shí)雖然LTE模塊110本身不支持熱插拔，但是在SM卡200已經(jīng)接入LTE模塊110后再開始上電初始化并進(jìn)入工作狀態(tài)，從而保證了 LTE模塊110的正常工作。
[0040]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路,其特征在于,包括: LTE模塊； SIM卡座，與所述LTE模塊總線連接，具有第一端口，所述SM卡座有SM卡插入和無SIM卡插入時(shí)，該第一端口分別表現(xiàn)為高電平和低電平； 電源模塊，與所述LTE模塊連接，為所述LTE模塊供電； 檢測(cè)端口，接所述SM卡座的第一端口 ；以及 控制端口，接所述電源模塊的使能引腳，與所述檢測(cè)端口狀態(tài)關(guān)聯(lián)，輸出控制電平使所述電源模塊開或關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路，其特征在于，還包括開關(guān)模塊，所述開關(guān)模塊包括第一三極管、第一電阻和第二電阻，所述第一三極管為PNP型三極管，所述第一三極管的基極接所述檢測(cè)端口，集電極接地，發(fā)射極接所述控制端口，通過所述第一電阻接電源，并通過所述第二電阻接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路，其特征在于，還包括開關(guān)模塊，所述開關(guān)模塊包括第二三極管、第三電阻和第四電阻，所述第二三極管為PNP型三極管，所述第二三極管的基極接所述檢測(cè)端口，集電極接地，發(fā)射極通過所述第四電阻接所述控制端口，所述控制端口還通過所述第三電阻接電源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路，其特征在于，還包括具有兩個(gè)以上I/O 口的ARM主控芯片，其中一個(gè)I/O 口接所述檢測(cè)端口，另一個(gè)I/O 口接所述控制端口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路，其特征在于,所述ARM主控芯片的型號(hào)為BCM4708。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路,其特征在于，所述電源模塊為DC-DC開關(guān)電源。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路，其特征在于，所述DC-DC開關(guān)電源的型號(hào)為SY8120B。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路,其特征在于，所述LTE模塊為高通3G/4G上行解決方案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路，其特征在于，所述高通3G/4G上行解決方案的型號(hào)為L(zhǎng)UA20。
10.一種移動(dòng)終端，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的基于LTE模塊的SIM卡熱插拔電路。
【文檔編號(hào)】H04B1/40GK204119225SQ201420488840
【公開日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月27日
【發(fā)明者】謝平 申請(qǐng)人:深圳市共進(jìn)電子股份有限公司