抗干擾的電容式麥克風(fēng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種抗干擾的電容式麥克風(fēng)，涉及聲電產(chǎn)品【技術(shù)領(lǐng)域】，包括聲電轉(zhuǎn)換模塊，所述聲電轉(zhuǎn)換模塊的一端電連接一場效應(yīng)管的柵極G，所述聲電轉(zhuǎn)換模塊的另一端與所述場效應(yīng)管的源極S短接，所述場效應(yīng)管的漏極D與所述源極S之間并聯(lián)有抗干擾電路，所述抗干擾電路與所述漏極D電連接的一端電連接信號輸出端子，所述抗干擾電路與所述源極S電連接的一端電連接接地端子，所述抗干擾電路包括同時并聯(lián)在所述漏極D和所述源極S之間的電容C1和電容C2，還包括串聯(lián)在所述漏極D與所述信號輸出端子之間的磁珠FB1，及串聯(lián)在所述源極S與所述接地端子之間的磁珠FB2。此麥克風(fēng)抗干擾能力強(qiáng)，聲學(xué)性能好，品質(zhì)更高。
【專利說明】抗干擾的電容式麥克風(fēng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及聲電產(chǎn)品【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種抗干擾的電容式麥克風(fēng)。

【背景技術(shù)】
[0002] 電容式麥克風(fēng)是利用電容大小的變化，將聲音信號轉(zhuǎn)化為電信號，也稱為駐極體 麥克風(fēng)。由于此種麥克風(fēng)的信號內(nèi)阻很大，為了將聲音產(chǎn)生的電壓信號引出來并加以放大， 其輸出端必須使用場效應(yīng)管，故現(xiàn)有的電容式麥克風(fēng)的電路原理圖如圖1所示：包括聲電 轉(zhuǎn)換模塊ECM，聲電轉(zhuǎn)換模塊ECM為麥克風(fēng)中的固定極板和可移動的振膜及其它輔助零件 組成的可變電容器，聲電轉(zhuǎn)換模塊ECM的一端電連接場效應(yīng)管FET的柵極G，聲電轉(zhuǎn)換模組 的另一端接地（即電連接接地端子B)，場效應(yīng)管FET的漏極D電連接信號輸出端子A，場 效應(yīng)管的源極S接地（即電連接接地端子B)。為了降低干擾信號對麥克風(fēng)的影響，減少麥 克風(fēng)的噪音，技術(shù)人員在場效應(yīng)管FET的漏極D和源極S之間并聯(lián)了抗干擾器件C，抗干 擾器件C包括同時并聯(lián)在場效應(yīng)管FET的漏極D和源極S之間的電容C1和電容C2。由 于電容過濾的干擾信號的頻率一般在900MHz?1800MHz之間，然而在麥克風(fēng)的工作環(huán)境 中還存在一些頻率在900MHz?1800MHz之外的干擾信號，如頻率在100MHz?900MHz及 1800MHz?3000MHz之間的干擾信號，現(xiàn)有的電容式麥克風(fēng)的電路根本不能有效濾除掉頻 率在100MHz?900MHz及1800MHz?3000MHz之間的噪聲，而這些干擾信號同樣會使得麥 克風(fēng)產(chǎn)生噪音等不良，降低了電容式麥克風(fēng)的品質(zhì)，嚴(yán)重時影響到麥克風(fēng)的性能。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0003] 本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種抗干擾的電容式麥克風(fēng)，對 100MHz?3000MHz的干擾信號都有較好的濾波效果，聲學(xué)性能更好，品質(zhì)更高。
[0004] 為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：
[0005] -種抗干擾的電容式麥克風(fēng)，包括聲電轉(zhuǎn)換模塊，所述聲電轉(zhuǎn)換模塊的一端電連 接一場效應(yīng)管的柵極G，所述聲電轉(zhuǎn)換模塊的另一端與所述場效應(yīng)管的源極S短接，所述場 效應(yīng)管的漏極D與所述源極S之間并聯(lián)有抗干擾電路，所述抗干擾電路與所述漏極D電連 接的一端電連接信號輸出端子，所述抗干擾電路與所述源極S電連接的一端電連接接地端 子，所述抗干擾電路包括同時并聯(lián)在所述漏極D和所述源極S之間的電容C1和電容C2,還 包括串聯(lián)在所述漏極D與所述信號輸出端子之間的磁珠 FB1，及串聯(lián)在所述源極S與所述接 地端子之間的磁珠 FB2。
[0006] 作為一種實(shí)施方式，所述磁珠 FBI串聯(lián)在所述漏極D與所述電容C1的一端之間， 所述磁珠 FB2串聯(lián)在所述源極S與所述電容C1的另一端之間。
[0007] 作為另一種實(shí)施方式，所述磁珠 FBI串聯(lián)在所述電容C2的一端與所述信號輸出端 子之間，所述磁珠 FB2串聯(lián)在所述電容C2的另一端與所述接地端子之間。
[0008] 其中，所述磁珠 FBI和所述磁珠 FB2的規(guī)格均為100MHz，100 Ω?1800 Ω。
[0009] 其中，所述電容C1和所述電容C2的容值均為10pF?100pF。
[0010] 采用了上述技術(shù)方案后，本實(shí)用新型的有益效果是：
[0011] 由于本實(shí)用新型抗干擾的電容式麥克風(fēng)包括聲電轉(zhuǎn)換模塊，聲電轉(zhuǎn)換模塊電連接 有場效應(yīng)管，場效應(yīng)管電連接有抗干擾電路，抗干擾電路包括同時并聯(lián)在場效應(yīng)管的漏極D 和源極S之間的電容C1和電容C2,還包括串聯(lián)在場效應(yīng)管的漏極D與信號輸出端子間的磁 珠 FB1，及串聯(lián)在場效應(yīng)管的源極S與接地端子之間的磁珠 FB2。電容C1和電容C2可以過濾 掉頻段在900MHz?1800MHz的干擾信號，磁珠 FBI和磁珠 FB2可以過濾掉頻段在100MHz附 近的干擾信號。本實(shí)用新型電容式麥克風(fēng)的抗干擾電路采用電容與磁珠相結(jié)合的結(jié)構(gòu)，不 僅可以過濾掉頻段在900MHz?1800MHz的干擾信號，同時還可以過濾掉頻段在100MHz? 900MHz及1800MHz?3000MHz的干擾信號（如圖4和圖5所示），提高了麥克風(fēng)抗干擾的 能力，降低了不同頻段干擾信號對麥克風(fēng)性能的影響，有效的減少了麥克風(fēng)的噪音，提升了 電容式麥克風(fēng)的品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中電容式麥克風(fēng)的電路原理圖；
[0013] 圖2是本實(shí)用新型抗干擾的電容式麥克風(fēng)實(shí)施例一和實(shí)施例二的電路原理圖；
[0014] 圖3是本實(shí)用新型抗干擾的電容式麥克風(fēng)實(shí)施例三和實(shí)施例四的電路原理圖；
[0015] 圖4是本實(shí)用新型抗干擾的電容式麥克風(fēng)實(shí)施例一和實(shí)施例三的仿真圖；
[0016] 圖5是本實(shí)用新型抗干擾的電容式麥克風(fēng)實(shí)施例二和實(shí)施例四的仿真圖；

【具體實(shí)施方式】
[0017] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0018] 實(shí)施例一：
[0019] 如圖2所不，一種抗干擾的電容式麥克風(fēng)，包括聲電轉(zhuǎn)換模塊ECM，聲電轉(zhuǎn)換模塊 ECM為麥克風(fēng)中的固定極板和可移動的振膜及其它輔助零件組成的等效可變電容器。聲電 轉(zhuǎn)換模塊ECM的一端電連接一場效應(yīng)管FET的柵極G，聲電轉(zhuǎn)換模塊ECM的另一端與場效應(yīng) 管FET的源極S短接。場效應(yīng)管FET的漏極D與源極S之間并聯(lián)有抗干擾電路FB+C，抗干 擾電路FB+C與漏極D電連接的一端電連接信號輸出端子A，抗干擾電路FB+C與源極S電連 接的一端電連接接地端子B?？垢蓴_電路FB+C包括同時并聯(lián)在漏極D與源極S之間的電容 C1和電容C2,還包括串聯(lián)在漏極D與電容C1的一端之間的磁珠 FB1，及串聯(lián)在源極S與電 容C1另一端的磁珠 FB2。
[0020] 在本實(shí)用新型中，磁珠 FBI和磁珠 FB2的取值范圍在100Ω?1800Ω (100MHz)之 間可選，電容C1和電容C2的取值范圍在10pF?100pF。這種電容+磁珠的組合方式，不 僅可以過濾掉頻段為900MHz?1800MHz的干擾信號，同時還可以過濾掉頻段為100MHz? 900MHz的干擾信號。本實(shí)施方式的仿真結(jié)果如圖4所示，其可過濾掉頻段為100MHz? 3000MHz的干擾信號?？梢姳緦?shí)施方式不僅可以過濾掉頻段為900MHz?1800MHz的干擾信 號，同時還可以過濾掉頻段為100MHz?900MHz以及1800MHz?3000MHz的干擾信號，提高 了麥克風(fēng)抗干擾的能力，降低了不同頻段干擾信號對麥克風(fēng)性能的影響，有效的減少了麥 克風(fēng)產(chǎn)生噪音的現(xiàn)象，提升了電容式麥克風(fēng)的品質(zhì)。
[0021] 實(shí)施例二：
[0022] 如圖2所示，本實(shí)施方式與實(shí)施例一基本相同，其不同之處在于：
[0023] 電容C1的容值為33pF，可過濾掉頻段為900MHz的干擾信號；電容C2的容值為 100pF，可過濾掉頻段為1000MHz的干擾信號。故本實(shí)施方式的仿真結(jié)果如圖5所示，其同 樣可過濾掉頻段為100MHz?3000MHz的干擾信號。
[0024] 實(shí)施例三：
[0025] 如圖3所不，本實(shí)施方式與實(shí)施例一基本相同，其不同之處在于：
[0026] 磁珠 FBI串聯(lián)在電容C2的一端與信號輸出端子A之間，磁珠 FB2串聯(lián)在電容C2 的另一端與接地端子B之間。
[0027] 本實(shí)施方式中磁珠 FBI和磁珠 FB2的規(guī)格均為100MHz，100 Ω?1800 Ω ;電容C1 的容值為10pF，可過濾掉頻段為1800MHz的干擾信號；電容C2的容值為33pF，可過濾掉頻 段為900MHz的干擾信號。本實(shí)施方式的仿真結(jié)果如圖4所示，其可過濾掉頻段為100MHz? 3000MHz的干擾信號。
[0028] 實(shí)施例四：
[0029] 如圖3所不，本實(shí)施方式與實(shí)施例三基本相同，其不同之處在于：
[0030] 電容C1的容值為33pF，可過濾掉頻段為900MHz的干擾信號；電容C2的容值為 100pF，可過濾掉頻段為1000MHz的干擾信號。故本實(shí)施方式的仿真結(jié)果如圖5所示，其同 樣可過濾掉頻段為100MHz?3000MHz的干擾信號
[0031] 由上述各實(shí)施例可知，本實(shí)用新型電容式麥克風(fēng)的抗干擾電路采用電容與磁珠相 結(jié)合的結(jié)構(gòu)，不僅可以過濾掉頻段在900MHz?1800MHz的干擾信號，同時還可以過濾掉頻 段在100MHz?900MHz及1800MHz?3000MHz的干擾信號，提高了電容式麥克風(fēng)的抗干擾 能力，降低了不同頻段干擾信號對電容式麥克風(fēng)性能的影響，有效的減少了電容式麥克風(fēng) 的噪音，提升了電容式麥克風(fēng)的品質(zhì)。實(shí)施方案的麥克風(fēng)應(yīng)用于高頻干擾信號源比較復(fù)雜 的環(huán)境下，會比現(xiàn)在普通電路的麥克風(fēng)有更好的抗RF干擾效果。
[0032] 本實(shí)用新型不局限于上述具體的實(shí)施方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從上述構(gòu)思出 發(fā)，不經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動，所作出的種種變換，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 抗干擾的電容式麥克風(fēng)，包括聲電轉(zhuǎn)換模塊，所述聲電轉(zhuǎn)換模塊的一端電連接一場 效應(yīng)管的柵極G，所述聲電轉(zhuǎn)換模塊的另一端與所述場效應(yīng)管的源極S短接，所述場效應(yīng)管 的漏極D與所述源極S之間并聯(lián)有抗干擾電路，所述抗干擾電路與所述漏極D電連接的一 端電連接信號輸出端子，所述抗干擾電路與所述源極S電連接的一端電連接接地端子，其 特征在于，所述抗干擾電路包括同時并聯(lián)在所述漏極D和所述源極S之間的電容C1和電容 C2,還包括串聯(lián)在所述漏極D與所述信號輸出端子之間的磁珠 FB1，及串聯(lián)在所述源極S與 所述接地端子之間的磁珠 FB2。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗干擾的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述磁珠 FBI串聯(lián)在所 述漏極D與所述電容C1的一端之間，所述磁珠 FB2串聯(lián)在所述源極S與所述電容C1的另 一端之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗干擾的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述磁珠 FBI串聯(lián)在所 述電容C2的一端與所述信號輸出端子之間，所述磁珠 FB2串聯(lián)在所述電容C2的另一端與 所述接地端子之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的抗干擾的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述磁珠 FBI和所 述磁珠 FB2的規(guī)格均為100MHz，100 Ω?1800 Ω。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的抗干擾的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述電容C1和所述電 容C2的容值均為10pF?100pF。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗干擾的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述電容Cl的容值為 10pF，所述電容C2的容值為33pF。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗干擾的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述電容Cl的容值為 33pF，所述電容C2的容值為100pF。
【文檔編號】H04R3/00GK203912198SQ201420287805
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月30日
【發(fā)明者】趙志剛, 安春璐 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司