具有安全開機(jī)功能的td-lte下行屏蔽器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種具有安全開機(jī)功能的TD-LTE下行屏蔽器，它包括開機(jī)保護(hù)單元和功能模塊，供電電源通過開機(jī)保護(hù)單元與功能模塊相連，所述的功能模塊包括接收單元、同步信號轉(zhuǎn)換單元、同步信號分析單元、數(shù)字控制中心、干擾信號生成單元、干擾信號增強(qiáng)單元、發(fā)射單元，接收單元順次通過同步信號轉(zhuǎn)換單元、同步信號分析單元、數(shù)字控制中心、干擾信號生成單元、干擾信號增強(qiáng)單元與發(fā)射單元相連。本實用新型具有安全開機(jī)保護(hù)功能，防止瞬時高壓的沖擊，保護(hù)屏蔽器的安全，并能夠增強(qiáng)干擾信號，強(qiáng)化屏蔽功能。
【專利說明】具有安全開機(jī)功能的TD-LTE下行屏蔽器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種具有安全開機(jī)功能的TD-LTE下行屏蔽器。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)今信息時代，通過信息技術(shù)的發(fā)展日新月異，移動通信作為通信家族中的一枝獨秀，更是在人們的生活及工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)各個領(lǐng)域扮演著重要角色，但手機(jī)在給人們生活極大便利的同時，也產(chǎn)生一些不容忽視的問題，由于移動通信網(wǎng)絡(luò)的覆蓋面廣，在有些場合網(wǎng)絡(luò)的出現(xiàn)，手機(jī)的使用反而給人們帶來麻煩，甚至出現(xiàn)安全隱患，故有些場所我們要認(rèn)為破環(huán)或限制這種網(wǎng)絡(luò)，避免移動網(wǎng)絡(luò)帶來的危害，在這種前提下信號屏蔽器應(yīng)運而生。
[0003]在TD-LTE通信系統(tǒng)中，先用的終端信號屏蔽器是干擾特定頻段的網(wǎng)絡(luò)信號，沒有分時干擾控制，用戶無法接受信號也不能呼出，而干擾信號強(qiáng)度固定，干擾范圍不便控制。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種具有安全開機(jī)功能的TD-LTE下行屏蔽器，具有安全開機(jī)保護(hù)功能，防止瞬時高壓的沖擊，保護(hù)屏蔽器的安全，并能夠增強(qiáng)干擾信號，強(qiáng)化屏蔽功能。
[0005]本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:一種具有安全開機(jī)功能的TD-LTE下行屏蔽器，它包括開機(jī)保護(hù)單元和功能模塊，供電電源通過開機(jī)保護(hù)單元與功能模塊相連，所述的功能模塊包括接收單元、同步信號轉(zhuǎn)換單元、同步信號分析單元、數(shù)字控制中心、干擾信號生成單元、干擾信號增強(qiáng)單元、發(fā)射單元，接收單元順次通過同步信號轉(zhuǎn)換單元、同步信號分析單元、數(shù)字控制中心、干擾信號生成單元、干擾信號增強(qiáng)單元與發(fā)射單元相連。
[0006]所述的開機(jī)保護(hù)單元包括二極管D1、二極管D2、電阻R1、電阻R2和PMOS管，輸入電壓的正極與二極管Dl的陽極相連，二極管Dl的陰極與PMOS管源極相連，PMOS管的柵極分別與二極管D2的陰極、電阻Rl的一端相連，PMOS管的漏極分別與電阻R2的一端、輸出電壓的正極相連，輸入電壓的負(fù)極與輸出電壓的負(fù)極相連，同時輸入電壓的負(fù)極還與二極管D2的陽極、電阻R1、電阻R2相連。
[0007]所述的開機(jī)保護(hù)單元還包括電容Cl、電容C2和電容C3，電容Cl連接于二極管Dl的陰極與二極管D2的陰極之間，電容C2連接于PMOS管的柵極與漏極之間，電容C3連接于輸出電壓兩端。
[0008]所述的干擾信號生成單元包括順次相連的鋸齒波發(fā)生器、鑒相器、環(huán)路濾波器、壓控振蕩器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
[0009]所述的數(shù)字控制中心包括順次相連的識別器、計數(shù)器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
[0010]本實用新型的有益效果是:
[0011](I)具有安全開機(jī)保護(hù)功能，使電壓逐漸上升，防止了瞬時高壓的沖擊，保護(hù)了屏蔽器的安全，延長了屏蔽器的使用壽命。[0012](2)設(shè)置了干擾信號增強(qiáng)單元，增強(qiáng)了產(chǎn)生的干擾信號，加強(qiáng)了屏蔽器的屏蔽效果O
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)框圖；
[0014]圖2為本實用新型開機(jī)保護(hù)單元電路圖。
【具體實施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本實用新型的技術(shù)方案，但本實用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述。
[0016]如圖1所示，一種具有安全開機(jī)功能的TD-LTE下行屏蔽器，它包括開機(jī)保護(hù)單元和功能模塊，供電電源通過開機(jī)保護(hù)單元與功能模塊相連，所述的功能模塊包括接收單元、同步信號轉(zhuǎn)換單元、同步信號分析單元、數(shù)字控制中心、干擾信號生成單元、干擾信號增強(qiáng)單元、發(fā)射單元，接收單元順次通過同步信號轉(zhuǎn)換單元、同步信號分析單元、數(shù)字控制中心、干擾信號生成單元、干擾信號增強(qiáng)單元與發(fā)射單元相連。
[0017]如圖2所示，所述的開機(jī)保護(hù)單元包括二極管Dl、二極管D2、電阻R1、電阻R2和PMOS管，輸入電壓的正極與二極管Dl的陽極相連，二極管Dl的陰極與PMOS管源極相連，PMOS管的柵極分別與二極管D2的陰極、電阻Rl的一端相連，PMOS管的漏極分別與電阻R2的一端、輸出電壓的正極相連，輸入電壓的負(fù)極與輸出電壓的負(fù)極相連，同時輸入電壓的負(fù)極還與二極管D2的陽極、電阻R1、電阻R2相連。
[0018]所述的開機(jī)保護(hù)單元還包括電容Cl、電容C2和電容C3，電容Cl連接于二極管Dl的陰極與二極管D2的陰極之間，電容C2連接于PMOS管的柵極與漏極之間，電容C3連接于輸出電壓兩端。
[0019]所述的干擾信號生成單元包括順次相連的鋸齒波發(fā)生器、鑒相器、環(huán)路濾波器、壓控振蕩器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
[0020]所述的數(shù)字控制中心包括順次相連的識別器、計數(shù)器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
[0021]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)理解本實用新型并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識進(jìn)行改動。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動和變化不脫離本實用新型的精神和范圍，則都應(yīng)在本實用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.具有安全開機(jī)功能的TD-LTE下行屏蔽器，其特征在于:它包括開機(jī)保護(hù)單元和功能模塊，供電電源通過開機(jī)保護(hù)單元與功能模塊相連，所述的功能模塊包括接收單元、同步信號轉(zhuǎn)換單元、同步信號分析單元、數(shù)字控制中心、干擾信號生成單元、干擾信號增強(qiáng)單元、發(fā)射單元，接收單元順次通過同步信號轉(zhuǎn)換單元、同步信號分析單元、數(shù)字控制中心、干擾信號生成單元、干擾信號增強(qiáng)單元與發(fā)射單元相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有安全開機(jī)功能的TD-LTE下行屏蔽器，其特征在于:所述的開機(jī)保護(hù)單元包括二極管D1、二極管D2、電阻R1、電阻R2和PMOS管，輸入電壓的正極與二極管Dl的陽極相連，二極管Dl的陰極與PMOS管源極相連，PMOS管的柵極分別與二極管D2的陰極、電阻Rl的一端相連，PMOS管的漏極分別與電阻R2的一端、輸出電壓的正極相連，輸入電壓的負(fù)極與輸出電壓的負(fù)極相連，同時輸入電壓的負(fù)極還與二極管D2的陽極、電阻R1、電阻R2相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有安全開機(jī)功能的TD-LTE下行屏蔽器，其特征在于:所述的開機(jī)保護(hù)單元還包括電容Cl、電容C2和電容C3，電容Cl連接于二極管Dl的陰極與二極管D2的陰極之間，電容C2連接于PMOS管的柵極與漏極之間，電容C3連接于輸出電壓兩端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有安全開機(jī)功能的TD-LTE下行屏蔽器，其特征在于:所述的干擾信號生成單元包括順次相連的鋸齒波發(fā)生器、鑒相器、環(huán)路濾波器、壓控振蕩器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有安全開機(jī)功能的TD-LTE下行屏蔽器，其特征在于:所述的數(shù)字控制中心包括順次相連的識別器、計數(shù)器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
【文檔編號】H04K3/00GK203813798SQ201420230899
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月7日
【發(fā)明者】張波 申請人:成都福蘭特電子技術(shù)有限公司