一種復(fù)合振膜的制法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種復(fù)合振膜結(jié)構(gòu)之制法，其步驟是先提供由第一上框體與第一下框體所組成的第一組治具，用以定位薄膜基材于其中，并利用位于第一上框體的第一開口而形成第一硬質(zhì)層于薄膜基材的外表面；隨后再提供由第二上框體與第二下框體所組成的第二組治具，用以定位承載有第一硬質(zhì)層的薄膜基材于其中，利用位于第二上框體且面積小于第一開口的第二開口而形成第二硬質(zhì)層于薄膜基材或第一硬質(zhì)層的外表面。由此，本發(fā)明利用第一組治具與第二組治具的框體做為遮蔽，以準(zhǔn)確控制第一硬質(zhì)層與第二硬質(zhì)層的分布區(qū)域，提高復(fù)合振膜結(jié)構(gòu)的制作精確度。
【專利說明】一種復(fù)合振膜的制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及揚聲器領(lǐng)域，特別是一種復(fù)合振膜的制法。
【背景技術(shù)】
[0002]振膜是揚聲器的關(guān)鍵零件，必須要提供足夠的剛性(stiffness)來承受劇烈的反復(fù)運動，以避免非彈性變形或是破裂的問題，同時也需要良好的順性(compliance)來順暢的運動，以提供高清晰的音質(zhì)。因此，良好的振膜必須同時具備高楊氏系數(shù)與低密度的物理特性。目前新一代的振膜是朝向各種新材料的應(yīng)用，例如磁性材料或復(fù)合材料，以及各種復(fù)合結(jié)構(gòu)的趨勢發(fā)展。
[0003]現(xiàn)有的振膜制作方法通常是將硬質(zhì)層覆蓋于振膜的基材上，并未將振膜不同部位所需的物理特性納入考慮，因此仍有改進(jìn)的必要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種能夠精確控制至少兩層不同面積硬質(zhì)層分布區(qū)域的復(fù)合振膜的制法。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種復(fù)合振膜的制法，其包括以下步驟:
a)提供由一個第一上框體與一個第一下框體組成的第一組治具，將一層薄膜基材定位于第一組治具內(nèi)，第一上框體設(shè)有一個第一開口，通過第一開口在薄膜基材外表面形成至少一層第一硬質(zhì)層；
b)提供由一個第二上框體與一個第二下框體組成的第二組治具，將承載有第一硬質(zhì)層的薄膜基材定位于第二組治具內(nèi)，第二上框體設(shè)有一個第二開口，通過第二開口在薄膜基材或第一硬質(zhì)層的外表面形成一層第二硬質(zhì)層。
[0006]優(yōu)選地，薄膜基材的材料為橡膠或塑料的其中一種。
[0007]優(yōu)選地，第一硬質(zhì)層與第二硬質(zhì)層的材料選自鈦、鎳、鈹、類鉆碳、碳化鈦或其組成物。
[0008]優(yōu)選地，第一硬質(zhì)層與第二硬質(zhì)層的形成是采用物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、濺鍍、蒸鍍、噴涂或印刷制程其中的一種。
[0009]優(yōu)選地，步驟a)還包括將薄膜基材進(jìn)行熱壓成型，以形成一個中央圓頂部與一個環(huán)狀懸邊。
[0010]進(jìn)一步優(yōu)選地，步驟a)中將承載有第一硬質(zhì)層的薄膜基材進(jìn)行熱壓成型。
[0011]進(jìn)一步優(yōu)選地，步驟a)中將第一硬質(zhì)層成形于中央圓頂部和環(huán)狀懸邊；步驟b)中將第二硬質(zhì)層成形魚中央圓頂部。
[0012]優(yōu)選地，第二上框體的第二開口的面積小魚第一上框體的第一開口的面積。
[0013]優(yōu)選地，第二組治具采用第一下框體作為第二下框體。
[0014]優(yōu)選地,第一上框體設(shè)有多個第一開口。[0015]由于上述技術(shù)方案運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點:
由于本發(fā)明第一組治具與第二組治具相配合使用，能夠在薄膜基材上精確控制硬質(zhì)層的形成。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]附圖1為本發(fā)明第一實施例的流程圖。
[0017]附圖2為本發(fā)明第一實施例使用第一治具組的立體分解圖。
[0018]附圖3為本發(fā)明第一實施例使用第一治具組的立體組合圖。
[0019]附圖4為本發(fā)明第一實施例完成第一硬質(zhì)層后的立體圖。
[0020]附圖5為附圖4沿4-4線的剖視圖。
[0021]附圖6為承載有第一硬質(zhì)層的薄膜基材完成熱壓成型后的立體圖。
[0022]附圖7為附圖6沿6-6線的剖視圖。
[0023]附圖8為本發(fā)明第一實施例使用第二治具組的立體分解圖。
[0024]附圖9為本發(fā)明第一實施例使用第二治具組的立體組合圖。
[0025]附圖10為附圖9沿8-8線的剖視圖。
[0026]附圖11為薄膜基材同時承載有第一與第二硬質(zhì)層的立體圖。
[0027]附圖12為附圖11沿10-10線的剖視圖。
[0028]附圖13為本發(fā)明第二實施例的流程圖。
[0029]以上附圖中:10、復(fù)合振膜結(jié)構(gòu)；20、第一組治具；21、第一上框體；22、第一下框體；23、第一開口 ；30、第二組治具；31、第二上框體；32、第二下框體；33、第二開口 ；40、薄膜基材；40a、中央圓頂部；40b、環(huán)狀懸邊；41、第一硬質(zhì)層；42、第二硬質(zhì)層；S1?S3，S1TS13
、步驟。
【具體實施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖所示的實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
實施例一:參見附圖1-10所示，一種復(fù)合振膜的制法，包括如圖1所示步驟:
首先，如附圖2所示，本實施例的步驟SI是提供由一個第一上框體21與一個第一下框體22所組成的第一組治具20，其中第一上、下框體21&22中央分別開設(shè)有第一開口 23，因此可以將薄膜基材40定位于第一組治具20，如附圖3所示；之后就可以利用第一開口 23并透過物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、濺鍍、蒸鍍、噴涂或印刷制程等方式以形成第一硬質(zhì)層41于薄膜基材40的外表面，如附圖4、5所示。在本實施例當(dāng)中，薄膜基材40為橡膠或塑料材料所制成，第一硬質(zhì)層41的材料則是選自鈦、鎳、鈹、類鉆碳、碳化鈦或其組成物，而且第一硬質(zhì)層41是設(shè)于薄膜基材40相對的兩側(cè)面。
[0031]完成步驟SI后便可以執(zhí)行步驟S2，將承載有第一硬質(zhì)層41的薄膜基材40進(jìn)行熱壓成型，以形成中央圓頂部40a與環(huán)狀懸邊40b，完成后如附圖6、7所示。
[0032]接著執(zhí)行步驟S3，如第附圖8所示，提供由一個第二上框體31與一個第二下框體32所組成的第二組治具30，其中第二上、下框體31&32中央均開設(shè)有面積小于第一開口 23的第二開口 33，因此可以將承載有第一硬質(zhì)層41的薄膜基材40定位于第二組治具30內(nèi)，如附圖9與附圖10所示，第二下框體32具有容置空間以容納薄膜基材40，且第二開口 33是對準(zhǔn)中央圓頂部40a,而第二上、下框體31&32則遮蔽環(huán)狀懸邊40b,使本實施例能夠利用第二開口 33并透過物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、濺鍍、蒸鍍、噴涂或印刷制程等方式而形成第二硬質(zhì)層42于薄膜基材40或第一硬質(zhì)層41的外表面，第二硬質(zhì)層42形成在第一硬質(zhì)層41上且大致上覆蓋薄膜基材之中央圓頂部40a，所完成的復(fù)合振膜結(jié)構(gòu)10如第附圖12所示，且第二硬質(zhì)層42的材料可以同樣是選自鈦、鎳、鈹、類鉆碳、碳化鈦或其組成物。
[0033]值得一提的是，本實施例雖然是將第一硬質(zhì)層41與第二硬質(zhì)層42設(shè)于薄膜基材40的兩側(cè)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以輕易變動第一開口 23及第二開口 33的大小、位置與數(shù)量(例如僅在第一上框體與第二上框體設(shè)置第一開口與第二開口)，而使第一硬質(zhì)層41與第二硬質(zhì)層42有不同于前述實施例的分布，包括將第一硬質(zhì)層41與第二硬質(zhì)層42分布在薄膜基材40的兩側(cè)而不相重疊，或是第一硬質(zhì)層41與第二硬質(zhì)層42僅分布在薄膜基材40的同側(cè)，而且第一硬質(zhì)層41與第二硬質(zhì)層42可以視需要而選用不同或相同的材質(zhì)。
[0034]更進(jìn)一步來說，本發(fā)明亦可以在第一上框體設(shè)有多個第一開口，以容納單一個薄膜基材，因而能在前述步驟Si同時形成多個第一硬質(zhì)層于單一個薄膜基材上，之后利用切割技術(shù)而分離形成多個承載有第一硬質(zhì)層的薄膜基材，以達(dá)成自動化生產(chǎn)的目標(biāo)。此外，預(yù)先完成第一硬質(zhì)層后再進(jìn)行熱壓成型將有助于提升剛性，有利于后續(xù)制程的進(jìn)行，而且第一硬質(zhì)層也可以阻隔空氣，提高薄膜基材的耐候性與抗腐蝕性。一般而言，第二硬質(zhì)層的厚度將大于第一硬質(zhì)層，以提高中央圓頂部的剛性，提升高頻的支撐性。
[0035]實施例二:參見附圖13所示，本實施例與實施例一基本相同，不同之處在于:本實施例的步驟Sll是先將薄膜基材進(jìn)行熱壓成型以形成中央圓頂部與環(huán)狀懸邊，之后再進(jìn)行步驟S12第一硬質(zhì)層的成形作業(yè)，最后進(jìn)行S13來完成第二硬質(zhì)層的成形作業(yè)，同樣可以生產(chǎn)出與第一實施例相同的復(fù)合振膜結(jié)構(gòu)10。
[0036]值得一提的是，由于本實施例是預(yù)先將薄膜基材進(jìn)行熱壓成型，因此在情況允許時(例如第二硬質(zhì)層不會形成在薄膜基材底面時)，可以直接讓第二組治具共享第一組治具的第一下框體來做為第二下框體使用。
[0037]上述實施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種復(fù)合振膜的制法，其包括以下步驟: a)提供由一個第一上框體與一個第一下框體組成的第一組治具，將一層薄膜基材定位于所述第一組治具內(nèi)，所述第一上框體設(shè)有一個第一開口，通過所述第一開口在所述薄膜基材外表面形成至少一層第一硬質(zhì)層； b)提供由一個第二上框體與一個第二下框體組成的第二組治具，將承載有所述第一硬質(zhì)層的所述薄膜基材定位于所述第二組治具內(nèi)，所述第二上框體設(shè)有一個第二開口，通過所述第二開口在所述薄膜基材或所述第一硬質(zhì)層的外表面形成一層第二硬質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合振膜的制法，其特征在于:所述薄膜基材的材料為橡膠或塑料的其中一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合振膜的制法，其特征在于:所述第一硬質(zhì)層與所述第二硬質(zhì)層的材料選自鈦、鎳、鈹、類鉆碳、碳化鈦或其組成物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合振膜的制法，其特征在于:所述第一硬質(zhì)層與所述第二硬質(zhì)層的形成是采用物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、濺鍍、蒸鍍、噴涂或印刷制程其中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合振膜的制法，其特征在于:步驟a)還包括將所述薄膜基材進(jìn)行熱壓成型，以形成一個中央圓頂部與一個環(huán)狀懸邊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種復(fù)合振膜的制法，其特征在于:步驟a)中將承載有所述第一硬質(zhì)層的所述薄膜基材進(jìn)行熱壓成型。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6中任一項所述的一種復(fù)合振膜的制法，其特征在于:步驟a)中將所述第一硬質(zhì)層成形于所述中央圓頂部和所述環(huán)狀懸邊；步驟b)中將所述第二硬質(zhì)層成形魚所述中央圓頂部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合振膜的制法，其特征在于:所述第二上框體的第二開口的面積小魚所述第一上框體的第一開口的面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合振膜的制法，其特征在于:所述第二組治具采用所述第一下框體作為所述第二下框體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合振膜的制法，其特征在于:所述第一上框體設(shè)有多個第一開口。
【文檔編號】H04R31/00GK103945318SQ201410140369
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年4月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月9日
【發(fā)明者】楊宸貿(mào), 林晴嵐, 陳柏昱, 謝易霖 申請人:美特科技(蘇州)有限公司