一種分頻式平板耳的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種分頻式平板耳機，包括兩個平板式揚聲器，所述平板式揚聲器包括周緣被固定在框架上的振膜，以及與該振膜上所敷有的音圈位置對置的永磁體，其特征在于：所述平板式揚聲器上的線圈由至少兩個子線圈構(gòu)成；另外，所述平板耳機還包括有一分頻電路，所述平板式揚聲器的子線圈分別電性連接在所述分頻電路的不同輸出端上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：通過設(shè)置分頻電路，并在振膜上設(shè)置多分別電性連接在分頻電路的不同輸出端上子線圈，由此多個子線圈組合構(gòu)成的揚聲器振膜線圈，且各子線圈分別負責不同的頻率，通過控制子線圈的位置、長度、面積和分頻點來控制聲音特性，達到了良好的發(fā)聲效果。
【專利說明】一種分頻式平板耳機
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及耳機【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種分頻式平板耳機。
【背景技術(shù)】
[0002]平板式耳機結(jié)合了動圈耳機和靜電耳機兩者的優(yōu)點，在低頻方面相比靜電式擁有更好的表現(xiàn)，并且在高頻方面也強于動圈式。其核心的揚聲器的結(jié)構(gòu)通常為在磁軛上并列配置有多個條狀永磁體，相對于這些永磁體的磁極面平行配置有振膜，在振膜上的與永磁體對置的位置設(shè)置有線圈。線圈內(nèi)部流動的電流與由永磁體生成的磁場正交，如此，通過在線圈中流通交流電流，線圈即產(chǎn)生遵從法拉第定律的力，在該力的作用下振膜在垂直方向上振動，該交流電流信號被變換為聲音信號。參見圖1，其為一個典型的平板揚聲器振膜結(jié)構(gòu)，包括周緣被框架2支撐的振膜1，振膜I上的線圈與導線3電連接。
[0003]現(xiàn)有的平板耳機都是全頻揚聲器單元，由于揚聲器單元自身的能力與結(jié)構(gòu)限制，難以覆蓋全部頻段，造成回放不理想。目前尚無一種分頻式的平板耳機。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的缺點，提出一種分頻式平板耳機，通過設(shè)置分頻電路，并在振膜上設(shè)置多分別電性連接在分頻電路的不同輸出端上子線圈，由此多個子線圈組合構(gòu)成的揚聲器振膜線圈，且各子線圈分別負責不同的頻率，通過控制子線圈的位置、長度、面積和分頻點來控制聲音特性，達到了良好的發(fā)聲效果。
[0005]為了達到上述發(fā)明目的，本發(fā)明提出的一種分頻式平板耳機，是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
[0006]一種分頻式平板耳機，包括兩個平板式揚聲器，所述平板式揚聲器包括周緣被固定在框架上的振膜，以及與該振膜上所敷有的音圈位置對置的永磁體，其特征在于:所述平板式揚聲器上的線圈由至少兩個子線圈構(gòu)成；另外，所述平板耳機還包括有一分頻電路，所述平板式揚聲器的子線圈分別電性連接在所述分頻電路的不同輸出端上。
[0007]所述線圈由的第一子線圈和第二子線圈構(gòu)成，所述第一子線圈和第二子線圈在所述振膜所在平面上的投影不重合。
[0008]所述第一子線圈由第一導體材料規(guī)則布線形成，所述第二子線圈由第二導體材料規(guī)則布線形成，且所述第一子線圈和第二子線圈在所述振膜所在平面上的投影不重合；所述第二導體材料選自金和鉬中的一種；在所述振膜所在平面，相同投影面積的第一子線圈質(zhì)量為第二子線圈的2-30倍。
[0009]所述第一子線圈形成于所述振膜的一側(cè)表面上，所述第二子線圈形成于所述振膜的另一側(cè)表面上。
[0010]所述第一子線圈和第二子線圈均形成于所述振膜的同一面上。
[0011]所述第一導體的材料選自碳、銅、鋁、銀、銅合金和鋁合金中的一種。
[0012]所述第一子線圈長度為第二子線圈長度的30%_300%，且第一子線圈的投影面積為第二子線圈的投影面積30%-300% ;相同投影面積的第一子線圈的質(zhì)量為第二子線圈的
2-20 倍。
[0013]所述第一子線圈長度為第二子線圈長度的50%_200%，且第一子線圈的投影面積為第二子線圈的投影面積50%-200% ;相同投影面積的第一子線圈的質(zhì)量為第二子線圈的5-10 倍。
[0014]所述音圈繞所述振膜的中心旋轉(zhuǎn)對稱，所述第一子線圈和第二子線圈均呈迂回曲折的蛇形結(jié)構(gòu)。
[0015]所述第一導體為鋁，所述第二導體為金，所述第一子線圈的厚度為0.3-10微米，所述第二子線圈的厚度為50-1000納米，所述第二子線圈和第一子線圈均通過氣相或液相沉積在所述振膜表面獲得。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:通過設(shè)置分頻電路，并在振膜上設(shè)置多分別電性連接在分頻電路的不同輸出端上子線圈，由此多個子線圈組合構(gòu)成的揚聲器振膜線圈，且各子線圈分別負責不同的頻率，通過控制子線圈的位置、長度、面積和分頻點來控制聲音特性，達到了良好的發(fā)聲效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]通過下面結(jié)合附圖對其示例性實施例進行的描述，本發(fā)明上述特征和優(yōu)點將會變得更加清楚和容易理解。
[0018]圖1為現(xiàn)有平板揚聲器振膜結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明實施例振膜第一表面部分結(jié)構(gòu)意圖；
[0020]圖3為本發(fā)明實施例振膜第二表面部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為本發(fā)明實施例耳機結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖5為本發(fā)明實施例耳機原理示意圖。
【具體實施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳細說明，以便于同行業(yè)技術(shù)人員的理解:
[0024]如圖1-5所示，標號分別表示:
[0025]振膜1、框架2、導線3、第一子線圈4、第二子線圈5、頭帶6、左耳罩7、右耳罩8、分頻電路9、功率放大電路10。
[0026]參見圖2-3所示，本實施例1首先提出一種平板式耳機，具有頭帶6、設(shè)于頭帶6兩端的左耳罩7和右耳罩8、置于左右耳罩中的平板式揚聲器。平板式揚聲器的結(jié)構(gòu)與常規(guī)平板揚聲器結(jié)構(gòu)相同的是，包括一個固定在框架2上的振膜1，以及與所述振膜I上線圈位置對置的永磁體。永磁體可設(shè)于振膜I的兩側(cè)(推挽式)或僅設(shè)于一側(cè)(單極式)。由于這種結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域技術(shù)人員習見技術(shù)，且并不屬于本發(fā)明的設(shè)計要點，故在此不再贅述。
[0027]振膜I的形狀為圓形，其周緣被固定在框架2上，所述振膜I上設(shè)置有線圈，框架2上還設(shè)有與線圈電連接的導線3。不同于現(xiàn)有平板耳機振膜的是，所述線圈由第一子線圈4和第二子線圈5組合構(gòu)成。第一子線圈4設(shè)置在振膜I的第一表面上，第二子線圈5設(shè)置在相對第一表面的第二表面上。其中:
[0028]第二子線圈5由第二導體材料規(guī)則布線形成，并設(shè)于所述振膜I的中心位置。第二子線圈5呈迂回曲折的蛇形結(jié)構(gòu)。在本實施例中，第二導體材料為金，第二子線圈5是在振膜的第二表面上通過氣相或液相沉積獲得，第二子線圈5的厚度應(yīng)當是盡可能的均勻的。顯然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當了解，該第二子線圈5也可以通過現(xiàn)有技術(shù)中其它能夠在振膜上形成導體層的技術(shù)來獲取。
[0029]第一子線圈4由第一導體材料規(guī)則布線形成。在本實施例中，第一導體的材料為鋁，第一子線圈4同樣可以通過氣相或液相沉積在振膜I表面獲得，同時厚度也是盡可能的均勻。和第二子線圈5的結(jié)構(gòu)相同，兩個第一子線圈45同樣呈迂回曲折的蛇形結(jié)構(gòu)，兩個第一子線圈4設(shè)于所述第二子線圈5的兩側(cè)，且所述第一子線圈4和第二子線圈5在振膜I所在平面上的投影并不重合，總體上大致基本均勻的布設(shè)在振膜I上。同時，由第一子線圈4和第二子線圈5構(gòu)成的音圈總成繞所述振膜I的中心旋轉(zhuǎn)對稱。
[0030]這樣設(shè)計的目的是，在平板揚聲器設(shè)計中，線圈質(zhì)量對于揚聲器發(fā)聲效果有直接的影響，當音圈較重時，會使高頻響應(yīng)低落，而使高音域的共振周波數(shù)低落，而且當振動質(zhì)量大時，由于慣性較大，使聲音的瞬態(tài)特性變差。第二子線圈5采用延展性好的金制成，大幅降低了線圈的質(zhì)量，因此獲得了極好的瞬態(tài)和解析力。而第一子線圈4則采用密度較輕、延展性較差的鋁，以此適當提高線圈總質(zhì)量，在降低瞬態(tài)和高頻特性的同時，提升低頻特性。
[0031]第一子線圈4和第二子線圈5的兩端均通過設(shè)于框架2上的導線3引出。另外，本實施例中耳機還包括有分頻電路9，第一子線圈4和第二子線圈5的兩端分別電性連接在所述分頻電路的不同輸出端上。其中第二子線圈5連接在分頻電路9的中、高音信號輸出端上，用于回放中、高音；而第一子線圈4則連接在分頻電路9的低頻信號輸出端上，用于回放低頻。
[0032]分頻電路9采用現(xiàn)有的耳機、音箱的分頻電路，分頻電路9的分頻點是根據(jù)第一子線圈4和第二子線圈5的電聲性能及分頻電路9的特點確定。由于分頻電路9的結(jié)構(gòu)以及電連接方式為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知技術(shù)，故在此不再贅述。
[0033]參見圖5所示，音源(如⑶機)輸出的信號源經(jīng)過功率放大電路10放大后進入分頻電路9，分頻電路9將音頻信號分解成高中音和低音，然后分別由高中音和低音通道驅(qū)動第一子線圈4和第二子線圈5，第一子線圈4和第二子線圈5分別負責不同的頻率范圍，由此實現(xiàn)人耳可聽覺的20?20000HZ頻率范圍真實再現(xiàn)。
[0034]在既能保證在振動狀態(tài)下足夠的穩(wěn)定，又盡可能降低線圈質(zhì)量的前提下，所述第一子線圈4的厚度為0.3-10微米，所述第二子線圈5的厚度為50-1000納米。這是由于金的延展性比鋁要高，故第二子線圈5的厚度可相對第一子線圈4薄很多。正是基于此，相同投影面積的第一子線圈4的質(zhì)量要遠高于第二子線圈5，而本發(fā)明的另一發(fā)明目的正是通過控制兩種線圈的長度和面積比例來控制換能器的聲音特性，使低、高頻響應(yīng)以及瞬態(tài)更加均衡。
[0035] 申請人:在經(jīng)過反復(fù)試驗和長時間的研究后發(fā)現(xiàn)，當付出長期艱苦的勞動后發(fā)現(xiàn):
[0036]當在相同投影面積條件下，第一子線圈4的質(zhì)量應(yīng)該控制在第二子線圈5的2-30倍。
[0037]優(yōu)選的，所述第一子線圈4長度為第二子線圈5長度的30%_300%，且第一子線圈4的投影面積為第二子線圈5的投影面積30%-300% ;相同投影面積的第一子線圈4的質(zhì)量為第二子線圈5的2-20倍。
[0038]進一步優(yōu)選的，所述第一子線圈4長度為第二子線圈5長度的50%_200%，且第一子線圈4的投影面積為第二子線圈5的投影面積50%-200% ;相同投影面積的第一子線圈4的質(zhì)量為第二子線圈5的5-10倍。
[0039]以上通過實施例對于本發(fā)明的發(fā)明意圖和實施方式進行詳細說明，但是本發(fā)明所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明以上實施例僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例之一，為篇幅限制，這里不能逐一列舉所有實施方式，任何可以體現(xiàn)本發(fā)明權(quán)利要求技術(shù)方案的實施，都在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
[0040]需要注意的是，以上內(nèi)容是結(jié)合具體的實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的【具體實施方式】僅限于此，在上述實施例的指導下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在上述實施例的基礎(chǔ)上進行各種改進和變形，而這些改進或者變形落在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種分頻式平板耳機，包括兩個平板式揚聲器，所述平板式揚聲器包括周緣被固定在框架上的振膜，以及與該振膜上所敷有的音圈位置對置的永磁體，其特征在于:所述平板式揚聲器上的線圈由至少兩個子線圈構(gòu)成；另外，所述平板耳機還包括有一分頻電路，所述平板式揚聲器的子線圈分別電性連接在所述分頻電路的不同輸出端上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分頻式平板耳機，其特征在于:所述線圈由的第一子線圈和第二子線圈構(gòu)成，所述第一子線圈和第二子線圈在所述振膜所在平面上的投影不重口 ο
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種分頻式平板耳機，其特征在于:所述第一子線圈由第一導體材料規(guī)則布線形成，所述第二子線圈由第二導體材料規(guī)則布線形成，且所述第一子線圈和第二子線圈在所述振膜所在平面上的投影不重合；所述第二導體材料選自金和鉬中的一種；在所述振膜所在平面，相同投影面積的第一子線圈質(zhì)量為第二子線圈的2-30倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種分頻式平板耳機，其特征在于:所述第一子線圈形成于所述振膜的一側(cè)表面上，所述第二子線圈形成于所述振膜的另一側(cè)表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種分頻式平板耳機，其特征在于:所述第一子線圈和第二子線圈均形成于所述振膜的同一面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5任意一項所述的一種分頻式平板耳機，其特征在于:所述第一導體的材料選自碳、銅、鋁、銀、銅合金和鋁合金中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種分頻式平板耳機，其特征在于:所述第一子線圈長度為第二子線圈長度的30%-300%，且第一子線圈的投影面積為第二子線圈的投影面積30%-300% ;相同投影面積的第一子線圈的質(zhì)量為第二子線圈的2-20倍。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種分頻式平板耳機，其特征在于:所述第一子線圈長度為第二子線圈長度的50%-200%，且第一子線圈的投影面積為第二子線圈的投影面積50%-200% ;相同投影面積的第一子線圈的質(zhì)量為第二子線圈的5-10倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種分頻式平板耳機，其特征在于:所述音圈繞所述振膜的中心旋轉(zhuǎn)對稱，所述第一子線圈和第二子線圈均呈迂回曲折的蛇形結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種分頻式平板耳機，其特征在于:所述第一導體為鋁，所述第二導體為金，所述第一子線圈的厚度為0.3-10微米，所述第二子線圈的厚度為50-1000納米，所述第二子線圈和第一子線圈均通過氣相或液相沉積在所述振膜表面獲得。
【文檔編號】H04R9/06GK103763666SQ201410008465
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月4日
【發(fā)明者】邊仿 申請人:海菲曼（天津）科技有限公司