雙磁路電磁揚(yáng)聲器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于電聲產(chǎn)品【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種雙磁路電磁揚(yáng)聲器，包括：振動(dòng)系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)、以及收容固定振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)的外殼；該磁路系統(tǒng)為雙磁路結(jié)構(gòu)，包括盆架、內(nèi)磁鐵、設(shè)置在內(nèi)磁鐵兩側(cè)的邊磁鐵，與內(nèi)磁鐵結(jié)合的內(nèi)華司，與邊磁鐵結(jié)合的邊華司；在盆架的側(cè)部上設(shè)置有用于限制邊磁鐵向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋塊，在盆架的側(cè)邊部上設(shè)有用于限制邊華司向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋柱；邊華司上設(shè)有容置擋柱的邊華司容置槽，和/或邊磁鐵上設(shè)有用于容置擋柱的邊磁鐵容置槽；使用時(shí)，由于盆架上設(shè)置有限制邊磁鐵向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋塊，盆架的側(cè)部上設(shè)有限制邊華司向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋柱，可以保證邊磁鐵、邊華司不會(huì)向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)，保證了產(chǎn)品的磁性能。
【專利說明】雙磁路電磁揚(yáng)聲器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電聲產(chǎn)品【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種雙磁路電磁揚(yáng)聲器。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中的揚(yáng)聲器包括振動(dòng)系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)，以及收各固定振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)的殼體，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中揚(yáng)聲器的磁路系統(tǒng)包括盆架和設(shè)于盆架上的磁鐵，由于磁鐵尺寸有限，產(chǎn)品的磁性能會(huì)受到影響。為了提高產(chǎn)品的磁性能，通常需要增大磁鐵的尺寸，由此出現(xiàn)了雙磁路結(jié)構(gòu)的電磁揚(yáng)聲器，雙磁路結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在盆架中部的內(nèi)磁鐵及設(shè)置在內(nèi)磁鐵兩側(cè)的邊磁鐵，由于邊磁鐵露出于外殼，這樣邊磁鐵的尺寸增大，整個(gè)揚(yáng)聲器的磁路系統(tǒng)的尺寸也增大，雖然提升了產(chǎn)品的磁性能，但這種結(jié)構(gòu)存在的主要缺陷是:由于外殼未包圍邊磁路，內(nèi)磁鐵和邊磁鐵相互吸引，很容易造成邊磁鐵向內(nèi)磁鐵方向移動(dòng)，這樣就會(huì)影響電磁揚(yáng)聲器產(chǎn)品的磁性能。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種雙磁路電磁揚(yáng)聲器，旨在解決現(xiàn)有雙磁路電磁揚(yáng)聲器的邊磁鐵向內(nèi)磁鐵移動(dòng)的問題。
[0004]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種雙磁路電磁揚(yáng)聲器，所述雙磁路電磁揚(yáng)聲器包括振動(dòng)系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)、以及收容固定所述振動(dòng)系統(tǒng)和所述磁路系統(tǒng)的外殼；所述磁路系統(tǒng)為雙磁路結(jié)構(gòu)，包括用于導(dǎo)磁的盆架，設(shè)置在所述盆架中部的內(nèi)磁鐵，設(shè)置在所述內(nèi)磁鐵兩側(cè)的邊磁鐵，所述內(nèi)磁鐵遠(yuǎn)離所述盆架的一側(cè)上結(jié)合有內(nèi)華司，所述邊磁鐵遠(yuǎn)離所述盆架的一側(cè)上結(jié)合有邊華司；在所述盆架的側(cè)部上設(shè)置有用于限制所述邊磁鐵向所述內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋塊，在所述盆架的側(cè)邊部上設(shè)有用于限制所述邊華司向所述內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋柱；所述邊華司上對應(yīng)所述擋柱處設(shè)有用于容置所述擋柱的邊華司容置槽，和/或所述邊磁鐵上對應(yīng)所述擋柱處設(shè)有用于容置所述擋柱的邊磁鐵容置槽。
[0005]作為一種改進(jìn)，所述邊華司容置槽的槽口朝向其長度方向設(shè)置，所述邊華司容置槽呈U形狀。
[0006]作為一種改進(jìn)，所述邊磁鐵容置槽的槽口朝向其長度方向設(shè)置，所述邊磁鐵容置槽呈U形狀。
[0007]作為一種改進(jìn)，所述擋塊設(shè)置在所述邊磁鐵靠近所述內(nèi)磁鐵的側(cè)面處。
[0008]作為一種改進(jìn)，所述擋塊位于所述邊磁鐵的端部，所述邊磁鐵的端部上對應(yīng)所述擋塊處設(shè)有容置所述擋塊的邊磁鐵凹槽。
[0009]作為一種改進(jìn)，所述邊磁鐵凹槽的槽口朝向其長度方向設(shè)置，所述邊磁鐵凹槽呈U形狀。
[0010]作為一種改進(jìn)，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜和結(jié)合于所述振膜下側(cè)的音圈，所述振膜包括球頂部以及繞所述球頂部環(huán)設(shè)的折環(huán)部，在所述折環(huán)部上設(shè)置若干用來增強(qiáng)所述球頂部剛性的折環(huán)部花紋；在所述球頂部的上側(cè)面上結(jié)合有用來增強(qiáng)所述球頂部剛性的球頂加強(qiáng)件。
[0011]由于采用了上述技術(shù)方案，使用本實(shí)用新型提供的雙磁路電磁揚(yáng)聲器時(shí)，由于盆架上設(shè)有用于限制邊磁鐵向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋塊，盆架的側(cè)邊部上設(shè)有用于限制邊華司向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋柱，可以保證邊磁鐵、邊華司不會(huì)向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)，解決了揚(yáng)聲器的邊磁鐵及邊華司向內(nèi)磁鐵移動(dòng)的問題，保證了產(chǎn)品的磁性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的雙磁路電磁揚(yáng)聲器的分解結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的雙磁路電磁揚(yáng)聲器的仰視不意圖；
[0014]圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的雙磁路電磁揚(yáng)聲器的俯視不意圖；
[0015]圖4是沿圖3中A-A線的剖視放大示意圖；
[0016]圖5是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的雙磁路電磁揚(yáng)聲器的立體結(jié)構(gòu)不意圖；
[0017]圖6是圖1中B處局部放大示意圖；
[0018]圖7是圖1中C處局部放大示意圖；
[0019]圖8是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的雙磁路電磁揚(yáng)聲器的分解結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖9是圖8中D處局部放大示意圖；
[0021]圖10是本實(shí)用新型第三實(shí)施例的邊磁鐵的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]其中，10、殼體，101、貫通孔，102、貫通孔，103、容置腔，11、前蓋、111、出聲孔，12、振月旲、121、折環(huán)部，122、球頂部，13、球頂加強(qiáng)件，14、首圈，141、首圈引線，142、首圈引線，15、盆架、151、擋塊，152、擋柱，16、內(nèi)磁鐵，17、內(nèi)華司，18、邊磁鐵，181、邊磁鐵容置槽，182、邊磁鐵凹槽，19、邊華司，191、邊華司容置槽，20、邊磁鐵，201、邊磁鐵容置槽，202、邊磁鐵凹槽，21、邊華司，211、邊華司容置槽，22、電連接件、23、電連接件。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0024]第一實(shí)施例
[0025]由圖1至圖7可知,該雙磁路電磁揚(yáng)聲器包括:振動(dòng)系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)、以及收容固定振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)的外殼10。
[0026]振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜12和結(jié)合于振膜12下側(cè)的音圈14，振膜12包括球頂部122以及繞球頂部122環(huán)設(shè)的折環(huán)部121，為了提升振膜12的高頻聲效，在折環(huán)部121上設(shè)置若干折環(huán)部花紋來增強(qiáng)球頂部122的剛性，在振膜12的上側(cè)面上結(jié)合有剛性的球頂加強(qiáng)件13來增強(qiáng)球頂部122的剛性，音圈14上引出音圈引線141和音圈引線142。
[0027]在本實(shí)施例中，球頂加強(qiáng)件13上設(shè)置有若干橫條來增強(qiáng)球頂加強(qiáng)件13的剛性，該球頂加強(qiáng)件13橫截面呈波浪狀。
[0028]磁路系統(tǒng)為雙磁路結(jié)構(gòu)，包括用于導(dǎo)磁的盆架15，設(shè)置在盆架15中部上的內(nèi)磁鐵16，設(shè)置在盆架15上且分別位于內(nèi)磁鐵16兩側(cè)的邊磁鐵18、邊磁鐵20，其中，內(nèi)磁鐵16遠(yuǎn)離盆架15的一側(cè)上結(jié)合有內(nèi)華司17，邊磁鐵18、邊磁鐵20遠(yuǎn)離盆架15的一側(cè)上分別結(jié)合有邊華司19、邊華司21，內(nèi)華司17、邊華司19、邊華司21均為導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，可以調(diào)整磁力線的方向，在本實(shí)施例中，內(nèi)華司17、邊華司19、邊華司21由金屬片制成，磁路系統(tǒng)形成閉合的磁路，內(nèi)磁鐵16與邊磁鐵18、邊磁鐵20之間形成收容音圈14的磁間隙，磁力線穿過音圈14，音圈14中接通電信號后，音圈14在磁場中受安培力的作用上下振動(dòng)，進(jìn)一步帶動(dòng)振膜12振動(dòng)發(fā)出聲音。
[0029]該外殼10包括環(huán)形的側(cè)壁，在側(cè)壁上正對邊磁鐵18、邊磁鐵20處分別設(shè)有貫通孔102、貫通孔101，邊磁鐵18、邊磁鐵20分別延伸至貫通孔102、貫通孔101中，使邊磁鐵18、邊磁鐵20的一部分直接露出于外殼10的側(cè)壁，這種結(jié)構(gòu)使邊磁鐵18、邊磁鐵20可以占用外殼10側(cè)壁上的空間，從而有效地增大了邊磁鐵18、邊磁鐵20的尺寸，改善了產(chǎn)品的磁性能，提高了產(chǎn)品的靈敏度；外殼10的上側(cè)還蓋設(shè)有前蓋11，該前蓋11上正對振膜12的位置開設(shè)有出聲孔111，前蓋11與外殼10共同圍成揚(yáng)聲器的外圍框架。
[0030]在本實(shí)施例中，外殼10上設(shè)有容置磁路系統(tǒng)的容置腔103，這樣可以有效地縮減整個(gè)揚(yáng)聲器的厚度，有利于產(chǎn)品薄形化。
[0031]由于外殼10未包圍邊磁路，并且內(nèi)磁鐵16與邊磁鐵18、邊磁鐵20之間相互吸引，很容易造成邊磁鐵18、邊磁鐵20向內(nèi)磁鐵16處移動(dòng)，這樣就會(huì)影響產(chǎn)品的磁性能，為了保證產(chǎn)品的磁性能，在盆架15上設(shè)置有用于限制邊磁鐵18、邊磁鐵20向內(nèi)磁鐵16處移動(dòng)的擋塊151，擋塊151設(shè)置在邊磁鐵18、邊磁鐵20靠近內(nèi)磁鐵16的邊緣處；盆架15的側(cè)部上分別設(shè)有用于限制邊華司19、邊華司21向內(nèi)磁鐵16處移動(dòng)的擋柱152，邊華司19、邊華司21上對應(yīng)擋柱152處設(shè)有與其相適配的邊華司容置槽191、邊華司容置槽211，在本實(shí)施例中，盆架15的兩側(cè)上分別設(shè)有兩根擋柱152，邊華司19上設(shè)有兩個(gè)與擋柱152相適配的邊華司容置槽191，邊華司21上設(shè)有兩個(gè)與擋柱152相適配的邊華司容置槽211，該邊華司容置槽211的槽口朝向其長度方向，呈U形狀。這樣就可以保證邊磁鐵18、邊磁鐵20以及邊華司19、邊華司21不會(huì)向內(nèi)磁鐵16處移動(dòng)，保證產(chǎn)品的磁性能。
[0032]在本實(shí)施例中，相應(yīng)的邊磁鐵18上對應(yīng)擋柱152處設(shè)有邊磁鐵容置槽181，該邊磁鐵容置槽181呈直角缺口狀，邊磁鐵20上對應(yīng)擋柱152處設(shè)有邊磁鐵容置槽201，該邊磁鐵容置槽201呈直角缺口狀。
[0033]該雙磁路電磁揚(yáng)聲器還包括與外殼10固定連接的電連接件22、電連接件23，在本實(shí)施例中，電連接件22、電連接件23為彈片結(jié)構(gòu)，但不限于該結(jié)構(gòu)，電連接件22、電連接件23分別與音圈引線142、音圈引線141電連接，在本實(shí)施例中，是通過焊接的方式固定連接的，同時(shí)電連接件22、電連接件23與終端產(chǎn)品的電路電連接，從而實(shí)現(xiàn)終端產(chǎn)品對揚(yáng)聲器信號的控制。
[0034]第二實(shí)施例
[0035]由圖8、圖9可知，該實(shí)施例與第一實(shí)施例基本相同，其不同之處在于:
[0036]擋塊151位于邊磁鐵18、邊磁鐵20的端部，磁鐵18、邊磁鐵20的端部上對應(yīng)擋塊151處設(shè)有容置擋塊151的邊磁鐵凹槽182、邊磁鐵凹槽202，在本實(shí)施例中，邊磁鐵凹槽182、邊磁鐵凹槽202的槽口朝向其長度方向設(shè)置，邊磁鐵凹槽182、邊磁鐵凹槽202呈U形狀，如圖9所示。
[0037]第三實(shí)施例
[0038]由圖10可知，該實(shí)施例與第二實(shí)施例基本相同，其不同之處在于:[0039]邊磁鐵18上用于容置擋柱152的邊磁鐵容置槽181的槽口朝向其長度方向設(shè)置，邊磁鐵容置槽181呈U形狀；邊磁鐵20上用于容置擋柱152的邊磁鐵容置槽201的槽口朝向其長度方向設(shè)置，邊磁鐵容置槽201呈U形狀。
[0040]本實(shí)用新型提供的雙磁路電磁揚(yáng)聲器包括:振動(dòng)系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)、以及收容固定振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)的外殼，該磁路系統(tǒng)為雙磁路結(jié)構(gòu)，包括用于導(dǎo)磁的盆架，設(shè)置在盆架中部的內(nèi)磁鐵,設(shè)置在內(nèi)磁鐵兩側(cè)的邊磁鐵，內(nèi)磁鐵遠(yuǎn)離盆架的一側(cè)上結(jié)合有內(nèi)華司，邊磁鐵遠(yuǎn)離盆架的一側(cè)上結(jié)合有邊華司，在盆架的側(cè)部上設(shè)置有用于限制邊磁鐵向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋塊，在盆架的側(cè)邊部上設(shè)有用于限制邊華司向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋柱，邊華司上對應(yīng)擋柱處設(shè)有用于容置擋柱的邊華司容置槽，邊磁鐵上對應(yīng)擋柱處設(shè)有用于容置擋柱的邊磁鐵容置槽；使用時(shí)，由于盆架上設(shè)置有用于限制邊磁鐵向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋塊，盆架的側(cè)邊部上設(shè)有用于限制邊華司向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋柱，可以保證邊磁鐵、邊華司不會(huì)向內(nèi)磁鐵處移動(dòng)，保證了產(chǎn)品的磁性能。
[0041]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.雙磁路電磁揚(yáng)聲器，所述雙磁路電磁揚(yáng)聲器包括振動(dòng)系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)、以及收容固定所述振動(dòng)系統(tǒng)和所述磁路系統(tǒng)的外殼；所述磁路系統(tǒng)為雙磁路結(jié)構(gòu)，包括用于導(dǎo)磁的盆架，設(shè)置在所述盆架中部的內(nèi)磁鐵，設(shè)置在所述內(nèi)磁鐵兩側(cè)的邊磁鐵，所述內(nèi)磁鐵遠(yuǎn)離所述盆架的一側(cè)上結(jié)合有內(nèi)華司，所述邊磁鐵遠(yuǎn)離所述盆架的一側(cè)上結(jié)合有邊華司，其特征在于: 在所述盆架的側(cè)部上設(shè)置有用于限制所述邊磁鐵向所述內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋塊，在所述盆架的側(cè)邊部上設(shè)有用于限制所述邊華司向所述內(nèi)磁鐵處移動(dòng)的擋柱；所述邊華司上對應(yīng)所述擋柱處設(shè)有用于容置所述擋柱的邊華司容置槽，和/或所述邊磁鐵上對應(yīng)所述擋柱處設(shè)有用于容置所述擋柱的邊磁鐵容置槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙磁路電磁揚(yáng)聲器，其特征在于，所述邊華司容置槽的槽口朝向其長度方向設(shè)置，所述邊華司容置槽呈U形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙磁路電磁揚(yáng)聲器，其特征在于，所述邊磁鐵容置槽的槽口朝向其長度方向設(shè)置，所述邊磁鐵容置槽呈U形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙磁路電磁揚(yáng)聲器，其特征在于，所述擋塊設(shè)置在所述邊磁鐵靠近所述內(nèi)磁鐵的側(cè)面處。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙磁路電磁揚(yáng)聲器，其特征在于，所述擋塊位于所述邊磁鐵的端部，所述邊磁鐵的端部上對應(yīng)所述擋塊處設(shè)有容置所述擋塊的邊磁鐵凹槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙磁路電磁揚(yáng)聲器，其特征在于，所述邊磁鐵凹槽的槽口朝向其長度方向設(shè)置，所述邊磁鐵凹槽呈U形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的雙磁路電磁揚(yáng)聲器，其特征在于，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜和結(jié)合于所述振膜下側(cè)的音圈，所述振膜包括球頂部以及繞所述球頂部環(huán)設(shè)的折環(huán)部，在所述折環(huán)部上設(shè)置若干用來增強(qiáng)所述球頂部剛性的折環(huán)部花紋；在所述球頂部的上側(cè)面上結(jié)合有用來增強(qiáng)所述球頂部剛性的球頂加強(qiáng)件。
【文檔編號】H04R9/02GK203691623SQ201320869472
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月26日
【發(fā)明者】郭翔, 張成飛 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司