復(fù)合振膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種復(fù)合振膜的制作方法，該方法包括以下步驟：提供一硅基材層，將所述硅基材層進(jìn)行等離子處理；將所述硅基材層的上表面進(jìn)行表面活化處理；提供一聚醚醚酮層；將所述硅基材層的上表面與所述聚醚醚酮層熱壓貼合。該復(fù)合振膜有效的提高了產(chǎn)品的聲學(xué)性能。
【專利說(shuō)明】復(fù)合振膜的制作方法
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明涉及一種復(fù)合振膜，特別涉及一種用于電聲器件的復(fù)合振膜的制作方法。【【背景技術(shù)】】
[0002]隨著市場(chǎng)需求的不斷提高，電子器件如手機(jī)等逐漸向薄型化方向發(fā)展，而且要求其聲音質(zhì)量越來(lái)越好，這就要求手機(jī)中的聲學(xué)器件向著微型、薄型、高音質(zhì)的方向發(fā)展。振膜是揚(yáng)聲器等聲學(xué)器件的核心部件，對(duì)其聲學(xué)性能的要求也就隨之提高。
[0003]與本發(fā)明相關(guān)的振膜是用同一材料做成的單層，這種結(jié)構(gòu)使得振膜的強(qiáng)度不高，使得聲學(xué)性能不好。
[0004]因此，有必要提供一種新的振膜來(lái)克服上述缺點(diǎn)。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0005]本發(fā)明需解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種聲學(xué)性能更好的復(fù)合振膜。
[0006]本發(fā)明提供一種復(fù)合振膜的制作方法，該方法包括以下步驟:
[0007]提供一硅基材層，將所述硅基材層進(jìn)行等離子處理；
[0008]將所述硅基材層的上表面進(jìn)行表面活化處理；
[0009]提供一聚醚醚酮層；
[0010]將所述硅基材層的上表面與`所述聚醚醚酮層熱壓貼合。
[0011]本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):由于將硅基材層與所述聚醚醚酮層貼合，硅基材層與聚醚醚酮層都是耐高溫的材料，且兩者的熱膨脹系數(shù)近似，使得硅基材層與聚醚醚酮層比較容易貼合，由此提高了復(fù)合振膜的可靠性，增強(qiáng)了復(fù)合振膜的聲學(xué)性能。
【【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】】
[0012]圖1是本發(fā)明提供的復(fù)合振膜的剖視圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0013]下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0014]如圖1所示，為本發(fā)明提供的一種復(fù)合振膜I，其包括硅基材層和貼合于所述硅基材層11的上表面的聚醚醚酮層12 (PEEK, polyetheretherketone),所述復(fù)合振膜I的制作方法包括如下步驟:
[0015]提供一硅基材層11，將所述硅基材層11進(jìn)行等離子處理；
[0016]將所述硅基材層11的上表面進(jìn)行表面活化處理；
[0017]提供一聚醚醚酮層12 ;
[0018]將所述硅基材層11的上表面與所述聚醚醚酮層12熱壓貼合。
[0019]由于硅與聚醚醚酮都是比較耐高溫的材料，且兩者的熱膨脹系數(shù)近似，比較容易熱壓貼合，因此，采用硅基材層11和聚醚醚酮層12制作的復(fù)合振膜I不但耐高溫，并且可靠性高，由此增強(qiáng)了所述復(fù)合振膜I的聲學(xué)性能。
[0020]以上所述的僅是本發(fā)明的實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種復(fù)合振膜的制作方法，其特征在于，該方法包括以下步驟:提供一硅基材層，將所述硅基材層進(jìn)行等離子處理； 將所述硅基材層的上表面進(jìn)行表面活化處理； 提供一聚醚醚酮層； 將所述硅基材層的上表面與所述聚醚醚酮層熱壓貼合。
【文檔編號(hào)】H04R31/00GK103731793SQ201310739464
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月27日
【發(fā)明者】朱秉科 申請(qǐng)人:瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司, 瑞聲精密制造科技(常州)有限公司