有源電橋反向供電保護(hù)和具有有源電橋控制的受電裝置接口的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種至少部分地防止電源設(shè)備的反向供電的方法。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，該方法包括檢測(cè)通過例如晶體管和/或電阻器的電流傳感器的電流的幅度。有源FET電橋被配置成對(duì)由電源設(shè)備供應(yīng)至以太網(wǎng)供電(PoE)受電裝置的輸入電力進(jìn)行整流。該方法還包括當(dāng)電流的幅度低于預(yù)定閾值時(shí)，使得晶體管從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置以至少基本防止電流流過晶體管，從而至少基本防止PSE的反向供電。
【專利說明】有源電橋反向供電保護(hù)和具有有源電橋控制的受電裝置接□
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)根據(jù)35U.S.C § 119(e)主張2012年9月27日提交且名稱為“ACTIVEBRIDGE BACK POWERING PROTECTION AND POWERED DEVICE INTERFACE WITH ACTIVE BRIDGECONTROL”的U.S.臨時(shí)申請(qǐng)序列N0.61/706220的權(quán)益。通過參考U.S.臨時(shí)申請(qǐng)序列N0.61/706220的全部將其并入于此。
【背景技術(shù)】
[0003]以太網(wǎng)供電(PoE)技術(shù)描述了在以太網(wǎng)電纜上與數(shù)據(jù)一起傳輸電電力。PoE技術(shù)通常由多個(gè)IEEE標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。電力以一般模式在以太網(wǎng)電纜中形成的兩個(gè)或更多差動(dòng)電線對(duì)上供應(yīng)，并且電力來自于例如以太網(wǎng)開關(guān)的PoE使能網(wǎng)絡(luò)裝置內(nèi)的電源，或者能夠被注入到以中跨電源運(yùn)行的電纜中。PoE系統(tǒng)的基本要素是:I)電源設(shè)備(PSE):—種例如開關(guān)的在以太網(wǎng)電纜上提供(“源”)電力的裝置，和2)由PSE供電的受電裝置(ro)，其消耗來自PSE的能量。受電裝置的范例包括無線接入點(diǎn)、因特網(wǎng)協(xié)議(IP)電話機(jī)、和IP相機(jī)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]公開了一種至少部分地防止電源設(shè)備的反向供電(back powering)的有源電橋系統(tǒng)。在實(shí)施方式中，所述有源電橋系統(tǒng)，包括:至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管；至少一個(gè)電流傳感器，被配置成檢測(cè)電流的幅度；以及受電裝置接口控制器，被配置成當(dāng)由所述至少一個(gè)電流傳感器檢測(cè)到低于預(yù)定閾值的電流時(shí)，關(guān)閉所述至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以防止電源設(shè)備的反向供電。
[0005]在其它實(shí)施方式中，公開了一種至少部分地防止電源設(shè)備的反向供電的方法。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述方法包括:檢測(cè)通過電流傳感器(例如，晶體管或電阻器)的電流的幅度。所述電流傳感器包括有源場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)電橋的部分，并且所述有源FET電橋被配置成對(duì)由電源設(shè)備供應(yīng)至以太網(wǎng)供電(PoE)受電裝置的輸入電力進(jìn)行整流。所述方法還包括當(dāng)電流的所述幅度低于預(yù)定閾值時(shí)，使得晶體管從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置以至少基本防止電流流過所述晶體管，從而至少基本防止所述PSE的反向供電。所述晶體管由包括有源電橋控制電路的受電裝置接口控制器控制。
[0006]在另一實(shí)施方式中，一種方法包括:檢測(cè)表示通過晶體管的電流的通過單個(gè)電流感測(cè)電阻器的電流的幅度。所述晶體管包括有源場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)電橋的部分，并且所述有源FET電橋被配置成對(duì)由電源設(shè)備供應(yīng)至以太網(wǎng)供電(PoE)受電裝置的輸入電力進(jìn)行整流。所述方法還包括當(dāng)電流的所述幅度低于預(yù)定閾值時(shí)，使得晶體管從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置以至少基本防止電流流過所述晶體管，從而至少基本防止所述PSE的反向供電。
[0007]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，用于使用受電裝置控制器來控制有源FET電橋的方法包括:確定用于以PoE受電裝置控制器的電橋的輸入端的第一端子和第二端子之間的輸入電壓的極性。所述方法還包括當(dāng)所述電橋的所述輸入端的所述極性為正且所述輸入電壓大于激活閾值(例如，F(xiàn)ET開通閾值)時(shí)，使得第一晶體管和第二晶體管從開路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置，同時(shí)使得第三晶體管和第四晶體管保持在開路配置或從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置。所述方法還包括當(dāng)所述電橋的所述輸入端的所述極性為負(fù)且所述輸入電壓大于激活閾值(例如，F(xiàn)ET開通閾值)時(shí)，使得所述第三晶體管和所述第四晶體管從開路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置，同時(shí)使得所述第一晶體管和所述第二晶體管保持在開路配置或從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置。在實(shí)施例中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、和所述第四晶體管包括在有源場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)電橋中，所述有源場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)電橋被配置成對(duì)由電源設(shè)備(PSE)供應(yīng)至PoE受電裝置的輸入電力進(jìn)行整流。
[0008]提供本
【發(fā)明內(nèi)容】
是為了以簡(jiǎn)化形式引入概念的選擇，以下在【具體實(shí)施方式】中對(duì)這些概念進(jìn)行更進(jìn)一步的描述。本
【發(fā)明內(nèi)容】
不旨在標(biāo)識(shí)所請(qǐng)求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或者本質(zhì)特征，也不旨在用于幫助確定所請(qǐng)求保護(hù)的主題的范圍。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]參照附圖對(duì)【具體實(shí)施方式】進(jìn)行描述。
[0010]圖1為用于PoE受電裝置的兩個(gè)整流電橋的圖解示例，其中使用二極管來實(shí)施整流電橋；
[0011]圖2為用于PoE受電裝置的兩個(gè)整流電橋的圖解示例，其中使用有源FET來實(shí)施整流電橋，且其中使用分離元件來實(shí)施驅(qū)動(dòng)器電路；
[0012]圖3為根據(jù)本公開的范例實(shí)施方式，PoE受電裝置電路的圖解示例，其中使用有源FET來實(shí)施整流電橋，且其中驅(qū)動(dòng)器被配置成在電流的幅度低于預(yù)定閾值時(shí)將FET對(duì)轉(zhuǎn)變成開路配置以至少基本上防止電流流過晶體管；
[0013]圖4為根據(jù)本公開的范例實(shí)施方式，使用有源FET來實(shí)施的整流電橋的圖解示例，其中驅(qū)動(dòng)器能夠被配置成在電流的幅度低于預(yù)定閾值時(shí)將FET對(duì)轉(zhuǎn)變成開路配置以至少基本地防止電流流過晶體管；
[0014]圖5為根據(jù)本公開的范例實(shí)施方式，包括有源FET電橋控制功能性的受電裝置控制器的圖解示例；
圖6是示例了用于防止例如圖1至5中示出的有源電橋系統(tǒng)100的電源設(shè)備的反向供電的范例實(shí)施方式的過程的流程圖；
圖7是示例了用于防止例如圖1至5中示出的有源電橋系統(tǒng)100的電源設(shè)備的反向供電的范例實(shí)施方式的過程的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]鐘述
[0016]以太網(wǎng)供電網(wǎng)絡(luò)被配置成通過以太網(wǎng)電纜將電力和數(shù)據(jù)一起提供至受電裝置。以太網(wǎng)電纜包括與受電裝置相連接的模塊化連接器，其在網(wǎng)絡(luò)和受電裝置之間提供電連接。
[0017]在以太網(wǎng)供電(PoE)系統(tǒng)中，通常存在電連接在電源和用于受電裝置(PD)的受電裝置控制器(例如，在ro的前端)之間的兩個(gè)整流電橋。該電橋?qū)碜訮SE的輸入電力進(jìn)行分離并整流。通常使用來自電橋的輸入側(cè)(例如，如圖1所示例的(1，2-3，6)和/或(4，5-7，8))的一個(gè)或兩個(gè)PSE和/或使用連接至電橋的輸出(例如，如圖1所示例的(Vin+-Vin-))的墻壁適配器(wall adapter)來對(duì)F1D進(jìn)行供電。橋式整流器由此用于提供具有正確極性(Vin+-Vin_)的電源，例如，以便H)不受錯(cuò)誤的供電極性的損壞。在附圖中，Vin+也稱作VDD，而Vin-也稱作VSS。
[0018]二極管電橋能夠用于如圖1所示的整流電橋。然而，二極管電橋能夠受到例如由于跨二極管的高的電壓降而造成的高電力耗散的影響。在具有負(fù)四十八伏(-48V)輸入電力的特殊情形下，這能夠使系統(tǒng)效率降低大約百分之三點(diǎn)五(3.5%)。該電力降低對(duì)于高電力PoE應(yīng)用(例如，I類H)應(yīng)用)能夠是顯著的。例如，由于相對(duì)于二極管電橋中的正向傳導(dǎo)損耗，有源FET的傳導(dǎo)損耗能夠較低，因此有源FET電橋能夠用于提高整流電橋的效率。例如，在具有負(fù)四十八伏(-48V)輸入電力的以上方案中，例如取決于FET的電阻RDSon，電力損耗能夠降低至約百分之零點(diǎn)五(0.5%)或更低。然而，不恰當(dāng)?shù)仳?qū)動(dòng)當(dāng)橋式FET時(shí)(例如，如圖2所示例)，有源FET電橋電路通常受到反向供電的影響。而且，有源FET配置能夠需要大量元件和/或能夠占用(例如，電路板空間的)大的面積。 [0019]通常，有源FET電橋驅(qū)動(dòng)物感測(cè)電橋的輸入端的輸入電壓極性(例如，來自PSE)以確定哪一個(gè)有源FET對(duì)轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置(例如，開通)。然而，一旦FET對(duì)轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置，則該FET在有源FET電橋的輸入端和輸出端之間產(chǎn)生低阻抗傳導(dǎo)路徑。在該配置中，該驅(qū)動(dòng)物可能無法識(shí)別電源在何處(即，當(dāng)輸入電壓與輸出電壓相同時(shí))。于是，當(dāng)具有比來自PSE的電壓高的電壓幅度的墻壁適配器連接至受電裝置時(shí)，能夠發(fā)生從墻壁適配器至PSE端口的反向供電。不受控的電流反向驅(qū)動(dòng)(back-driving)電橋能夠損壞FET和/或可能違反適用的PoE標(biāo)準(zhǔn)，PoE標(biāo)準(zhǔn)例如是IEEE802.3af/at標(biāo)準(zhǔn)。
[0020]因此，提供通過PoE網(wǎng)絡(luò)中的電源設(shè)備對(duì)供應(yīng)至受電裝置的輸入電力進(jìn)行分離并整流的技術(shù)和系統(tǒng)。本公開的技術(shù)感測(cè)通過FET的電流并在開路和閉路配置(例如，開通/關(guān)閉)之間選擇性地轉(zhuǎn)變FET對(duì)。在實(shí)施方式中，當(dāng)通過FET對(duì)的電流小和/或?yàn)樨?fù)時(shí)，驅(qū)動(dòng)器能夠快速地和/或安全地將FET對(duì)轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置(例如，關(guān)閉)，從而防止反向供電。能夠用于感測(cè)通過FET的電流的技術(shù)包括但不必限于描述于名稱為“LOW VOLTAGE OR’ INGCIRCUITS AND METHODS WITH ZERO RECOVERY --ΜΕ” 的美國(guó)專利 N0.6891425 中，于此通過參考該專利的全部將其并入于此。
[0021]范例實(shí)施方式
[0022]總體參照?qǐng)D3和圖4，描述了用于使用有源電橋系統(tǒng)100至少部分地防止電源設(shè)備的反向供電的技術(shù)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，檢測(cè)通過電流傳感器(例如，場(chǎng)效應(yīng)晶體管102、電流感測(cè)電阻器106等)的電流的幅度。電流傳感器104能夠包括有源場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)電橋104的部分，其中有源FET電橋104被配置成對(duì)由電源設(shè)備供應(yīng)至以太網(wǎng)供電(PoE)受電裝置的輸入電力進(jìn)行整流。于是，當(dāng)電流的幅度低于預(yù)定閾值時(shí)，能夠使得場(chǎng)效應(yīng)晶體管102從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置，以便至少基本防止電流流過場(chǎng)效應(yīng)晶體管102，從而至少基本防止PSE的反向供電。例如，當(dāng)電流小或?yàn)樨?fù)時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管102能夠轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置。通過這一方式，能夠通過受電裝置接口控制器110提供有源電橋系統(tǒng)100反向供電保護(hù)，受電裝置接口控制器110能夠包括有源電橋控制電路108(例如，微處理器或其它電路)。應(yīng)當(dāng)注意，在一些實(shí)施方式中，例如，取決于流過圖4中示出的場(chǎng)效應(yīng)晶體管102的電流的幅度和極性，一些(例如，一個(gè)或多于一個(gè))或所有場(chǎng)效應(yīng)晶體管102能夠轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置(例如，關(guān)閉)以防止(Vdd-Vss)對(duì)Vini和Vin2進(jìn)行反向供電。
[0023]在另一實(shí)施方式中，檢測(cè)通過電流感測(cè)電阻器106的電流的幅度。該電流表示通過晶體管的電流。場(chǎng)效應(yīng)晶體管102包括有源場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)電橋104的部分，其中有源FET電橋104被配置成對(duì)由電源設(shè)備供應(yīng)至以太網(wǎng)供電(PoE)受電裝置的輸入電力進(jìn)行整流。于是，當(dāng)電流的幅度低于預(yù)定閾值時(shí)，使得場(chǎng)效應(yīng)晶體管102從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置，以至少基本防止電流流過場(chǎng)效應(yīng)晶體管102，從而至少基本防止PSE的反向供電。例如，當(dāng)電流小或?yàn)樨?fù)時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管102能夠轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置。通過這一方式，能夠通過受電裝置接口控制器110來提供有源FET電橋104反向供電保護(hù)。應(yīng)當(dāng)注意，在一些實(shí)施方式中，例如，取決于流過圖3中示出的電流感測(cè)電阻器106RENSE的電流的幅度和極性，一些(例如，一個(gè)或多于一個(gè))或所有場(chǎng)效應(yīng)晶體管102能夠轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置(例如，關(guān)閉)以防止(Vdd-Vss)對(duì)Vin和Vin2進(jìn)行反向供電。
[0024]總體參照?qǐng)D3至5，有源FET電橋104控制功能性能夠包括在用于PoE網(wǎng)絡(luò)的受電裝置接口 110控制器(例如，如圖5所示例的)中。通過確定(例如，檢測(cè))PoE受電接口裝置控制器110處的第一端子和第二端子之間的輸入電壓(例如，輸入PoE端口電壓)的極性，受電接口裝置控制器110能夠被配置成控制有源FET電橋104。例如，受電接口裝置控制器110能夠確定整流器電橋104的哪一側(cè)為有源的并相應(yīng)地驅(qū)動(dòng)有源場(chǎng)效應(yīng)晶體管102的柵極。參照?qǐng)D4，取決于Vini和Vin2的極性，受電裝置接口控制器110和/或有源電橋控制電路108能夠使對(duì)應(yīng)的路徑開通(例如，使得例如PFETl和/或NFETl的第一晶體管以及例如PFET2和/或NFET2的第二晶體管，從開路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置(同時(shí)使得第三晶體管和第四晶體管保持為開路配置或從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置)或使得第三晶體管和第四晶體管從開路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置(同時(shí)使得第一晶體管和第二晶體管保持為開路配置或從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置))以便為受電裝置提供正確的極性。
[0025]在實(shí)施方式中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管102能夠基于第一和第二端子之間的電壓差而轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置。例如，如果第一電壓差(例如，Vin1-Vin2)大于激活閾值(例如，開通閾值)，則PFETl和NFET2轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置(例如，開通)。如果第二電壓差(例如，Vin2-Vini)大于激活閾值(例如，前述開通閾值)，則PFET2和NFETl轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置(例如，開通)。在一些實(shí)施方式中，使用以這一方式配置的受電裝置控制器能夠?qū)⒂糜谟性碏ET電橋的外部元件的數(shù)量從約三十六(36)降低至約二(2)，而將印刷電路板(PCB)空間從約五十萬平方毫米(500, OOOmm2)降低至約三萬兩千平方毫米(32，OOOmm2)。然而，僅是通過范例方式提供這些范圍，并且這些范圍不是意在限制本公開。因此，在其它實(shí)施方式中，能夠使用更多或更少的元件，且元件能夠占據(jù)PCB板上的不同的空間量。
[0026]范例方法
[0027]圖6示例了采用例如圖1中示出的有源電橋系統(tǒng)100的有源電橋系統(tǒng)、受電裝置接口控制器、和/或有源電橋控制電路以至少部分地防止電源設(shè)備的反向供電的范例過程600。如圖6所示例，檢測(cè)通過電流傳感器的電流的幅度(框602)并使得至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管從閉路配置轉(zhuǎn)變成開路配置(框604)。
[0028]圖7示例了采用例如圖1中示出的有源電橋系統(tǒng)100的有源電橋系統(tǒng)、受電裝置接口控制器、和/或有源電橋控制電路以至少部分地防止電源設(shè)備的反向供電的范例過程700。如圖7所示例，為以太網(wǎng)供電(PoE)受電裝置控制器確定電橋的輸入端的第一端子和第二端子之間的輸入電壓的極性(框702)，當(dāng)電橋的輸入端的極性為正時(shí)，使得第一晶體管和第二晶體管從開路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置(框604)，而當(dāng)電橋的輸入端的極性為負(fù)時(shí)，使得第三晶體管和第四晶體管從開路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置(框606)。
[0029]結(jié)論
[0030]雖然以特定于結(jié)構(gòu)特征和/或過程操作的語言描述了主題，但應(yīng)理解，所附權(quán)利要求中限定的主題不必限于上述特定的特征或行為。相反，上述特定的特征和行為是作為實(shí)施權(quán)利要求的范例形式而被公開的。
【權(quán)利要求】
1.一種有源電橋系統(tǒng)，包括: 至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管； 至少一個(gè)電流傳感器，被配置成檢測(cè)電流的幅度；以及 受電裝置接口控制器，可操作地連接至所述至少一個(gè)電流傳感器和所述至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述受電裝置接口控制器被配置成當(dāng)由所述至少一個(gè)電流傳感器檢測(cè)到低于預(yù)定閾值的電流時(shí)，關(guān)閉所述至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以防止電源設(shè)備的反向供電， 其中所述有源電橋系統(tǒng)被配置成對(duì)由電源設(shè)備供應(yīng)至以太網(wǎng)供電受電裝置的輸入電力進(jìn)行整流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源電橋系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括η-型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源電橋系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括P-型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源電橋系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)電流傳感器包括晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源電橋系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)電流傳感器包括電流感測(cè)電阻器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源電橋系統(tǒng)，其中所述受電裝置接口控制器包括有源電橋控制電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源電橋系統(tǒng)，其中所述有源電橋系統(tǒng)位于所述以太網(wǎng)供電受電裝置之前。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源電橋系統(tǒng)，其中所述以太網(wǎng)供電受電裝置包括RJ45連接器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源電橋系統(tǒng)，其中所述預(yù)定閾值為負(fù)電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源電橋系統(tǒng)，其中所述預(yù)定閾值為正電流。
11.一種方法，包括: 檢測(cè)通過電流傳感器的電流的幅度；以及 當(dāng)電流的所述幅度低于預(yù)定閾值時(shí)，利用受電裝置接口控制器來使得至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置以至少基本防止電流流過所述至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，從而至少基本防止電源設(shè)備的反向供電； 其中所述電流傳感器和所述受電裝置接口控制器包括有源電橋系統(tǒng)的部分，所述有源電橋系統(tǒng)被配置成對(duì)由所述電源設(shè)備供應(yīng)至以太網(wǎng)供電受電裝置的輸入電力進(jìn)行整流。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中檢測(cè)通過電流傳感器的電流的幅度包括檢測(cè)通過至少一個(gè)晶體管的電流的所述幅度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中檢測(cè)通過電流傳感器的電流的幅度包括檢測(cè)表示通過晶體管的電流的通過電流感測(cè)電阻器的電流的所述幅度。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中使得所述至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置包括使得至少一個(gè)η-型場(chǎng)效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)變。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中使得所述至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置包括使得至少一個(gè)P-型場(chǎng)效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)變。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述受電裝置接口控制器包括有源電橋控制電路。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述有源電橋系統(tǒng)包括位于所述以太網(wǎng)供電裝置之前。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述以太網(wǎng)供電受電裝置包括RJ45連接器。
19.一種方法,包括: 確定用于以太網(wǎng)供電(PoE)受電裝置控制器的電橋的輸入端的第一端子和第二端子之間的輸入電壓的極性， 其中使用受電裝置接口控制器來確定所述極性； 當(dāng)所述電橋的所述輸入端的所述極性為正且所述輸入電壓大于激活閾值時(shí)，使得第一晶體管和第二晶體管從開路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置，同時(shí)使得第三晶體管和第四晶體管為以下至少之一:保持在開路配置或從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置；以及 當(dāng)所述電橋的所述輸入端的所述極性為負(fù)且所述輸入電壓大于激活閾值時(shí)，使得所述第三晶體管和所述第四晶體管從開路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚]路配置，同時(shí)使得所述第一晶體管和所述第二晶體管為以下至少之一:保持在開路配置或從閉路配置轉(zhuǎn)變?yōu)殚_路配置， 其中所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、和所述第四晶體管包括在有源場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)電橋中，所述有源FET電橋被配置成對(duì)由電源設(shè)備(PSE)供應(yīng)至PoE受電裝置的輸入電力進(jìn)行整流。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述受電裝置接口控制器包括有源電橋控制電路。
【文檔編號(hào)】H04L12/10GK103701616SQ201310532496
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月27日
【發(fā)明者】T·A·哈伊恩, G·佐烏, A·維尼亞, M·蘭扎托, G·馬里亞諾 申請(qǐng)人:馬克西姆綜合產(chǎn)品公司