專利名稱：一種蔡氏混沌電路的負(fù)阻等效方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種蔡氏混沌電路的負(fù)阻等效方法，屬于電子及通信技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
近年來，由于混沌電路的對初始狀態(tài)和控制參數(shù)的極端敏感性以及寬頻譜、類隨機等復(fù)雜特性，其在通信和控制領(lǐng)域及很多其他領(lǐng)域都得到了廣泛的應(yīng)用，人們對混沌電路也進行了深入廣泛的研究。蔡氏電路是典型的混沌信號產(chǎn)生電路，關(guān)于該電路的研究很多，眾所周知，隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，器件尺寸已進入納米級，新興器件取代傳統(tǒng)器件實現(xiàn)電路成為發(fā)展的必然趨勢，但基于單電子晶體管(SET)和金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)混合結(jié)構(gòu)器件SETMOS的負(fù)微分電阻NDR特性實現(xiàn)混沌電路的非線性函數(shù)卻鮮見報道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種蔡氏混沌電路的負(fù)阻等效方法。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明利用基于單電子晶體管(SET)和金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)混合結(jié)構(gòu)器件SETMOS的負(fù)微分電阻NDR特性實現(xiàn)混沌電路的非線性函數(shù)，對該電路進行了仿真，并對電路中各元件參數(shù)進行調(diào)整，可以產(chǎn)生蔡氏混沌吸引子。蔡氏電路是一個三維自治振蕩系統(tǒng)，它是由四個元器件:電感L，電阻R、電容C1和C2,以及一個被稱為蔡氏二極管的非線性電阻RN所構(gòu)成的一個簡單的電子電路，如

圖1(a)所示。它的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖1(b)所示蔡氏電路可以由下列動態(tài)方程來描述:
權(quán)利要求
1.一個蔡氏混沌電路的負(fù)阻等效方法，其特征包括:利用單電子晶體管(SET)和金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)混合結(jié)構(gòu)器件SETMOS的負(fù)微分電阻NDR特性實現(xiàn)混沌電路的非線性函數(shù)，將其應(yīng)用于蔡氏電路中代替負(fù)阻。
2.如權(quán)利要求1所述的等效負(fù)阻方法，其特征在于:各MOS晶體管的模型均采用BSIM3V3模型，M1提供恒定偏置電流，M2工作在弱反型亞閾值區(qū)的邊緣以獲得有效的庫侖振蕩域，M3提供補償電流。
3.如權(quán)利要求1所述的等效負(fù)阻方法，其特征在于=SETMOS的Ids-Vds特性曲線有三個振蕩峰谷，其中Ids為M2的漏極輸出電流，Vds為M2的漏源輸入。
4.如權(quán)利要求1所述的等效負(fù)阻方法，其特征在于若進行連續(xù)分段線性函數(shù)擬合，則擬合函數(shù)形式寫為
全文摘要
本發(fā)明涉及一個蔡氏混沌電路的負(fù)阻等效方法，利用單電子晶體管(SET)和金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)混合結(jié)構(gòu)器件SETMOS的負(fù)微分電阻NDR特性實現(xiàn)混沌電路的非線性函數(shù)，將其應(yīng)用于蔡氏電路中代替負(fù)阻，對該電路進行了仿真，表明此方法的有效性，電路實現(xiàn)簡單，輸出信號具有較大的動態(tài)范圍，將在雷達(dá)、保密通信、電子對抗等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景及重要的應(yīng)用價值。
文檔編號H04L9/00GK103236918SQ201310055649
公開日2013年8月7日 申請日期2013年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月31日
發(fā)明者王少夫 申請人:王少夫