具有多層pcb圖形音圈薄膜的平板揚聲器的制造方法
具有多層pcb圖形音圈薄膜的平板揚聲器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及平板揚聲器,尤其涉及通過多層音圈薄膜的阻抗控制，可增大感應電動勢的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器。根據(jù)本發(fā)明的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器,將音圈進行PCB(Printed?Circuit?Board)圖形印刷,并包含由4層以上的偶數(shù)層層壓的音圈薄膜,所述音圈薄膜按2層相互串聯(lián)連接,串聯(lián)連接的音圈薄膜相互并聯(lián)連接。
【專利說明】具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板揚聲器，更詳細地涉及通過多層音圈薄膜的阻抗控制，可增大感 應電動勢的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器。
【背景技術(shù)】
[0002]用于平板揚聲器的音圈板是在板狀的線圈板單面或兩面以橢圓形狀纏繞或印刷 圖案而形成。
[0003]音圈板是當電流通過音圈流動時，此時流通的電流將發(fā)生以相同于音圈周圍的音 頻信號的頻率膨脹后收縮的磁場，音圈處在被揚聲器裝置內(nèi)的磁石發(fā)生的磁場，與對應此 類磁場而在音圈中發(fā)生的磁場相互作用，使得音圈板上下移動，因音圈板與揚聲器裝置的 振動板連接,使得振動板上下移動并推動空氣，由此通過空氣的振動發(fā)出聲音。
[0004]此類平板揚聲器的開發(fā)趨勢，可增大功率的同時，其大小也逐漸具有纖細而長長 的結(jié)構(gòu)，并且，為了增大平板揚聲器的功率，開發(fā)將多個磁回路結(jié)合的結(jié)構(gòu)的平板揚聲器也 成為重要的課題。
[0005]但，以多層層壓的音圈薄膜，為了提高感應電動勢，需最大限度地增加圈數(shù)，但隨 著圈數(shù)的增加而使得阻抗值增加，而效率性不高，相反，如果預先設(shè)定阻抗值時，無法增加 圈數(shù)，從而無法提高感應電動勢，結(jié)果，難以實現(xiàn)大功率的揚聲器。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]技術(shù)問題
[0007]本發(fā)明為了解決上述問題而提出，為了最大限度地增大感應電動勢，最大限度地 增加以多層層壓的PCB圖形音圈薄膜的線圈圈數(shù)(Turn數(shù))，由此能夠大幅地增大感應電動 勢，而能夠準確地控制、管理整體PCB圖形音膜的目標阻抗值的具有多層PCB圖形音圈薄 膜的平板揚聲器。
[0008]技術(shù)方案
[0009]為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，包 括將音圈進行PCB (Printed Circuit Board)圖形印刷，以4層以上的偶數(shù)層壓的音圈薄 膜，并且，所述音圈薄膜按2層相互串聯(lián)連接，串聯(lián)連接的音圈薄膜相互并聯(lián)連接。
[0010]在此，所述多層PCB圖形音圈薄膜滿足下列數(shù)學式，
[0011 ] L=2 (n+1)，Rlayer=I/2*Rspec (n+1)
[0012]在此，L為PCB層數(shù)，Rlaye,為各PCB層的設(shè)計阻抗值，Rspee為整體PCB層的目標合 算阻抗值，n為自然數(shù)。
[0013]在此，優(yōu)選地，所述音圈以軌道形狀進行圖形印刷，所述音圈薄膜的串聯(lián)連接通過 軌道形狀音圈的內(nèi)側(cè)線端之間連接而形成，所述串聯(lián)連接的音圈薄膜之間的并聯(lián)連接是 通過軌道形狀音圈的外側(cè)線端之間的連接形成。
[0014]在此，優(yōu)選地，所述音圈薄膜之間的串聯(lián)及并聯(lián)連接通過形成于所述PCB板的通孔(Through Hole)連接。
[0015]在此，所述通孔形成于與軌道形狀音圈的內(nèi)側(cè)線端和外側(cè)線端對應的位置，對應于所述外側(cè)線端的通孔形成2個，對應于所述內(nèi)側(cè)線端的通孔滿足下列數(shù)學式，
[0016]L=2(n+1)，N=1/2*L,
[0017]在此，L為PCB層數(shù)，N為在PCB板的對應于音圈的內(nèi)側(cè)線端的位置形成的通孔個數(shù)，n為自然數(shù)。
[0018]在此，優(yōu)選地，所述音圈薄膜之間的并聯(lián)連接，是在電源的輸入側(cè)形成短路 (Short)，在電源的輸出側(cè)形成短路(Short)而完成連接。
[0019]在此，所述音圈薄膜之間的串并聯(lián)連接是通過形成于PCB板的通孔(Through Hole)而實現(xiàn)，所述通孔是在將所述音圈薄膜進行層壓的狀態(tài)或?qū)訅旱倪^程中，貫通全部層或必要的層之間，通過全部層或必要的層之間的電鍍金，而實現(xiàn)串并聯(lián)連接。[0020]技術(shù)效果
[0021]根據(jù)所述本發(fā)明的構(gòu)成，多層PCB圖形音圈是以最大限度地增大感應電動勢為制作大功率/高效率的揚聲器的必需要素，因此最大限度地纏繞多層PCB音圈，同時對通過目標整體阻抗值的正確的控制、管理，提供大功率、高效率，低費用及良好品質(zhì)的平板揚聲器。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]圖1為根據(jù)本發(fā)明的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器的概略圖。
[0023]圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的多層PCB圖形音圈薄膜的4層層壓結(jié)構(gòu)中串并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0024]圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的多層PCB圖形音圈薄膜的6層層壓結(jié)構(gòu)中第I串并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0025]圖4為示出根據(jù)本發(fā)明的多層PCB圖形音圈薄膜的6層層壓結(jié)構(gòu)中第2串并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0026]圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的多層PCB圖形音圈薄膜的6層層壓結(jié)構(gòu)中第3串并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0027]10:音圈薄膜11a，Ilb:磁體
[0028]12a, 12b:永久磁鐵 13a，13b:上部磁軛
[0029]14a，14b:下部磁軛
【具體實施方式】
[0030]以下，參照【專利附圖】
【附圖說明】根據(jù)本發(fā)明的平板揚聲器的磁板及底架結(jié)構(gòu)。
[0031]圖1為根據(jù)本發(fā)明的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器的概略圖。
[0032]適用本發(fā)明的音膜的平板揚聲器如圖1所示。平板揚聲器包括以既定間隔分隔而相對的一對磁體(lla, Ilb)和配置于一對磁體(lla, Ilb)之間的音圈薄膜(10)。
[0033]相對的一對磁體(11a，lib)分別具有相同的構(gòu)成，可由永久磁鐵(12a，12b)、位于永久磁鐵(12a, 12b)的上部表面的上部磁軛(13a, 13b)、位于永久磁鐵(12a, 12b)的下部表面的下部磁軛(14a，14b)。[0034]優(yōu)選地，具備于相對的磁體(11a，lib)內(nèi)的永久磁鐵(12a，12b)具有相反的極性， 以便相互之間作用引力，并且，音圈薄膜(10)應從兩側(cè)的磁體(11a，lib)維持相同距離 (d)，以便接受相同的磁力。
[0035]如上述構(gòu)成的揚聲器安裝于底架(未圖不)的內(nèi)部，音圈薄膜(10)上端形成用于傳達振動能源的振動板(未圖示)。
[0036]音圈薄膜(10)構(gòu)成以4層以上的偶數(shù)(4，6，8，...)層壓的多層，圖1中示出4層
音圈薄膜。
[0037]通過圖2至圖5對具有4層以上的多層的音圈薄膜的電性連接結(jié)構(gòu)進行說明。
[0038]具有如圖2至圖5的電性連接結(jié)構(gòu)的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器， 可最大限度地增加圈數(shù)，只需管理I層的阻抗值，因此，可將現(xiàn)有的PCB圖形圈數(shù)增加至2 倍至3倍，從而，可通過大幅增大感應電動勢，而實現(xiàn)大功率的揚聲器。
[0039]通常，在多層音圈結(jié)構(gòu)中，難以管理阻抗值，因此，即使是由4層層壓的結(jié)構(gòu)，阻抗值為4Q及8Q時，圈數(shù)只能為20至25圈，但本發(fā)明的連接方式為，4層層壓結(jié)構(gòu)時，圈數(shù)也可為50至60圈，PCB圖形線徑越細，越能夠增加圈數(shù)。
[0040]圖2為根據(jù)本發(fā)明的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器的4層PCB圖形音圈薄膜的連接結(jié)構(gòu)圖，圖3至圖5為 根據(jù)本發(fā)明的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器的層PCB圖形音圈薄膜的連接結(jié)構(gòu)圖。
[0041]圖2至圖5中的例示中示出由4層或6層層壓的音圈薄膜，為了說明的便利，示出分別進行分離的平面狀態(tài)。
[0042]圖2至圖5中示出的例示作為優(yōu)選實施例進行了說明，可由具有串聯(lián)及并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)的多層結(jié)構(gòu)的PCB圖形音圈薄膜結(jié)構(gòu)形成其他各種形態(tài)。
[0043]如圖2至圖5，預先設(shè)置多層結(jié)構(gòu)的PCB圖形音圈的整體阻抗值時，即使音圈由幾個層構(gòu)成，在形成PCB圖形前可知曉各層應具有的阻抗值。如下利用數(shù)學式I說明上述原理。
[0044]【數(shù)學式I】
[0045]L = 2 (n+1)，Rlayer = l/2*Rspec (n+1)
[0046]在此，L為PCB層數(shù)(4層以上)，Rlayer為各PCB層的設(shè)計阻抗值，Rspe。為整體PCB 層的目標合算阻抗值，n為自然數(shù)。
[0047]例如，使得各層的音圈形成PCB圖形，以使，目標合算阻抗值設(shè)定為16 Q時，音圈薄膜為4層時為n=l，Rlayer (各PCB層的設(shè)計阻抗值)體現(xiàn)為16 Q ;6層時為n=2，Rlayer 體現(xiàn)為240，8層時為11=3，Rlayer體現(xiàn)為32 Q，；10層時Rlayer體現(xiàn)為40Q，之后，如圖 2至圖5所示，按2層進行串聯(lián)連接，并使得串聯(lián)連接的音圈和其他串聯(lián)連接的音圈的一端及另一端分別短路，而完成整體的多層結(jié)構(gòu)的音圈PCB圖形。
[0048]并且，如圖2至圖5所示，為了進行此類連接，PCB板上形成通孔(ThroughHole), 通孔(21e，31e)形成于與音圈(21b, 31b)的內(nèi)側(cè)線端(21c, 31c)及外側(cè)線端(21d, 31d)對應的位置的PCB板(21a至24a，31a至36a)上。
[0049]對應于外側(cè)線端(21d，31d)的通孔，在PCB板的兩側(cè)外側(cè)形成2個，對應于內(nèi)側(cè)線端(21c，31c)的通孔，在PCB板的內(nèi)側(cè)形成可變個數(shù)。
[0050]對應于外側(cè)線端的通孔，與由2個層壓的層數(shù)無關(guān)地可具有固定的值，但對應于內(nèi)側(cè)線端的通孔，如下面所述的數(shù)學式2。
[0051]【數(shù)學式2】
[0052]L = 2 (n+1)，N = 1/2*L [0053]在此，L為PCB層數(shù)，N為在對應于音圈的內(nèi)側(cè)線端的位置，形成于PCB板的通孔的個數(shù)，n為自然數(shù)。
[0054]對應于內(nèi)側(cè)線端(21c，31c)的通孔是為了將音圈薄膜(21至24，或31至36)按 2個進行串聯(lián)連接，對應于外側(cè)線端(21d，31d)的通孔是為了使得按2個串聯(lián)連接的音圈薄膜(21至24，或31至36) —端與另一端短路，進行并聯(lián)連接。
[0055]對應于內(nèi)側(cè)線端(21c，31c)的通孔的可變個數(shù)，是為了防止內(nèi)側(cè)線端之間進行串聯(lián)連接時，與另一對的音圈的串聯(lián)連接短路。即，4層層壓的音圈薄膜，在內(nèi)部以2條線進行串聯(lián)連接，因此需要2個通孔，但6層層壓的音圈薄膜時，因在內(nèi)部按2個串聯(lián)連接，需要3個串聯(lián)連接線，因此3個通孔可防止相互短路。同樣，8層以上的層壓音圈薄膜時，根據(jù)上述數(shù)學式2，選定對應于內(nèi)側(cè)線端的通孔的個數(shù)。
[0056]參照圖2，以上述的根據(jù)為基礎(chǔ)，觀察4層層壓結(jié)構(gòu)的串并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)。
[0057]將4層PCB圖形音圈薄膜的整體阻抗值(RspJ設(shè)定為8 Q時，首先，以PCB銅箔的線徑、長度及數(shù)學式I及數(shù)學式2為根據(jù)，各層音圈應為8 Q，可設(shè)置為8 Q設(shè)計，并將對應于內(nèi)側(cè)線端的通孔的個數(shù)形成2個，而能夠進行串并聯(lián)連接。
[0058]如圖2為將第I層和第4層音圈薄膜(21，24)及第2層和第3層音圈薄膜(22，23) 分別進行串聯(lián)鏈接，第I層和第2層音圈薄膜(21，22)及第3層和第4層音圈薄膜(23，24) 進行并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。
[0059]將各層的音圈薄膜(21至24)的圈數(shù)和阻抗值相同地設(shè)計后，通過PCB板(21a) 的通孔(Throughhole，21e)，將第I層音圈(21)的內(nèi)側(cè)線端(21c)與第2層音圈薄膜(22) 的內(nèi)側(cè)線端(22c)進行連接，由此使得第I層音圈薄膜(21)與第2層音圈薄膜(22)形成串聯(lián)連接。
[0060]如上述，2層的音圈串聯(lián)連接時抗值成為8 Q+8 Q即16Q。
[0061]通過與第I層及第4層音圈薄膜(21，24)相同的方式，將第2層及第3層音圈薄膜(22，23)進行串聯(lián)連接時，同樣地，成為8 Q+8 Q即16 Q。
[0062]之后，通過通孔將第I層音圈薄膜(21)的外側(cè)線端(21d)與第2層音圈薄膜(22) 的外側(cè)線端(22d)進行連接，連接第3層音圈薄膜(23)的外側(cè)線端(23d)與第4層音圈薄膜(24)的外側(cè)線端(24d)時，可形成第I層及第2層音圈薄膜(21，22)和第3層及第4 層音圈薄膜(23，24)并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。
[0063]即，第I層音圈薄膜(21)與第4層音圈薄膜(24)形成串聯(lián)連接，第2層音圈薄膜(22)與第3層音圈薄膜(23)形成串聯(lián)連接，并且，第I層及第2層音圈薄膜(21，22) 和第3層及第4層音圈薄膜(23，24)相互并聯(lián)連接，成為16 Q /2，而形成整體具有8 Q的阻抗值的PCB圖形音圈薄膜。
[0064]相同地，也可將第I層及第2層音圈薄膜(21，22)及第3層及第4層音圈薄膜 (23，24)分別進行串聯(lián)連接，將第I層及第4層音圈薄膜(21，24)和第2層及第3層音圈薄膜(22，23)相互進行并聯(lián)連接。
[0065]優(yōu)選地，在此類層壓結(jié)構(gòu)中的串并聯(lián)連接圖形，在進行串聯(lián)連接時，通過對應于音圈的內(nèi)側(cè)線端(21c至24c)的通孔進行連接，在進行并聯(lián)連接時，通過對應于音圈的外側(cè) 線端(21d至24d)的通孔進行連接。
[0066]并且，在上述的音圈薄膜的層壓結(jié)構(gòu)中，為了正確的阻抗值管理和更多的圈數(shù)及 感應電動勢的增大，需要如下條件。
[0067]各層的PCB圖形音圈，需始終由一定的方向通電流，各層的PCB圖形音圈具有相同 的阻抗值，各層的PCB圖形音圈的連接要無跳躍或另外的非效率性的連接，電流信號的輸 入和輸出需為多層PCB圖形音圈薄膜的前面和后面，因此，按2層的串聯(lián)連接要在多層PCB 音圈的內(nèi)側(cè)線端的中央部分通過通孔進行連接，串聯(lián)連接的音圈的并聯(lián)連接需通過PCB音 圈的外側(cè)線端之間的連接完成。
[0068]圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的多層PCB圖形音圈薄膜的6層層壓結(jié)構(gòu)中的第I串并聯(lián) 連接結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0069]根據(jù)數(shù)學式2，6層層壓結(jié)構(gòu)中，形成于PCB板(31a至36a)的通孔，在對應于音圈 外側(cè)線端的位置的兩側(cè)形成有2個，對應于音圈內(nèi)側(cè)線端的通孔，要在內(nèi)部中心部形成有 3個。
[0070]將各層的音圈薄膜(31至36)的圈數(shù)和阻抗值相同地設(shè)計之后，通過PCB板(31a) 的通孔(Throughhole, 31e),將第I層音圈薄膜(31)的內(nèi)側(cè)線端(31c)和第6層音圈薄膜
(36)的內(nèi)側(cè)線端(36c)進行串聯(lián)連接，以相同的方式，將第2層及第5層音圈(32，35)進 行串聯(lián)連接，同樣地，將第3層及第4層音圈(33，34)的內(nèi)側(cè)線端(33c，34c)進行串聯(lián)連接。
[0071]之后，通過PCB板(31a至36a)的通孔，使得第I層至第3層音圈薄膜(31，32，33) 的外側(cè)線端(31d，32d, 33d)短路，進行并聯(lián)連接，并將第4層至第6層音圈薄膜(34，35，36) 的外側(cè)線端(34d，35d，36d)短路，使得并聯(lián)連接。
[0072]BP,如上述連接的結(jié)構(gòu)中，將整體阻抗值(RspJ設(shè)計為8Q時，根據(jù)數(shù)學式1，各 層的阻抗值(RlayJ被設(shè)計為12 Q。將如上述設(shè)計的音圈薄膜如圖3所示層壓并進行串并 聯(lián)連接時，按2層的串聯(lián)連接，形成分別以24Q進行3個串聯(lián)連接的音圈，將3各音圈進 行并聯(lián)連接時，成為24 Q /3，整體成為8 Q。
[0073]通過如同圖3的方法，可形成如圖4和圖5的其他變形例的連接結(jié)構(gòu)。
[0074]圖4為，將第I層及第4層音圈薄膜(41，44)，第2層及第5層音圈薄膜(42，45)， 第3層及第6層音圈薄膜(43，46)分別進行串聯(lián)連接，并使得第I層至第3層音圈薄膜 (41至43)的一端短路，使得第4層至第6層音圈薄膜(44至46)的另一端短路，進行并聯(lián) 連接的結(jié)構(gòu)。
[0075]圖5為，將第I層及第2層音圈薄膜(41，42)，第3層及第4層音圈薄膜(43，44)， 第5層及第6層音圈薄膜(45，46)分別進行串聯(lián)連接，使得第I層、第3層及第5層音圈 薄膜(41，43，45)的一端短路，使得第2層、第4層及第6層音圈薄膜(42，44，46)的另一端 短路，進行并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。
[0076]通過此類方法，易于自由地、效率性地制造PCB圖形音圈薄膜并進行適用，并且， 在4，6，8，10...偶數(shù)的多層結(jié)構(gòu)中，及其簡單地極大化感應電動勢而管理及體現(xiàn)阻抗值， 由此可制造大功率的揚聲器。
[0077]并且，通過通孔將音圈的各層串聯(lián)及并聯(lián)連接時，從工藝上，將多層PCB圖形按各個層完成之后，將整體層層壓，并通孔以便形成整體層的通孔，之后，將整體層的通孔的電 性鍍金，以完成整體層之間的電性連接。
[0078]并且，通過通孔將音圈的各層串聯(lián)及并聯(lián)連接時，從工藝上按各層完成多層PCB 圖形之后，將所有的層進行層壓，貫通形成所有層的通孔之后，通過所有層的通孔的電鍍 金，完成所需層之間的電性連接。
[0079]如上所述，除了 4層及6層之外的8層以上層壓的音圈薄膜，也可通過相同的方 法管理阻抗值，并且，通過通孔，實現(xiàn)層壓的音膜之間的串并聯(lián)連接。
[0080]以上參照附圖，說明了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員 可以理解:所述本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)成可以在不變更本發(fā)明技術(shù)思想或必需特征的情況下，以 其它具體形態(tài)實施。因此，以上記述的實施例在所有方面應理解為只是示例，而非限定，本 發(fā)明的范圍應當根據(jù)權(quán)利要求解釋，而非根據(jù)所述詳細說明，權(quán)利要求的意義及范圍及其 等價概念導出的所有變更或變形的形態(tài)都應包含于本發(fā)明的范圍。
【權(quán)利要求】
1.具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，包括將音圈進行PCB (Printed Circuit Board)圖形印刷，以4層以上的偶數(shù)層壓的音圈薄膜，所述音圈薄膜按2層相互串聯(lián)連接，串聯(lián)連接的音圈薄膜相互并聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，所述多層PCB圖形音圈薄膜滿足下列數(shù)學式，L=2 (n+1)，Rlayer= I/2*Rspec (n+1)在此，L為PCB層數(shù)，Rlayer為各PCB層的設(shè)計阻抗值，Rspec為整體PCB層的目標合算阻 抗值，n為自然數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，所述音圈以軌道形狀進行圖形印刷，所述音圈薄膜的串聯(lián)連接通過軌道形狀音圈的內(nèi)側(cè)線端之間連接而形成，所述串聯(lián)連接的音圈薄膜之間的并聯(lián)連接是通過軌道形狀音圈的外側(cè)線端之間的連 接形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，所述音圈薄膜之間的串聯(lián)及并聯(lián)連接通過形成于所述PCB板的通孔(Through Hole) 連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，所述通孔形成于與軌道形狀音圈的內(nèi)側(cè)線端和外側(cè)線端對應的位置，對應于所述外側(cè)線端的通孔形成2個，對應于所述內(nèi)側(cè)線端的通孔滿足下列數(shù)學式，L=2 (n+l)，N=l/2*L,在此，L為PCB層數(shù)，N為在PCB板的對應于音圈的內(nèi)側(cè)線端的位置形成的通孔個數(shù)，n 為自然數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，所述音圈薄膜之間的并聯(lián)連接，是在電源的輸入側(cè)形成短路(Short)，在電源的輸出側(cè) 形成短路(Short)而完成連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，所述音圈薄膜之間的串并聯(lián)連接是通過形成于PCB板的通孔(ThroughHole)而實現(xiàn)， 所述通孔是在將所述音圈薄膜進行層壓的狀態(tài)或?qū)訅旱倪^程中，貫通全部層或必要的層之 間，通過全部層或必要的層之間的電鍍金，而實現(xiàn)串并聯(lián)連接。
【文檔編號】H04R9/04GK103563398SQ201280022716
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2012年4月16日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月11日
【發(fā)明者】金東萬 申請人:?？巳麪柾?br>
【專利摘要】本發(fā)明涉及平板揚聲器,尤其涉及通過多層音圈薄膜的阻抗控制，可增大感應電動勢的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器。根據(jù)本發(fā)明的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器,將音圈進行PCB(Printed?Circuit?Board)圖形印刷,并包含由4層以上的偶數(shù)層層壓的音圈薄膜,所述音圈薄膜按2層相互串聯(lián)連接,串聯(lián)連接的音圈薄膜相互并聯(lián)連接。
【專利說明】具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板揚聲器，更詳細地涉及通過多層音圈薄膜的阻抗控制，可增大感 應電動勢的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器。
【背景技術(shù)】
[0002]用于平板揚聲器的音圈板是在板狀的線圈板單面或兩面以橢圓形狀纏繞或印刷 圖案而形成。
[0003]音圈板是當電流通過音圈流動時，此時流通的電流將發(fā)生以相同于音圈周圍的音 頻信號的頻率膨脹后收縮的磁場，音圈處在被揚聲器裝置內(nèi)的磁石發(fā)生的磁場，與對應此 類磁場而在音圈中發(fā)生的磁場相互作用，使得音圈板上下移動，因音圈板與揚聲器裝置的 振動板連接,使得振動板上下移動并推動空氣，由此通過空氣的振動發(fā)出聲音。
[0004]此類平板揚聲器的開發(fā)趨勢，可增大功率的同時，其大小也逐漸具有纖細而長長 的結(jié)構(gòu)，并且，為了增大平板揚聲器的功率，開發(fā)將多個磁回路結(jié)合的結(jié)構(gòu)的平板揚聲器也 成為重要的課題。
[0005]但，以多層層壓的音圈薄膜，為了提高感應電動勢，需最大限度地增加圈數(shù)，但隨 著圈數(shù)的增加而使得阻抗值增加，而效率性不高，相反，如果預先設(shè)定阻抗值時，無法增加 圈數(shù)，從而無法提高感應電動勢，結(jié)果，難以實現(xiàn)大功率的揚聲器。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]技術(shù)問題
[0007]本發(fā)明為了解決上述問題而提出，為了最大限度地增大感應電動勢，最大限度地 增加以多層層壓的PCB圖形音圈薄膜的線圈圈數(shù)(Turn數(shù))，由此能夠大幅地增大感應電動 勢，而能夠準確地控制、管理整體PCB圖形音膜的目標阻抗值的具有多層PCB圖形音圈薄 膜的平板揚聲器。
[0008]技術(shù)方案
[0009]為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，包 括將音圈進行PCB (Printed Circuit Board)圖形印刷，以4層以上的偶數(shù)層壓的音圈薄 膜，并且，所述音圈薄膜按2層相互串聯(lián)連接，串聯(lián)連接的音圈薄膜相互并聯(lián)連接。
[0010]在此，所述多層PCB圖形音圈薄膜滿足下列數(shù)學式，
[0011 ] L=2 (n+1)，Rlayer=I/2*Rspec (n+1)
[0012]在此，L為PCB層數(shù)，Rlaye,為各PCB層的設(shè)計阻抗值，Rspee為整體PCB層的目標合 算阻抗值，n為自然數(shù)。
[0013]在此，優(yōu)選地，所述音圈以軌道形狀進行圖形印刷，所述音圈薄膜的串聯(lián)連接通過 軌道形狀音圈的內(nèi)側(cè)線端之間連接而形成，所述串聯(lián)連接的音圈薄膜之間的并聯(lián)連接是 通過軌道形狀音圈的外側(cè)線端之間的連接形成。
[0014]在此，優(yōu)選地，所述音圈薄膜之間的串聯(lián)及并聯(lián)連接通過形成于所述PCB板的通孔(Through Hole)連接。
[0015]在此，所述通孔形成于與軌道形狀音圈的內(nèi)側(cè)線端和外側(cè)線端對應的位置，對應于所述外側(cè)線端的通孔形成2個，對應于所述內(nèi)側(cè)線端的通孔滿足下列數(shù)學式，
[0016]L=2(n+1)，N=1/2*L,
[0017]在此，L為PCB層數(shù)，N為在PCB板的對應于音圈的內(nèi)側(cè)線端的位置形成的通孔個數(shù)，n為自然數(shù)。
[0018]在此，優(yōu)選地，所述音圈薄膜之間的并聯(lián)連接，是在電源的輸入側(cè)形成短路 (Short)，在電源的輸出側(cè)形成短路(Short)而完成連接。
[0019]在此，所述音圈薄膜之間的串并聯(lián)連接是通過形成于PCB板的通孔(Through Hole)而實現(xiàn)，所述通孔是在將所述音圈薄膜進行層壓的狀態(tài)或?qū)訅旱倪^程中，貫通全部層或必要的層之間，通過全部層或必要的層之間的電鍍金，而實現(xiàn)串并聯(lián)連接。[0020]技術(shù)效果
[0021]根據(jù)所述本發(fā)明的構(gòu)成，多層PCB圖形音圈是以最大限度地增大感應電動勢為制作大功率/高效率的揚聲器的必需要素，因此最大限度地纏繞多層PCB音圈，同時對通過目標整體阻抗值的正確的控制、管理，提供大功率、高效率，低費用及良好品質(zhì)的平板揚聲器。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]圖1為根據(jù)本發(fā)明的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器的概略圖。
[0023]圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的多層PCB圖形音圈薄膜的4層層壓結(jié)構(gòu)中串并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0024]圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的多層PCB圖形音圈薄膜的6層層壓結(jié)構(gòu)中第I串并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0025]圖4為示出根據(jù)本發(fā)明的多層PCB圖形音圈薄膜的6層層壓結(jié)構(gòu)中第2串并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0026]圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的多層PCB圖形音圈薄膜的6層層壓結(jié)構(gòu)中第3串并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0027]10:音圈薄膜11a，Ilb:磁體
[0028]12a, 12b:永久磁鐵 13a，13b:上部磁軛
[0029]14a，14b:下部磁軛
【具體實施方式】
[0030]以下，參照【專利附圖】
【附圖說明】根據(jù)本發(fā)明的平板揚聲器的磁板及底架結(jié)構(gòu)。
[0031]圖1為根據(jù)本發(fā)明的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器的概略圖。
[0032]適用本發(fā)明的音膜的平板揚聲器如圖1所示。平板揚聲器包括以既定間隔分隔而相對的一對磁體(lla, Ilb)和配置于一對磁體(lla, Ilb)之間的音圈薄膜(10)。
[0033]相對的一對磁體(11a，lib)分別具有相同的構(gòu)成，可由永久磁鐵(12a，12b)、位于永久磁鐵(12a, 12b)的上部表面的上部磁軛(13a, 13b)、位于永久磁鐵(12a, 12b)的下部表面的下部磁軛(14a，14b)。[0034]優(yōu)選地，具備于相對的磁體(11a，lib)內(nèi)的永久磁鐵(12a，12b)具有相反的極性， 以便相互之間作用引力，并且，音圈薄膜(10)應從兩側(cè)的磁體(11a，lib)維持相同距離 (d)，以便接受相同的磁力。
[0035]如上述構(gòu)成的揚聲器安裝于底架(未圖不)的內(nèi)部，音圈薄膜(10)上端形成用于傳達振動能源的振動板(未圖示)。
[0036]音圈薄膜(10)構(gòu)成以4層以上的偶數(shù)(4，6，8，...)層壓的多層，圖1中示出4層
音圈薄膜。
[0037]通過圖2至圖5對具有4層以上的多層的音圈薄膜的電性連接結(jié)構(gòu)進行說明。
[0038]具有如圖2至圖5的電性連接結(jié)構(gòu)的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器， 可最大限度地增加圈數(shù)，只需管理I層的阻抗值，因此，可將現(xiàn)有的PCB圖形圈數(shù)增加至2 倍至3倍，從而，可通過大幅增大感應電動勢，而實現(xiàn)大功率的揚聲器。
[0039]通常，在多層音圈結(jié)構(gòu)中，難以管理阻抗值，因此，即使是由4層層壓的結(jié)構(gòu)，阻抗值為4Q及8Q時，圈數(shù)只能為20至25圈，但本發(fā)明的連接方式為，4層層壓結(jié)構(gòu)時，圈數(shù)也可為50至60圈，PCB圖形線徑越細，越能夠增加圈數(shù)。
[0040]圖2為根據(jù)本發(fā)明的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器的4層PCB圖形音圈薄膜的連接結(jié)構(gòu)圖，圖3至圖5為 根據(jù)本發(fā)明的具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器的層PCB圖形音圈薄膜的連接結(jié)構(gòu)圖。
[0041]圖2至圖5中的例示中示出由4層或6層層壓的音圈薄膜，為了說明的便利，示出分別進行分離的平面狀態(tài)。
[0042]圖2至圖5中示出的例示作為優(yōu)選實施例進行了說明，可由具有串聯(lián)及并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)的多層結(jié)構(gòu)的PCB圖形音圈薄膜結(jié)構(gòu)形成其他各種形態(tài)。
[0043]如圖2至圖5，預先設(shè)置多層結(jié)構(gòu)的PCB圖形音圈的整體阻抗值時，即使音圈由幾個層構(gòu)成，在形成PCB圖形前可知曉各層應具有的阻抗值。如下利用數(shù)學式I說明上述原理。
[0044]【數(shù)學式I】
[0045]L = 2 (n+1)，Rlayer = l/2*Rspec (n+1)
[0046]在此，L為PCB層數(shù)(4層以上)，Rlayer為各PCB層的設(shè)計阻抗值，Rspe。為整體PCB 層的目標合算阻抗值，n為自然數(shù)。
[0047]例如，使得各層的音圈形成PCB圖形，以使，目標合算阻抗值設(shè)定為16 Q時，音圈薄膜為4層時為n=l，Rlayer (各PCB層的設(shè)計阻抗值)體現(xiàn)為16 Q ;6層時為n=2，Rlayer 體現(xiàn)為240，8層時為11=3，Rlayer體現(xiàn)為32 Q，；10層時Rlayer體現(xiàn)為40Q，之后，如圖 2至圖5所示，按2層進行串聯(lián)連接，并使得串聯(lián)連接的音圈和其他串聯(lián)連接的音圈的一端及另一端分別短路，而完成整體的多層結(jié)構(gòu)的音圈PCB圖形。
[0048]并且，如圖2至圖5所示，為了進行此類連接，PCB板上形成通孔(ThroughHole), 通孔(21e，31e)形成于與音圈(21b, 31b)的內(nèi)側(cè)線端(21c, 31c)及外側(cè)線端(21d, 31d)對應的位置的PCB板(21a至24a，31a至36a)上。
[0049]對應于外側(cè)線端(21d，31d)的通孔，在PCB板的兩側(cè)外側(cè)形成2個，對應于內(nèi)側(cè)線端(21c，31c)的通孔，在PCB板的內(nèi)側(cè)形成可變個數(shù)。
[0050]對應于外側(cè)線端的通孔，與由2個層壓的層數(shù)無關(guān)地可具有固定的值，但對應于內(nèi)側(cè)線端的通孔，如下面所述的數(shù)學式2。
[0051]【數(shù)學式2】
[0052]L = 2 (n+1)，N = 1/2*L [0053]在此，L為PCB層數(shù)，N為在對應于音圈的內(nèi)側(cè)線端的位置，形成于PCB板的通孔的個數(shù)，n為自然數(shù)。
[0054]對應于內(nèi)側(cè)線端(21c，31c)的通孔是為了將音圈薄膜(21至24，或31至36)按 2個進行串聯(lián)連接，對應于外側(cè)線端(21d，31d)的通孔是為了使得按2個串聯(lián)連接的音圈薄膜(21至24，或31至36) —端與另一端短路，進行并聯(lián)連接。
[0055]對應于內(nèi)側(cè)線端(21c，31c)的通孔的可變個數(shù)，是為了防止內(nèi)側(cè)線端之間進行串聯(lián)連接時，與另一對的音圈的串聯(lián)連接短路。即，4層層壓的音圈薄膜，在內(nèi)部以2條線進行串聯(lián)連接，因此需要2個通孔，但6層層壓的音圈薄膜時，因在內(nèi)部按2個串聯(lián)連接，需要3個串聯(lián)連接線，因此3個通孔可防止相互短路。同樣，8層以上的層壓音圈薄膜時，根據(jù)上述數(shù)學式2，選定對應于內(nèi)側(cè)線端的通孔的個數(shù)。
[0056]參照圖2，以上述的根據(jù)為基礎(chǔ)，觀察4層層壓結(jié)構(gòu)的串并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)。
[0057]將4層PCB圖形音圈薄膜的整體阻抗值(RspJ設(shè)定為8 Q時，首先，以PCB銅箔的線徑、長度及數(shù)學式I及數(shù)學式2為根據(jù)，各層音圈應為8 Q，可設(shè)置為8 Q設(shè)計，并將對應于內(nèi)側(cè)線端的通孔的個數(shù)形成2個，而能夠進行串并聯(lián)連接。
[0058]如圖2為將第I層和第4層音圈薄膜(21，24)及第2層和第3層音圈薄膜(22，23) 分別進行串聯(lián)鏈接，第I層和第2層音圈薄膜(21，22)及第3層和第4層音圈薄膜(23，24) 進行并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。
[0059]將各層的音圈薄膜(21至24)的圈數(shù)和阻抗值相同地設(shè)計后，通過PCB板(21a) 的通孔(Throughhole，21e)，將第I層音圈(21)的內(nèi)側(cè)線端(21c)與第2層音圈薄膜(22) 的內(nèi)側(cè)線端(22c)進行連接，由此使得第I層音圈薄膜(21)與第2層音圈薄膜(22)形成串聯(lián)連接。
[0060]如上述，2層的音圈串聯(lián)連接時抗值成為8 Q+8 Q即16Q。
[0061]通過與第I層及第4層音圈薄膜(21，24)相同的方式，將第2層及第3層音圈薄膜(22，23)進行串聯(lián)連接時，同樣地，成為8 Q+8 Q即16 Q。
[0062]之后，通過通孔將第I層音圈薄膜(21)的外側(cè)線端(21d)與第2層音圈薄膜(22) 的外側(cè)線端(22d)進行連接，連接第3層音圈薄膜(23)的外側(cè)線端(23d)與第4層音圈薄膜(24)的外側(cè)線端(24d)時，可形成第I層及第2層音圈薄膜(21，22)和第3層及第4 層音圈薄膜(23，24)并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。
[0063]即，第I層音圈薄膜(21)與第4層音圈薄膜(24)形成串聯(lián)連接，第2層音圈薄膜(22)與第3層音圈薄膜(23)形成串聯(lián)連接，并且，第I層及第2層音圈薄膜(21，22) 和第3層及第4層音圈薄膜(23，24)相互并聯(lián)連接，成為16 Q /2，而形成整體具有8 Q的阻抗值的PCB圖形音圈薄膜。
[0064]相同地，也可將第I層及第2層音圈薄膜(21，22)及第3層及第4層音圈薄膜 (23，24)分別進行串聯(lián)連接，將第I層及第4層音圈薄膜(21，24)和第2層及第3層音圈薄膜(22，23)相互進行并聯(lián)連接。
[0065]優(yōu)選地，在此類層壓結(jié)構(gòu)中的串并聯(lián)連接圖形，在進行串聯(lián)連接時，通過對應于音圈的內(nèi)側(cè)線端(21c至24c)的通孔進行連接，在進行并聯(lián)連接時，通過對應于音圈的外側(cè) 線端(21d至24d)的通孔進行連接。
[0066]并且，在上述的音圈薄膜的層壓結(jié)構(gòu)中，為了正確的阻抗值管理和更多的圈數(shù)及 感應電動勢的增大，需要如下條件。
[0067]各層的PCB圖形音圈，需始終由一定的方向通電流，各層的PCB圖形音圈具有相同 的阻抗值，各層的PCB圖形音圈的連接要無跳躍或另外的非效率性的連接，電流信號的輸 入和輸出需為多層PCB圖形音圈薄膜的前面和后面，因此，按2層的串聯(lián)連接要在多層PCB 音圈的內(nèi)側(cè)線端的中央部分通過通孔進行連接，串聯(lián)連接的音圈的并聯(lián)連接需通過PCB音 圈的外側(cè)線端之間的連接完成。
[0068]圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的多層PCB圖形音圈薄膜的6層層壓結(jié)構(gòu)中的第I串并聯(lián) 連接結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0069]根據(jù)數(shù)學式2，6層層壓結(jié)構(gòu)中，形成于PCB板(31a至36a)的通孔，在對應于音圈 外側(cè)線端的位置的兩側(cè)形成有2個，對應于音圈內(nèi)側(cè)線端的通孔，要在內(nèi)部中心部形成有 3個。
[0070]將各層的音圈薄膜(31至36)的圈數(shù)和阻抗值相同地設(shè)計之后，通過PCB板(31a) 的通孔(Throughhole, 31e),將第I層音圈薄膜(31)的內(nèi)側(cè)線端(31c)和第6層音圈薄膜
(36)的內(nèi)側(cè)線端(36c)進行串聯(lián)連接，以相同的方式，將第2層及第5層音圈(32，35)進 行串聯(lián)連接，同樣地，將第3層及第4層音圈(33，34)的內(nèi)側(cè)線端(33c，34c)進行串聯(lián)連接。
[0071]之后，通過PCB板(31a至36a)的通孔，使得第I層至第3層音圈薄膜(31，32，33) 的外側(cè)線端(31d，32d, 33d)短路，進行并聯(lián)連接，并將第4層至第6層音圈薄膜(34，35，36) 的外側(cè)線端(34d，35d，36d)短路，使得并聯(lián)連接。
[0072]BP,如上述連接的結(jié)構(gòu)中，將整體阻抗值(RspJ設(shè)計為8Q時，根據(jù)數(shù)學式1，各 層的阻抗值(RlayJ被設(shè)計為12 Q。將如上述設(shè)計的音圈薄膜如圖3所示層壓并進行串并 聯(lián)連接時，按2層的串聯(lián)連接，形成分別以24Q進行3個串聯(lián)連接的音圈，將3各音圈進 行并聯(lián)連接時，成為24 Q /3，整體成為8 Q。
[0073]通過如同圖3的方法，可形成如圖4和圖5的其他變形例的連接結(jié)構(gòu)。
[0074]圖4為，將第I層及第4層音圈薄膜(41，44)，第2層及第5層音圈薄膜(42，45)， 第3層及第6層音圈薄膜(43，46)分別進行串聯(lián)連接，并使得第I層至第3層音圈薄膜 (41至43)的一端短路，使得第4層至第6層音圈薄膜(44至46)的另一端短路，進行并聯(lián) 連接的結(jié)構(gòu)。
[0075]圖5為，將第I層及第2層音圈薄膜(41，42)，第3層及第4層音圈薄膜(43，44)， 第5層及第6層音圈薄膜(45，46)分別進行串聯(lián)連接，使得第I層、第3層及第5層音圈 薄膜(41，43，45)的一端短路，使得第2層、第4層及第6層音圈薄膜(42，44，46)的另一端 短路，進行并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。
[0076]通過此類方法，易于自由地、效率性地制造PCB圖形音圈薄膜并進行適用，并且， 在4，6，8，10...偶數(shù)的多層結(jié)構(gòu)中，及其簡單地極大化感應電動勢而管理及體現(xiàn)阻抗值， 由此可制造大功率的揚聲器。
[0077]并且，通過通孔將音圈的各層串聯(lián)及并聯(lián)連接時，從工藝上，將多層PCB圖形按各個層完成之后，將整體層層壓，并通孔以便形成整體層的通孔，之后，將整體層的通孔的電 性鍍金，以完成整體層之間的電性連接。
[0078]并且，通過通孔將音圈的各層串聯(lián)及并聯(lián)連接時，從工藝上按各層完成多層PCB 圖形之后，將所有的層進行層壓，貫通形成所有層的通孔之后，通過所有層的通孔的電鍍 金，完成所需層之間的電性連接。
[0079]如上所述，除了 4層及6層之外的8層以上層壓的音圈薄膜，也可通過相同的方 法管理阻抗值，并且，通過通孔，實現(xiàn)層壓的音膜之間的串并聯(lián)連接。
[0080]以上參照附圖，說明了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員 可以理解:所述本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)成可以在不變更本發(fā)明技術(shù)思想或必需特征的情況下，以 其它具體形態(tài)實施。因此，以上記述的實施例在所有方面應理解為只是示例，而非限定，本 發(fā)明的范圍應當根據(jù)權(quán)利要求解釋，而非根據(jù)所述詳細說明，權(quán)利要求的意義及范圍及其 等價概念導出的所有變更或變形的形態(tài)都應包含于本發(fā)明的范圍。
【權(quán)利要求】
1.具有多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，包括將音圈進行PCB (Printed Circuit Board)圖形印刷，以4層以上的偶數(shù)層壓的音圈薄膜，所述音圈薄膜按2層相互串聯(lián)連接，串聯(lián)連接的音圈薄膜相互并聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，所述多層PCB圖形音圈薄膜滿足下列數(shù)學式，L=2 (n+1)，Rlayer= I/2*Rspec (n+1)在此，L為PCB層數(shù)，Rlayer為各PCB層的設(shè)計阻抗值，Rspec為整體PCB層的目標合算阻 抗值，n為自然數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，所述音圈以軌道形狀進行圖形印刷，所述音圈薄膜的串聯(lián)連接通過軌道形狀音圈的內(nèi)側(cè)線端之間連接而形成，所述串聯(lián)連接的音圈薄膜之間的并聯(lián)連接是通過軌道形狀音圈的外側(cè)線端之間的連 接形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，所述音圈薄膜之間的串聯(lián)及并聯(lián)連接通過形成于所述PCB板的通孔(Through Hole) 連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，所述通孔形成于與軌道形狀音圈的內(nèi)側(cè)線端和外側(cè)線端對應的位置，對應于所述外側(cè)線端的通孔形成2個，對應于所述內(nèi)側(cè)線端的通孔滿足下列數(shù)學式，L=2 (n+l)，N=l/2*L,在此，L為PCB層數(shù)，N為在PCB板的對應于音圈的內(nèi)側(cè)線端的位置形成的通孔個數(shù)，n 為自然數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，所述音圈薄膜之間的并聯(lián)連接，是在電源的輸入側(cè)形成短路(Short)，在電源的輸出側(cè) 形成短路(Short)而完成連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層PCB圖形音圈薄膜的平板揚聲器，其特征在于，所述音圈薄膜之間的串并聯(lián)連接是通過形成于PCB板的通孔(ThroughHole)而實現(xiàn)， 所述通孔是在將所述音圈薄膜進行層壓的狀態(tài)或?qū)訅旱倪^程中，貫通全部層或必要的層之 間，通過全部層或必要的層之間的電鍍金，而實現(xiàn)串并聯(lián)連接。
【文檔編號】H04R9/04GK103563398SQ201280022716
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2012年4月16日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月11日
【發(fā)明者】金東萬 申請人:?？巳麪柾?br>
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