專利名稱：Csp手機照相模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及照相模組技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種CSP手機照相模組。
背景技術(shù)：
如圖1、2、3所示，現(xiàn)有CSP (Chip Scale Package，芯片級封裝)技術(shù)下的手機照相模組一般包括鏡頭單元I、馬達單元2、支架結(jié)構(gòu)單元3、CM0S芯片單元4、感光區(qū)單元5、IR片單元(紅外截止濾光片)6、位于支架結(jié)構(gòu)單元3所圍的內(nèi)部空間中的配套需要的CMOS芯片外圍電路元器件單元7以及基板8。其中，在現(xiàn)有CSP封裝的照相模組中，鏡頭單元I一般使用CSP鏡頭；IR片單元6位于鏡頭內(nèi)的最底端，用于保證有效的光線進入感光區(qū)單 元5，只能為圓形，一般使用紅外截止濾光片；馬達單元2用于推動調(diào)整鏡頭的位置來完成自動聚焦功能；CM0S芯片單元4具有光電轉(zhuǎn)換、圖像處理及成像功能，且其上表面與感光區(qū)單元5上表面的距離為O. 40mm ;支架結(jié)構(gòu)單元3連接馬達單元2及基板8，用于保護內(nèi)部器件；基板8支撐支架結(jié)構(gòu)單元3和承載CMOS芯片單元4、感光區(qū)單元5，其與支架結(jié)構(gòu)單元3所圍的內(nèi)部空間中配套需要的CMOS芯片外圍電路元器件單元7，CMOS芯片單元4與基板8通過引線和焊盤鍵合。目前,CSP(Chip Scale Package)手機照相模組生產(chǎn)制成中的無塵控制能力較弱，模組內(nèi)部的灰塵會直接影響圖像，在圖像上形成暗影。隨著感光芯片尺寸(Pixel Size)的逐步減小，灰塵形成的暗影區(qū)影響會逐漸擴大，嚴重影響模組的生產(chǎn)良率。目前手機照相模組內(nèi)部的灰塵來源主要有兩種I)鏡頭單元I及馬達單元2、，在組裝過程及相對運動過程中增加的灰塵；2)支架結(jié)構(gòu)單元3所圍的內(nèi)部空間中，CMOS芯片外圍電路元器件單元7貼片制成中的灰塵殘留以及CMOS芯片單元4與基板8上的焊盤的間隙中殘留的灰塵等。上述兩部分灰塵，可能會立即對圖像產(chǎn)生影響，也可能會在模組使用一段時間后，才會掉落在CMOS芯片單元4的影像區(qū)，對圖像產(chǎn)生影響。現(xiàn)有技術(shù)中改善灰塵影響的方法大多是使用膠帶結(jié)構(gòu)，將膠帶附著在支架單元3內(nèi)部空間的元器件單元7上，粘結(jié)模組內(nèi)部的灰塵顆粒，但由于膠帶不可以實現(xiàn)CMOS芯片單元4影像區(qū)外的區(qū)域的完全密封，所以支架單元3內(nèi)部空間的灰塵不能很好地避免。另夕卜，仍舊無法改善鏡頭單元及馬達單元相對運動過程中產(chǎn)生的灰塵。

實用新型內(nèi)容本實用新型提出一種CSP手機照相模組，可以減少鏡頭單元及馬達單元相對運動過程中產(chǎn)生的灰塵掉落在影像區(qū)，對圖像產(chǎn)生影響。為了達到上述目的，本實用新型提出一種CSP手機照相模組，包括鏡頭單元，位于整個模組的上部，包括鏡頭；馬達單元，位于所述鏡頭單元的外圍，帶動所述鏡頭運動；基板，位于整個模組的底部；[0014]感光區(qū)單元，位于所述基板上；CMOS芯片單元，位于所述感光區(qū)單元上方或外圍；支架結(jié)構(gòu)單元，位于所述感光區(qū)單元的外圍，且所述支架結(jié)構(gòu)單元頂部連接所述馬達單元，底部連接所述基板；IR片單元，放置在所述CMOS芯片單元的上表面，且位于所述支架結(jié)構(gòu)單元與所述基板之間，所述IR片單元的頂部邊緣固定連接所述支架結(jié)構(gòu)單元，所述IR片單元與支架結(jié)構(gòu)單元以及基板形成密封空間。進一步的，所述支架結(jié)構(gòu)單元的頂部的中間區(qū)域為透光區(qū)域。進一步的，所述IR片單元的頂部邊緣固定連接所述支架結(jié)構(gòu)單元的透光區(qū)域的 邊緣。進一步的，所述IR片單元的頂部邊緣與所述支架結(jié)構(gòu)單元通過熱熔方式形成固定連接。進一步的，所述IR片單元的IR片為圓形或多邊形。進一步的，所述IR片的厚度為O. 2^0. 4mm。進一步的，所述感光區(qū)單元的上表面與所述IR片單元下表面的距離為O. 6^0. 8mm。進一步的，所述支架結(jié)構(gòu)單元側(cè)壁與所述感光區(qū)單元、CMOS芯片單元之間有一定距離。進一步的，所述CSP手機照相模組還包括CM0S芯片外圍電路元器件單元，位于所述基板上且位于所述支架結(jié)構(gòu)單元與所述感光區(qū)單元之間。進一步的，所述基板為柔性電路板，所述CMOS芯片單元與所述基板引線鍵合。進一步的，所述IR片單元的下表面與所述CMOS芯片單元的上表面之間沒有膠水粘接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型提供的CSP手機照相模組，將IR片單元置于支架結(jié)構(gòu)單元內(nèi)部且直接放置在CMOS芯片單元的上表面上，并使得所述IR片單元與支架結(jié)構(gòu)單元以及基板形成密封空間，使得支架結(jié)構(gòu)單元內(nèi)部的例如CMOS芯片外圍電路元器件單元等的元器件內(nèi)的灰塵無法進入CMOS芯片單元的影像區(qū)，同時可以減少鏡頭單元及馬達單元相對運動過程中產(chǎn)生的灰塵掉落在CMOS芯片單元的影像區(qū)，防止進入的灰塵形成暗影區(qū)，提高CSP手機照相模組的生產(chǎn)良率。

圖I所示為現(xiàn)有技術(shù)的CSP手機照相模組的上部結(jié)構(gòu)的截面示意圖；圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)的CSP手機照相模組的下部結(jié)構(gòu)的截面示意圖；圖3所示為現(xiàn)有技術(shù)的CSP手機照相模組的組裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖；圖4所示為本實用新型一實施例的CSP手機照相模組的上部結(jié)構(gòu)的截面示意圖；圖5所示為本實用新型一實施例的CSP手機照相模組的下部結(jié)構(gòu)的截面示意圖；圖6所示為圖4和圖5組裝完成的CSP手機照相模組的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7A至7D所示為圖5所示的CSP手機照相模組的下部結(jié)構(gòu)的組裝過程中的器件截面示意圖。
具體實施方式
本實用新型提出ー種CSP手機照相模組，可以簡單看做是由上部結(jié)構(gòu)和下部結(jié)構(gòu)組成，其關(guān)鍵在于將現(xiàn)有技術(shù)中屬于上部結(jié)構(gòu)中的IR片單元放置到下部結(jié)構(gòu)中。為了更了解本實用新型的技術(shù)內(nèi)容，特舉具體實施例并配合所附圖示說明如下。本實用新型提出ー種CSP手機照相模組，包括上部結(jié)構(gòu)和下部結(jié)構(gòu)。如圖4所示，本實用新型的CSP手機照相模組的上部結(jié)構(gòu)包括鏡頭單元I和馬達単元2，其中，鏡頭單元I包括鏡頭；馬達單元2位于所述鏡頭單元I的外圍，帶動所述鏡頭運動，調(diào)整鏡頭位置以完成鏡頭的自動對焦。 如圖5所示，本實用新型的CSP手機照相模組的下部結(jié)構(gòu)包括基板8、感光區(qū)單元5、CMOS芯片單元4、支架結(jié)構(gòu)單元3以及IR片單元6。其中，基板8位于整個模組的底部；感光區(qū)単元5、CMOS芯片單元4以及IR片單元6依次堆疊于所述基板8上，CMOS芯片單元4位于所述感光區(qū)單元5上方或外圍，IR片單元6放置在所述CMOS芯片單元的上表面；支架結(jié)構(gòu)單元3位于感光區(qū)単元5、CM0S芯片單元4以及IR片單元6的外國，且其側(cè)壁與所述感光區(qū)単元6之間有一定距離，頂部連接所述馬達単元2，底部連接基板8，其頂部中間區(qū)域為透光區(qū)，并與所述IR片單元6的上表面?zhèn)戎芄潭ㄟB接，支架結(jié)構(gòu)單元3與IR片單元6以及基板8形成密封空間。本實施例中，CSP手機照相模組的下部結(jié)構(gòu)還包括位于基板上且位于支架結(jié)構(gòu)單元3與所述感光區(qū)単元6之間的空間內(nèi)的CMOS芯片外圍電路元器件単元7，例如電容、電阻、驅(qū)動元件等。請參考圖6，將圖4所示的上部結(jié)構(gòu)和圖5所示的下部結(jié)構(gòu)組裝在一起即可得到本實用新型的CSP手機照相模組。由干支架結(jié)構(gòu)單元3與IR片單元6以及基板8形成了密封空間，通過IR片單元6可以減少鏡頭單元I及馬達單元2相對運動過程中產(chǎn)生的灰塵掉落在CMOS芯片單元4的影像區(qū)，還可以阻擋支架結(jié)構(gòu)單元3與所述感光區(qū)単元6之間的空間內(nèi)的灰塵(例如CMOS芯片外圍電路元器件單元7等器件內(nèi)的灰塵)進入CMOS芯片單元的影像區(qū)，有效防止暗影區(qū)的形成，提高CSP手機照相模組的生產(chǎn)良率。需要說明的是，由于本實用新型的CSP手機照相模組的IR片單元6不再設(shè)置于鏡頭底部，所以其IR片的形狀也就不僅限定為圓形，還可以為方形、長方形、五邊形、六邊形、八邊形等多邊形。；IR片的厚度為0. 2 0.4臟，例如為0. 21mm, 0. 3mm。將IR片單元6直接放置在CMOS芯片單元4的影像區(qū)表面，無需膠水粘合。進ー步的，通過與所述IR片單元6的厚度増大了所述感光區(qū)単元5上表面與掉落灰塵的面(現(xiàn)有技術(shù)中為CMOS芯片單元的上表面，本實用新型中為所述IR片單元6的上表面)的距離，使得灰塵在CMOS芯片單元影像區(qū)形成的暗影大大減小，所述感光區(qū)単元5的上表面與所述IR片單元上表面之間的距離為0. 6^0. 8mm，優(yōu)選為0. 70mm。進ー步的，將IR片單元6移到支架結(jié)構(gòu)單元3內(nèi)部，并通過熱熔的方式，將IR片固定在支架結(jié)構(gòu)單元3的頂部，達到密封的效果，使得支架結(jié)構(gòu)單元3內(nèi)部的其他器件単元內(nèi)的灰塵無法進入CMOS芯片單元4的影像區(qū)。進ー步的，所述基板為柔性電路板，所述CMOS芯片單元4與所述基板引線鍵合。請參考圖7A至7B，本實用新型還提供一種熱熔方式組裝或制作CSP手機照相模組的下部結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟首先，提供基板8，在所述基板8上貼片，主要是貼附感光區(qū)單元5和CMOS芯片單元4,本實施例中，感光區(qū)單元5位于CMOS芯片單元4內(nèi)部；接著，進行支架結(jié)構(gòu)單元3的定位，主要是將支架結(jié)構(gòu)單元3架構(gòu)在基板8上，在支架結(jié)構(gòu)單元3側(cè)壁與感光區(qū)單元5和CMOS芯片單元4的側(cè)壁之間預留一定距離，在支架結(jié)構(gòu)單元3頂部與CMOS芯片單元4的頂部之間預留放置R片單元6的距離，并使得中央?yún)^(qū)域能夠向CMOS芯片單元4的影像區(qū)透光；然后，進行IR片單元6的定位，主要是將IR片單元6放置在CMOS芯片單元4的影像區(qū)表面；接著，熱熔，將支架結(jié)構(gòu)單元3中間區(qū)域的熱熔點熱熔，使得支架結(jié)構(gòu)單元3的頂 部與IR片單元6的頂部邊緣固定連接，使得支架結(jié)構(gòu)單元3與IR片單元6以及基板8形成密封空間。優(yōu)選的，上述步驟均在無塵室中完成。進一步的，本實用新型提供的CSP手機照相模組的上部結(jié)構(gòu)的鏡頭單元與馬達單元的組裝以及下部結(jié)構(gòu)與上部結(jié)構(gòu)的組裝均在無塵室中完成。綜上所述，本實用新型提供的CSP手機照相模組，將IR片單元置于支架結(jié)構(gòu)單元內(nèi)部且直接放置在CMOS芯片單元的上表面上，并使得所述IR片單元與支架結(jié)構(gòu)單元以及基板形成密封空間，使得支架結(jié)構(gòu)單元內(nèi)部的例如CMOS芯片外圍電路元器件單元等的元器件內(nèi)的灰塵無法進入CMOS芯片單元的影像面，同時可以減少鏡頭單元及馬達單元相對運動過程中產(chǎn)生的灰塵掉落在CMOS芯片單元影像區(qū)，防止進入的灰塵形成暗影區(qū)，提高CSP手機照相模組的生產(chǎn)良率。雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本實用新型，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本實用新型的保護范圍當視權(quán)利要求書所界定者為準。
權(quán)利要求1.一種CSP手機照相模組，其特征在于，包括 鏡頭單元，位于整個模組的上部，包括鏡頭； 馬達單元，位于所述鏡頭單元的外圍，帶動所述鏡頭運動； 基板，位于整個模組的底部； 感光區(qū)單元，位于所述基板上； CMOS芯片單元,位于所述感光區(qū)單元上方或外圍； 支架結(jié)構(gòu)單元，位于所述感光區(qū)單元的外圍，且所述支架結(jié)構(gòu)單元頂部連接所述馬達單元，底部連接所述基板，； IR片單元，放置在所述CMOS芯片單元的上表面，且位于所述支架結(jié)構(gòu)單元與所述基板之間，所述IR片單元的頂部邊緣固定連接所述支架結(jié)構(gòu)單元，所述IR片單元與支架結(jié)構(gòu)單元以及基板形成密封空間。
2.如權(quán)利要求I所述的CSP手機照相模組，其特征在于，所述支架結(jié)構(gòu)單元的頂部的中間區(qū)域為透光區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的CSP手機照相模組，其特征在于，所述IR片單元的頂部邊緣固定連接所述支架結(jié)構(gòu)單元的透光區(qū)域的邊緣。
4.如權(quán)利要求I或3所述的CSP手機照相模組，其特征在于，所述IR片單元的頂部邊緣與所述支架結(jié)構(gòu)單元通過熱熔方式形成固定連接。
5.如權(quán)利要求I所述的CSP手機照相模組，其特征在于，所述IR片單元的IR片為圓形或多邊形。
6.如權(quán)利要求I所述的CSP手機照相模組，其特征在于，所述IR片的厚度為O. 2^0. 4mm。
7.如權(quán)利要求I所述的CSP手機照相模組，其特征在于，所述感光區(qū)單元的上表面與所述IR片單元上表面間的距離為O. 6^0. 8mm。
8.如權(quán)利要求I所述的CSP手機照相模組，其特征在于，所述支架結(jié)構(gòu)單元側(cè)壁與所述感光區(qū)單元、CMOS芯片單元之間有一定距離。
9.如權(quán)利要求8所述的CSP手機照相模組，其特征在于，所述CSP手機照相模組還包括CM0S芯片外圍電路元器件單元，位于所述基板上且位于所述支架結(jié)構(gòu)單元與所述感光區(qū)單元之間。
10.如權(quán)利要求I所述的CSP手機照相模組，其特征在于，所述基板為柔性電路板，所述CMOS芯片單元與所述基板引線鍵合。
11.如權(quán)利要求I所述的CSP手機照相模組，其特征在于，所述IR片單元的下表面與所述CMOS芯片單元的上表面之間沒有膠水粘接。
專利摘要本實用新型提供一種CSP手機照相模組，將IR片單元置于支架結(jié)構(gòu)單元內(nèi)部且直接放置在CMOS芯片單元的上表面上，并使得所述IR片單元與支架結(jié)構(gòu)單元以及基板形成密封空間，使得支架結(jié)構(gòu)單元內(nèi)部的例如CMOS芯片外圍電路元器件單元等的元器件內(nèi)的灰塵無法進入CMOS芯片單元的影像區(qū)，同時可以減少鏡頭單元及馬達單元相對運動過程中產(chǎn)生的灰塵掉落在CMOS芯片單元的影像區(qū)，防止進入的灰塵形成暗影區(qū)，提高CSP手機照相模組的生產(chǎn)良率。
文檔編號H04N5/225GK202652307SQ20122031526
公開日2013年1月2日 申請日期2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月29日
發(fā)明者閆瑋, 陶曄 申請人:豪威科技(上海)有限公司