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駐極體電容傳聲器的制作方法

文檔序號(hào):7837418閱讀:237來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):駐極體電容傳聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及駐極體電容傳聲器技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的駐極體電容傳聲器,其結(jié)構(gòu)主要包括由槽狀外殼和線路板圍合成的外部框架,在外部框架內(nèi)設(shè)置有電容組件。電容組件主要包括構(gòu)成平行板電容器兩極的振膜和背極板,在振膜和背極板之間設(shè)有環(huán)形墊片為振膜提供振動(dòng)空間,在振膜與外殼之間設(shè)有導(dǎo)電振環(huán),振膜通過(guò)導(dǎo)電振環(huán)和外殼實(shí)現(xiàn)與線路板的電連接,而背極板通常是通過(guò)設(shè)置在槽狀外殼內(nèi)側(cè)的導(dǎo)電環(huán)實(shí)現(xiàn)與線路板的電連接,且在導(dǎo)電環(huán)與外殼之間設(shè)置有絕緣支撐環(huán), 避免產(chǎn)品在壓合過(guò)程中內(nèi)部元件造成損壞。其工作原理是當(dāng)有聲音經(jīng)過(guò)外殼表面的聲孔進(jìn)入駐極體電容式傳聲器內(nèi)部,首先作用于振膜上,通過(guò)振膜的振動(dòng),來(lái)改變振膜和背極板形成的平行板電容器兩極之間的距離,產(chǎn)生電信號(hào),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)聲電轉(zhuǎn)換的目的。現(xiàn)有技術(shù)中的結(jié)構(gòu),零部件數(shù)目多,造成在生產(chǎn)制作中工藝復(fù)雜,不便于安裝,生產(chǎn)效率低。且當(dāng)前,隨著技術(shù)的發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品的需求朝著小型化,甚至微型化發(fā)展,從而,對(duì)產(chǎn)品體積要求越來(lái)越小,產(chǎn)品零部件做的更小,零部件數(shù)目眾多,更加不利于安裝。另夕卜,現(xiàn)有技術(shù)中,平行板電容器的兩極分別通過(guò)金屬外殼和導(dǎo)電環(huán)實(shí)現(xiàn)與線路板的電連接, 金屬外殼與導(dǎo)電環(huán)之間的相對(duì)面積較大,兩者產(chǎn)生的寄生電容較大,降低了產(chǎn)品性能。且現(xiàn)有技術(shù)中,通常是用壓力將金屬外殼做卷邊與線路板實(shí)現(xiàn)固定,加工工藝比較復(fù)雜,不易實(shí)現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種駐極體電容傳聲器,減少了產(chǎn)品零部件的數(shù)量,使產(chǎn)品結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化簡(jiǎn)潔,在整個(gè)裝配過(guò)程中減少了多個(gè)環(huán)節(jié),簡(jiǎn)化了產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝,提高了生產(chǎn)效率,增加了生產(chǎn)穩(wěn)定性,且有利于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型的技術(shù)方案是駐極體電容傳聲器,包括由基板和金屬外殼圍合成的外部框架,在所述基板上安裝有電子元器件,在所述金屬外殼上設(shè)有進(jìn)聲孔;安裝于所述外部框架內(nèi)的電容組件,由基板側(cè)到金屬外殼側(cè),所述電容組件包括依次設(shè)置的背極板、墊片和振膜組件,在所述背極板靠近所述振膜組件的一側(cè)表面設(shè)有駐極體材料層;所述基板包括一端開(kāi)口的槽狀的基板骨架,所述基板骨架的內(nèi)底面設(shè)有電路層且延伸到基板骨架的內(nèi)部,所述電子元器件安裝于所述電路層上,所述基板骨架的開(kāi)口端為臺(tái)階狀具有位于外側(cè)且上方的第一支撐面以及位于內(nèi)側(cè)且下方的第二支撐面,所述背極板、墊片和振膜組件依次放置在所述第二支撐面上方,所述金屬外殼放置于所述第一支撐面上方;在所述第一支撐面上設(shè)有第一導(dǎo)電層,在所述基板骨架上開(kāi)設(shè)有分別與所述第一導(dǎo)電層和所述電路層連接的第一通孔,在所述第一通孔內(nèi)設(shè)有第一電連接件;在所述第二支撐面上設(shè)有第二導(dǎo)電層,在所述基板骨架上開(kāi)設(shè)有分別與所述第二導(dǎo)電層和所述電路層連接的第二通孔,在所述第二通孔內(nèi)設(shè)有第二電連接件。作為一種優(yōu) 選的技術(shù)方案,所述基板骨架為陶瓷材料制作而成的基板骨架。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述陶瓷材料為玻璃陶瓷。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述基板骨架包括燒結(jié)在一起的上層骨架、中層骨架和下層骨架,所述上層骨架和所述中層骨架構(gòu)成所述槽狀基板骨架的邊緣,所述中層骨架寬于所述上層骨架且兩者結(jié)合呈臺(tái)階狀,所述下層骨架構(gòu)成所述槽狀基板骨架的底部,且所述下層骨架朝向中層骨架的一側(cè)設(shè)有所述電路層。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述金屬外殼為平板狀。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述駐極體電容傳聲器為方形。采用了上述技術(shù)方案后,本實(shí)用新型的有益效果是1.本實(shí)用新型使用一個(gè)結(jié)構(gòu)新穎的基板,代替了現(xiàn)有技術(shù)中的線路板、導(dǎo)電環(huán)和支撐環(huán)三個(gè)零部件,使得結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化簡(jiǎn)潔?;灏ㄒ欢碎_(kāi)口的槽狀的基板骨架,在其內(nèi)底部設(shè)置電路層且延伸到骨架內(nèi)部,其端口為臺(tái)階狀,形成的兩個(gè)支撐面上分別設(shè)置導(dǎo)電層,背極板、墊片和振膜組件依次設(shè)置在內(nèi)側(cè)且下方的第二支撐面上,背極板通過(guò)第二支撐面上的第二導(dǎo)電層和設(shè)于基板骨架內(nèi)的第二電連接件實(shí)現(xiàn)與電路層電連接,振膜通過(guò)金屬外殼、基板骨架端口外側(cè)且上方的第一支撐面上的第一導(dǎo)電層以及設(shè)于基板骨架內(nèi)的第一電連接件實(shí)現(xiàn)與電路層的電連接。因?yàn)闇p少了零部件數(shù)量,且基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理,背極板、墊片和振膜組件依次放置于基板骨架內(nèi)側(cè)的第二支撐面上即可,組裝方便快捷,在整個(gè)裝配過(guò)程中減少了多個(gè)環(huán)節(jié),簡(jiǎn)化了產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝,提高了生產(chǎn)效率,增加了生產(chǎn)穩(wěn)定性,且有利于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。2.本實(shí)用新型基板的基板骨架是采用陶瓷材料制作而成的,優(yōu)先采用玻璃陶瓷材料,其具有非常高的耐溫性能,整體的提升了駐極體電容傳聲器的耐溫性能,已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了現(xiàn)有駐極體電容傳聲器的耐溫局限,為駐極體電容傳聲器在后續(xù)應(yīng)用產(chǎn)品的工業(yè)化生產(chǎn)提供了有力的保障。3.本實(shí)用新型基板包括槽狀基板骨架,在基板骨架上開(kāi)設(shè)通孔,在通孔內(nèi)設(shè)置第一電連接件和第二電連接件,分別用于實(shí)現(xiàn)振膜組件、背極板與電路層的電連接,不僅電阻率低,而且第一電連接件和第二電連接件之間的相對(duì)面積小,產(chǎn)生的寄生電容較小,提高了產(chǎn)品的性能。4.與現(xiàn)有技術(shù)相比,基板包括槽狀基板骨架,金屬外殼為平板狀,基板與外殼的組裝工藝,不需要設(shè)備作卷邊的動(dòng)作,只要用現(xiàn)在先進(jìn)的生產(chǎn)工藝SMT,將錫膏加到金屬外殼上放到回流焊爐中將錫膏融化,使金屬外殼與基板牢固粘接在一起,較之前有了更加簡(jiǎn)單的加工工藝。5.本實(shí)用新型整體采用方形結(jié)構(gòu),突破了傳統(tǒng)駐極體電容傳聲器圓形的限制,有效的解決了傳統(tǒng)圓形駐極體電容傳聲器SMT無(wú)法精確定位的問(wèn)題。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。[0023]

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的分解結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的剖視圖圖中1.金屬外殼,11.進(jìn)聲孔,2.振膜組件,21.振膜,22.振環(huán),3.墊片,4.背極板,41.駐極體材料層,5.基板,51.基板骨架,511.上層骨架,512.中層骨架,513.下層骨架,52.電路層,A.第一支撐面,531.第一導(dǎo)電層,532.第一電連接件,B.第二支撐面,541. 第二導(dǎo)電層,542.第二電連接件,6.電子元器件。
具體實(shí)施方式
在下面的描述中,只通過(guò)說(shuō)明的方式對(duì)本實(shí)用新型的某些示范性實(shí)施例進(jìn)行描述,毋庸置疑,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到,在不偏離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下,可以用各種不同的方式對(duì)所述的實(shí)施方案進(jìn)行修正。因此,附圖和描述在本質(zhì)上只是說(shuō)明性的,而不是用于限制權(quán)利要求的保護(hù)范圍。此外,在本說(shuō)明書(shū)中,相同的附圖標(biāo)記標(biāo)示相同的部分。如圖1和圖2所示,一種駐極體電容傳聲器。其整體為方形,包括由基板5和金屬外殼1圍合成的外部框架,以及安裝于外部框架內(nèi)的電容組件。在基板5朝向外部框架內(nèi)的一側(cè)設(shè)有對(duì)信號(hào)進(jìn)行處理以及進(jìn)行阻抗變換的電子元器件6,本實(shí)施過(guò)程中,電子元器件6通過(guò)內(nèi)置的語(yǔ)音信號(hào)前置放大及數(shù)字化處理專(zhuān)用IC 芯片,使該駐極體電容傳聲器具有低電壓,低功耗,低噪音,高性能的特點(diǎn)。在金屬外殼1上設(shè)有進(jìn)聲孔11。在外部框架內(nèi)安裝有電容組件,由基板5側(cè)到金屬外殼1側(cè),電容組件包括依次設(shè)置的背極板4、墊片3和振膜組件2,振膜組件2包括振膜21和導(dǎo)電振環(huán)22,振膜21 和背極板4構(gòu)成平行板電容器的兩個(gè)電極。在背極板4靠近振膜組件2的一側(cè)表面設(shè)有駐極體材料層41,可以為電容組件提供電荷量;墊片3為環(huán)狀為振膜21的振動(dòng)提供空間?;?包括一端開(kāi)口的槽狀的基板骨架51,優(yōu)先的,基板骨架51為陶瓷材料制作而成的基板骨架,且該陶瓷材料采用玻璃陶瓷,其具有非常高的耐溫性能,整體的提升了駐極體電容傳聲器的耐溫性能;整個(gè)基板5是采用LTCC技術(shù)成型,易于內(nèi)埋置元器件,提高組裝密度,可進(jìn)一步將電路小型化與高密度化?;骞羌?1的內(nèi)底面設(shè)有電路層52且延伸到基板骨架51的內(nèi)部,電子元器件6安裝于電路層52上。其中,基板骨架51包括燒結(jié)在一起的上層骨架511、中層骨架512和下層骨架 513,上層骨架511和中層骨架512構(gòu)成槽狀基板骨架的邊緣,中層骨架512寬于上層骨架 511且兩者結(jié)合呈臺(tái)階狀,下層骨架513構(gòu)成槽狀基板骨架的底部,電路層52設(shè)置于下層骨架513朝向中層骨架512的一側(cè)?;骞羌?1由上層骨架511和中層骨架512形成的臺(tái)階狀的開(kāi)口端,具有位于外側(cè)且上方的第一支撐面A以及位于內(nèi)側(cè)且下方的第二支撐面B,背極板4、墊片3和振膜組件2依次放置在第二支撐面B上方。在第二支撐面B上設(shè)有第二導(dǎo)電層541,在基板骨架 51上開(kāi)設(shè)有分別與第二導(dǎo)電層541和電路層52連接的第二通孔,在第二通孔內(nèi)設(shè)有第二電連接件542,該第二電連接件542可以通過(guò)在第二通孔內(nèi)填充金屬粉來(lái)實(shí)現(xiàn)。背極板4通過(guò)第二導(dǎo)電層541和第二電連接件542實(shí)現(xiàn)與電路層52的一個(gè)極性電連接。金屬外殼1為平板狀,放置于第一支撐面A上方。在第一支撐面A上設(shè)有第一導(dǎo)電層531,在基板骨架51上開(kāi)設(shè)有分別與第一導(dǎo)電層531和電路層52連接的第一通孔,在第一通孔內(nèi)設(shè)有第一電連接件532,該第一電連接件532可以通過(guò)在第一通孔內(nèi)填充金屬粉來(lái)實(shí)現(xiàn)。振膜組件2通過(guò)金屬外殼1、第一導(dǎo)電層531以及第一電連接件532實(shí)現(xiàn)與電路層52的一個(gè)極性電連接。因此,用于實(shí)現(xiàn)平行板電容器兩個(gè)電極與基板電連接的第一電連接件532和第二電連接件542不僅電阻率低,而且兩者之間的相對(duì)面積小,產(chǎn)生的寄生電容較小,提高了產(chǎn)品的性能。本實(shí)用新型進(jìn)行產(chǎn)品的裝配時(shí),因?yàn)榱悴考?shù)量減少,且基板5的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理, 背極板4、墊片3和振膜組件2依次放置于基板骨架51端口內(nèi)側(cè)的第二支撐面B上即可, 組裝方便快捷,在整個(gè)裝配過(guò)程中減少了多個(gè)環(huán)節(jié),簡(jiǎn)化了產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝,提高了生產(chǎn)效率,增加了生產(chǎn)穩(wěn)定性,且有利于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。另外,基板51與外殼1的組裝工藝,不需要設(shè)備作卷邊的動(dòng)作,只要用現(xiàn)在先進(jìn)的生產(chǎn)工藝SMT,將錫膏加到金屬外殼1上放到回流焊爐中將錫膏融化,使金屬外殼1與基板5牢固粘接在一起,較之前有了更加簡(jiǎn)單的加工工藝。
在本實(shí)用新型的上述教導(dǎo)下,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)行各種改進(jìn)和變形,而這些改進(jìn)和變形,都落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi),本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白,上述的具體描述只是更好的解釋本實(shí)用新型的目的,本實(shí)用新型的保護(hù)范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求1.駐極體電容傳聲器,包括由基板和金屬外殼圍合成的外部框架,在所述基板上安裝有電子元器件,在所述金屬外殼上設(shè)有進(jìn)聲孔;安裝于所述外部框架內(nèi)的電容組件,由基板側(cè)到金屬外殼側(cè),所述電容組件包括依次設(shè)置的背極板、墊片和振膜組件,在所述背極板靠近所述振膜組件的一側(cè)表面設(shè)有駐極體材料層;其特征在于所述基板包括一端開(kāi)口的槽狀的基板骨架,所述基板骨架的內(nèi)底面設(shè)有電路層且延伸到基板骨架的內(nèi)部,所述電子元器件安裝于所述電路層上,所述基板骨架的開(kāi)口端為臺(tái)階狀具有位于外側(cè)且上方的第一支撐面以及位于內(nèi)側(cè)且下方的第二支撐面,所述背極板、墊片和振膜組件依次放置在所述第二支撐面上方,所述金屬外殼放置于所述第一支撐面上方;在所述第一支撐面上設(shè)有第一導(dǎo)電層,在所述基板骨架上開(kāi)設(shè)有分別與所述第一導(dǎo)電層和所述電路層連接的第一通孔,在所述第一通孔內(nèi)設(shè)有第一電連接件;在所述第二支撐面上設(shè)有第二導(dǎo)電層,在所述基板骨架上開(kāi)設(shè)有分別與所述第二導(dǎo)電層和所述電路層連接的第二通孔,在所述第二通孔內(nèi)設(shè)有第二電連接件。
2.如權(quán)利要求1所述的駐極體電容傳聲器,其特征在于所述基板骨架為陶瓷材料制作而成的基板骨架。
3.如權(quán)利要求2所述的駐極體電容傳聲器,其特征在于所述基板骨架為玻璃陶瓷材料制作而成的基板骨架。
4.如權(quán)利要求3所述的駐極體電容傳聲器,其特征在于所述基板骨架包括燒結(jié)在一起的上層骨架、中層骨架和下層骨架,所述上層骨架和所述中層骨架構(gòu)成所述槽狀基板骨架的邊緣,所述中層骨架寬于所述上層骨架且兩者結(jié)合呈臺(tái)階狀,所述下層骨架構(gòu)成所述槽狀基板骨架的底部,且所述下層骨架朝向中層骨架的一側(cè)設(shè)有所述電路層。
5.如權(quán)利要求1至4任一權(quán)利要求所述的駐極體電容傳聲器,其特征在于所述金屬外殼為平板狀。
6.如權(quán)利要求5所述的駐極體電容傳聲器,其特征在于所述駐極體電容傳聲器為方形。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種駐極體電容傳聲器,其基板包括一端開(kāi)口的槽狀的基板骨架,其內(nèi)底面設(shè)有電路層且延伸到骨架內(nèi),基板骨架開(kāi)口端為臺(tái)階狀具有位于外側(cè)且上方的第一支撐面以及位于內(nèi)側(cè)且下方的第二支撐面,電容組件放置在第二支撐面上方,金屬外殼放置于第一支撐面上方;在第一支撐面上設(shè)有第一導(dǎo)電層,在基板骨架上開(kāi)設(shè)有分別與第一導(dǎo)電層和電路層連接的第一通孔,其內(nèi)設(shè)有第一電連接件;在第二支撐面上設(shè)有第二導(dǎo)電層,在基板骨架上開(kāi)設(shè)有分別與第二導(dǎo)電層和電路層連接的第二通孔,其內(nèi)設(shè)有第二電連接件。本實(shí)用新型減少了產(chǎn)品零部件的數(shù)量,使產(chǎn)品結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化簡(jiǎn)潔,在整個(gè)裝配過(guò)程中減少了多個(gè)環(huán)節(jié),簡(jiǎn)化了產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝,提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)H04R19/01GK202068568SQ201120163728
公開(kāi)日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2011年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月21日
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