專利名稱：一種光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法。
背景技術(shù)：
在光通信高速發(fā)展的今天，光模塊作為光通信的關(guān)鍵部件已經(jīng)越來越廣泛的運(yùn)用。新興的光模塊生產(chǎn)廠商如雨后春筍般的出現(xiàn)，對光模塊的新技術(shù)發(fā)展仍然在繼續(xù)，但是對于常用的成熟方案的光模塊而言，使用的技術(shù)方案大同小異，供應(yīng)商相對集中。因而材料成本已經(jīng)差異不大，而客戶對于這些情況的了解，使得客戶對于常規(guī)光模塊的供應(yīng)商如何能做出既滿足要求又低成本的光模塊。由于物料價(jià)格質(zhì)量差異不大，對于光模塊的生產(chǎn)成本節(jié)省來說尤為重要，在節(jié)約生產(chǎn)成本的同時(shí)，還要保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性及質(zhì)量，需要減少人工操作的因素，更多的通過優(yōu)良的軟件算法及自動(dòng)化程序來保證。光模塊的生產(chǎn)與程序相關(guān)的是調(diào)測試，傳統(tǒng)的光模塊的調(diào)測試需要大量價(jià)格昂貴的儀器設(shè)備進(jìn)行測量，這樣光模塊生產(chǎn)過程中，要承擔(dān)儀器設(shè)備高昂的維護(hù)費(fèi)用，同時(shí)也要有專門的人員對其進(jìn)行日常的校準(zhǔn)及管理。怎樣降低生產(chǎn)成本，同時(shí)保證光模塊的產(chǎn)品質(zhì)量成為每家光模塊公司都需要考慮的問題。典型的激光器驅(qū)動(dòng)芯片，是通過對外圍可變電阻或者數(shù)模轉(zhuǎn)化器或其他方式，通過對于其提供的調(diào)制電流及偏置電流進(jìn)行控制。由于半導(dǎo)體激光器具備了監(jiān)控的光電二極管，利用其線性響應(yīng)的能力，激光器驅(qū)動(dòng)芯片提供了一個(gè)負(fù)反饋功能，通過檢測監(jiān)控MPD的光電響應(yīng)電流的大小，激光器本身進(jìn)行bias電流的控制，這種控制方式被稱為平均光功率閉環(huán)，消光比開環(huán)控制方式，如圖1所示。相比較平均光功率開環(huán)模式，閉環(huán)模式是通過設(shè)置MPD光電響應(yīng)電流的大小來控制激光器的發(fā)射光功率。閉環(huán)模式通過調(diào)節(jié)偏置電流來保證光功率恒定。對于光模塊的收端而言，如果使用MPD作為光學(xué)探測，利用MPD的光電響應(yīng)特性及 TIA芯片的電流信號到電壓信號轉(zhuǎn)換，完成光信號到電信號的轉(zhuǎn)變。如果對于接收的靈敏度有很高的要求，一般就會(huì)使用到雪崩光電二極管，這時(shí)需要對雪崩光電二極管加上一個(gè)反向偏置的工作電壓，而其反向偏置工作電壓一般為當(dāng)前溫度的擊穿電壓的90%左右。相對于發(fā)端而言，收端調(diào)試部分較為簡單。無論哪種方式，傳統(tǒng)的光模塊調(diào)試都需要利用光學(xué)測試儀器對光模塊的平均光功率及消光比進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。在相同的應(yīng)用環(huán)境下，光模塊的收發(fā)參數(shù)都是要滿足一定范圍的，但是由于每只半導(dǎo)體激光器的閾值電流，發(fā)光效率，高低溫特性都不同，所以需要通過對光模塊進(jìn)行調(diào)試，調(diào)試的時(shí)候需要通過光功率計(jì)及采樣示波器進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)控，一般先通過光功率計(jì)將平均光功率調(diào)試完成之后，再通過示波器實(shí)時(shí)檢測消光比，完成消光比的調(diào)試ο調(diào)試中使用的光功率計(jì)一般成本在1萬元左右，而采樣示波器及其配套的光學(xué)器件價(jià)格更達(dá)到40萬左右，產(chǎn)生調(diào)制信號的誤碼儀也需要大概10萬左右，如果是高速率的誤碼儀價(jià)格更加高，需要PC機(jī)與其通信的GPIB卡，線纜價(jià)格也是不菲，生產(chǎn)過程中需要維護(hù)計(jì)量等花費(fèi)，即便是自動(dòng)調(diào)試一只光模塊的發(fā)端需要的時(shí)間大概是半分鐘，對于低端的或者利潤較低的光模塊生產(chǎn)來說，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率成為光模塊廠商的最關(guān)注的一個(gè)問題。對于降低生產(chǎn)成本，大部分廠商都在做這個(gè)方向的工作，所以對于現(xiàn)有的光模塊調(diào)試方法而言，大概有如下幾種，
1、仍然使用光學(xué)儀器進(jìn)行調(diào)試，保持原有的調(diào)試方法不變。一個(gè)調(diào)測平臺，有兩個(gè)待調(diào)試的光模塊，先調(diào)試其中1只平均光功率，在調(diào)試平均光功率的間隙，利用光學(xué)開關(guān)切換到另外一路光模塊的消光比調(diào)試，平均光功率調(diào)試完成之后，在將光學(xué)開關(guān)切換回來。利用時(shí)分復(fù)用的方式，提高單位時(shí)間的采樣示波器的利用率，如圖2所示。這種調(diào)試方式增加了光學(xué)開關(guān)的成本，員工操作及程序控制的復(fù)雜性。使用分路器會(huì)需要進(jìn)行功率的校準(zhǔn)，例如理論計(jì)算光功率通過50 50的分路器，功率應(yīng)該下降一半， 也就是3dB，但是由于分路器不能保證分光的精確度，所以每隔一段時(shí)間需要對光路進(jìn)行校準(zhǔn)。也會(huì)降低生產(chǎn)的效率。2、保證原有的調(diào)試方式不變，在原有的采樣示波器的基礎(chǔ)上，買入不帶有光電轉(zhuǎn)換的普通采樣示波器及一般的光電轉(zhuǎn)換模塊，進(jìn)行二次開發(fā)，調(diào)試光模塊使用自制的采樣示波器，同時(shí)自制誤碼儀，以達(dá)到降低生產(chǎn)成本的目的。由于不是專業(yè)儀器生產(chǎn)廠商，測試消光比的精確度有很大差異，同時(shí)其穩(wěn)定性也不如專業(yè)的儀器生產(chǎn)廠商，需要有專門的開發(fā)技術(shù)人員對示波器進(jìn)行維護(hù)，而且需要足夠的儲(chǔ)備，以便遇到不能馬上修復(fù)的示波器，有備用的示波器，保證生產(chǎn)的連續(xù)性。3、有的公司利用自己在自動(dòng)化控制上的優(yōu)勢，通過使用串口，USB 口進(jìn)行通信，去掉了原有的高價(jià)的GPIB卡及線纜，以達(dá)到節(jié)省生產(chǎn)成本的目的。這樣通信的穩(wěn)定性受到了挑戰(zhàn)，可能生產(chǎn)設(shè)備出現(xiàn)通信異常的比例會(huì)增高，而維護(hù)員工的成本也要相應(yīng)增加。4、利用消光比的計(jì)算方法，
先設(shè)置正常應(yīng)用狀態(tài)的功率及消光比的典型值，根據(jù)下列算式 AOP及ER的典型值可以通過設(shè)置已知?？梢杂?jì)算出PO及Pl的理論值。在沒有誤碼儀輸出數(shù)據(jù)信號的時(shí)候，激光器驅(qū)動(dòng)芯片提供偏置電流來保證光功率?？梢酝ㄟ^改變可變電阻或者數(shù)模轉(zhuǎn)換器，使得使得ΑΟΡ，=P0，這個(gè)時(shí)候的AOP= (Ibias-Ith) *SE，PC機(jī)記錄這個(gè)時(shí)候的激光器驅(qū)動(dòng)芯片監(jiān)控的Bias電流值。然后使得位誤碼儀發(fā)送數(shù)據(jù)流信號，這個(gè)時(shí)候激光器驅(qū)動(dòng)芯片將提供調(diào)制電流及偏置電流來保證發(fā)光功率，通過改變可變電阻或者數(shù)模轉(zhuǎn)換器調(diào)試平均光功率，然后再調(diào)試調(diào)制電流，使得此時(shí)的監(jiān)控偏置電流跟平均光功率為PO 的時(shí)候的偏置電流一樣，即可認(rèn)為調(diào)試結(jié)束。該種方式由于需要將平均光功率調(diào)試到相對較小的P0，由于半導(dǎo)體激光器及其監(jiān)控的光電二極管的特性，會(huì)存在部分相應(yīng)光電流過小的器件，無法通過該方式調(diào)試得到。生產(chǎn)的直通率沒有傳統(tǒng)的生產(chǎn)模式高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法，以實(shí)現(xiàn)通過讀取器件生產(chǎn)商提供的參數(shù)數(shù)據(jù)并根據(jù)需要的消光比及光功率直接設(shè)置偏置端的輸入電壓和調(diào)制端的輸入電壓。為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明提供一種光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法，直接從器件資料中讀取器件的特征參數(shù)，再根據(jù)系統(tǒng)需要的平均光功率(AOP)及消光比 (ER)，計(jì)算出在調(diào)制端需要輸入的電壓(Vdacl)和在偏置端需要輸入的電壓(Vdac2)，并根據(jù)上述計(jì)算得到的在調(diào)制端需要輸入的電壓(Vdacl)和在偏置端需要輸入的電壓(Vdac2) 來設(shè)置調(diào)制端的輸入電壓(Vdacl)和偏置端的輸入電壓(Vdac2)。該讀取器件的特征參數(shù)為發(fā)光效率(SE)、光電二極管的響應(yīng)度(？？)、芯片參考電壓值(Vref )、調(diào)制電流設(shè)置電阻值(Rmodset)、光電二極管響應(yīng)電流的設(shè)置電阻值 (Rapcset)0該計(jì)算出在調(diào)制端需要輸入的電壓(Vdacl)和在偏置端需要輸入的電壓(Vdac2) 的方法為根據(jù)平均光功率(AOP)及消光比(ER)計(jì)算出高電平的光功率(Pl)和低電平的光功率(PO)；根據(jù)高電平的光功率(P1)、低電平的光功率(PO)和發(fā)光效率(SE)計(jì)算出調(diào)制電流(Imod)；根據(jù)平均光功率(AOP)及光電二極管的響應(yīng)度(？？)計(jì)算出光電二極管的響應(yīng)電流(Impd)；根據(jù)光電二極管的相應(yīng)電流(Impd)、芯片參考電壓值(Vref)、光電二極管響應(yīng)電流的設(shè)置電阻值(Rapcset)，使用芯片特征公式計(jì)算出在調(diào)制端需要輸入的電壓 (Vdacl)；根據(jù)調(diào)制電流(Imod)、芯片參考電壓值(Vref)、調(diào)制電流設(shè)置電阻值(Rmodset)， 使用芯片特征公式計(jì)算出在偏置端需要輸入的電壓(Vdac2)。該設(shè)置調(diào)制端的輸入電壓(Vdacl)的方法，為使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器設(shè)置調(diào)制端的輸入電壓(Vdacl)。該設(shè)置偏置端的輸入電壓(Vdac2)的方法，為使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器設(shè)置調(diào)制端的輸入電壓(Vdac2)。該設(shè)置調(diào)制端的輸入電壓(Vdacl)的方法，為在調(diào)制端并聯(lián)可變電阻，通過調(diào)整可變電阻設(shè)置調(diào)制端的輸入電壓(Vdacl)。該設(shè)置偏置端的輸入電壓(Vdac2)的方法，為在偏置端并聯(lián)可變電阻，通過調(diào)整可變電阻設(shè)置偏置端的輸入電壓(Vdac2)。該從器件資料中讀取器件的特征參數(shù)的方法，具體為使用條碼掃描槍讀取儲(chǔ)存于器件所附條碼中的預(yù)存的器件特征參數(shù)。采用了本發(fā)明的技術(shù)方案，可以實(shí)現(xiàn)通過讀取器件生產(chǎn)商提供的參數(shù)數(shù)據(jù)并根據(jù)需要的消光比及光功率直接設(shè)置偏置端的輸入電壓和調(diào)制端的輸入電壓。


圖1是平均光功率閉環(huán)，消光比開環(huán)控制方式電路圖； 圖2是現(xiàn)有技術(shù)的使用光學(xué)開關(guān)調(diào)試的設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖3是平均光功率及光電二極管的響應(yīng)電流的線性關(guān)系示意圖； 圖4是激光器二極管加載電流與發(fā)光功率的關(guān)系的示意圖； 圖5是本發(fā)明的光功率閉環(huán)方式發(fā)射機(jī)的電路示意圖； 圖6是本發(fā)明的數(shù)據(jù)讀取裝置示意圖； 圖7是本發(fā)明的內(nèi)部生產(chǎn)的發(fā)射機(jī)調(diào)試方法流程圖； 圖8是本發(fā)明的供應(yīng)商提供的發(fā)射機(jī)調(diào)試方法流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式
來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。通過對于光器件的供應(yīng)商提供的測試數(shù)據(jù)，主要是器件的發(fā)光效率SE (slopeefficiency), Ith+20mA時(shí)常溫的MPD的光電響應(yīng)電流，簡稱背光電流。如果是開環(huán)模式需要測試Ith (閾值電流)的值，通過公式廣4進(jìn)行設(shè)置值的寫入即可完成調(diào)試。公式1 (A0P=P1+P0) /2 公式 2 :ER=10*lg(Pl/P0)
公式 3 :Pl=(Imod+Ibias-Ith)*SE 公式 4 :P0= (Ibias-Ith) *SE 公式 5 :A0P= *Impd 公式 6 :SE= P/ I=(P2-P1)/(12-11) 公式 7 Jth= (I1*P2-I2*P1) ？ ((P2-P1)) 其中
AOP 平均光功率，ER 消光比，Imod 調(diào)制電流，Ibias 偏置電流，Ith 閾值電流，SE 發(fā)光效率，Pl 1電平的光功率，PO 0電平的光功率，Impd 光電二極管的響應(yīng)電流。公式5表示的平均光功率及光電二極管的響應(yīng)電流的線性關(guān)系可以體現(xiàn)為圖3 (圖3為平均光功率及光電二極管的響應(yīng)電流的線性關(guān)系示意圖)。由于光器件測試的時(shí)候，發(fā)光功率及響應(yīng)光電流都可以通過測試得到，故？？可以通過AOP/Impd得到。公式6，可以通過體現(xiàn)為圖4(圖4為背光二極管的響應(yīng)度的示意圖)。同樣光器件的測試，可以測試兩點(diǎn)的加載電流及對應(yīng)的發(fā)光效率。不同應(yīng)用的光模塊需要的平均光功率及消光比是不同的，通過對生產(chǎn)數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)置，即可得到想要調(diào)試到的平均光功率及消光比的值，例如光模塊需要光功率在(T6dBm，數(shù)據(jù)庫設(shè)置為調(diào)試目標(biāo)值為3dBm，消光比范圍為iTl4dB，那么數(shù)據(jù)庫的調(diào)試目標(biāo)值可以設(shè)置為 IOdB0通過公式1，公式2，可以計(jì)算出Pl及PO的值，由公式2，可得10*P0=P1，帶入公式 1，得至Ij 11*P0=2麗，那么 PO=O. 18mw，Pl=L 82麗。然后再通過公式3，公式4，可以計(jì)算常溫調(diào)試時(shí)，需要的調(diào)制電流。由于P0，P1已經(jīng)通過公式1、2計(jì)算出來，兩個(gè)公式相減，得到Imod*SE=Pl-P0=l. 64麗。再利用公式6，及光器件測試的加載在半導(dǎo)體激光器的電流及半導(dǎo)體激光器的發(fā)射功率，這個(gè)是在光器件測試部分測試得到的，跟光模塊的發(fā)射機(jī)部分調(diào)試無關(guān)，這里是為了推導(dǎo)計(jì)算。例如測試得到的P2=2mw，Pl=Imw, Il=16mA, I2=26mA，那么通過計(jì)算 SE=O. lmw/mA0Imod=16. 4mA.通過公式7的推導(dǎo)可以得到閾值電流Ith=6mA。閾值電流在平均光功率開環(huán)模式下才會(huì)用到，閉環(huán)模式還需要計(jì)算光電二極管MPD的響應(yīng)度。利用測試得到的背光電流對應(yīng)的光功率，可以計(jì)算出背光二極管MPD的響應(yīng)度？？，根據(jù)要調(diào)試模塊的AOP的具體值，及計(jì)算出的？？，可以得到Impd的值。例如功率為 Imw的時(shí)候，Impd的電流測試為200uA，那么響應(yīng)度？？通過公式5，得到？ =5mw/mA。那么這個(gè)半導(dǎo)體激光器的平均光功率要達(dá)到2mw的情況下，光電響應(yīng)電流需要400uA。激光器驅(qū)動(dòng)器芯片提供的調(diào)制電流，MPD響應(yīng)電流的計(jì)算公式，可以求得，需要設(shè)置的可變電阻器或者數(shù)模轉(zhuǎn)換器的設(shè)置值，通過根據(jù)高低溫的激光器的溫變系數(shù)，寫入以溫度為變量的設(shè)置值查找表中，完成光模塊的調(diào)試。假設(shè)使用上述的半導(dǎo)體激光器來做光模塊。
如圖5所示(圖5為本發(fā)明的光功率閉環(huán)方式發(fā)射機(jī)的電路示意圖)，例如使用美國美信芯片公司的激光器驅(qū)動(dòng)芯片MAX3738，如果使用的數(shù)模轉(zhuǎn)換器設(shè)置的方式，平均光功率閉環(huán)控制，閉環(huán)控制是激光器驅(qū)動(dòng)芯片利用對mpd的光電響應(yīng)電流的大小進(jìn)行監(jiān)控反饋，控制偏置電流的大小來保證穩(wěn)定的平均光功率輸出，芯片消光比開環(huán)控制，其調(diào)制電流的計(jì)算公式為
公式 8 :Impd=l/2氺(Vref-Vdacl) /Rapcset 公式 9 Imod= (Vref-Vdac2)氺268/Rmodse
其中Rmodset為調(diào)制電流設(shè)置電阻值，Rapcset為閉環(huán)控制的光電二極管響應(yīng)電流的設(shè)置電阻值，這個(gè)是由不同的設(shè)計(jì)方案而定的，但是每個(gè)機(jī)型的電阻值是固定的，相當(dāng)于公式5，6中的已知量。Vref為MAX3738的參考電壓值，為1. 25V，Vdacl和Vdac2為數(shù)模轉(zhuǎn)換器電壓，通過數(shù)模轉(zhuǎn)換器進(jìn)行設(shè)置，這個(gè)就是需要通過公式求出的變量。假設(shè)Rapcset電阻為IKohm，Rmodset電阻為4Kohm，那么利用上面半導(dǎo)體激光器計(jì)算的值帶入公式8，9可以算得Vdacl=O. 45V，Vadc2=l. 01V。對應(yīng)數(shù)模轉(zhuǎn)換器的設(shè)置值，也就是需要寫入光模塊的設(shè)置值。如圖6所示(圖6為本發(fā)明的數(shù)據(jù)讀取裝置示意圖)，本發(fā)明可以使用一臺條碼掃描槍，對光器件的條碼進(jìn)行掃描，輸入到PC機(jī)中，一臺測試板提供光模塊的供電及跟PC通信的接口功能，一臺PC機(jī)，對于當(dāng)前的光器件及光模塊機(jī)型號進(jìn)行處理，并通過網(wǎng)絡(luò)訪問數(shù)據(jù)庫，根據(jù)算法及光器件的測試數(shù)據(jù)，完成光模塊設(shè)置值的運(yùn)算并寫入光模塊中。本發(fā)明中用到的PC機(jī)可以為美國戴爾公司的戴爾Vostro 1040系列，條碼掃描槍可以為美國Honeywell公司的3800G系列，而測試板可以為superxon公司自制的EVB5。 通信接口都為USB接口，網(wǎng)絡(luò)接口有線或者無線皆可?？驁D中沒有任何的光學(xué)測試儀器出現(xiàn)，大大降低了生產(chǎn)成本，如果涉及到產(chǎn)線的擴(kuò)產(chǎn)，也只需要增加相應(yīng)的低廉的設(shè)備和一臺PC機(jī)加測試板的空間即可完成。該發(fā)明主要以現(xiàn)在的信息技術(shù)高速發(fā)展為前提，利用成熟的數(shù)據(jù)庫及網(wǎng)絡(luò)技術(shù)， 對于內(nèi)部制造的光學(xué)器件或者外部采購的光學(xué)器件的測試數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)庫錄入。對于內(nèi)部制造的光器件應(yīng)用于光模塊的生產(chǎn)流程如圖7所示(圖7為本發(fā)明的內(nèi)部生產(chǎn)的發(fā)射機(jī)調(diào)試方法流程圖)。步驟1，自產(chǎn)的光器件的測試，并通過條碼號記錄進(jìn)生產(chǎn)數(shù)據(jù)庫中；
步驟2，完成光模塊的裝配，通過條碼掃描槍掃描光器件的條碼號，利用條碼號，數(shù)據(jù)庫讀取測試數(shù)據(jù)，根據(jù)選定的光模塊的機(jī)型，利用PC機(jī)進(jìn)行設(shè)置值的計(jì)算； 步驟3，計(jì)算完成之后，通過通信接口將設(shè)置值寫入光模塊中； 步驟4，完成一只光模塊的調(diào)試，并將數(shù)據(jù)記錄進(jìn)數(shù)據(jù)庫中。內(nèi)部生產(chǎn)的光器件，可以利用唯一的條碼識別，光器件的測試數(shù)據(jù)存入數(shù)據(jù)庫中， 生產(chǎn)的時(shí)候只需要通過條碼掃描槍，對條碼進(jìn)行掃描，選取正確的調(diào)試機(jī)型，即可完成設(shè)置值的計(jì)算及寫入。而對于外購的光器件，要求供應(yīng)商按照固定的格式填寫測試的數(shù)據(jù)，并要求光器件上的條碼號跟測試數(shù)據(jù)一一對應(yīng)，同時(shí)測試數(shù)據(jù)導(dǎo)入軟件會(huì)對格式進(jìn)行鑒別，對于個(gè)別關(guān)鍵數(shù)據(jù)會(huì)通過設(shè)置門限進(jìn)行限制，以預(yù)防測試數(shù)據(jù)導(dǎo)入錯(cuò)誤的情況發(fā)生。對于供應(yīng)商提供的光器件的生產(chǎn)調(diào)試流程如圖8所示(圖8為本發(fā)明的供應(yīng)商提供的發(fā)射機(jī)調(diào)試方法流程圖)。
步驟1，供應(yīng)商提供的光器件測試數(shù)據(jù)的錄入，通過軟件對數(shù)據(jù)進(jìn)行識別之后，確認(rèn)無誤進(jìn)行數(shù)據(jù)庫的錄入工作；
步驟2，完成光模塊的裝配，通過條碼掃描槍掃描光器件的條碼號，利用條碼號，數(shù)據(jù)庫讀取測試數(shù)據(jù)，根據(jù)選定的光模塊的機(jī)型，利用PC機(jī)進(jìn)行設(shè)置值的計(jì)算； 步驟3，計(jì)算完成之后，通過通信接口將設(shè)置值寫入光模塊中； 步驟4，完成一只光模塊的調(diào)試，并將數(shù)據(jù)記錄進(jìn)數(shù)據(jù)庫中。無論外來或者自產(chǎn)的光器件，數(shù)據(jù)庫會(huì)有記錄，模塊生產(chǎn)調(diào)試一樣會(huì)有記錄，一旦遇到產(chǎn)品的質(zhì)量問題，會(huì)通過數(shù)據(jù)庫進(jìn)行追溯，對產(chǎn)品進(jìn)行有效的管理。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此， 任何熟悉該技術(shù)的人在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法，其特征在于直接從器件資料中讀取器件的特征參數(shù)，再根據(jù)系統(tǒng)需要的平均光功率(AOP)及消光比(ER)，計(jì)算出在調(diào)制端需要輸入的電壓(Vdacl)和在偏置端需要輸入的電壓(Vdac2)， 并根據(jù)上述計(jì)算得到的在調(diào)制端需要輸入的電壓(Vdacl)和在偏置端需要輸入的電壓 (Vdac2)來設(shè)置調(diào)制端的輸入電壓(Vdacl)和偏置端的輸入電壓(Vdac2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法，其特征在于 所述讀取器件的特征參數(shù)為發(fā)光效率(SE)、光電二極管的響應(yīng)度(？？)、芯片參考電壓值(Vref )、調(diào)制電流設(shè)置電阻值(Rmodset)、光電二極管響應(yīng)電流的設(shè)置電阻值 (Rapcset)0
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法，其特征在于 所述計(jì)算出在調(diào)制端需要輸入的電壓(Vdacl)和在偏置端需要輸入的電壓(Vdac2)的方法為根據(jù)平均光功率(AOP)及消光比(ER)計(jì)算出高電平的光功率(Pl)和低電平的光功率 (PO)；根據(jù)高電平的光功率(P1)、低電平的光功率(PO)和發(fā)光效率(SE)計(jì)算出調(diào)制電流 (Imod)；根據(jù)平均光功率(AOP)及光電二極管的響應(yīng)度(？？)計(jì)算出光電二極管的響應(yīng)電流 (Impd)；根據(jù)光電二極管的相應(yīng)電流(Impd)、芯片參考電壓值(Vref)、光電二極管響應(yīng)電流的設(shè)置電阻值(Rapcset)，使用芯片特征公式計(jì)算出在調(diào)制端需要輸入的電壓(Vdacl)；根據(jù)調(diào)制電流(Imod)、芯片參考電壓值(Vref )、調(diào)制電流設(shè)置電阻值(Rmodset )，使用芯片特征公式計(jì)算出在偏置端需要輸入的電壓(Vdac2 )。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法，其特征在于 所述設(shè)置調(diào)制端的輸入電壓(Vdacl)的方法，為使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器設(shè)置調(diào)制端的輸入電H(Vdacl)0
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法，其特征在于 所述設(shè)置調(diào)制端的輸入電壓(Vdacl)的方法，為在調(diào)制端并聯(lián)可變電阻，通過調(diào)整可變電阻設(shè)置調(diào)制端的輸入電壓(Vdac 1)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法，其特征在于 所述設(shè)置偏置端的輸入電壓(Vdac2)的方法，為使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器設(shè)置調(diào)制端的輸入電壓(Vdac2)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法，其特征在于 所述設(shè)置偏置端的輸入電壓(Vdac2)的方法，為在偏置端并聯(lián)可變電阻，通過調(diào)整可變電阻設(shè)置偏置端的輸入電壓(Vdac2)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法，其特征在于 所述從器件資料中讀取器件的特征參數(shù)的方法，具體為使用條碼掃描槍讀取儲(chǔ)存于器件所附條碼中的預(yù)存的器件特征參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光模塊發(fā)端閉環(huán)調(diào)試光功率和消光比的方法。使用生產(chǎn)時(shí)光器件測得的數(shù)據(jù)直接計(jì)算需要設(shè)置的調(diào)制電流和光電二極管響應(yīng)背光電流，代替現(xiàn)有的現(xiàn)場調(diào)試的方式，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號H04B10/08GK102291174SQ201110218159
公開日2011年12月21日 申請日期2011年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月1日
發(fā)明者余濤, 徐元, 覃嶺 申請人:成都優(yōu)博創(chuàng)技術(shù)有限公司