專利名稱：硅基電容麥克風(fēng)及硅基電容麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硅基電容麥克風(fēng)的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著無(wú)線通訊的發(fā)展，全球移動(dòng)電話用戶越來(lái)越多，用戶對(duì)移動(dòng)電話的要求已不 僅滿足于通話，而且要能夠提供高質(zhì)量的通話效果，尤其是目前移動(dòng)多媒體技術(shù)的發(fā)展，移 動(dòng)電話的通話質(zhì)量更顯重要，移動(dòng)電話的麥克風(fēng)作為移動(dòng)電話的語(yǔ)音拾取裝置，其設(shè)計(jì)好 壞直接影響通話質(zhì)量。而目前應(yīng)用較多且性能較好的麥克風(fēng)是微電機(jī)系統(tǒng)麥克風(fēng)(Micro-Electro-Mech anical-System Microphone，簡(jiǎn)稱MEMS)，相關(guān)技術(shù)中，MEMS麥克風(fēng)包括基底、背板和振膜。 隨著硅基電容麥克風(fēng)尺寸的減小，傳統(tǒng)的硅基電容麥克風(fēng)的制作方法存在的缺陷是振膜與 背板之間的絕緣電阻小。因此，有必要提供一種新型的硅基電容麥克風(fēng)制作方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明需解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可以提高麥克風(fēng)電學(xué)性能的硅基電容麥克 風(fēng)的制作方法。根據(jù)上述需解決的技術(shù)問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一種硅基電容麥克風(fēng)的制作方法，該方法包 括如下步驟步驟A 提供一個(gè)硅基底，硅基底上沉積刻蝕阻擋層；步驟B 在刻蝕阻擋層上沉積應(yīng)力平衡層；步驟C 在應(yīng)力平衡層上沉積振膜；步驟D 在硅基底上沉積犧牲層，并刻出潛影；步驟E 沉積背板；步驟F 對(duì)背板摻雜，使之變成導(dǎo)體；步驟G 刻蝕背板；步驟H 沉積電極，做歐姆接觸。優(yōu)選的，步驟F中，摻雜之前，所述背板為多晶硅背板。優(yōu)選的，所述步驟E中，背板的與基底相連的外周設(shè)有若干缺口。本發(fā)明還提供了一種硅基電容麥克風(fēng)，包括基底、與基底相連的背板、與背板相對(duì) 且設(shè)置在背板與基底之間的振膜，所述背板設(shè)有與基底相連的下底面、平行于下底面的上 底面以及連接上底面和下底面的側(cè)面，在下底面上設(shè)有若干缺口，所述缺口自下底面沿側(cè) 面向上底面延伸。本發(fā)明的有益效果在于由于在制作過(guò)程中，去掉了金屬層，使背板直接摻雜導(dǎo)電，這樣就提高了兩個(gè)電極之間的電阻，做到振膜和背板分離，解決漏電問(wèn)題，提高了硅基 電容麥克風(fēng)的電學(xué)性能。由于多晶硅背板的分壓以及縱向寄生電容的效應(yīng)，提高了硅基電容麥克風(fēng)的靈敏度。本發(fā)明提供的方法還避免了多晶硅之間的接觸電阻。


圖1是用本發(fā)明提供的方法制成的硅基電容麥克風(fēng)的立體圖；圖2是圖1的剖視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。本發(fā)明提供的硅電容麥克風(fēng)1主要用于手機(jī)等電子設(shè)備中，用于接收聲音。本發(fā)明提供的硅基電容麥克風(fēng)的制作方法，該方法包括如下步驟步驟A 提供一個(gè)硅基底，硅基底上沉積刻蝕阻擋層；步驟B 在刻蝕阻擋層上沉積應(yīng)力平衡層；步驟C 在應(yīng)力平衡層上沉積振膜；步驟D 在硅基底上沉積犧牲層，并刻出潛影；步驟E 沉積背板；步驟F 對(duì)背板摻雜，使之變成導(dǎo)體；步驟G 刻蝕背板；步驟H 沉積電極，做歐姆接觸。步驟F中，摻雜之前，所述背板為多晶硅背板。所述步驟E中，背板的外周設(shè)有若干缺口?？蓞⒁?jiàn)圖1-2，在圖1所示中，硅基底11上設(shè)有振膜13，背板12與振膜13相對(duì)設(shè) 置，振膜13在背板12與基底1之間。背板12與基底相連的外周設(shè)有若干缺口 121。振膜13上設(shè)有電極131。由于在制作過(guò)程中，去掉了金屬層，使背板直接摻雜導(dǎo)電，這樣就提高了兩個(gè)電極 之間的電阻，做到振膜和背板分離，解決漏電問(wèn)題，提高了硅基電容麥克風(fēng)的電學(xué)性能。由于多晶硅背板的分壓以及縱向寄生電容的效應(yīng)，提高了硅基電容麥克風(fēng)的靈敏度。由于背板12與基底相連的外周上設(shè)有若干缺口 121，更好的提高了硅基電容麥克 風(fēng)的靈敏度。參見(jiàn)圖1，本發(fā)明還提供了一種硅基電容麥克風(fēng)1，包括基底11、與基底相連的背 板12、與背板12相對(duì)且設(shè)置在背板12與基底11之間的振膜13，所述背板12設(shè)有與基底 11相連的下底面122、平行于下底面122的上底面123以及連接上底面122和下底面123 的側(cè)面124，在下底面121上設(shè)有若干缺口 121，所述缺口 121自下底面122沿側(cè)面124向 上底面123延伸。以上所述的僅是本發(fā)明的若干實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本發(fā)明的保 護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種硅基電容麥克風(fēng)的制作方法，其特征在于，該方法包括如下步驟步驟A提供一個(gè)硅基底，硅基底上沉積刻蝕阻擋層；步驟B在刻蝕阻擋層上沉積應(yīng)力平衡層；步驟C在應(yīng)力平衡層上沉積振膜；步驟D在硅基底上沉積犧牲層，并刻出潛影；步驟E沉積背板；步驟F對(duì)背板摻雜，使之變成導(dǎo)體；步驟G刻蝕背板；步驟H沉積電極，做歐姆接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基電容麥克風(fēng)的制作方法，其特征在于步驟F中，摻雜之 前，所述背板為多晶硅背板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基電容麥克風(fēng)的制作方法，其特征在于所述步驟E中，背 板與基底相連的外周設(shè)有若干缺口。
4.一種硅基電容麥克風(fēng)，包括基底、與基底相連的背板、與背板相對(duì)且設(shè)置在背板與基 底之間的振膜，其特征在于所述背板設(shè)有與基底相連的下底面、平行于下底面的上底面以 及連接上底面和下底面的側(cè)面，在下底面上設(shè)有若干缺口，所述缺口自下底面沿側(cè)面向上 底面延伸。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種硅基電容麥克風(fēng)的制作方法，該方法包括如下步驟步驟A提供一個(gè)硅基底，硅基底上沉積刻蝕阻擋層；步驟B在刻蝕阻擋層上沉積應(yīng)力平衡層；步驟C在應(yīng)力平衡層上沉積振膜；步驟D在硅基底上沉積犧牲層，并刻出潛影；步驟E沉積背板；步驟F對(duì)背板摻雜，使之變成導(dǎo)體；步驟G刻蝕背板；步驟H沉積電極，做歐姆接觸。
文檔編號(hào)H04R31/00GK101848411SQ20101019377
公開(kāi)日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2010年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月7日
發(fā)明者孟珍奎, 李海鋒, 葛舟 申請(qǐng)人:瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司;瑞聲微電子科技(常州)有限公司