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新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭的制作方法

文檔序號:7934892閱讀:678來源:國知局
專利名稱:新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于衛(wèi)星廣播電視和衛(wèi)星通訊技術(shù)領(lǐng)域,具體地說涉及 一種新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭。
背景技術(shù)
2002年7月31日公告的、公告號為CN2503672Y的中國實用新型專 利公開一種Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭(高頻頭又稱降頻器(LBN) }。它由 饋源和高頻頭電路組件構(gòu)成,高頻頭電路組件由低噪聲寬帶放大器、鏡 象抑制帶通濾波器、雙本振振蕩器、環(huán)形功率分配器、平衡混頻器、中 頻放大器、三端穩(wěn)壓器和控制電路組成,來自衛(wèi)星轉(zhuǎn)發(fā)器的射頻信號先 由低噪聲寬帶放大器放大后,再由鏡像抑制帶通濾波器濾除鏡像干擾 后,送至環(huán)形功率分配器,環(huán)形功率分配器將該信號和來自雙本振振蕩 器的本振信號,均分后送給平衡混頻器,再由平衡混頻器送出的中頻信 號,經(jīng)中頻放大器放大后由F頭輸出。
該裝置具有功率增益高、噪聲低、相位噪聲指標(biāo)好、可靠性高的優(yōu) 點,但是也有體積過大、零件多、布線困難等缺點。

實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題是如何克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,提 供一種新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭。
為解決上述技術(shù)問題,本新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭包括饋源和高頻頭電路組件,其中高頻頭電路組件包括低噪聲寬帶放大器、鏡象 抑制帶通濾波器、雙本振振蕩器、功率分配器、平衡混頻器、中頻放大
器、三端穩(wěn)壓器和控制電路。高頻頭電路組件還包括一體化IC,所述雙 本振振蕩器、功率分配器、平衡混頻器即來自于該一體化IC,高頻頭電 路組件的其余部分由該一體化IC的外圍電路構(gòu)成。
如此設(shè)計,可以減少零部件、便于組裝,且小巧美觀。
作為優(yōu)化,所述一體化IC為TFF1004HN芯片,該芯片的第16腳 增設(shè)有中頻放大器。
該TFF1004HN芯片原設(shè)計增益放大Min26dB、 Typ32dB、 Max35dB, 實際增益放大為Typ30dB,增加一顆8 dB中頻放大器,可以補償IC增益 放大低的不足。
作為優(yōu)化,所述TFF1004HN芯片的第7腳上增加一顆1 1.8KQ電 阻到地。
所述TFF1004HN芯片原設(shè)計第7腳是控制H/Low Band電路的開關(guān)。 供給第7腳DC電壓3V時IC Hi Band動做;不供電時IC Low Band動 作。實際情況是在工作中當(dāng)不供電時第7腳仍然有電,無法進行控制 Hi/Low Band切換。
如此設(shè)計,在第7Pin上增加一顆1-1.8KQ load電阻到地,在工 作中不供電時,第7腳無電壓存在;需供電時第7腳仍然有DC電壓3V , 從而確保第7腳能準(zhǔn)確控制Hi/Low Band切換。
作為優(yōu)化,所述TFF1004HN芯片第6腳外接50MHz石英晶體振蕩器, 其一腳上增加一顆10pF電容到地,其另一只腳接一顆OR電阻到地。(注 意OR電阻并不表示阻值為零的電阻,而是指阻值小于一定數(shù)值——50mQ的電阻都可以稱為0R電阻)
TFF1004HN芯片原設(shè)計第6腳需外接一顆50MHz石英晶體振蕩器, 產(chǎn)生一個振蕩頻率給TFF1004HN芯片,才能夠有Hi/Low Band振蕩頻率 產(chǎn)生,實際上,僅外接一顆50MHz石英晶體振蕩器,在老化試驗-30。C +80。C時,仍沒有Hi / Low Band振蕩頻率,TFF1004HN芯片無法正常 工作,有時常溫+25"C也無法正常工作,相位噪聲指標(biāo)差。
如此設(shè)計,提高了 TFF1004HN芯片在常溫+25。C與老化試驗-3(TC +8(TC的可靠性及穩(wěn)定性,同時也改善了 IC的相位噪聲指標(biāo)。
作為優(yōu)化,該一體化IC的第21腳、第16腳分別增加一個晶片電 阻,使其阻抗匹配成50Q,其外圍電路的相應(yīng)位置上增加濾波電容。如 此設(shè)計,經(jīng)過濾波,解決了Hi/LowBand混波、混頻不平衡,噪聲高的 問題。
本實用新型提供的Ku頻段高頻頭是一種雙極性、雙本振(9. 75GHZ 和10.6GHZ)的降頻器,它與拋物面天線和衛(wèi)星電視接收機組合在一起, 構(gòu)成衛(wèi)星電視地球接收站,可以直接接收地球同步衛(wèi)星Ku頻段轉(zhuǎn)發(fā)器 發(fā)出的模擬或數(shù)字電視信號。該降頻器采用了當(dāng)今最新型的超低噪聲, 高增益場效應(yīng)晶體和降頻器專用本機振蕩,平衡混頻,中頻放大,晶體偏 置和控制集成電路,因此,該降頻器功率增益高、噪聲低、相位噪聲指 標(biāo)好、可靠性高,且具有結(jié)構(gòu)簡單,零件減少,體積縮小,成本降低的優(yōu) 點,可滿足家庭、廠礦企業(yè)等多種環(huán)境使用,特別適合衛(wèi)星電視"村村 通、戶戶通"工程的需要。以下結(jié)合附圖對本新型KU頻段衛(wèi)星接收高頻頭作進一步說明

圖1是本新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭的原理方框圖2是本新型KU頻段衛(wèi)星接收高頻頭的實施方式一的電路圖3是本新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭的實施方式二的電路圖。
具體實施方式
實施方式一如圖l、 2所示,本新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭由饋
源和高頻頭電路組件組成,其中高頻頭電路組件包括低噪聲寬帶放大 器、鏡象抑制帶通濾波器、雙本振振蕩器、功率分配器、平衡混頻器、
中頻放大器、三端穩(wěn)壓器和控制電路。高頻頭電路組件還包括一體化IC, 所述雙本振振蕩器、功率分配器、平衡混頻器即來自于該一體化IC,高 頻頭電路組件的其余部分由該一體化IC的外圍電路構(gòu)成。
實施方式二如圖l、 3所示所述一體化IC為TFF1004HN芯片, 該芯片的第16腳增設(shè)有一個8db的中頻放大器,見圖3中標(biāo)"1"處。
所述TFF1004HN芯片的第7腳上增加一顆l-1.8KQ電阻到地,見 圖3中標(biāo)"2"處。
所述TFF1004HN芯片第6腳外接50MHz石英晶體振蕩器,其一腳 上增加一顆10pF電容到地,;其另一只腳接一顆OR電阻到地,見圖3 中標(biāo)"3"處。
該一體化IC的外圍電路的相應(yīng)位置上增加濾波電容,見圖3中標(biāo) "5"處;其input (即第21腳)和output (即第16腳)增加晶片電阻, 使其阻抗匹配成50Q,見圖3中標(biāo)"4"處。其余結(jié)構(gòu)如實施方式一所 述。
權(quán)利要求1、一種新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭,包括饋源和高頻頭電路組件,其中高頻頭電路組件包括低噪聲寬帶放大器、鏡象抑制帶通濾波器、雙本振振蕩器、功率分配器、平衡混頻器、中頻放大器、三端穩(wěn)壓器和控制電路,其特征在于高頻頭電路組件還包括一體化IC,所述雙本振振蕩器、功率分配器、平衡混頻器即來自于該一體化IC,高頻頭電路組件的其余部分由該一體化IC的外圍電路構(gòu)成。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭,其特征在于所述一體化IC為TFF1004HN芯片,該芯片的第16腳增設(shè)有中頻放大器°
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭,其特征在于所述TFF1004HN芯片的第7腳上增加一顆l-1.8KX2電阻到地。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭,其特征在于所述TFF1004HN芯片第6腳外接50MHz石英晶體振蕩器,其一腳上增加一顆10pF電容到地,其另一只腳接一顆OR電阻到地。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭,其特征在于該一體化IC的第21腳、第16腳分別增加一個晶片電阻,使其阻抗匹配成50Q,其外圍電路的相應(yīng)位置上增加濾波電容。
專利摘要本實用新型涉及一種新型Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭?,F(xiàn)有Ku頻段衛(wèi)星接收高頻頭體積過大、零件多、布線困難。本實用新型包括饋源和高頻頭電路組件,其中高頻頭電路組件包括低噪聲寬帶放大器、鏡象抑制帶通濾波器、雙本振振蕩器、功率分配器、平衡混頻器、中頻放大器、三端穩(wěn)壓器和控制電路。高頻頭電路組件還包括一體化IC,所述雙本振振蕩器、功率分配器、平衡混頻器即來自于該一體化IC,高頻頭電路組件的其余部分由該一體化IC的外圍電路構(gòu)成。本實用新型功率增益高、噪聲低、相位噪聲指標(biāo)好、可靠性高,且結(jié)構(gòu)簡單,零件減少,體積縮小,成本降低,可滿足家庭、廠礦企業(yè)等多種環(huán)境使用,特別適合衛(wèi)星電視“村村通、戶戶通”工程的需要。
文檔編號H04B7/185GK201282460SQ20082020199
公開日2009年7月29日 申請日期2008年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月17日
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