專利名稱：超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種新型電聲轉(zhuǎn)換器。
技術(shù)背景近年來(lái)，隨著手機(jī)、筆記本電腦等電子產(chǎn)品市場(chǎng)的飛速發(fā)展，性價(jià)比優(yōu)異 的動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器(一般包括受話器和電聲轉(zhuǎn)換器)得到廣泛的應(yīng)用。常見(jiàn) 的動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器振膜設(shè)計(jì)一般包括邊緣部和中部，其邊緣部粘結(jié)在外殼上， 中部設(shè)置一個(gè)往上的凸起，這就造成了一種困難，就是振膜中部最高點(diǎn)的位置 往往明顯高出電聲轉(zhuǎn)換器的外殼以及磁路裝置部分，在電聲轉(zhuǎn)換器的工作中振 膜中部的振動(dòng)幅度較大，所以造成了產(chǎn)品的高度降低受到了限制，產(chǎn)品的功率 也無(wú)法進(jìn)一步提高。然而，現(xiàn)今電子產(chǎn)品對(duì)于電聲轉(zhuǎn)換器的普遍要求就是薄形 化、大功率、優(yōu)性能，在原有的結(jié)構(gòu)上，無(wú)法實(shí)現(xiàn)這些特點(diǎn)。所以，有必要提 供一種可以大幅度降低產(chǎn)品尺寸、增加產(chǎn)品功率、提高產(chǎn)品性能，并且能夠降 低生產(chǎn)成本的超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器。 實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可以大幅度降低產(chǎn)品尺寸、增 加產(chǎn)品功率、提高產(chǎn)品性能，并且能夠降低生產(chǎn)成本的超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器， 包括外磁路裝置和振動(dòng)裝置，及外殼，其中所述外磁路裝置包括邊緣平坦而 中部形成凸起的盆架，安裝在所述盆架平坦邊緣的磁鐵，疊放在所述磁鐵上的 華司，所述盆架的中部凸起與所述磁鐵和華司之間形成磁間隙；所述振動(dòng)裝置 包括位于所述磁間隙內(nèi)的音圈，與所述音圈粘結(jié)在一起的振膜；所述外殼包裹、 固定所述外磁路裝置，所述振膜的邊緣固定在所述外殼或所述華司的外表面； 所述盆架的中部凸起設(shè)有朝向所述盆架底部的盆架凹陷，所述振膜的中部設(shè)有 朝向所述盆架凹陷并與所述盆架凹陷相應(yīng)的振膜凹陷。木技術(shù)方案的一種改進(jìn)在于所述盆架的中部凸起為中空的凸起，且所述 凸起的空腔具有朝向所述盆架底部外表面的開(kāi)口。作為對(duì)上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)所述盆架凹陷為設(shè)置在所述盆架凸起 部且上大下小形的梯形凹陷，或者所述盆架凹陷為設(shè)置在所述盆架凸起部圓弧 形凹陷。作為對(duì)上述技術(shù)方案的更進(jìn)一步改進(jìn)所述盆架凹陷位置設(shè)置有貫穿盆架 內(nèi)外的孔洞，所述孔洞外側(cè)安裝有阻尼裝置。本技術(shù)方案的一種改進(jìn)在于所述盆架凹陷為設(shè)置在所述盆架凸起部并貫 穿所述盆架的孔洞，所述孔洞具有容留所述振膜凹陷的空間。作為對(duì)上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)所述振膜中部的一側(cè)或者兩側(cè)設(shè)有復(fù) 合膜。作為對(duì)上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)所述振膜邊緣通過(guò)一個(gè)固定環(huán)固定在 所述外殼上或所述華司的外表面。作為對(duì)上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)所述盆架、磁鐵和華司為長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)， 所述盆架凸起部的兩側(cè)安裝有磁鐵和華司組成的磁鐵華司對(duì)。作為對(duì)上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)所述超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器的外形和 所述磁路裝置以及對(duì)應(yīng)所述振動(dòng)裝置的平面形狀是圓形或者長(zhǎng)形，所述盆架、 磁鐵和華司為環(huán)形結(jié)構(gòu)。作為對(duì)上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn):所述振膜在和音圈的結(jié)合處是平滑的。一般動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)中還包括一個(gè)覆蓋振膜的前蓋以及阻尼、焊盤、 接插件、防塵部件等其他零件，此類零件的設(shè)置和有無(wú)并不影響本專利的創(chuàng)造 性，在此不再贅述。由于采用了上述技術(shù)方案，超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器，包括外磁路裝置和振 動(dòng)裝置，及外殼，其中所述外磁路裝置包括邊緣平坦而中部形成凸起的盆架， 安裝在所述盆架平坦邊緣的磁鐵，疊放在所述磁鐵上的華司，所述盆架的中部 凸起與所述磁鐵和華司之間形成磁間隙；所述振動(dòng)裝置包括位于所述磁間隙內(nèi) 的音圈，與所述音圈粘結(jié)在一起的振膜；所述外殼包裹、固定所述外磁路裝置，所述振膜的邊緣固定在所述外殼或所述華司的外表面；所述盆架的中部凸起設(shè) 有朝向所述盆架底部的盆架凹陷，所述振膜的中部設(shè)有朝向所述盆架凹陷并與 所述盆架凹陷相應(yīng)的振膜凹陷；這種結(jié)構(gòu)的動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品尺寸大幅度 降低、產(chǎn)品功率增加、產(chǎn)品性能提高。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施案例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施案例二的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型實(shí)施案例二的磁路部分俯視示意圖；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施案例三的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實(shí)用新型實(shí)施案例四電聲轉(zhuǎn)換器振動(dòng)部分的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一如圖l所示是本實(shí)用新型實(shí)施案例一的結(jié)構(gòu)示意圖，在本實(shí)施案例中， 一種超薄電聲轉(zhuǎn)換器，包括依次由一個(gè)圓形盆架101、環(huán)形磁鐵102 和環(huán)形華司103組成的磁路裝置，盆架101上具有邊緣平坦底部用以放置磁鐵 102和華司103、在磁鐵102和華司103內(nèi)部并朝向磁鐵102和華司103 —側(cè)延 伸的凸起部101a、在凸起部101a內(nèi)部設(shè)有朝向盆架101底部的盆架凹陷101b， 盆架凹陷101b的形狀為上大下小形的梯形凹陷，從而磁鐵102、華司103和凸 起部101a形成了一個(gè)環(huán)形的磁間隙；包括一個(gè)塑料外殼104，將磁路裝置固定 在一起；包括一個(gè)振膜105，振膜105包括一個(gè)邊緣部105a和中部105b,邊緣 部105a和中部105b結(jié)合位置105c的下方安裝有音圈106，音圈106處在環(huán)形 磁間隙內(nèi)，從而振膜105和音圈106形成了超薄電聲轉(zhuǎn)換器的振動(dòng)裝置；振膜 邊緣部105a的邊緣被預(yù)先粘結(jié)在華司103的邊緣；所述振膜的中部105b設(shè)有 朝向所述盆架凹陷101b并與所述盆架凹陷101b相應(yīng)的振膜凹陷。這種超薄電聲轉(zhuǎn)換器，采用外磁路結(jié)構(gòu)，采用的盆架中部凹陷，并且對(duì)應(yīng) 位置的振膜中心位置也采用凹陷設(shè)計(jì)，可以大幅度降低產(chǎn)品高度，并且不犧牲 磁鐵體積，產(chǎn)品尺寸大幅度降低、產(chǎn)品功率增加并可以使得Fo(最低諧振頻率) 降低、高頻擴(kuò)展。同時(shí)，這種結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品采用零件較少，并且各個(gè)零件的安裝都不需要額外的定位工裝，可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，振膜和華司預(yù)先結(jié)合再裝入 電聲轉(zhuǎn)換器的方式，也使得電聲轉(zhuǎn)換器的裝配更加容易。實(shí)施例二如圖2所示是本實(shí)用新型實(shí)施案例二的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3是本 實(shí)用新型實(shí)施案例二的磁路部分俯視示意圖。本實(shí)施案例和實(shí)施案例一主要有 以下幾點(diǎn)區(qū)別l.超薄電聲轉(zhuǎn)換器的外形為長(zhǎng)形，從而對(duì)應(yīng)的磁路結(jié)構(gòu)也為長(zhǎng) 條形，兩個(gè)長(zhǎng)條形磁鐵102、華司103分布于盆架101的兩側(cè)；2.盆架101側(cè) 壁凸起部101a的內(nèi)側(cè)部分切除，中心形成一個(gè)孔洞，從而盆架101被分成了左 右兩部分，成為兩個(gè)L形的長(zhǎng)條形盆架；3.盆架上和磁間隙對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有多 個(gè)對(duì)稱分布的小孔101c。這種結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，符合了現(xiàn)在長(zhǎng)條外形、長(zhǎng)形磁路結(jié)構(gòu)越來(lái)越多的電聲轉(zhuǎn) 換器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì);盆架中部形成的孔洞和小孔101c可以作為后聲孔使用用于發(fā)聲 和保持電聲轉(zhuǎn)換器內(nèi)外氣壓平衡，并可以用于散發(fā)電聲轉(zhuǎn)換器長(zhǎng)期工作產(chǎn)生的 熱量，而小孔的位置和形狀對(duì)稱分布可以使得磁路裝置的磁力線對(duì)稱。實(shí)施例三如圖4是本實(shí)用新型實(shí)施案例三的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施案例和 實(shí)施案例一主要有以下幾點(diǎn)區(qū)別1、盆架101的盆架凹陷101b部被部分切除 從而形成孔洞101d，孔洞101d的外側(cè)安裝有阻尼108; 2、振膜105邊緣處預(yù) 先固定連接在一個(gè)銅環(huán)107上，利用銅環(huán)107固定在華司103上；3、振膜邊緣 部105a和中部105b的結(jié)合處105c采用平滑設(shè)計(jì)。這種結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，盆架中部形成的孔洞101d可以作為后聲孔使用用于發(fā)聲 和保持電聲轉(zhuǎn)換器內(nèi)外氣壓平衡，并可以用于散發(fā)電聲轉(zhuǎn)換器長(zhǎng)期工作產(chǎn)生的 熱量，孔洞101d的外側(cè)安裝的阻尼108可以調(diào)節(jié)產(chǎn)品性能，通過(guò)調(diào)節(jié)其厚度的 不同來(lái)調(diào)整失真等，振膜邊緣利用一個(gè)銅環(huán)固定連接，可以提高振膜邊緣的高 度，進(jìn)一步降低振膜邊緣部碰撞磁路裝置的可能性，振膜邊緣部和中部的結(jié)合 處采用平滑設(shè)計(jì)可以使得音圈和振膜的粘結(jié)面更加平行，粘結(jié)面積更大，振膜 整體部分的平滑設(shè)計(jì)也使得振膜的制作也更加容易。實(shí)施例四如圖5是本實(shí)用新型實(shí)施案例四電聲轉(zhuǎn)換器振動(dòng)部分的結(jié)構(gòu)示 意圖，本實(shí)施案例和實(shí)施案例一主要區(qū)別是在振膜中部的凹陷部105b上設(shè)置多層復(fù)合膜105d。復(fù)合膜105d的增加可以使得振膜各個(gè)部分振動(dòng)頻率不同，電 聲轉(zhuǎn)換器Fo (最低諧振頻率)進(jìn)一步降低，音質(zhì)進(jìn)一步改善。復(fù)合膜一般釆用 一層鋁箔或者塑料材料制作，其材料可以和振膜材料一致，也可以不一致，主 要根據(jù)不同的音質(zhì)需要來(lái)適當(dāng)調(diào)整；同時(shí)，復(fù)合膜可以設(shè)置在振膜的上面或者 下面或者兩面，可以設(shè)置一層或多層； 一般在振膜制作成型時(shí)，同時(shí)將復(fù)合膜 一體設(shè)置在振膜上。本實(shí)用新型相比已有的超薄型電聲轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，可以大幅度降低產(chǎn)品尺寸、 增加產(chǎn)品功率，并且提高產(chǎn)品性能，同時(shí)能夠降低生產(chǎn)成本、便于自動(dòng)化生產(chǎn) 的實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求1.超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器，包括外磁路裝置和振動(dòng)裝置，及外殼，其特征在于所述外磁路裝置包括邊緣平坦而中部形成凸起的盆架，安裝在所述盆架平坦邊緣的磁鐵，疊放在所述磁鐵上的華司，所述盆架的中部凸起與所述磁鐵和華司之間形成磁間隙；所述振動(dòng)裝置包括位于所述磁間隙內(nèi)的音圈，與所述音圈粘結(jié)在一起的振膜；所述外殼包裹、固定所述外磁路裝置，所述振膜的邊緣固定在所述外殼或所述華司的外表面；所述盆架的中部凸起設(shè)有朝向所述盆架底部的盆架凹陷，所述振膜的中部設(shè)有朝向所述盆架凹陷并與所述盆架凹陷相應(yīng)的振膜凹陷。
2. 如權(quán)利要求1所述的超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器，其特征在于所述盆架的 中部凸起為中空的凸起，且所述凸起的空腔具有朝向所述盆架底部外表面的開(kāi) 口。
3. 如權(quán)利要求2所述的超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器，其特征在于所述盆架凹 陷為設(shè)置在所述盆架凸起部且上大下小形的梯形凹陷，或者所述盆架凹陷為設(shè) 置在所述盆架凸起部圓弧形凹陷。
4. 如權(quán)利要求3所述的超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器，其特征在于所述盆架凹 陷位置設(shè)置有貫穿盆架內(nèi)外的孔洞，所述孔洞外側(cè)安裝有阻尼裝置。
5. 如權(quán)利要求1所述的超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器，其特征在于所述盆架凹 陷為設(shè)置在所述盆架凸起部并貫穿所述盆架的孔洞，所述孔洞具有容留所述振 膜凹陷的空間。
6. 如權(quán)利要求l、 2、 3、 4或5所述的超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器，其特征在 于所述振膜中部的一側(cè)或者兩側(cè)設(shè)有復(fù)合膜。
7. 如權(quán)利要求l 、 2、 3、 4或5所述的超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器，其特征在 于所述振膜邊緣通過(guò)一個(gè)固定環(huán)固定在所述外殼上或所述華司的外表面。
8. 如權(quán)利要求l、 2、 3、 4或5所述的超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器，其特征在 于所述盆架、磁鐵和華司為長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)，所述盆架凸起部的兩側(cè)安裝有磁鐵 和華司組成的磁鐵華司對(duì)。
9. 如權(quán)利要求l、 2、 3、 4或5所述的超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器，其特征在于所述超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器的外形和所述磁路裝置以及對(duì)應(yīng)所述振動(dòng)裝置 的平面形狀是圓形或者長(zhǎng)形，所述盆架、磁鐵和華司為環(huán)形結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求l、 2、 3、 4或5所述的超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器，其特征 在于所述振膜和音圈的結(jié)合處是平滑的。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種超薄動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器，包括外磁路裝置和振動(dòng)裝置，及外殼，其中所述外磁路裝置包括邊緣平坦而中部形成凸起的盆架，安裝在所述盆架平坦邊緣的磁鐵，疊放在所述磁鐵上的華司，所述盆架的中部凸起與所述磁鐵和華司之間形成磁間隙；所述振動(dòng)裝置包括位于所述磁間隙內(nèi)的音圈，與所述音圈粘結(jié)在一起的振膜；所述外殼包裹、固定所述外磁路裝置，所述振膜的邊緣固定在所述外殼或所述華司的外表面；所述盆架的中部凸起設(shè)有朝向所述盆架底部的盆架凹陷，所述振膜的中部設(shè)有朝向所述盆架凹陷并與所述盆架凹陷相應(yīng)的振膜凹陷；這種結(jié)構(gòu)的動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品尺寸大幅度降低、產(chǎn)品功率增加、產(chǎn)品性能提高。
文檔編號(hào)H04R9/00GK201153324SQ20082001717
公開(kāi)日2008年11月19日 申請(qǐng)日期2008年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月29日
發(fā)明者任金龍, 劉春發(fā), 偉 王, 斌 王, 磊 程 申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司;星電高科技(青島)有限公司