專(zhuān)利名稱(chēng)：電容式麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電容式麥克風(fēng)，尤其涉及一種微電機(jī)系統(tǒng)麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
隨著無(wú)線通訊的發(fā)展，全球移動(dòng)電話用戶(hù)越來(lái)越多，用戶(hù)對(duì)移動(dòng)電話 的要求已不僅滿(mǎn)足于通話，而且要能夠提供高質(zhì)量的通話效果，尤其是目 前移動(dòng)多媒體技術(shù)的發(fā)展，移動(dòng)電話的通話質(zhì)量更顯重要，移動(dòng)電話的麥 克風(fēng)作為移動(dòng)電話的語(yǔ)音拾取裝置，其設(shè)計(jì)好壞直接影響通話質(zhì)量。
而目前應(yīng)用較多且性能較好的麥克風(fēng)是微電機(jī)系統(tǒng)麥克風(fēng)
(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone, 簡(jiǎn)稱(chēng)MEMS ),其封裝體 積比傳統(tǒng)的駐極體麥克風(fēng)小。然而，MEMS麥克風(fēng)內(nèi)部元器件若受到外部 污染，如灰塵，則會(huì)影響其聲學(xué)性能，比如降低靈敏度，甚至灰塵會(huì)磨損 內(nèi)部元器件。
如1所示，為一種與本發(fā)明相關(guān)的麥克風(fēng)剖視示意圖。該麥克風(fēng) 10包括背板11、與背板11相對(duì)并通過(guò)支撐部121相連接的振膜12,振膜 12可相對(duì)背板11上下振動(dòng)，背板ll另設(shè)有聲孔111,該聲孔lll可將聲 音氣流傳遞到振膜12上并引起振膜12振動(dòng)。但此種結(jié)構(gòu)的麥克風(fēng)，振膜 12與支撐部121的連接是通過(guò)振膜12的周邊固接于支撐部121的，很容 易使得電極引出線因臺(tái)階變化而出現(xiàn)斷點(diǎn)、短路情況，降低了麥克風(fēng)的靈 敏度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種電容式麥克風(fēng)，以解決麥克風(fēng)靈敏度低的 技術(shù)問(wèn)題。
為達(dá)到上述技術(shù)目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為 一種電容式麥克風(fēng)，包括背板、支撐層、與背板相對(duì)并通過(guò)支撐層相連的振膜、背板上設(shè)有聲孔，其特征在于所述振膜上設(shè)置有若干通槽，
該通槽指向振膜的中心；振膜分為振動(dòng)部分和支撐部分，支撐部分為若干
等分所述振膜的懸臂，懸臂的一端固定在振膜上，另一端突出于振膜的周 側(cè)，懸臂未突出于振膜周側(cè)的部分位于所述通槽內(nèi)，所述懸臂指向振膜的 中心，所述懸臂上設(shè)置有槽，該槽垂直于通槽。
優(yōu)選的，所述支撐層上設(shè)置有與所述懸臂相對(duì)應(yīng)的凹槽。
優(yōu)選的，所述通槽有8個(gè)，所述懸臂有4個(gè)。 優(yōu)選的，所述懸臂為矩形。
優(yōu)選的，設(shè)置在所述懸臂上的槽的橫截面為U形或V形。 優(yōu)選的，所述振膜采用Si或Si02或Si3N4或多晶硅材料生成后摻雜 金屬形成。
優(yōu)選的，所述電容式麥克風(fēng)還包括設(shè)置在振膜上的金屬引出線和與該 金屬引出線相連的電連接盤(pán)。
優(yōu)選的，所述懸臂采用Si或Si02或Si3N4或多晶硅材料生成后摻雜 金屬形成。
優(yōu)選的，所述電容式麥克風(fēng)還包括設(shè)置在所述懸臂上的金屬引出線和 與該金屬引出線相連的電連接盤(pán)。 優(yōu)逸的，所述振膜為圓形。
本發(fā)明的有益效果在于，由于振膜與支撐層之間的連接由振膜周邊全 部連接改為振膜通過(guò)若干懸臂與支撐層連接，所以克服了電極引出線因臺(tái) 階變化而出現(xiàn)斷點(diǎn)、短路情況，降低了麥克風(fēng)的靈敏度的缺陷，提高了麥 克風(fēng)的靈敏度，又由于在懸臂上設(shè)置有槽，可以進(jìn)一步提高振膜的彈性， 從而進(jìn)一步提高麥克風(fēng)的靈敏度。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，由于所述支撐層上設(shè)置有與所述懸臂 相對(duì)應(yīng)的凹槽，所以可以增加振膜與支撐層的有效連接強(qiáng)度，并可以定位 振膜。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，由于所述振膜采用Si或Si02或Si3N4 或多晶硅材料生成后摻雜金屬形成，所以振膜可以兼做金屬電極。


圖l是與本發(fā)明相關(guān)的一種麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)；圖2是本發(fā)明提供的電容式麥克風(fēng)的立體結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本發(fā)明提供的電容式麥克風(fēng)振膜的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3a是圖3所示A部分的局部放大圖； 圖4是本發(fā)明提供的電容式麥克風(fēng)的橫斷面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。
參見(jiàn)圖2,本發(fā)明提供的電容式麥克風(fēng)2，主要用于手機(jī)上，接受聲 音并將聲音轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。本發(fā)明提供的發(fā)明是通過(guò)改變振膜與支撐層之 間的配合關(guān)系來(lái)達(dá)到提高電容式麥克風(fēng)靈敏度的效果。
請(qǐng)參見(jiàn)圖5，本發(fā)明提供的電容式麥克風(fēng)2，包括背板25、與背板25 相對(duì)并通過(guò)支撐層24相連的振膜21、背板25上設(shè)有聲孔251,請(qǐng)參圖3, 振膜21上"i殳置有若干通槽(未圖示)，該通槽指向振膜21的中心；振膜 21分為振動(dòng)部分211和支撐部分，支撐部分為若干等分所述振膜的懸臂 212,懸臂212的一端固定在振膜21上，另一端突出于振膜21的周側(cè)， 懸臂212未突出于振膜21周側(cè)的部分位于通槽內(nèi)，懸臂指向振膜21的中 心，懸臂上設(shè)置有槽2121，該槽2121垂直于通槽。
參圖5,振膜21與背板25之間的前腔27的大小可通過(guò)控制支撐層 24的厚度來(lái)調(diào)整。
振膜21與背板25上分別設(shè)有導(dǎo)電層并可加電，但加電的部分相互絕 緣，這樣，振膜21與背板25就組成了具有電容的電容器。
背板25上設(shè)置有聲孔251，聲音氣流可通過(guò)該聲孔251傳遞到振膜21 上，并引起振膜21上下振動(dòng)。
因?yàn)檎衲?1與背板25之間形成電容器，當(dāng)振膜21振動(dòng)時(shí)，兩者之 間的距離發(fā)生變化，導(dǎo)致電容值發(fā)生變化，電容發(fā)生的變化則產(chǎn)生了電流， 從而將聲音轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
通過(guò)控制支撐層24的高度和構(gòu)造，可以保證振膜21的上表面和支撐 層24的上表面等高，即保證振膜21的上表面和支撐層24的上表面處于 同一平面，從而消除了臺(tái)階的變化，保證了電容式麥克風(fēng)2的靈敏度。
為了增加懸臂212與支撐層24的有效連接強(qiáng)度，需要在不影響振動(dòng) 效果的情況下，增大懸臂212與支撐層24的連接面積，為此，在支撐層24上設(shè)置有與懸臂212相對(duì)應(yīng)的凹槽。該凹槽用于懸臂212與支撐層24 的定位與連4妄。當(dāng)然，為達(dá)到增大懸臂212與支撐層24的連^t妄面積的目 的，除在支撐層24上開(kāi)設(shè)凹槽外，還可以采取其他的方法，如增大懸臂 212的厚度。
在本發(fā)明提供的優(yōu)選實(shí)施例中，參見(jiàn)圖3,懸臂212可以設(shè)有4個(gè)， 相鄰懸臂212之間的角度是90度，懸臂212的形狀可以為矩形，振膜21 的形狀為圓形。
在本發(fā)明提供的優(yōu)選實(shí)施例中，參見(jiàn)3a，設(shè)置在懸臂212上的槽2121 可以為U形，也可以為V形。
電容式麥克風(fēng)2還包括設(shè)置在振膜21上的電極引線23和與該電極引 線23相連的電連接盤(pán)22。在本發(fā)明提供的優(yōu)選實(shí)施例中，振膜21可以 采用Si、 Si02、 Si3N4或多晶硅材料生成后摻雜金屬形成。這樣，振膜 21同時(shí)可以充做電極，使得可以直接在振膜21的上表面進(jìn)行沉積，不會(huì) 出現(xiàn)電極引線23斷點(diǎn)、斷路的情況。
當(dāng)然，懸臂212也采用Si、 Si02、 Si3N4或多晶硅材料生成后摻雜金 屬形成，這樣可以在懸臂212上設(shè)置的電極引線23和與該電極引線23相 連的電連接盤(pán)2。
同時(shí)，隨著電極引線23加工工藝的簡(jiǎn)化，不需要通過(guò)增加金屬層沉 積厚度來(lái)保證其加工的可靠性，所以可以大幅度減小金屬層沉積厚度，有 效降低振膜的硬度，達(dá)到更好的靈敏度性能。
以上所述的僅是本發(fā)明的實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普 通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)， 但這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種電容式麥克風(fēng)，包括背板、支撐層、與背板相對(duì)并通過(guò)支撐層相連的振膜、背板上設(shè)有聲孔，其特征在于所述振膜上設(shè)置有若干通槽，該通槽指向振膜的中心；振膜分為振動(dòng)部分和支撐部分，支撐部分為若干等分所述振膜的懸臂，懸臂的一端固定在振膜上，另一端突出于振膜的周側(cè)，懸臂未突出于振膜周側(cè)的部分位于所述通槽內(nèi)，所述懸臂指向振膜的中心，所述懸臂上設(shè)置有槽，該槽垂直于通槽。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于所述支撐層 上設(shè)置有與所述懸臂相對(duì)應(yīng)的凹槽。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng),其特征在于所述通槽有 8個(gè)，所述懸臂有4個(gè)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于所述懸臂為 矩形。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于設(shè)置在所述 懸臂上的槽的橫截面為U形或V形。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于所述振膜采 用Si或Si02或Si3N4或多晶硅材料生成后摻雜金屬形成。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于所述電容式 麥克風(fēng)還包括設(shè)置在振膜上的金屬引出線和與該金屬引出線相連的電連 接盤(pán)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于:所述懸臂采 用Si或Si02或Si3N4或多晶硅材料生成后摻雜金屬形成。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于所述電容式 麥克風(fēng)還包括設(shè)置在所述懸臂上的金屬引出線和與該金屬引出線相連的 電連接盤(pán)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于所述振膜為圓形。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種電容式麥克風(fēng)，包括背板、支撐層、與背板相對(duì)并通過(guò)支撐層相連的振膜、背板上設(shè)有聲孔，其特征在于所述振膜上設(shè)置有若干通槽，該通槽指向振膜的中心；振膜分為振動(dòng)部分和支撐部分，支撐部分為若干等分所述振膜的懸臂，懸臂的一端固定在振膜上，另一端突出于振膜的周側(cè)，懸臂未突出于振膜周側(cè)的部分位于所述通槽內(nèi)，所述懸臂指向振膜的中心，所述懸臂上設(shè)置有槽，該槽垂直于通槽。此種結(jié)構(gòu)的電容式麥克風(fēng)可以提高電容式麥克風(fēng)的靈敏度。
文檔編號(hào)H04R19/04GK101448193SQ20081021756
公開(kāi)日2009年6月3日 申請(qǐng)日期2008年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月7日
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