專利名稱：應(yīng)用于td-scdma基站中的聲表面波中頻濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于通信用電子元器件領(lǐng)域，具體地說，本實(shí)用新型涉及一種應(yīng) 用于TD-SCDMA (時(shí)分同步碼分多址)基站中的低插入損耗聲表面波中頻濾波 器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有無線通信系統(tǒng)中采用的低損耗(小于10dB)、窄帶(相對(duì)帶寬比較小于 0.78%)中頻濾波器通常群時(shí)延起伏大，大于50nS。目前已有窄帶中頻濾波器釆 用ST石英基片(如德國EPCOS產(chǎn)品)。可是這些產(chǎn)品在實(shí)現(xiàn)小于10dB的低插 入損耗同時(shí)，群時(shí)延性能惡化。通常群時(shí)延起伏大于50ns，無法滿足TD-SCDMA 基站的要求。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種釆用ST石英基片所組 成的聲表面波TD-SCDMA基站用濾波器，它可以在實(shí)現(xiàn)低插入損耗(小于10dB) 的同時(shí)，獲得小的群時(shí)延誤差，從而滿足TD-SCDMA基站的需要。
為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型提供的應(yīng)用于TD-SCDMA基站中的聲表 面波中頻濾波器，制作在ST石英基片上，其特征在于，由兩個(gè)單相單向換能器， 以及位于所述兩個(gè)單相單向換能器之間的中間屏蔽條組成；其中，輸入單相單向 換能器的長(zhǎng)度為162人，輸出單相單向換能器的長(zhǎng)度為320人；所述輸入和輸出單 相單向換能器的反射柵條的寬度是X/4，反射柵條的中心與相鄰指條中心間隔為 3^/8，換能器指條寬度為X/8;其中X為中心頻率對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)。
上述技術(shù)方案中，所述輸入單相單向換能器的反射柵條數(shù)量為60根，輸出
單相單向換能器的反射柵條數(shù)量為48根。
上述技術(shù)方案中，所述輸入和輸出單相單向換能器的柵條金屬膜的厚度在 1400A 1600A之間，所述柵條金屬膜的厚度與波長(zhǎng)X的比值在0.0118-0.0135之間。
上述技術(shù)方案中，所述輸入單相單向換能器的加權(quán)方式采用不加權(quán)，輸出單 相單向換能器的加權(quán)方式采用抽指加權(quán)；所述輸入和輸出單相單向換能器的反射
柵陣的加權(quán)方式均采用抽指加權(quán)。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于(1)基片采用ST石英，溫度穩(wěn)定性好，適合窄帶 濾波器。(2)由于單根反射柵的反射強(qiáng)度隨反射柵條厚度增加而增加，所以可以 提高反射柵條的厚度來降低器件插入損耗，最低可以達(dá)到3dB以下；又由于過大 的反射強(qiáng)度會(huì)惡化器件的群時(shí)延，本實(shí)用新型通過控制反射柵條膜的厚度達(dá)到了 更好的群時(shí)延特性。


圖1是本實(shí)用新型的應(yīng)用于TD-SCDMA基站中的聲表面波中頻濾波器的安裝 結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型的應(yīng)用于TD-SCDMA基站中的聲表面波中頻濾波器的結(jié)構(gòu) 示意圖。
圖3是圖2實(shí)施例的幅頻響應(yīng)圖。 圖4是圖2實(shí)施例的群時(shí)延頻響圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地描述。 實(shí)施例1
圖1是本實(shí)用新型的應(yīng)用于TD-SCDMA基站中的聲表面波中頻濾波器的安 裝結(jié)構(gòu)示意圖。聲表面波中頻濾波器1粘貼在SMD (表面安裝器件)管座底面2 上，輸入與輸出電極通過引線3分別與四個(gè)管腳4相連。所述輸入、輸出電極的引
出位置可參見圖2。
圖2是本實(shí)用新型的應(yīng)用于TD-SCDMA基站中的聲表面波中頻濾波器的結(jié) 構(gòu)示意圖。該聲表面波中頻濾波器由制作在ST石英基片5上的兩個(gè)單相單向換能 器6、 8,以及中間屏蔽條7組成。換能器6采用不加權(quán)，換能器8采用切指加權(quán)。
反射柵陣加權(quán)均采用抽指加權(quán)。反射柵條9的寬度是x/4 a為中心頻率對(duì)應(yīng)的波
長(zhǎng))，反射柵條的中心與相鄰指條中心間隔為3X/:8，換能器指條(包括換能指條、 無換能或無反射的填充指條)寬度為V8。為了獲得窄帶濾波器的幅度響應(yīng)，兩 個(gè)單相單向換能器的長(zhǎng)度不相等，分別為162X和320X，反射柵條數(shù)量分別為60 根和48根。為了達(dá)到相對(duì)低的插入損耗，取較大的相對(duì)膜厚h/人，從而獲得較大 的總反射系數(shù)(總反射強(qiáng)度:K,2與換能器總柵條數(shù)目的乘積,其值接近l時(shí)能量泄 漏小)。本實(shí)施例中的柵條金屬膜厚h為1500A，相對(duì)膜厚h/X為0.0126。本實(shí)用新 型中，柵條金屬膜厚h可以取1400 1600A 。其中，lA=l(T1Qm 。
由于總的反射強(qiáng)度由單根反射強(qiáng)度和反射柵條數(shù)目乘積決定，而反射柵條的 數(shù)目已經(jīng)由換能器加權(quán)確定，所以通過控制單根反射柵條的反射強(qiáng)度來控制總的 反射強(qiáng)度。又由于單根反射柵條的反射信號(hào)的強(qiáng)度KflRmxh/X+Rel，其中Rm= -O. 71, Re=-0.00057， h:柵條金屬膜的厚度，人波長(zhǎng)，即反射的周期長(zhǎng)度X2。 因此可以通過改變柵條金屬膜的厚度h來控制反射信號(hào)強(qiáng)度。其特點(diǎn)在于ST石 英上面反射柵的反射信號(hào)主要來自于力學(xué)負(fù)載的貢獻(xiàn)，隨著膜厚的增加而增大， 反射信號(hào)的強(qiáng)度通過改變膜厚來控制，從而降低濾波器的插入損耗。
圖3是圖2中實(shí)施例的幅頻響應(yīng)曲線，從圖中可以看出，ldB帶寬約 1.27MHz，插入損耗為8.9dB。
圖4是圖2中實(shí)施例的群時(shí)延頻響曲線，從圖中可以看出264士0.635MHz范 圍內(nèi)，群時(shí)延起伏小于40nS。
實(shí)施例2
本實(shí)施例柵條金屬膜的厚度h取1400A，相對(duì)膜厚h/X取0.0118 。其余部分與 實(shí)施例1相同。 實(shí)施例3
本實(shí)施例柵條金屬膜的厚度h取1600A，相對(duì)膜厚h/X取0.0135。其余部分與 實(shí)施例1相同。
權(quán)利要求1、一種應(yīng)用于TD-SCDMA基站中的聲表面波中頻濾波器，制作在ST石英基片上，其特征在于，由兩個(gè)單相單向換能器，以及位于所述兩個(gè)單相單向換能器之間的中間屏蔽條組成；其中，輸入單相單向換能器的長(zhǎng)度為162λ，輸出單相單向換能器的長(zhǎng)度為320λ；所述輸入和輸出單相單向換能器的反射柵條的寬度是λ/4，反射柵條的中心與相鄰的換能器指條中心間隔為3λ/8，換能器指條寬度為λ/8；其中λ為中心頻率對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)。
2、 按權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于TD-SCDMA基站中的聲表面波中頻濾波器， 其特征在于，所述輸入單相單向換能器的反射柵條數(shù)量為60根，輸出單相單向 換能器的反射柵條數(shù)量為48根。
3、 按權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于TD-SCDMA基站中的聲表面波中頻濾 波器，其特征在于，所述輸入和輸出單相單向換能器的柵條金屬膜的厚度在 1400A 1600A之間，所述柵條金屬膜的厚度與波長(zhǎng)X的比值在0.0118~0.0135之 間。
4、 按權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于TD-SCDMA基站中的聲表面波中頻濾 波器，其特征在于，所述輸入單相單向換能器的加權(quán)方式采用不加權(quán)，輸出單相 單向換能器的加權(quán)方式采用切指加權(quán)；所述輸入和輸出單相單向換能器的反射柵 陣的加權(quán)方式均釆用抽指加權(quán)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種應(yīng)用于TD-SCDMA基站中的聲表面波中頻濾波器，該濾波器制作在ST石英基片上，其特征在于，由兩個(gè)單相單向換能器，以及位于所述兩個(gè)單相單向換能器之間的中間屏蔽條組成；其中，輸入單相單向換能器的長(zhǎng)度為162λ，輸出單相單向換能器的長(zhǎng)度為320λ；所述輸入和輸出單相單向換能器的反射柵條的寬度是λ/4，反射柵條的中心與相鄰的換能器指條中心間隔為3λ/8，換能器指條寬度為λ/8；其中λ為中心頻率對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有更小的插入損耗和更好的群時(shí)延特性。
文檔編號(hào)H04B1/707GK201008152SQ20072010317
公開日2008年1月16日 申請(qǐng)日期2007年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月11日
發(fā)明者何世堂, 徐方遷, 李紅浪 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院聲學(xué)研究所